「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(348ページ目) - Weblio英語例文検索

A high frequency dielectric heater 10 has a structure that a large number of fine coils 13 are arranged over the whole width direction of the plate glass G and the platinum base foreign matter P present in the plate glass G is quickly heated by irradiating the plate glass G with high frequency by allowing a high frequency current to flow to the coils 13.例文帳に追加

高周波誘電加熱装置１０は、板ガラスＧの全幅方向に亘って、多数の微小なコイル１３が並んだ構造を有しており、各コイル１３に高周波電流を流すことによって、板ガラスＧに対し、高周波を照射して板ガラスＧの中に存在する白金系異物Ｐを急速に加熱させるものである。 - 特許庁

To prepare a cake-type powdery cosmetic such as a powdery foundation compounded with 2-ethylhexyl p-methoxycinnamate useful as an organic UV-absorber, having high safety free from sensitization to the skin by the addition of a water-soluble extract and free from troubles of caking in use even by adding the water-soluble extract.例文帳に追加

有機系紫外線吸収剤として有用なパラメトキシケイ皮酸２−エチルヘキシルを配合したパウダーファンデーション等において、水溶性の抽出物を配合して肌への感作性のない安全なものとし、さらには、その水溶性の抽出物を添加していても使用時にケーキングが起こらない固形粉末化粧料を提供する。 - 特許庁

The process is gentle with the environment, generates finely separated calcium carbonate suitable for industrial application from a calcium carbonate enriched by-product 1 in a nitrophosphate fertilizer plant, and comprises processes for heat treatment purification S_1, S_2, and S_3, a grinding process P, and a process T for coating with an emulsion of a fatty acid or its derivative.例文帳に追加

ニトロリン酸塩肥料プラントの炭酸カルシウム富化副生成物１から、産業適用に適切な細かく分離された炭酸カルシウムを生成するための環境にやさしいプロセスであり、熱処理の精製プロセスＳ_１、Ｓ_２、Ｓ_３、粉砕Ｐおよび脂肪酸またはその誘導体のエマルジョンを使用するコーティングを行うプロセスＴからなる。 - 特許庁

The water bag 1 is constituted of an inner bag 3 formed of a water permeable sheet to contain a highly hygroscopic resin powder P and an outer bag 2 provided with an opening 20 large enough to take in and out the inner bag and a slide fastner 2f (opening/closing means) closing the opening 20.例文帳に追加

本発明に関わる水嚢１は、通水性を備えたシート材から成り所定量の粉末状の高吸水性樹脂Ｐを収容する内袋３と、防水性を備えたシート材から成り内袋３の出し入れが可能な大きさの開口２ｏを有するとともに、該開口２ｏを閉止するスライドファスナー(開口閉止手段)２ｆを有する外袋２とを具備して成る。 - 特許庁

In a method of attaching the die of a spinning apparatus 1 by which the die M is fixed to the main spindle 3 via a fitting mechanism 9, a numerically controlled motor E1 for rotating the spindle 3 is rotated by the pulse signal which is output by a manual pulse generator P and the positioning and the fitting operation of the fitting mechanism 9 are performed.例文帳に追加

主軸３に対して金型Ｍを嵌合機構９を介して固定する絞り加工装置１の金型取付方法において、主軸３の回転を行う数値制御モータＥ１を、手動パルス発生器Ｐにより出力させるパルス信号で回転させ、前記嵌合機構９の位置合わせと嵌合動作を行うようにする。 - 特許庁

In parallel to the grinding work, a measuring element 9 is oscillated between the reference position P' on the intermediate part 4 and the work diameter measuring position Q on the outer diameter machining part 30 so that the level difference ΔR is measured at real time, and when the level difference ΔR reaches the minor level difference ΔR0, the grinding work of the work is completed.例文帳に追加

そして、該研削加工と並行して測定子９を中間部４上の基準位置Ｐと外径被加工部位３０上の加工径測定位置Ｑとの間でオシレーションさせることにより段差ΔＲを実時間的に計測し、段差ΔＲが微小段差ΔＲ０に到達したときに被加工物２の研削加工を完了する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance RAM (MRAM) of a simple structure by forming a cell array by forming a cell having a simple structure and a small cell size by storing two or more data, by coupling an MTJ (Magnetic Tunnel Junction) between a word line and a P-N diode and further coupling a plurality of cells in a NAND type between a bit line and a cell plate.例文帳に追加

ワードラインとＰ−Ｎダイオードとの間にＭＴＪ（ＭａｇｎｅｔｉｃＴｕｎｎｅｌ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を結合して２つ以上のデータを記憶させ、構造が簡単でセルサイズが小さいセルを具現し、さらに、ビットラインとセルプレートとの間に複数個のセルをＮＡＮＤ型に連結してセルアレイを具現することにより、簡単な構造の磁気抵抗ラム（ＭＲＡＭ）を具現する。 - 特許庁

At least one out of the lines between an AC power input terminal IN and an output terminal OUT to high voltage equipment is set to parallel branch lines (a) and (b), and an externally mounted device is composed by connecting the series connection body between diodes da and db and P-N junction elements ta and tb to both branch circuits, thus facilitating the utilization by a general user.例文帳に追加

交流電力入力端子ＩＮと電磁機器への出力端子ＯＵＴとの間のラインの少なくとも１本のラインを、並列分岐ラインａ、ｂとし、両分岐回路にダイオードｄａ、ｄｂとＰＮ接合素子ｔａ、ｔｂとの直列接続体を接続してなる外付け装置を構成して、一般ユーザー段階での利用を容易化した。 - 特許庁

This water cutoff device 1 installed at the entrance P comprising a floor face F and two wall surfaces W1, W2 facing each other, is provided with clamp mechanisms 27, 31 for pressing a water cutoff sheet part built in a water cutof door 2, to the downstream side D through cutout parts 15, 16 of the water cutoff door 2 constituting the water cutoff device 1.例文帳に追加

この発明の止水装置１は、床面Ｆと互いに対向する２つの壁面Ｗ１およびＷ２とからなる出入口Ｐに設置されるものであり、止水装置１を構成する止水扉２の切欠き部１５および１６を介して止水扉２に内蔵された止水シート部を下流側Ｄに押圧するクランプ機構２７および３１を備えている。 - 特許庁

The positive electrode active material for the nonaqueous electrolyte secondary battery is composed of lithium-containing polyanion complex oxide expressed by a composition formula AMX_2O_6 (in the formula, A contains at least lithium, M contains at least trivalent iron or trivalent manganese, X contains at least one or more selected from Si, P, and Al).例文帳に追加

組成式ＡＭＸ_2Ｏ_6（式中、Ａは少なくともリチウムを含み、Ｍは少なくとも３価の鉄又は３価のマンガンを含み、Ｘは少なくともＳｉ、Ｐ、Ａｌの中から少なくとも１つ以上含む）で表されるリチウム含有ポリアニオン複合酸化物からなることを特徴とする非水電解質二次電池用正極活物質により上記課題を解決する。 - 特許庁

German translations of 1. priority documents submitted under the revised Paris Convention for the Protection of Industrial Property (Federal Law Gazette 1970 II p. 391) or 2. copies of earlier applications (Sec. 6(2) Utility Model Law in conjunction with Sec. 41(1), first sentence, Patent Law) shall be furnished only upon invitation by the German Patent and Trade Mark Office. 例文帳に追加

次の書類のドイツ語翻訳文は，ドイツ特許商法庁の要求があるときに限り，提出しなければならない。 (1) 工業所有権の保護に関する改正パリ条約に基づいて提出される優先権書類 (連邦法律官報1970年II，391ページ)，又は(2) 先の出願書類の写し (実用新案法第 6条[2]及び特許法第 41条[1]第 1文) - 特許庁

The method for forming a polysilicon (p-Si) film in a process for manufacturing an integrated circuit(IC) comprises a step for sputtering an amorphous silicon (a-Si) material on a substrate, a step for supplying mixture gas containing hydrogen by about 4 vol.% during gas supply, and a step for forming an amorphous silicon film containing hydrogen.例文帳に追加

集積回路（ＩＣ）製造プロセスにおける多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）膜を形成する方法は、基板上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）材料をスパッタリングする工程と、ガス供給中に水素含有量が４体積％程度のガス混合気を供給する工程と、水素を含有するアモルファスシリコン膜を形成する工程とを包含する。 - 特許庁

The P-type MOSFET seals a gate 110 with an insulating material, forms a germanium-containing layer outside a sidewall 105, then diffuses germanium into a silicon layer or bulk silicon on an insulator through annealing or oxidization, and thus forms a slanted, built-in source/drain 40 of silicon-germanium and/or an extension section (geSiGe-SDE).例文帳に追加

Ｐ型ＭＯＳＦＥＴは、ゲート１１０を絶縁体で封止し、ゲルマニウム含有層を側壁１０５の外側に成層させ、次いで、アニーリング又は酸化により、ゲルマニウムを絶縁体上シリコン層又はバルクシリコンの中に拡散させて、勾配付き組み込みシリコン−ゲルマニウムのソース−ドレイン４０及び／又は延長部（ｇｅＳｉＧｅ−ＳＤＥ）を形成する。 - 特許庁

The pocket side faces 61 and the pocket bottom face 63 are formed with slot holes 66, 69, wherein axis members 49 provided in the side panels 17 of the case body 11 are penetrated, and housing width of the pocket P is structured to be adjustable by relative movement between the axis members 49 and the slot holes 66, 69.例文帳に追加

ポケット側面６１及びポケット底面６３にはスロット穴６６，６９がそれぞれ形成されており、これらスロット穴６６，６９には、ケース本体１１のサイドパネル１７に設けられた軸部材４９が貫通して当該軸部材４９とスロット穴６６，６９との相対移動でポケットＰの収納幅が調整可能となっている。 - 特許庁

Furthermore, when acquiring noise data, the MOS transistor T8 is turned on to allow the MOS transistor T9 to carry out the resetting, and thereafter, controlling the signal ϕVPS resets the logarithmic transform MOS transistor T1, in response to the threshold voltage and provides an output independently of the incident light to the P-N junction photodiode PD.例文帳に追加

また、ノイズデータ取得時に、ＭＯＳトランジスタＴ８をオンにし、ＭＯＳトランジスタＴ９によるリセットを行った後、ＭＯＳトランジスタＴ８をオフにし、信号φＶＰＳを制御することによって対数変換用ＭＯＳトランジスタＴ１を閾値電圧に応じてリセットし、その後ＰＮ接合フォトダイオードＰＤへの入射光に関係しない出力を行う。 - 特許庁

The electrical energy generator includes a plurality of nanowires made of a semiconductor material having piezoelectric characteristics; a semiconductor layer which is formed at one end of the nanowires and forms a p-n junction with the nanowires; and a contact layer which is in contact with the other end of the nanowires and made of a material having metal-insulator transition (MIT) characteristics.例文帳に追加

圧電特性を有する半導体物質からなる複数のナノワイヤと、該ナノワイヤの一端に形成される層であり、ナノワイヤとｐ−ｎ接合を形成する半導体層と、ナノワイヤの他端に接する層であり、金属−絶縁体転移（ＭＩＴ）特性を有する物質からなるコンタクト層と、を含む電気エネルギー発生装置である。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a substrate that has an uneven structure on its primary surface; a nitride layer of at least either of polycrystal and non-crystal that is formed on the entire primary surface and in which at least either of a p-type impurity and an n-type impurity is doped; and a nitride semiconductor layer that is provided on the nitride layer.例文帳に追加

実施形態に係る半導体装置は、主面上に凹凸構造が設けられた基板と、前記主面の全面に設けられ、ｐ型不純物およびｎ型不純物の少なくともいずれかがドープされた、多結晶および非晶質の少なくともいずれかである窒化物層と、前記窒化物層の上に設けられた窒化物半導体層と、を備える。 - 特許庁

To provide a color developing concentrated kit (concentrated composition) free of deterioration in coloration even after storage with time, particularly storage at high temperature, maintaining the value as a product even after long-term storage and capable of retaining stable performance with respect to photographic performance as a color developing concentrated kit (concentrated composition) containing a p-phenylenediamine-base color developing agent.例文帳に追加

ｐ−フェニレンジアミン系発色現像主薬を含む発色現像濃縮キット（濃縮組成物）において、経時保存、特に高温保存しても着色劣化が生じず、長期に保存しても製品としての価値を維持し、写真性能上安定した性能を維持できる発色現像濃縮キット（濃縮組成物）を提供することにある。 - 特許庁

To provide a noise insulation method and noise insulation equipment which can remarkably increase the sound insulation effect when insulating sound transmitted from a noise generating surface-like body F to a noise reduction object area P located in the opposite side of a sound insulation board 1 through the sound insulation board 1 adjoining this surface-like body via space S.例文帳に追加

騒音発生面状体Ｆから、空間Ｓを介してこの面状体Ｆに隣接する遮音板１を通過して、遮音板１の反対側に位置する騒音低減対象領域Ｐに伝達される音を遮音するに際し、遮音効果を大幅に改善することのできる遮音方法および遮音装置を提供する。 - 特許庁

The image forming means 100 for forming a toner image carried by the image carrier, the heating means 40 heating and melting the toner image carried by the image carrier, and a pressing means 42 bringing the toner image heated and melted by the heating means, into pressure contact with a recording medium P to transfer and fix the toner image, are provided in this order along the traveling direction of the image carrier.例文帳に追加

その像担持体の走行方向に沿って、像担持体が担持するトナー像を形成する画像形成手段１００と、像担持体が担持するトナー像を加熱溶融する加熱手段４０と、その加熱手段で加熱溶融したトナー像を記録媒体Ｐに圧接して転写定着する加圧手段４２とが順に備えられている。 - 特許庁

An exchange 10 detects that a mobile terminal 100 enters a service area of a base station 20-p designated in advance when registering an ISDN terminal 200 as a called communication terminal automatically makes a call to the ISDN terminal 200, and uses a display information element of a call setup message to inform the entered place.例文帳に追加

交換機１０は、着信側の通信端末としてＩＳＤＮ端末２００を登録した場合にあらかじめ指定した基地局２０−ｐのサービスエリアに移動体端末１００が進入したことを検出したとき、ＩＳＤＮ端末２００に自動発呼し呼設定メッセージの表示情報要素を用いて進入地を通知する。 - 特許庁

This device manufacturing apparatus IJ is provided with: the ink-jet head 20 capable of jetting ink to a pattern forming region of a substrate P; flushing regions 52 and 59 formed in parts other than the pattern formation region; and a control device CONT for controlling jetting of the ink-jet head 20 so as to jet the ink to the flushing regions 52 and 59.例文帳に追加

デバイス製造装置ＩＪは、基板Ｐのパターン形成領域に対してインクを吐出可能なインクジェットヘッド２０と、パターン形成領域以外の部分に設けられたフラッシング領域５２、５９と、フラッシング領域５２、５９に対してインクを吐出するようにインクジェットヘッド２０の吐出動作を制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。 - 特許庁

The plasticizing device 11 plasticizing the molding material P by the screw 13 rotatably set in the heating cylinder 12, has a suction means 24 evacuating the heating cylinder 12 from a rear side of the heating cylinder 12 including a charge port 15, and a belt-like shallow groove part 39 on the rear side of the flight 37 of the screw 13.例文帳に追加

加熱筒１２内に回転自在に設けられたスクリュ１３により成形材料Ｐを可塑化する可塑化装置１１において、投入口１５を含む加熱筒１２の後部側から加熱筒１２内を負圧吸引する吸引手段２４を有するとともに、スクリュ１３のフライト３７の後側に帯状の浅溝部３９を設ける。 - 特許庁

In this partial discharge measuring method for measuring partial discharge of a separator disposed between positive and negative electrodes of an electrode body for a battery, gas pressure p of gas existing between the electrodes is set at a value corresponding to the proximity of a minimum value Y1 (pd=X1) of discharge starting voltage on the Paschen curve of the gas.例文帳に追加

電池用電極体の正負極間に配置されたセパレータの部分放電を測定する部分放電測定方法であって、正負極間に存在する気体のガス圧ｐを、該気体のパッシェン曲線における放電開始電圧の最小値Ｙ１（ｐｄ＝Ｘ１）近傍に対応した値に設定することを特徴とする、部分放電測定方法である。 - 特許庁

In the formation of source-drain region of a MOS transistor with LDD structure, after forming a gate electrode 103 via a gate insulating film 102 on a p-type silicon substrate 101, ion implantation is performed using the gate electrode 103 or the like as an ion implantation mask, furthermore, an n-low concentration impurity region 106 is formed by heat treatment.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、Ｐ型シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極１０３を形成後、ゲート電極１０３等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、ｎ−低濃度不純物領域１０６を形成する。 - 特許庁

The plating surface of a galvanized steel sheet is coated with a lower layer film bases on a silicic acid compound (at least a part of which preferably comprises a silane coupling agent) and a resin and containing fluoride and a phosphate compound as an F element and a P element in an amount of 0.5-5 at.% and an upper layer resin film having lubricity and fingerprint resistance.例文帳に追加

亜鉛系めっき鋼板のめっき面を、珪酸化合物 (少なくとも一部はシランカップリング剤からなることが好ましい) と樹脂を主成分とし、フッ化物とリン酸化合物を、それぞれＦ元素およびＰ元素として 0.5〜５at％の量で含有する下層皮膜と、その上の潤滑性または耐指紋性のある上層の樹脂皮膜とで被覆する。 - 特許庁

A manufacturing device 20 for an LTCC multilayer substrate includes a stacking section 28 where a plurality of green sheets GS are stacked in order on a conveyance stage 22, and a drawing section 25 which draws a pattern P on a top layer by discharging a droplet D to the top layer based upon bit map data related to the top layer each time a green sheet GS is stacked.例文帳に追加

ＬＴＣＣ多層基板の製造装置２０は、複数のグリーンシートＧＳを順に搬送ステージ２２の上に積層する積層部２８と、グリーンシートＧＳが積層されるたびに最上層に関連付けられたビットマップデータに基づいて最上層に液滴Ｄを吐出して最上層にパターンＰを描画する描画部２５とを有する。 - 特許庁

The paper exfoliation mechanism 6 includes claw bodies 611 and 621 provided on paper carry-wise start end portions of paper separating claws 61 and 62 and abutting on the photoreceptor, and rotating members 612 and 621 rotatably provided on the paper carry-wise terminal end portions of the paper releasing claws 61 and 62 to guide paper P separated from a photoreceptor 42 in contact therewith.例文帳に追加

用紙剥離機構６は、用紙剥離爪６１，６２の用紙搬送方向始端部に設けられ、かつ感光体に当接する爪体６１１，６２１と、前記用紙剥離爪６１，６２の用紙搬送方向終端部に回動可能に設けられ、かつ感光体４２から剥離された用紙Ｐを接触させながら案内する回転部材６１２，６２１と、を含む。 - 特許庁

The photographic processing device is provided with image display means 1 for displaying images, means 2 for acquiring a line-of-sight (LOS) position of an operator 7 on the image display means 1 and control means 3 for executing the prescribed processing made correspondent to the LOS position P in accordance with the LOS position acquired by the means 2.例文帳に追加

画像を表示する画像表示手段１と、操作者７の前記画像表示手段１上における視線位置Ｐを取得する視線位置取得手段２と、前記視線位置取得手段２によって取得された視線位置Ｐに基づき、当該視線位置Ｐに対応付けられた所定の処理を実行する制御手段３とを備える。 - 特許庁

The novolak type phenolic resin is obtained by reacting phenols comprising 50-95 mol% o-cresol and 5-50 mol% p-cresol with formaldehyde in the presence of an acidic catalyst and has ≤5% content of a binuclear body component measured by GPC(gel permeation chromatography) and a weight average molecular weight of 1,000-20,000.例文帳に追加

オルソクレゾール５０〜９５ｍｏｌ％、パラクレゾール５〜５０ｍｏｌ％からなるフェノ−ル類とホルムアルデヒドを酸性触媒の存在下で反応させて得られる樹脂で、ＧＰＣ測定による２核体成分の含有量が５％以下であり、重量平均分子量が１０００〜２００００であることを特徴とするフォトレジスト用ノボラック型フェノ−ル樹脂。 - 特許庁

Each value of the respective undiluted solution supplementing amount R is displayed on the display surface 4 of the scale 2 locate the undiluted solution supplementing amount R corresponding to the diluted solution amount P of a slide position visibly from the outside in each of the undiluted solution supplementing amount display ranges 12 when the cursor 3 is set to each of the slide positions.例文帳に追加

カーソル３が各スライド位置に設定されたとき、そのスライド位置の希釈液量Ｐに対応する原液補給量Ｒが各濃度値Ｑに対応して外部から視認可能に各原液補給量表示領域１２内に配置されるように、各原液補給量Ｒの値がスケール２の表示面４に表示されている。 - 特許庁

In the semiconductor laser having an oscillation wavelength of 760-800 mm, n-type first and second lower clad layers 103 and 104, a lower guide layer 105, an InGaAsP strained multiple quantum well active layer 107, an upper guide layer 109, and a p-type upper clad layer 110 are formed sequentially on an n-type GaAs substrate 101.例文帳に追加

発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置であって、ｎ型のＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型の第１，第２下クラッド層１０３，１０４、下ガイド層１０５、ＩｎＧａＡｓＰ多重歪量子井戸活性層１０７、上ガイド層１０９、ｐ型の上クラッド層１１０を順次積層する。 - 特許庁

A plurality of electrodes 2 are arranged on the opposing surfaces of first and second substrates 6, 7 that are arranged opposingly via an interval each other in upper and lower directions, and a plurality of p-type and n-type thermoelectric conversion elements 5 (5a, 5b) arranged via an interval each other between the first and second substrates 6, 7 are connected via the corresponding electrode.例文帳に追加

上下に互いに間隔を介して対向配置された第１と第２の基板６，７の対向表面に複数の電極２を互いに間隔を介して配設し、第１と第２の基板６，７の間に互いに間隔を介して配置されたＰ型とＮ型の複数の熱電変換素子５（５ａ，５ｂ）を対応する電極を介して接続する。 - 特許庁

A fixing unit 100 includes: a pressure roller 110; the fixing roller 120 disposed parallel to the pressure roller 110 and used to fix an unfixed toner image on a recording medium P conveyed to an area located in press contact with the pressure roller 110; and a heat roller 130 having a heat source 132 inside and used to heat the peripheral face of the fixing roller 120.例文帳に追加

本発明の定着ユニット１００は、加圧ローラ１１０と、加圧ローラ１１０と平行に配置され、加圧ローラ１１０と押圧接触する領域に搬送される記録媒体Ｐの未定着トナー像を定着させる定着ローラ１２０と、内部に熱源１３２を有し、定着ローラ１２０の周面を加熱する加熱ローラ１３０と、を備える。 - 特許庁

When the interruption information is received under a state where a continuous web of paper P is not held by the intermediate roller, the control section controls the tractor and the intermediate roller to carry the continuous web of paper in Z direction until the continuous web of paper is held by the intermediate roller while continuing image formation by the imaging unit and then interrupts image formation.例文帳に追加

制御部は、連続紙Ｐが中間ローラにより保持されていない状態で中断情報を受けた場合、作像ユニットによる画像形成を続行しながら、トラクタおよび中間ローラを制御して連続紙が中間ローラにより保持されるまで連続紙をＺ方向に沿って搬送し、その後、画像形成を中断する。 - 特許庁

A denatured polyphenylene ether resin is used for a base section 35 of a guide member 18 formed with downwardly recessing curved surface in order to guide paper P conveyed by conveyance rollers 30 and 30 between the plural processing baths and plural shape areas 36 for changing the direction of the paper by coming into contact therewith are molded by using a ultra-high- polymer polyethylene resin.例文帳に追加

複数の処理液槽の間において搬送ローラ３０、３０により搬送されるペーパーＰを案内するために下方に凹状となる湾曲面を形成したガイド部材１８の基部３５に変性ポリフェニレンエーテル樹脂を用い、接触して方向転換を行う複数の形状部位３６を超高分子量ポリエチレン樹脂を用いて成型する。 - 特許庁

The memory device further includes for each line among the row lines BL and/or the column lines WL a respective set of local lines LWL each one for selecting a group of memory cells P of the corresponding line, and also a respective set of selection elements each one for selecting the corresponding local line LWL in response to the selection of the respective lines.例文帳に追加

メモリ装置は、行ラインＢＬと列ラインＷＬとの双方又はいずれか一方のうちの各ラインに対し、対応するラインのメモリセルＰの群をそれぞれ選択するローカルラインＬＷＬの群をそれぞれ有するとともに、それぞれのラインの選択に応答して対応するローカルラインＬＷＬをそれぞれ選択する選択素子の群を有している。 - 特許庁

This seedling cartridge A has a constitution in which a plurality of nipping part bodies 2 for nipping a seedling P such as sweet potato are arranged at the same interval as that of two adjoining seedling storage parts w among plural seedling storage parts w making collected tools W of raising of seedling comprising a great number of longitudinally and latitudinally lined seedling storage parts w.例文帳に追加

本発明に係る苗カートリッジＡは、甘蔗等の苗Ｐを挟持する複数の挟持部体２…を、多数の苗収容部ｗ…を縦横に列設している集合育苗器具Ｗの列をなしている複数の苗収容部ｗ…のうち、隣り合う２つのものｗ，ｗの間隔と同じ間隔で列設した構成になっている。 - 特許庁

The wastewater treatment system is equipped with a biological treatment septic tank 10 as a wastewater treatment means for treating substances contained in a water to be treated, an electrochemical treatment apparatus 1 as an N/P removing means for removing nitrogen compounds and/or phosphorous compounds by an electrochemical technique and a sterilization device 11 for sterilizing the water to be treated.例文帳に追加

被処理水中に含まれる物質を処理する排水処理手段としての生物的処理浄化槽１０と、被処理水中の窒素化合物、及び／又は、リン化合物を電気化学的手法により除去するＮ／Ｐ除去手段としての電気化学的処理装置１と、被処理水を殺菌する殺菌装置１１とを備える。 - 特許庁

In the quantum well active layer 107, two compressive strain quantum well layers of InGaAsP and two barrier layers are arranged alternately such that an n-side barrier layer is present on the lower guide layer 105 side and a p-side barrier layer is present on the upper guide layer 109 side.例文帳に追加

上記量子井戸活性層１０７は、ＩｎＧａＡｓＰからなる２層の圧縮歪量子井戸層および２層の障壁層が交互に配置され、下ガイド層１０５側にｎ側障壁層を有するようにかつ上ガイド層１０９側にｐ側障壁層を有するように積層されており、ｎ側障壁層の厚さをホールがトンネルしにくい１３０Åとする。 - 特許庁

The intersections O, P, Q and R of the V-grooves 32a-32d and 33 are thus used as the basic points (marks) for the measurement and die working, whereby the optical element or its die having the stepped diffracting plane with its center 36 flat is correctly measured in shape, and more accurate diffraction optical element is provided.例文帳に追加

このようにＶ溝３２ａ〜３２ｄとＶ溝３３の交点Ｏ，Ｐ，Ｑ，Ｒを計測および金型加工時の基点（マーク）として用いることにより、中心３６が平面となる階段状回折面をもつ光学素子またはその金型の形状計測を正確に行うことができ、より高い精度の回折光学素子を実現することができる。 - 特許庁

A heterojunction bipolar transistor has: a base layer 103 formed on a collector layer 102 and consisting of a compound semiconductor configured by Ga, As, and Sb; a spacer layer 104 contacting with and formed on the base layer 103; and an emitter layer 105 contacting with and formed on the spacer layer 104 and consisting of a compound semiconductor configured by In and P.例文帳に追加

コレクタ層１０２の上に形成されてＧａ，Ａｓ，およびＳｂから構成された化合物半導体からなるベース層１０３と、ベース層１０３の上に接して形成されたスペーサ層１０４と、スペーサ層１０４の上に接して形成されてＩｎおよびＰから構成された化合物半導体からなるエミッタ層１０５とを備える。 - 特許庁

The thermoelectric conversion device comprises a plurality of cascade semiconductor elements each consisting of at least two p-type semiconductor elements Ph, Pc and n-type semiconductor elements Nh, Nc connected alternately in cascade, and opposing heat exchange substrates 1, 2 juxtaposed on the opposing surfaces such that the opposite ends of adjoining cascade semiconductor elements become different types of semiconductor element.例文帳に追加

熱電変換装置は、少なくとも２個のＰ型半導体素子Ｐｈ，Ｐｃ及びＮ型半導体素子Ｎｈ，Ｎｃを交互にカスケード接続してなる複数のカスケード半導体素子と、隣接するカスケード半導体素子同士の両端が異なる型の半導体素子となるように対向面に並設した対向する熱交換基板１，２を備える。 - 特許庁

The copper bonding wire is formed in such a way that a copper ultra-thin wire of oxygen-free copper consisting of ≤1 ppm of Cl, 10 to 200 ppm of P, Cu as the rest and inevitable impurities as the rest is used as a core, the Pd coating is provided on a surface of the core and a thermosetting copolymerization type polyimide resin coating is formed on a surface of the Pd coating.例文帳に追加

Ｃｌを１ｐｐｍ以下、Ｐを１０ｐｐｍ以上、２００ｐｐｍ以下含み、残部Ｃｕと残部不可避不純物とからなる無酸素銅の銅極細線を芯材とし、前記芯材の表面にＰｄ被膜を設け、前記Ｐｄ被膜の表面に熱硬化性共重合型ポリイミド樹脂被膜が形成されていることを特徴とする銅ボンディングワイヤ。 - 特許庁

The number of positions of an X-ray tube 11 rotated around a subject P in order to collect projection data is set so as not to have a common measure with respect to the number of positions within a predetermined first angle-of-rotation range and the number of positions within the second angle-of- rotation range continuted to the first angle-of-rotation range and same thereto.例文帳に追加

投影データを収集するための、被検体Ｐの周りを回転するＸ線管１１の位置数を、所定の第１の回転角度範囲における位置数と、前記第１の回転角度範囲に続く前記第１の回転角度範囲と同じ第２の回転角度範囲における位置数とは、公約数をもたないように設定するようにした。 - 特許庁