「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(354ページ目) - Weblio英語例文検索

A radioactive contaminated material container storage room containing radioactive contaminated material containers P in container tubes 5 arranged along the up and down direction inside a cell 1 and cooling the container tubes 5 by air convection forms a closed air circulation path C by connecting a cooling air inlet 19 taking the cooling air in the container tubes 5 and an air outlet 20 exhausting the air after cooling the container tubes 5 with a cooling duct 21.例文帳に追加

セル室１の内部に上下方向に沿って配置された収納管５内に放射性廃棄物収納体Ｐを収容し、収納管５を空気対流によって冷却する放射性汚染物収納体貯蔵庫であって、収納管５へ冷却空気を取り込む冷却空気入口１９と、収納管５冷却後の空気を排出する空気出口２０とを冷却ダクト２１で接続して閉じられた空気循環路Ｃを形成することを特徴とする。 - 特許庁

The surface of the substrate 2 is formed in irregularity by etching, the epitaxial layer 3 is formed with its surface formed by allowing epitaxial growth to be performed on the principal plane of the substrate 2, the pn-composition plane 6 of the layer 4a and the layer 5 formed by ion implanting n-type and p-type impurities from the surface of the layer 3 is formed into irregularity.例文帳に追加

エッチングにより半導体基板２の表面を凹凸状に形成し、半導体基板２の主面上でエピタキシャル成長することにより表面が凹凸状のエピタキシャル層３を形成し、Ｎ型およびＰ型の不純物をエピタキシャル層３の表面からイオン注入することにより形成された半導体層４ａおよび半導体層５のＰＮ接合面６を凹凸状に形成する。 - 特許庁

The thermoelement module is provided where conductive metal electrodes are jointed to the facing surfaces of a plurality of facing substrates, respectively, and a plurality of n-type thermoelectric semiconductor elements and p-type thermoelectric semiconductor elements are adjoined with the metal electrode in between.例文帳に追加

対向する複数枚の各基板の対向面にそれぞれ導電性の金属電極を接合し、該金属電極を介して複数のｎ型及びｐ型の熱電半導体素子を互に隣り合せて配設してなる熱電素子モジュールにおいて、各熱電半導体素子の電極との接続面以外の面に、下記（ａ）〜（ｄ）の被膜形成性成分から選ばれる被膜を施すと共に、隣り合う熱電素子同士を離間させて配設する。 - 特許庁

The substrate coating method for lithography includes the steps of coating the top of a substrate with a film in a lithography process and disposing a topcoat layer on the film, wherein the film is formed using an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that contains a resin (P), having a repeating unit (A) which decomposes due to irradiation with actinic rays or radiation, and which generates an acid.例文帳に追加

リソグラフィプロセスにおいて基板上に膜を被覆する工程と、該膜上にトップコート層を設ける工程を含むリソグラフィ用基板被覆方法であって、前記膜が、活性光線または放射線の照射により分解して酸を発生する繰り返し単位（Ａ）を有する樹脂（Ｐ）を含有する感活性光線または感放射線性樹脂組成物を用いて形成されることを特徴とする、リソグラフィ用基板被覆方法。 - 特許庁

The semiconductor device 100 is provided with a silicon substrate 102, the n-type MOSFET 118 formed over the silicon substrate 102 to include a first high dielectric constant film 111 and a polycrystalline silicon film 114, and the p-type MOSFET 120 formed over the silicon substrate 102, in parallel with the n-type MOSFET 118 to include a second high dielectric constant film 112 and a polycrystalline silicon film 114.例文帳に追加

半導体装置１００は、シリコン基板１０２と、シリコン基板１０２上に形成された第一の高誘電率膜１１１および多結晶シリコン膜１１４を含むＮ型ＭＯＳＦＥＴ１１８と、シリコン基板１０２上に、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１１８に並置して形成された第二の高誘電率膜１１２および多結晶シリコン膜１１４とを含むＰ型ＭＯＳＦＥＴ１２０と、を備える。 - 特許庁

On a semiconductor substrate including N-type drift layer 11, IGBT regions 1 acting as an IGBT element and diode regions 2 acting as a diode element are alternatingly and repeatedly laid out, and P-type Schottky contacts 24 drawing out holes from the N-type drift layer 11 are provided in the surface part of the N-type drift layer 11 located on the most IGBT region 1 side among the diode region 2.例文帳に追加

Ｎ−型ドリフト層１１を含む半導体基板にＩＧＢＴ素子として動作するＩＧＢＴ領域１とダイオード素子として動作するダイオード領域２とが交互に繰り返しレイアウトされており、ダイオード領域２のうちもっともＩＧＢＴ領域１側であって、Ｎ−型ドリフト層１１の表層部に、Ｎ−型ドリフト層１１からホールを引き抜くＰ型のショットキーコンタクト領域２４を設ける。 - 特許庁

A key generator generates hyperelliptic curve data of a hyperelliptic curve cryptograph on the basis of elliptic curve data of an elliptic curve cryptograph using an elliptic curve defined in the field of the characteristic p (>3) and is provided with a hyperelliptic curve generation part 20 which uses Weil descent to generate the hyperelliptic curve data on the basis of the inputted elliptic curve data and a polynomial bases.例文帳に追加

標数ｐ（＞３）の体上で定義された楕円曲線を用いる楕円曲線暗号の楕円曲線データに基づいて、超楕円曲線暗号の超楕円曲線データを生成する鍵生成装置であって、入力された前記楕円曲線データ及び多項式基底に基づき、ヴェイユ降下を用いて前記超楕円曲線データを作成する超楕円曲線作成部２０を備えている。 - 特許庁

In one or more detection points P provided on a line L between a drive circuit 15 that drives an optical modulation element EAM and the optical modulation element EAM, drive current that drives the optical modulation element EAM passing through the line L is detected and whether the detected drive current is within or beyond a normal range is determined to determine disconnection of the line L.例文帳に追加

光変調素子ＥＡＭを駆動する駆動回路１５と前記光変調素子ＥＡＭとの間の線路Ｌに設けられた１個又は複数個の検出点Ｐにおいて、当該線路Ｌを流れる光変調素子ＥＡＭを駆動する駆動電流を検出し、検出された駆動電流が正常範囲内か正常範囲外かを判定することによって、前記線路Ｌの断線を判定する。 - 特許庁

To provide a detergent for a magnetic disk substrate, which has excellent solubility, for re-deposition of nickel ions originating from an Ni-P plated aluminum substrate, and iron ions originating from cleaning equipment made of stainless steel etc., has excellent dispersibility of particles once adsorbed on a substrate surface and then desorbed therefrom owing to possession of a suitable etching property, and is excellent in reattachment prevention property against particles.例文帳に追加

Ｎｉ−Ｐメッキしたアルミ基板に由来するニッケルイオン、ステンレス製の洗浄設備等に由来する鉄イオンの再析出に対して優れた溶解性を有するとともに、適度なエッチング性を有することで一旦吸着した後、基板表面から脱離したパーティクルの分散性が良好であり、かつパーティクルの再付着防止性に優れた磁気ディスク用基板洗浄剤を提供することを目的とする。 - 特許庁

The active ray sensitive or radiation sensitive resin composition includes: a resin (P) having a recurring unit (A) including a portion decomposed by irradiation with an active ray or a radiation and generating an acid anion in a side chain of the resin, wherein the recurring unit (A) has a ≥7C aromatic ring on a portion except the acid anion generating portion on the side chain having the acid anion generating portion.例文帳に追加

活性光線または放射線の照射により分解して樹脂の側鎖に酸アニオンを発生する部位を含む繰り返し単位（Ａ）を有する樹脂（Ｐ）を含み、繰り返し単位（Ａ）が炭素数７以上の芳香環を、少なくとも、該酸アニオン発生部位を有する側鎖上であって該酸アニオン発生部位以外に有することを特徴とする感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。 - 特許庁

To provide a concrete method for dynamically allocating to a terminal any one of a plurality of S-CSCF servers on the basis of running state information and subscriber accommodation rate information of the plurality of S-CSCF servers in an IMS core network provided with a P-CSCF server, an I-CSCF server, an HSS server and the plurality of S-CSCF servers.例文帳に追加

Ｐ−ＣＳＣＦサーバー、Ｉ−ＣＳＣＦサーバー、ＨＳＳサーバー、および、複数のＳ−ＣＳＣＦサーバーが配備されたＩＭＳコアネットワークにおいて、複数のＳ−ＣＳＣＦサーバーのそれぞれの稼動状態情報と加入者収容率情報に基づいて、ダイナミックに複数のＳ−ＣＳＣＦサーバーのうちのいずれかのＳ−ＣＳＣＦサーバーを端末へ割り当てる具体的な方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the heat sensitive record having a heat sensitive recording layer including a leuco dye, a developer, a sensitizer and an adhesive on a support, a 4,4'-dihydroxydiphenylsulfone is employed as the developer, at least one selected from the group consisting of an amide stearate, a diphenylsulfone and a di-p-methylbenzyl oxalate is employed as the sensitizer as one means for settling the above problems.例文帳に追加

支持体上に、ロイコ染料、顕色剤、増感剤および接着剤を含有する感熱記録層を有する感熱記録体において、上記の課題を解決するための一つの手段として、本発明は、顕色剤として４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンを用い、かつ増感剤としてステアリン酸アミドと、ジフェニルスルホンおよびシュウ酸ジ−ｐ−メチルベンジルエステルの少なくとも一種とを用いるものである。 - 特許庁

To provide a method of discriminating a combination of an electrode and an organic semiconductor which have improved electron injection efficiency and hole injection efficiency in an organic TFT, to achieve two kinds of n-channel and p-type TFTs, and to provide a complementary organic thin film transistor (organic CTFT) and a complementary organic TFT array forming a desired circuit configuration using the organic CTFT.例文帳に追加

有機ＴＦＴにおいて、電子注入効率とホール注入効率を改善した電極と有機半導体の組み合わせをそれぞれ判別する手法を提供し、また、ｎ型チャネルＴＦＴとｐ型チャネルＦＥＴの２種類のＴＦＴを実現し、相補型有機薄膜トランジスタ（有機ＣＴＦＴ）および、有機ＣＴＦＴによる所望の任意回路構成を形成する相補型有機ＴＦＴアレイを提供する。 - 特許庁

The curable composition contains a polymer (P) having a polyoxyalkylene chain and having a hydrolyzable silyl group at a molecular terminal, and a compound (A) having a ≥3C linear or branched carbon atom chain, one or more hydrocarbon groups and two or more hydroxy groups and having a structure in which hydroxy groups bond respectively to at least two carbon atoms adjacent to a carbon atom to which a hydrocarbon group bonds.例文帳に追加

ポリオキシアルキレン鎖を有し、かつ分子末端に加水分解性シリル基を有する重合体（Ｐ）、および炭素数３以上の直鎖状または分岐状の炭素原子鎖と、１個以上の炭化水素基と、２個以上の水酸基を有し、炭化水素基が結合している炭素原子に隣り合う少なくとも２個の炭素原子にそれぞれ水酸基が結合している構造を有する化合物（Ａ）を含む硬化性組成物。 - 特許庁

At the time of forming a striped P+ boron-implanted area 3a having a uniform width from the front surface to the rear surface of an N+ silicon wafer 1, it is necessary to form a uniform vertical boron distribution by continuously changing the acceleration energy of implanted boron ions and the range of boron in the wafer 1.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体にイオンを選択的に照射することにより半導体中に第１、第２導電型の領域を形成する際、加速エネルギーと照射領域幅とを制御することにより半導体中の第１、第２導電型の領域がイオンの照射方向に沿って一様な幅と濃度とを有するようにして良好なスーパージャンクションを形成する。 - 特許庁

When monochromatic toner images carried on an intermediate transfer belt 60 are secondarily transferred to a transfer material P, a voltage applied to an intermediate transfer belt cleaning auxiliary roll 100 is switched from a positive-polarity voltage to a negative-polarity voltage after the end of the prescribed number of times of secondary transfer in order to transfer the toner stuck on the roll 100 to the intermediate transfer belt 60.例文帳に追加

中間転写ベルト６０上に担持される単色のトナー像を転写材Ｐに２次転写する場合は、所定回数の２次転写が終了した後に中間転写ベルトクリーニング補助ローラに付着した付着トナーを中間転写ベルト６０に転移させるべく中間転写ベルトクリーニング補助ローラ１００に印加する電圧を正極性の電圧から負極性の電圧に切り替える。 - 特許庁

The briquette-like seizure repairing material comprises fire resistant aggregate; one or more kinds of hot binders selected out of phenol resin powder, coal pitch powder and petroleum pitch powder and burnt/carbonized in heat to form a carbon bond; one or more kinds of seizure auxiliaries selected out of p-alkylphenol, lactam, bisphenol, diphenyl and diphenylamine; and wax having a lower fusing point than the hot binder.例文帳に追加

本発明のブリケット状焼付補修材は、耐火骨材及び、熱間で燃焼・炭化してカーボンボンドを形成するフェノール樹脂粉末、石炭系ピッチ粉末、石油系ピッチ粉末から選ばれる１種又は２種以上の熱間バインダー及び、ｐ−アルキルフェノール類、ラクタム類、ビスフェノール、ジフェニル、ジフェニルアミンから選ばれる１種又は２種以上の焼付助剤及び、前記熱間バインダーよりも低い融点を有するワックスからなる。 - 特許庁

A dephosphorizing treatment apparatus P is equipped with an electrolytic cell 30, two sets of rectangular plate-shaped iron electrodes 31, 32 arranged in the electrolytic cell 30, the round rod-shaped passive electrode 39 arranged between the electrodes 31, 32, an electrode holder 33 for holding the electrodes 31, 32, 39 and a DC power supply for supplying an electrolytic current across the electrodes 31, 32, 39.例文帳に追加

脱リン処理装置Ｐは、電解槽３０と、電解槽３０に配された長方形板状の２組の鉄電極３１・３２と、電極３１・３２の間にそれぞれ配された丸棒状の不動態電極３９と、これらの電極３１・３２・３９を保持するための電極保持体３３と、電極３１・３２・３９間に電解用電流を供給するための直流電源とを備えている。 - 特許庁

The member for a display has a metal substrate with an oxide layer formed thereon where the oxide layer contains P of 1 to 16 mass%, the remainder is an oxide having a silicon oxide as the main composition consisting of Si and O substantially, the oxide layer is 0.1 to 10 μm in thickness, and the oxide layer can contain B of 15 mass% or less (not including 0 mass%).例文帳に追加

金属基板に酸化物層を形成してなるディスプレイ用部材であって、該酸化物層は質量％でＰ：１〜１６％を含有し、残部は実質的にＳｉとＯとからなる珪素酸化物を主組成とする酸化物でなり、酸化物層の厚さが、０．１〜１０μｍであるディスプレイ用部材であり、前記酸化物層に更に質量％でＢ：１５％以下（０％は含まず）を含有させても良い。 - 特許庁

In the oscillation start detection circuit for detecting oscillation start when transmitting output from an oscillation inverter 1 to an internal circuit, a transmission gate 11 where output from the oscillation inverter 11 is inputted is provided, thus utilizing a dead zone voltage that is generated by applying middle potential to the gate of the P-channel type MOS transistor and the N-channel type MOS transistor of the transmission gate 11.例文帳に追加

本発明は、発振インバータ１からの出力を内部回路に伝達する際の発振開始を検知する発振開始検知回路において、前記発振インバータ１からの出力が入力されるトランスミッションゲート１１を設け、当該トランスミッションゲート１１のＰチャネル型ＭＯＳトランジスタとＮチャネル型ＭＯＳトランジスタのゲートに中間電位を印加することにより発生する不感帯電圧を利用するものである。 - 特許庁

In the formula (1), R^1 is a 1-12C unhydrolyzable organic group; X is a hydrolyzable group; and (p) is an integer of 0-3.例文帳に追加

感放射線性組成物は、（Ａ）下記一般式（１）で表されるシラン化合物、その加水分解物およびその加水分解物の縮合物からなる群から選ばれる少なくとも１種、（Ｒ^１）_ｐＳｉ（Ｘ）_４−ｐ ・・・（１）（一般式（１）中、Ｒ^１は、炭素数が１〜１２である非加水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜３の整数である。）、および（Ｂ）放射線の照射を受けて酸または塩基を発生する化合物を含有する。 - 特許庁

The plant cultivation device 100 includes the plant cultivation trays 110 for cultivating the plant strains P, and cultivation tray accommodation shelves 120 arranged in multiseriate and multistage for accommodating the plant cultivation tray 110, wherein at least one of the cultivation tray accommodation shelves 120 has a vibrational mechanism 150 which locates under the plant cultivation trays 110 and vibrates the plant cultivation trays 110.例文帳に追加

植物株Ｐを育成する植物栽培トレイ１１０と、多列・多段に配置されて植物栽培トレイ１１０を収容する栽培トレイ収容棚１２０とを備える植物栽培装置１００であって、栽培トレイ収容棚１２０の少なくとも１基が、植物栽培トレイ１１０の下方に位置して植物栽培トレイ１１０を振動させる振動機構１５０を備えている植物栽培装置１００。 - 特許庁

A filter 1 for displays is provided in a path of light reaching the outermost surface of a viewing part from a light emission source and has a function of selectively absorbing light at a specific wavelength and is applicable to a plasma display PD, a liquid crystal display LD, and the like and contains a tetraazaporphyrin compound having a selective absorption wavelength of 570 to 605 nm, as colorants P and Q.例文帳に追加

発光源から視認部最表面に至る光の経路中に備え付けられることを特徴とする特定波長の光を選択的に吸収する機能を持つ、プラズマディスプレイＰＤや液晶ディスプレイＬＤ等に適用し得るディスプレイ用フィルタ１であって、選択的光吸収波長が、５７０〜６０５ｎｍの間に存在するテトラアザポルフィリン化合物を色素Ｐ、Ｑとして含んでいる。 - 特許庁

In a self-purification surface having an artificial and at least a partly hydrophobic surface structure comprised of a projected part E which is formed with a mixture of the hydrophobic particles P fixed on the surface by using a carrier, the mixture has particles forming a structure selected from a semi-metal oxide, a metal oxide, a silica and a metal powder and wax particles.例文帳に追加

凸部Ｅから成る人工的な少なくとも部分的に疎水性である表面構造を有し、その際、凸部Ｅが、担体を用いて表面上に固定された疎水性粒子Ｐの混合物により形成される自浄性表面において、混合物が、半金属酸化物又は金属酸化物、シリカ及び金属粉末から選択された構造を形成する粒子及びロウ粒子を有することを特徴とする自浄性表面。 - 特許庁

The inducer of the differentiation of the cancer stem cell comprises an acetaminophen derivative as an active ingredient, and the anti-cancer activity enhancer comprises the acetaminophen derivative as an active ingredient and can enhance the anti-cancer activity of an anti-cancer agent when used in combination with the anti-cancer agent, wherein the acetaminophen derivative is acetaminophen (p-hydroxyacetamide) or o-hydroxyacetamide.例文帳に追加

アセトアミノフェン誘導体を有効成分とする癌幹細胞の分化誘導剤であり、また、抗癌剤と併用することにより抗癌剤の抗癌活性を増強する、アセトアミノフェン誘導体を有効成分とする抗癌活性増強剤であって、特にアセトアミノフェン誘導体が、アセトアミノフェン（ｐ−ヒドロキシアセタミド）またはｏ−ヒドロキシアセタミドである癌幹細胞の分化誘導剤、並びに抗癌活性増強剤である。 - 特許庁

In an organic photoelectric conversion element having a transparent electrode, a counter electrode, and a bulk heterojunction layer where a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material are mixed, the n-type organic semiconductor material of the bulk heterojunction layer is a composition where a crystalline fullerene derivative and an amorphous fullerene derivative are mixed at a ratio of 1:99 to 99:1.例文帳に追加

透明電極、対電極、及びｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子において、前記バルクヘテロジャンクション層のｎ型有機半導体材料が、結晶性のフラーレン誘導体と、非晶性のフラーレン誘導体とを、１：９９〜９９：１の比率で混合した組成物であることを特徴とする有機光電変換素子。 - 特許庁

In the heat sensitive recording medium comprising a heat sensitive recording layer containing a colorless or pale leuco dye and a colorant, as the colorant, at least a hydroxydiphenylsulfone compound is used, and as a sensitizer, at least a compound represented by formula (I) such as a p- methylacetanilide or the like and a higher aliphatic amide compound is used.例文帳に追加

支持体上に、無色ないし淡色のロイコ染料と呈色剤とを含有する感熱記録層を有する感熱記録体において、上記の課題を解決するための一つの手段として、本発明は、呈色剤として少なくともヒドロキシジフェニルスルホン系化合物を用い、増感剤として少なくともｐ−メチルアセトアニリド等の一般式（１）で表される化合物と高級脂肪族系アミド化合物とを用いるものである。 - 特許庁

When a code domain power P for each channel (present channel) CH is larger than a power threshold Pth, a distribution value of the present channel Var1 is smaller than a first distribution value Varth, and distribution values of each branch tip VarA1 and VarB1 are larger than the first distribution threshold Varth, it is determined that a signal exists in the present channel and the modulation method is QPSK.例文帳に追加

この各チャネル（現在チャネル）ＣＨ毎のコード・ドメインパワーＰがパワーしきい値Ｐｔｈより大きくて、かつ現在チャネルの分散値Ｖａｒ１が第１の分散しきい値Ｖａｒｔｈより小さくて、さらに現在チャネルの各枝先の分散値ＶａｒＡ１、ＶａｒＢ１が第１の分散しきい値Ｖａｒｔｈより大きいとき、現在チャネルに信号が存在し、変調方式はＱＰＳＫであると判定する。 - 特許庁

At least a pair of short conveyers 61, 62 is juxtaposed along a direction orthogonal to a conveying direction in a carrying conveyer 1 for conveying the workpiece P, the both conveiers 61, 62 are constituted to be inclined downwards using respective end parts opposite to the conveying direction as fulcrums, and are constituted to be inclined independently to a substantially horizontal position and a downwards inclined position respectively.例文帳に追加

被加工物Ｐを搬送する搬送コンベア１内に、少なくとも一対の短コンベア６１・６２を搬送方向と直角方向に並べて設けると共に、その両短コンベア６１・６２をそれぞれ搬送方向反対側の端部を支点にして下降傾動可能に構成し、上記各短コンベア６１・６２を略水平位置と下降傾斜位置とに、それぞれ独立に傾動し得るように構成したことを特徴とする。 - 特許庁

Signal lines 2a to 2e from which display data D1 to D5 are transmitted via the interconnect material 51 are rearranged such that the display data via the signal lines having a comparatively larger influence of the inductance component in the interconnect material 51 and the display data via the signal lines having a comparatively small influence of the inductance component are alternately supplied to adjacent pixels P or groups of pixels of the display device 1.例文帳に追加

配線材５１を経由した後の表示データＤ１〜Ｄ５を伝送する信号線２ａ〜２ｅの配列を、配線材５１内のインダクタンス成分の影響が相対的に大きい信号線を経由した表示データとインダクタンス成分の影響が相対的に小さい信号線を経由した表示データとが表示デバイス１の隣り合う画素Ｐまたは画素群に互い違いに供給されるように入れ替える。 - 特許庁

The distributed feedback semiconductor laser device 50 is a ridge waveguide type and comprises an n-GaAs substrate 52 and a multilayered structure, which consists of an n-AlGaAs clad layer 54, InGaAs/GaAs quantum well structure layer 56, a GaInNAs absorption layer 58 formed with diffraction grating, p-AlGaAs clad layer 60, and a GaInNAs absorption layer, which are deposited in this order on the n-GaAs substrate 52.例文帳に追加

本分布帰還型半導体レーザ素子５０は、リッジ導波路型であって、ｎ−ＧａＡｓ基板５２と、ｎ−ＧａＡｓ基板５２上に、順次、成膜された、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５４、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子井戸構造層５６、回折格子５７が形成されているＧａＩｎＮＡｓ吸収層５８、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層６０、及びＧａＡｓキャップ層６２の積層構造とを備えている。 - 特許庁

The P-type doped silicon precursor, in which a dopant is bonded to a polymer of cyclopentasilane, is formed by irradiating a cyclopentasilane solution 11 with ultraviolet rays 15 emitted from a high-pressure mercury lamp 14 and including a ray having a first wavelength for radicalizing a dopant and a light having a second wavelength for radicalizing the cyclopentasilane, and at the same time, supplying diborane gas as a dopant gas 16 to the cyclopentasilane solution 11.例文帳に追加

シクロペンタシラン溶液１１に、ドーパントをラジカル化するための第１の波長の光と、シクロペンタシランをラジカル化するための第２の波長の光を含む紫外線１５を高圧水銀ランプ１４から照射し、同時にドーパントガス１６としてのジボランガスをシクロペンタシラン溶液１１に供給することにより、シクロペンタシランの重合体にドーパントが結合したＰ型ドープシリコン前駆体を生成する。 - 特許庁

The image forming apparatus is provided with an intermediate transfer belt 15 carrying a toner image according to an input photographic image data, a secondary transfer part 20 transferring the toner image carried on the intermediate transfer belt 15 in a state with a specified transfer voltage applied to it onto paper sheet P and a control part 40 controlling the hard contrast and/or soft contrast of the photographic image data.例文帳に追加

入力される写真画像データに応じたトナー像を担持する中間転写ベルト１５と、所定の転写電圧が印加される状態にて中間転写ベルト１５に担持されたトナー像を用紙Ｐに転写する二次転写部２０と、この二次転写部２０における転写電圧を変更することで、写真画像データの硬調および/または軟調を制御する制御部４０とを備えた。 - 特許庁

In a second step, voltages are applied to the first electrode 102, the second electrodes 101 and 103, and the third electrode 104 so that potential differences may be generated between the third electrode and the first electrode 102 and between the third electrode 104 and the second electrodes 101 and 103, whereby a force for going toward the first electrode 102 or the second electrodes 101 and 103 is given to the charged particles P.例文帳に追加

そして、第２ステップにおいて、第３電極１０４と第１電極１０２、及び第３電極１０４と第２電極１０１，１０３との間に電位差を発生させるよう第１電極１０２、第２電極１０１，１０３及び第３電極１０４に電圧を印加するにより、帯電粒子Ｐに第１電極１０２または第２電極１０１，１０３に向かう力を与えるようにする。 - 特許庁

The inverter circuit U11 comprises a CMOS inverter IV1, which includes MOS transistors MP4 and MN4, a P-channel MOS transistor MP3 which functions as the current source for a CMOS inverter IV1, and a CMOS inverter IV2 which is connected in parallel to the CMOS inverter IV1 and includes MOS transistors MP5 and MN5.例文帳に追加

インバータ回路Ｕ１１は、ＭＯＳトランジスタＭＰ４とＭＮ４からなるＣＭＯＳインバータＩＶ１と、ＣＭＯＳインバータＩＶ１の電流源として機能するＰチャネルＭＯＳトランジスタＭＰ３と、ＣＭＯＳインバータＩＶ１の電流源として機能するＮチャネルＭＯＳトランジスタＭＮ３と、ＣＭＯＳインバータＩＶ１に並列に接続されてＭＯＳトランジスタＭＰ５とＭＮ５とからなるＣＭＯＳインバータＩＶ２とからなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device including a Pd electrode, which prevents, in a simple manner, yield deterioration resulting from sticking of the Pd electrode on a detached insulating film onto the surface of the semiconductor light-emitting device, or the occurrence of portions where pad electrodes are not formed, and avoid a contact of a p-type contact layer with the pad electrode.例文帳に追加

本発明は、Ｐｄ電極を備える半導体発光素子の製造方法に関し、剥がれた絶縁膜上Ｐｄ電極の半導体発光素子表面への付着に起因する歩留まり低下、パッド電極未形成部分の発生、ｐ型コンタクト層とパッド電極が接触する問題を簡素な方法で回避できる半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the copper-clad plate, the polyimide film which is produced by mainly using p-phenylenediamine and 4,4'-diaminodiphenyl ether, as diamine components, and pyromellitic acid dianhydride, as an acid dianhydride component, and has slidability by generating the surface projections by adding the fine inorganic particles is used, and a copper layer is formed directly on at least one side of the polyimide film without using an adhesive.例文帳に追加

ポリイミドフィルムが、ジアミン成分としてパラフェニレンジアミン及び４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを、酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物を主として用いてなり、更に無機微細粒子を添加し、表面突起を発生させることにより易滑性を有するポリイミドフィルムを使用し、このポリイミドフィルムの片面または両面に、接着剤を介することなく直接銅層が形成されていることを特徴とする銅張り板。 - 特許庁

To provide a method of producing an optically active β-hydroxyester derivative (an optically active p-hydroxyester of which hydroxyl group is blocked by silyl group) easily from a common aldehyde and a ketenesilylacetal by using a catalyst stable to water, capable of generating an asymmetric induction from the common aldehyde even in a low catalyst amount and capable of being synthesized simply from easily available raw materials.例文帳に追加

本発明の課題は、水に対して安定であって、一般的なアルデヒドでも不斉誘起を起こさせることが出来、且つ入手が容易な原料から簡便に合成出来る触媒を使用して、低触媒量でも、一般的なアルデヒドとケテンシリルアセタールとから、光学活性なβ-ヒドロキシエステル誘導体（水酸基がシリル基で保護された光学活性なβ-ヒドロキシエステル）を容易に製造出来る方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide techniques for discriminating combinations of electrodes and organic semiconductors of organic TFTs which are improved in electron injection efficiency and hole injection efficiency, to actualize two kinds of TFTs which are n-channel TFTs and p-channel TFTs, and further to provide complementary organic thin film transistor (organic CTFT) and an organic CTFT array forming desired arbitrary circuit constitution with organic CTFTs.例文帳に追加

有機ＴＦＴにおいて、電子注入効率とホール注入効率を改善した電極と有機半導体の組み合わせをそれぞれ判別する手法を提供し、また、ｎ型チャネルＴＦＴとｐ型チャネルＦＥＴの２種類のＴＦＴを実現し、さらに、相補型有機薄膜トランジスタ（有機ＣＴＦＴ）および、有機ＣＴＦＴによる所望の任意回路構成を形成する有機ＣＴＦＴアレイを提供する。 - 特許庁

An I/F board provided between the output port and P is equipped with a first latch circuit allowing temporary storage of state signals output from the output port by each kind and a second latch circuit which outputs the state signals stored in the first latch circuit to the testing machine at a prescribed timing to output signals and keeps the level of the state signals until the next timing to output signals.例文帳に追加

出力ポートとＰの間に設けられるＩ／Ｆ基板には、出力ポートから出力される状態信号を種類毎に一時的に記憶する第１ラッチ回路と、その第１ラッチ回路に記憶した状態信号を所定の信号出力タイミングで試験機に向かって出力するとともに、それら状態信号のレベルを次の信号出力タイミングまで保持する第２ラッチ回路が設けられる。 - 特許庁

This electroluminescent element supporting a metal complex compound containing sp^2 type P atom and an organic thin membrane consisting of at least one layer or in a plurality of layers having a luminescent layer between a pair of electrodes is provided with that at least one layer of the organic thin membrane layers contains the metal complex compound and the organic electroluminescent element emits light by impressing an electric voltage between the two electrodes.例文帳に追加

ｓｐ^2型Ｐ原子を含む金属錯体化合物、並びに、一対の電極間に少なくとも発光層を有する一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記金属錯体化合物を含有し、両極間に電圧を印加することにより発光する有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

The reticle having a first pattern hole corresponding to the opening of a resist film 102 for forming a source/drain region 115 included in an element region 11 by ion implanting and a second pattern hole corresponding to the opening of the resist film 102 for forming a diffused region 117 on a dummy region 113 on a p-type silicon substrate 101 by ion implanting is used.例文帳に追加

イオン注入により素子領域１１２に含まれるソース／ドレイン領域１１５をｐ型シリコン基板１０１上に形成するためのレジスト膜１０２の開口部に対応する第１のパターン孔と、イオン注入により拡散領域１１７をｐ型シリコン基板１０１上のダミー領域１１３に形成するためのレジスト膜１０２の開口部に対応する第２のパターン孔とを備えるレチクルを用いる。 - 特許庁

The touch sensor 6 includes a potential rise rate detection means 96 for detecting a potential rise rate upon charging a touch position detecting pixel region PT selected from a plurality of pixel regions P corresponding to respective pixel electrodes 83 to detect the position of the touch position detecting pixel region PT in which the potential rise rate detected by the potential rise rate detection means 96 is outside a predetermined range as the touch position.例文帳に追加

タッチセンサ６は、各画素電極８３に対応する複数の画素領域Ｐから選択され他タッチ位置検出用画素領域ＰＴを充電する際の電位上昇率を検知する電位上昇率検知手段９６を有し、電位上昇率検知手段９６により検知された電位上昇率が所定範囲外であるタッチ位置検出用画素領域ＰＴの位置を前記タッチ位置として検出する。 - 特許庁

A device 10 comprises a signal line 12 formed on a surface P of a substrate, two or more pairs of columnar anchors 20 stood across the signal line, plate-like fixed electrodes 14 stood across the signal line 12, and the plate-like movable electrode 16 suspended in the space above the signal line 12 with springs 18 extended from the anchors 20 to be sandwiched between the fixed electrodes 14.例文帳に追加

デバイス１０は、基板の表面Ｐ上に形成された信号ライン１２と、これを挟む位置に２対またはそれ以上立設された柱状のアンカー２０と、信号ライン１２を挟む位置に立設された板状の固定電極１４と、アンカー２０から延設されたバネ１８で信号ライン１２上の空間に固定電極１４に挟まれるように懸架された板状の可動電極１６とからなる。 - 特許庁

This fire receiver in P type fire alarm equipment is provided with a line display part for displaying the line of a predetermined fire sensor, an address display part for displaying the address of the predetermined fire sensor, and a room number display part for displaying the room number of a room where the predetermined fire sensor is set when the predetermined fire sensor issues warning.例文帳に追加

Ｐ型火災報知設備における火災受信機において、所定の火災感知器が発報したときに、上記所定の火災感知器の回線を表示する回線表示部と、上記所定の火災感知器のアドレスを表示するアドレス表示部と、上記所定の火災感知器が設置されている部屋の部屋番号を表示する部屋番号表示部とを有するＰ型火災報知設備における火災受信機である。 - 特許庁