「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

In a wide flange shape steel having a plurality of projections on its inner surface, an upper side width b_2 of each of the projections in a cross section perpendicular to the surface of the wide flange shape steel having the projections, a projection height h, and a projection pitch P satisfy both inequalities of P/h≤10 and P/b_2≥4.例文帳に追加

内面側に複数の突起を有するＨ形鋼であって、前記突起が形成されたＨ形鋼面に垂直な断面における該突起の上辺幅ｂ_2、突起高さｈ、突起ピッチＰが、Ｐ／ｈ≦１０、かつ、Ｐ／ｂ_2≧4を満たすようにした。 - 特許庁

The panel unit U is formed by arranging the large number of hexagonal panels P, and is set in the same in an interval between the oblique line 12 and the oblique line 12 of the hexagonal panel P adjacent to an interval between the opposite side 11 and the opposite side 11 of the adjacent hexagonal panels P.例文帳に追加

パネルユニットＵは、前記六角形パネルＰを多数配列したもので、隣り合っている六角形パネルＰの対辺１１と対辺１１との間隔と隣り合っている六角形パネルＰの斜辺１２と斜辺１２との間隔が同一とされている。 - 特許庁

In an initial stage where the pull-in force P is low (S3), the pull-in strap 3 locked to the wheelchair 2 is pulled in slowly to remove the looseness of the pull-in strap 3.例文帳に追加

引込力Ｐが低出力の初期段階では（Ｓ３）、車椅子２に係止された引込ベルト３を低出力でゆっくりと引き込むことで引込ベルト３の弛みを取る。 - 特許庁

Thus, even when a part of the first inclined surface 56a is dragged by the sheet P, other part of the first inclined surface 56a is abutted on the sheet P immediately, and subjected to the reaction force in the direction for promoting collapse from the sheet P.例文帳に追加

これにより、第１の傾斜面５６ａの一部が、たとえ、シートＰに引きずられても、直ちに、第１の傾斜面５６ａの他の部分がシートＰに当接して、シートＰから倒伏を促進する方向の反力を受けることになる。 - 特許庁

In the fixed state of the fixed part 2 to the flag staff P, the wedge parts 3 extend at an acute angle to the flag staff P and form wedge- shaped narrow angular parts 5 allowing a rope R to be tightly held between the flag staff P and the wedge parts 3.例文帳に追加

固定部２が旗竿Ｐに固定された状態において、くさび部３が旗竿Ｐに対して鋭角に延び、かつ旗竿Ｐとの間に１条のロープＲが緊密に挟まれ得るくさび状の狭隘角部５が形成される。 - 特許庁

When the getting off action of the driver is detected and the automatic transmission is not in a P range (S3), it is forcibly shifted to the P range (S4), and the driver is warned that the automatic transmission has been automatically shifted to the P range (S5).例文帳に追加

そして、運転者の降車動作が検出されたときに、Ｐレンジ以外にシフトされている場合には（Ｓ３）、Ｐレンジへ強制的にシフトさせ（Ｓ４）、かつ、Ｐレンジに自動的にシフトしたことを運転者に警告する（Ｓ５）。 - 特許庁

A pair of base members 58 are movably fixed onto a nearly flat loading surface 46a of a paper delivery board 46 for loading printing paper sheets P in the cross direction of the printing paper sheets P crossing the delivery direction of the printing paper sheets P.例文帳に追加

印刷用紙Ｐを積載する排紙台４６の略平坦な載置面４６ａ上に、印刷用紙Ｐの排出方向Ｏと直交する印刷用紙Ｐの幅方向に移動可能に固定された一対のベース部材５８を設ける。 - 特許庁

Also, the value loss processing means (3) has a structure for disposing the recording medium P, and the reading means (4) has a structure for reading information in the recording medium P at the time when the recording medium P is disposed.例文帳に追加

また、前記価値喪失処理手段（３）は、記録媒体Ｐを破棄する構成であり、前記読み取り手段４は、記録媒体Ｐが破棄される際に該記録媒体Ｐの情報を読み取る構成であることを特徴とする。 - 特許庁

Thus, even when a gap between an image G on the preprinted form P and the CCD camera 60 is changed due to change of the remaining amount of the preprinted forms P in the paper feeding tray 16, the image G on the preprinted form P can be accurately photographed.例文帳に追加

このため、給紙トレイ１６内のプレプリント紙Ｐの残量が変動することにより、プレプリント紙Ｐ上の画像ＧとＣＣＤカメラ６０との間隔が変動しても、プレプリント紙Ｐ上の画像Ｇを正確に撮影できる。 - 特許庁

When returning the coefficient of friction of the object contacting face P, ultrasonic vibration is generated in the object contacting face P of the movable part 2, and moisture left on the object contacting face P is atomized and evaporated by the ultrasonic vibration.例文帳に追加

物体接触面Ｐの摩擦係数を元に戻す場合には、可動部２の物体接触面Ｐに超音波振動を発生させ、この超音波振動によって物体接触面Ｐに残った水分を霧化蒸発させる。 - 特許庁

In relation to frames P used for unidirectional motion compensation prediction, two kinds of frames P+ frames 503, 507 for rounding up a value resulting from adding 0.5 to an integer, and frames P- frames 505, 509 for rounding down a value resulting from adding 0.5 to an integer are prepared.例文帳に追加

片方向の動き補償予測を行うＰフレームに関し、整数に0.5を加えた値を切り上げるＰ＋フレーム５０３、５０７と、整数に0.5を加えた値を切り捨てるＰ−フレーム５０５、５０９の２種類を用意する。 - 特許庁

Then, the inclination of a pen P is detected by an inclination sensor 7 incorporated in the pen P, and the rotation information is switched according to the inclination of the pen P, and transmitted to a wirelessly connected computer by a wireless transmitting unit 6.例文帳に追加

そして、ペンＰ内に内蔵された傾きセンサ７によりペンＰの傾きを検出し、このペンＰの傾きに応じて、前記回転情報を切り換えて、無線送信ユニット６により、ワイヤレスで接続されたコンピュータに送信する。 - 特許庁

The novel method for efficiently and economically manufacturing mono-6-O-p-toluenesulfonyl cyclodextrin comprises causing a reaction with cyclodextrin by selecting γ-picoline as a solvent and using 6-p-toluenesulfonyl chloride as a p-toluene sulfonating agent and further comprises adding a reaction mixture to acetone in the purification step.例文帳に追加

上記課題解決のため，γ−ピコリンを溶媒として選択し，６−ｐ−トルエンスルホニルクロリドをｐ−トルエンスルホニル化剤として用い，シクロデキストリンと反応させ，また，精製工程においては，反応混合物をアセトンに加えた。 - 特許庁

The n^+ source area 22 includes a first n^+ source region 221, arranged in the p well 21 and a second n^+ source region 222, which is arranged extending to the outside of the p well 21 from the inside of the p well 21.例文帳に追加

そして、ｎ^＋ソース領域２２は、ｐウェル２１の中に配置される第１ｎ^＋ソース領域２２１と、ｐウェル２１の内部からｐウェル２１の外部にまで延在するように配置される第２ｎ^＋ソース領域２２２とを含んでいる。 - 特許庁

To suppress the skew of a paper P due to the formation of a loop, and to prevent the paper P from oblique motion, in an image forming apparatus A constituted so that the loop formed at a part of the paper P is made to function as a post-exposure buffer.例文帳に追加

ペーパーＰの一部にループを形成して、露光後バッファとして機能させるようにした画像形成装置Ａにおいて、そのループの形成に起因するペーパーＰの傾きを抑制し、ペーパーＰの斜行を防止する。 - 特許庁

To lower a resistance of a p-type semiconductor layer group in a semiconductor device with a p-type semiconductor layer group and an n-type semiconductor layer group laminated on a predetermined wafer so that the p-type semiconductor layer group is satisfactorily activated for a practical use.例文帳に追加

所定の基板上において、ｐ型半導体層群及びｎ型半導体層群が積層されてなる半導体素子において、前記ｐ型半導体層群が十分に活性化処理されて実用に足るべく低抵抗化する。 - 特許庁

A one-side conductive thyristor 100 includes a thyristor part 110 composed of a p-region 1, an n-region 2, a p-region 3, and an n-region 4 which are joined in order and a diode part 120 composed of the n-region 2 and the p-region 3 which are joined together.例文帳に追加

片導通サイリスタ１００は、ｐ領域１とｎ領域２とｐ領域３とｎ領域４とが順に接合されるサイリスタ部１１０と、ｎ領域２とｐ領域３とが接合されたダイオード部１２０とを有する。 - 特許庁

When a left front end of the skewed paper sheet P abuts on the stopper member 41, the compression spring 42a is elastically deformed by a conveying force of the paper sheet P, and a left side of the stopper member 41 is moved with the paper sheet P in the paper sheet conveying direction.例文帳に追加

スキューした用紙Ｐの左前端がストッパ部材４１に当接すると、用紙Ｐの搬送力によって押しバネ４２ａが弾性変形して、ストッパ部材４１の左側が用紙Ｐと共に用紙搬送方向に移動する。 - 特許庁

In an inspection process of crystallinity of a p-Si film 23, irradiation light Lout is emitted to the p-Si film 23 and an a-Si film 230 to acquire transmission images of the p-Si film 23 and the a-Si film 230.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて照射光Ｌoutを照射し、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０の透過画像を取得する。 - 特許庁

In a basic idea, a new code for subfield coding is generated which obtain (p) gray levels (typically, p=256) from 2^n different subfield arrangements to select (m) gray levels (m<p).例文帳に追加

本発明の基本的なアイデアは、ｍのグレーレベル（ｍ＜ｐ）を選択するために、２^ｎの異なるサブフィールド配置からｐのグレーレベル（典型的にはｐ＝２５６）を達成することを可能とする、サブフィールド符号化のための、新たな符号を形成することである。 - 特許庁

In the N-type well within the range sandwiched between the PMOS region and P-type well, a P-type anode region is formed, which is separated from the PMOS region, P-type well, and N-type cathode region and connected to the high-potential wiring.例文帳に追加

ＰＭＯＳ領域とＰ型ウェルに挟まれた範囲のＮ型ウェルには、ＰＭＯＳ領域とＰ型ウェルとＮ型カソード領域から分離されており、高電位配線に接続されているＰ型アノード領域が形成されている。 - 特許庁

In addition, when the base station receives the data of P-MP communication to be sent to the wireless LAN (S603), the base station converts a destination of the data into an address of P-P communication corresponding to the destination (S605), and transmits the resultant address to the wireless terminal (S609).例文帳に追加

また、基地局は、無線ＬＡＮへ送出すべき一対多型通信のデータを受信したとき（S603）、そのデータの宛先を該宛先に対応する一対一型通信のアドレスに変換して（S605）当該無線端末へ送信する（S609）。 - 特許庁

In the trench 6, a p-type gate layer 9 made of GaN containing a p-type impurity is buried inside the n-type channel layer 8, and a gate electrode 10 is formed on an outermost surface 15 of the p-type gate layer 9.例文帳に追加

トレンチ６において、ｎ型チャネル層８の内側には、ｐ型不純物を含むＧａＮからなるｐ型ゲート層９が埋設されており、ｐ型ゲート層９の最表面１５には、ゲート電極１０が形成されている。 - 特許庁

A decoding part 208 receives an application program P' encrypted with the key K from the program loader device 101, and acquires an application program P by decoding the application program P' with the key K stored in the data area 204.例文帳に追加

復号部２０８は鍵Ｋで暗号化されたアプリケーションプログラムＰ´をプログラムローダ装置１０１から受信し、データ領域２０４に保存された鍵ＫによりアプリケーションプログラムＰ´を復号してアプリケーションプログラムＰを取得する。 - 特許庁

Upon protecting the printed surface P by coating the printed surface P with coating varnish, the coating varnish N, in which 100 wt.% of aqueous varnish is blended with 2-30 wt.% of silicone oil, is applied on the printed surface P.例文帳に追加

印刷面Ｐをコーティングニスによりコーティングして当該印刷面Ｐを保護するに際し、印刷面Ｐを、１００重量パーセントの水性ニスに対して２〜３０重量パーセントのシリコーンオイルを配合したコーティングニスＮによりコーティングする。 - 特許庁

The p^+ isolation region 24 is so formed as to touch a p-type channel stopper region 21 formed on the surface of the first principal plane and a p-type collector layer 9 formed on the surface layer of the second principal plane in the isolation structure 120.例文帳に追加

ｐ^+分離領域２４は、分離構造部１２０において、第１主面の表面に形成されたｐ型チャネルストッパー領域２１および第２主面の表面層に形成されたｐ型コレクタ層９に接するようにする。 - 特許庁

An n^- drift layer 2, a first gate layer (p^+ layer) 3, and a p-type source layer 4 are formed on an n^+SiC substrate 1 successively, and at the same time a second gate layer (p^+ layer) 8 is formed in a trench 6 via an n^- channel layer 7.例文帳に追加

ｎ^+ＳｉＣ基板１の上にｎ^-ドリフト層２と第１のゲート層（ｐ^+層）３とｐ型ソース層４とが順に形成されるとともに、トレンチ６内においてｎ^-チャネル層７を介して第２のゲート層（ｐ^+層）８が形成されている。 - 特許庁

Upon the discharge of the paper sheet P, the detection lever 32 is maintained by a cam 35 at an initial position where the leading end of the lever 32 is not in contact with the uppermost paper sheet P even when the paper sheets P are fully loaded up on the paper discharge tray 1.例文帳に追加

用紙Ｐが排出される時、検知レバー３２は、排紙トレイ１上に用紙Ｐが満載されているときでもその先端が最上の用紙Ｐに接触しない初期位置にカム３５によって維持されている。 - 特許庁

It comprises construction laminated in turn with n-InP clad layer 2, GRIN-SCH-MQW active layer 3, p-InP clad layer 4, p-InGaAsP contact layer 5, and p-side electrode 6 on an n-InP substrate 1.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上に、順次ｎ−ＩｎＰクラッド層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＰクラッド層４、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層５、ｐ側電極６を積層した構造を有する。 - 特許庁

An electrically floating p float body 9 is formed, separated by a distance w from the side of a channel p well 6, so that it is possible to form a depletion layer in the vicinity of a boundary between the p float body 9 and an n-layer 4.例文帳に追加

チャネルｐウェル６の側方から距離ｗを隔てて電気的に浮遊な状態のｐフロートボディ９が形成されているため、ｐフロートボディ９とｎ−層４との境界近傍に空乏層を形成することができる。 - 特許庁

In the exposure apparatus, an exposure of a substrate P is carried out by filling at least a portion of the space between a projection optical system PL and the substrate P with a liquid 50 and projecting the image of a pattern onto the substrate P via the projection optical system PL.例文帳に追加

露光装置は、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間の少なくとも一部を液体５０で満たすとともに、投影光学系ＰＬを介してパターンの像を基板Ｐ上に投影して、基板Ｐを露光する。 - 特許庁

The powder feeder 1 comprises a hopper 10 for storing the powder P, a receiving box 20 for receiving and holding the powder P discharged from the hopper 10, and a vibration applying device 30 for applying the vibration to the powder P held in the box 20.例文帳に追加

この装置１は、粉末Ｐを保管するホッパ１０と、ホッパ１０から排出された粉末Ｐを受け取って保持する受取箱２０と、箱２０に配された粉末Ｐに振動を与える振動付与装置３０とを具える。 - 特許庁

The supporting means rotates the pipe material P on a pair of rollers 13 by mounting the pipe material P on at least two pairs of rollers 13 arranged in the length direction of the pipe material P and driving at least one of the pair of rollers 13.例文帳に追加

支持手段は、パイプ材Ｐの長さ方向に２組以上配置される対ローラ１３，１３にパイプ材Ｐを載せ、対ローラ１３，１３のうち少なくとも一つを駆動させることで、パイプ材Ｐを対ローラ１３，１３上で回転させる。 - 特許庁

The nitride-based semiconductor laser device is equipped with a p-side electrode 10 which is formed in such a way that the electrode 10 contacts to an exposed upper surface of a ridge, and a p-side pad electrode 11 with a large thickness of about 3 μm which is formed on the p-side electrode 10.例文帳に追加

リッジ部の露出された上面に接触するように形成されたｐ側電極１０と、そのｐ側電極１０上に形成された約３μｍの大きな厚みを有するｐ側パッド電極１１とを備える。 - 特許庁

A region surrounded with the trench in the p-type layer 3 is a floating "p" region 3b, a part having an n^+ source region 4 between adjacent trenches is a channel region 3d, and a region other than them is a p-type base region 3a.例文帳に追加

ｐ型層３の内のトレンチに囲まれた領域がフローティングｐ領域３ｂとなり、隣接するトレンチ間でｎ^+ソース領域４を備える部分がチャネル領域３ｄとなり、それ以外の領域がｐ型ベース領域３ａとなる。 - 特許庁

A P-conductivity-type region 2a is formed on the surface side of an N-conductivity-type semiconductor substrate 1 while a front-surface-side P-conductivity-type region 4a is formed selectively in a surface-layer part of the P-conductivity-type region 2a.例文帳に追加

Ｎ導電型半導体基板１のおもて面側にはＰ導電型領域２ａが設けられており、Ｐ導電型領域２ａの表層部には、選択的におもて面側Ｐ導電型領域４ａが設けられている。 - 特許庁

A phenol novolak resin having the following: peak strength ratios of o-o/o-p/p-p bonds are 3.0-5.0/2.0-3.5/1, respectively; they make no change in each molecular weight region; and the resin has a phenolic constituting unit shown by the following formula and has a Mw of 3,000-20,000.例文帳に追加

ｏ−ｏ／ｏ−ｐ／ｐ−ｐ結合のピーク強度比が３．０〜５．０／２．０〜３．５／１で、各分子量域で変化がなく、下記式で表されるフェノール系構成単位を有するＭｗが３０００〜２００００のフェノールノボラック樹脂。 - 特許庁

A P-type transistor Tr31 is disposed in front of the P-type transistor Tr22 and is driven by the intermediate-voltage power source V_M and stops output of the intermediate-voltage electric power V_M to the source of the P-type transistor Tr22.例文帳に追加

Ｐ型トランジスタＴｒ３１は、Ｐ型トランジスタＴｒ２２の前段であって、中圧電源Ｖ_Mにより駆動し、フォトダイオードの駆動を停止させるとき、中圧電源Ｖ_MをＰ型トランジスタＴｒ２２のソースへの出力を停止する。 - 特許庁

The electromagnetic steel sheet with an insulating coating film comprises Zr, P and alkali metal M, and in which the molar ratio of P to Zr, P/Zr, is 0.4 to 4.0, and the molar ratio of the total of M to Zr, (the total of M)/Zr, is 0.2 to 2.5.例文帳に追加

Ｚｒ、Ｐおよびアルカリ金属Ｍを含有し、ＰがＺｒに対しモル比でＰ／Ｚｒ＝０．４〜４．０であり、Ｍの総量がＺｒに対しモル比で、（Ｍの総量）／Ｚｒが０．２〜２．５である絶縁被膜を有する鋼板。 - 特許庁

In this method, current feedback signals ia and ib and grid phase voltage input signals Ua-g, Ub-g, and Uc-g are detected so as to synchronize the auxiliary power source 10 with the power grid, by controlling the three-phase output voltages Ua-p, Ub-p, and Uc-p of the auxiliary power source 10.例文帳に追加

本発明は、補助電源10の三相出力電圧Ua＿p，Ub＿p及びUc＿pを制御してパワー・グリッドと同期させるために、電流フィードバック信号ia及びibとグリッド位相電圧入力信号Ua＿g，Ub＿g及びUc＿gを検出する。 - 特許庁

The method removing bubbles from the viscous polymer solution (P) containing dissolved gas smaller than the saturation limit, is a method to add a superatmospheric pressure which dissolves the gas wrapped in the bubble of the viscous polymer solution (P), to the viscous polymer solution (P).例文帳に追加

粘性ポリマー溶液（Ｐ）の泡に包まれる気体が溶解する超大気圧を粘性ポリマー溶液（Ｐ）に加えることにより、溶解した気体の含有量が飽和限度よりも少ない粘性ポリマー溶液（Ｐ）から泡を除去する。 - 特許庁

A p-type ohmic electrode provided in contact with the front surface of a conductive boron phosphide semiconductor layer having p-type conductivity (p-type boron phosphide semiconductor layer) is composed of lanthanum-iron-antimony (La-Fe-Sb) alloy layer.例文帳に追加

ｐ形の伝導を呈する導電性のリン化硼素半導体層（ｐ形リン化硼素半導体層）の表面に接触させて設けるｐ形オーミック電極をランタン・鉄・アンチモン（Ｌａ・Ｆｅ・Ｓｂ）合金層から構成する。 - 特許庁

A p-type spacer layer 109, n-type current light confining layer 110, n-type current sealing layer 111 and p-type planarized layer 112 are provided on both the sides of the ridge part, in the direction of the width, and a p-type contact layer 113 is laminated thereon.例文帳に追加

リッジ部の幅方向両側に、ｐ型スペーサ層１０９、ｎ型電流光閉じ込め層１１０、ｎ型電流閉じ込め層１１１、ｐ型平坦化層１１２を備え、その上に、ｐ型コンタクト層１１３を積層する。 - 特許庁

The control part controls to eject the sheet P to the paper ejection part 228 after successively heating both sides of the sheet P by a fixing part 222 in the case of forming the image on either side of the sheet P by the 1st or the 2nd image forming operation.例文帳に追加

また、制御部は第１又は第２の画像形成動作によりシートＰの片面に画像を形成する際、シートＰの両面を順次定着部２２２で加熱した後、排紙部２２８に排出するよう制御する。 - 特許庁

In the GaN-based light emitting element, an n-type GaN layer 12, n-type SLS layer 14, light emitting layer 16, p-type SLS layer 17, p-type GaN layer 18, p-type electrode pad 20, n-type electrode pad 22, and transparent electrode 24 are successively formed on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上にｎ型ＧａＮ層１２、ｎ型ＳＬＳ層１４、発光層１６、ｐ型ＳＬＳ層１７、ｐ型ＧａＮ層１８、ｐ型電極パッド２０、ｎ型電極パッド２２、透明電極２４を形成する。 - 特許庁