「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

A fixing roller pair 16a disposed on the downstream side of the photoreceptor drum 29 and the transfer roller 34 in the paper P conveyance direction conveys the paper P.例文帳に追加

定着ローラ対１６ａは、用紙Ｐの搬送方向において感光体ドラム２９及び転写ローラ３４よりも下流側に設けられ、用紙Ｐを搬送する。 - 特許庁

A p-type semiconductor block 11 is formed by a p-type thermoelectric conversion material and has a pillar 11a and a connection 11b which is protruded from the pillar 11a in a lateral direction.例文帳に追加

ｐ型半導体ブロック１１はｐ型熱電変換材料により形成され、柱部１１ａと該柱部１１から横方向に突出する接続部１１ｂとを有する。 - 特許庁

To facilitate a procedure for a camera to use a parameter of a P-iris lens, in a calibration method for the camera with the P-iris lens having an adjustable iris opening.例文帳に追加

調整可能な絞り開口部を有したＰアイリスレンズを備えたカメラのキャリブレーション法において、Ｐアイリスレンズのパラメータをカメラが利用できるものにする手順を容易にする。 - 特許庁

The guard ring layer 11 comprises a p-type GaN layer formed on the n-type GaN layer 5 to face the wall surface 9 in the p-type GaN layer 6 with a space.例文帳に追加

ガードリング層１１は、ｐ型ＧａＮ層６における壁面９に間隔を開けて対向するようにｎ型ＧａＮ層５上に形成されたｐ型ＧａＮ層からなる。 - 特許庁

To provide a shift switching device for a vehicle capable of reducing in size while achieving high-speed switching when shifting to P as well as ensuring a torque when removing P.例文帳に追加

Ｐ抜き時におけるトルクを保証し且つＰ入り時における速やかな切替を実現しつつ小型化を可能とする車両用シフト切替装置を提供する。 - 特許庁

The edge guide 60 has a regulating part 62 for regulating obliquely carrying the recording object medium P at the downstream side in the carrying direction of the recording object medium P.例文帳に追加

エッジガイド６０には、被記録媒体Ｐの搬送方向下流側において、被記録媒体Ｐが斜めに搬送されることを規制する規制部６２が設けられている。 - 特許庁

In the drive recorder, running information D1, position information D2 and time information D3 are superposed on still image data P each time the still image data P are obtained.例文帳に追加

ドライブレコーダにおいては、静止画データＰが取得されるごとに、静止画データＰに走行情報Ｄ１、位置情報Ｄ２及び時刻情報Ｄ３が重畳される。 - 特許庁

Then, it displays a game screen GI, where the operation-instruction markers IM corresponding to each of the players P are arranged in the display area DA corresponding to the respective players P, on a monitor 2.例文帳に追加

そして、各プレイヤＰに対応する表示エリアＤＡに、各プレイヤＰに対応する操作指示標識ＩＭが配置されたゲーム画面ＧＩをモニタ２に表示する。 - 特許庁

A scan mechanism 10 supports an X-ray tube 16 and an X-ray detector 18 so as to be rotatable around a subject P in order to scan the subject P with an X-ray.例文帳に追加

スキャン機構１０は、被検体ＰをＸ線でスキャンするためにＸ線管１６とＸ線検出器１８とを前記被検体Ｐ周りに回転可能に支持する。 - 特許庁

A fluctuation rate X of the fuel pressure in an internal combustion engine is calculated from a pressure variation width ΔP and a central pressure P as the pressure fluctuation rate X=ΔP/P.例文帳に追加

燃料配管内の燃料圧力の変動率Ｘを、圧力変動幅ΔＰと中心圧力Ｐとから、変動率Ｘ＝ΔＰ／Ｐとして演算する。 - 特許庁

The chip existence determining unit 16 performs determination as to whether the IC chip is mounted on the passport P, before the camera 6 reads the image in the reading area of the passport P.例文帳に追加

チップ有無判定部１０は、カメラ６が旅券Ｐの読取り領域の画像を読み取る前に、旅券ＰにＩＣチップが実装されているか否かの判定を行う。 - 特許庁

The plate spring member 39 presses the tip portion of the paper P in a standby state to be conveyed to the printing section 70 against the second guide member 37b from the rear side of the paper P.例文帳に追加

板ばね部材３９は、印刷部７０へ搬送されるのを待機中の用紙Ｐの先端部をその裏側から第２ガイド部材３７ｂに押し付ける。 - 特許庁

This charge pump is formed with P-type well regions 31, 32 in N-type well regions 21, 22 which are formed on a P-type semiconductor substrate 10 respectively.例文帳に追加

チャージポンプ装置において、Ｐ型半導体基板１０上に形成されたＮ型ウエル領域２１，２２内にそれぞれＰ型ウエル領域３１、３２が形成されている。 - 特許庁

A front end part of the sheet P abuts against the abutting member 300 thereafter as shown by (a), and the sheet P continues to be conveyed in this state.例文帳に追加

その後、（ａ）に示すように、この突き当て部材３００に対して用紙Ｐの先端部が突き当たるとともに、この状態のまま、用紙Ｐの搬送が継続される。 - 特許庁

A reproducing unit is composed of a group of data units (EVOBU) having reproduction time information (EVOBU_S_PTM), and reproduces primary and secondary objects P-EVOB, S-EVOB that are independent timewise and different each other in synchronization.例文帳に追加

再生時間情報（EVOBU_S_PTM）を持つデータユニット（EVOBU）群で構成され、時間的に独立した互いに異なるプライマリオブジェクト（P-EVOB）およびセカンダリオブジェクト（S-EVOB）を同期再生する。 - 特許庁

The transistor has other regions 370 and 371 whose p-resistance factor is higher than the remaining part of the semiconductor, in the region where p-doping is enhanced.例文帳に追加

ｐ−ドーピングが増強されたこれらの領域に、トランジスタは半導体の残りの部分よりｐ−抵抗率がより大きい別な領域３７０，３７１を有する。 - 特許庁

As a result, the deformation of the printing paper P can be prevented, and the attitude of the printing paper P can be stabilized in the recording medium inverting part 150.例文帳に追加

この結果、印刷用紙Ｐの変形を抑制でき、記録媒体反転部１５０内での印刷用紙Ｐの姿勢を安定させることができるようになっている。 - 特許庁

During the warmup operation, a start clutch installed upstream of an automatic transmission is allowed to make slip (Step S1), even if the vehicle is stopping with the shift lever in the P (park) position.例文帳に追加

シフトレバーがP（パーク）位置で車両が停車中であっても暖機運転中には、自動変速機の上流に設けられた発進クラッチをスリップさせるようにした（ステップＳ１）。 - 特許庁

A paper money supply part 2 for putting in plural sheets of paper money P that is a processing target has a floor 2a abutting on the lower end side of the paper money P for arrangement.例文帳に追加

処理対象となる複数枚の紙幣Ｐを投入する紙幣供給部２は、紙幣Ｐの下端辺を当接せしめて整位する床２ａを有する。 - 特許庁

Also, in the varactor element 14, the surface of the p-type substrate 1 is formed with an N well 2, and the gate insulating film 6 and the p-type polysilicon layer 5 are formed on the N well 2.例文帳に追加

また、バラクタ素子１４においては、Ｐ型基板１の表面にＮウエル２を形成し、その上にゲート絶縁膜６及びＰ型ポリシリコン層５を設ける。 - 特許庁

Thereby, the steel pipe sheet pile P connected with the rotation member 12 is rotated for the suspending device and direction of the steel pipe sheet pile P in the suspending state can be easily changed.例文帳に追加

これにより、回転部材１２に接続された鋼管矢板Ｐを吊上装置に対して自転させ、吊り上げた状態の鋼管矢板Ｐの向きを容易に変更できる。 - 特許庁

When the control valve is in a neutral position, a space is provided between the pump port P and the first cylinder port A, and between the pump port P and the second cylinder port B, respectively.例文帳に追加

上記コントロールバルブが中立状態のとき、ポンプポートＰと第１シリンダポートＡとの間およびポンプポートＰと第２シリンダポートＢとの間に夫々隙間を設ける。 - 特許庁

A pad P is formed in a portion B on the circuit board 120, to which a thermosetting adhesive is applied, and a solder resist SR is formed around the pad P.例文帳に追加

回路基板１２０における熱硬化性接着剤が被着される部位Ｂには、パッドＰが形成されており、そのパッドＰの周囲にはソルダーレジストＳＲが成膜されている。 - 特許庁

On a P-type single crystal silicon substrate 50, an N-type epitaxial silicon layer 51 is grown, and a P-type well area 52 is formed in this N-type epitaxial silicon layer 51.例文帳に追加

Ｐ型単結晶シリコン基板５０上にＮ型のエピタキシャル・シリコン層５１を成長させ、このエピタキシャル・シリコン層５１内にＰ型ウエル領域５２を設ける。 - 特許庁

In this way, a resonance circuit is formed with parasitic capacitance, which is provided between the P-type substrate 1, the p^+ diffusion region 3 and the shunt circuit 4, and an inductance of the shunt circuit 4.例文帳に追加

そして、Ｐ型基板１及びｐ^＋拡散領域３とシャント配線４との間の寄生容量と、シャント配線４のインダクタンスとにより、共振回路を形成する。 - 特許庁

To produce a galvanized steel sheet and a galvannealed steel sheet excellent in a wettability for plating and an alloying by using a steel sheet containing Si and P as a substrate.例文帳に追加

SiおよびPを含有する鋼板を下地とし、めっきの濡れ性と合金化処理性に優れた溶融亜鉛めっき鋼板および合金化溶融亜鉛めっき鋼板を製造する。 - 特許庁

In the nitride semiconductor laser array, n-type layers composed of a nitride semiconductor and containing n-type contact layers, active layers, and p-type layers containing p-type contact layer are successively formed.例文帳に追加

窒化物半導体からなる、ｎ型コンタクト層を含むｎ型層と、活性層と、ｐ型コンタクト層を含むｐ型層と、が順に含まれた窒化物半導体レーザアレイである。 - 特許庁

The IGBT selectively forms an n^+-type extended region (9) in a p^+-type collector region (1), and forms a p-type base region (3) and a diode together with an n-type base region (2).例文帳に追加

ＩＧＢＴは、Ｎ＋型延長領域(9)をＰ＋型コレクタ領域(1)内に選択的に形成して、Ｎ型ベース領域(2)と共にＰ型ベース領域(3)とダイオードを形成する。 - 特許庁

The compound is represented by formula 1: X-CHNH^+-(CH_2)_n-S-S-P (wherein X is glycosaminoglycan; P is the cell growth factor; and n in an arbitrary integer).例文帳に追加

式１：Ｘ−ＣＨＮＨ^＋−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｓ−Ｓ−Ｐ（Ｘはグリコサミノグリカン、Ｐは細胞増殖因子を表し、ｎは任意の整数である。）で表される化合物。 - 特許庁

An edge input photodiode 10 is provided with a laminate in which an intrinsic semiconductor 16 is formed between p-n junction layers 14, 15 comprising n-type and p-type semiconductors containing InGaAsP.例文帳に追加

ｎ型およびｐ型のInGaAsPから成る半導体ｐｎ接合層１４、１５間に真性半導体層１６を有する積層体を備える端面受光型フォトダイオード１０。 - 特許庁

To reduce damage on a semiconductor layer due to irradiation with an electron beam for forming a low resistance p-type layer in the fabrication process of a III nitride based compound semiconductor element.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体素子の製造過程において低抵抗p型化する際の電子線照射によって半導体層が受けるダメージを低減する。 - 特許庁

p. the figures referred to under o. shall be submitted separately as drawings in the event that printing them would take up too much space or would occasion other difficulties;例文帳に追加

(p) (o)に述べる図形は，印刷するのに大き過ぎる紙面を要するか，又はそれ以外の困難が生じる場合は，図面として別途に提出しなければならない。 - 特許庁

The selection rotary body 51 is provided with a hooking part 52 hooked in the parts P being transferred and rotated by them and a selection recessed part 53 for guiding the parts P at its outer periphery.例文帳に追加

選別回転体５１は、移送されるパーツＰに引っ掛けられて回転される引掛部５２と、パーツＰを案内する選別凹部５３を外周に設けている。 - 特許庁

The upper Si oxide film and the Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G are separated from the Si nitride film 9 inside the anti-reflection film F in a region over the P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加

ONOゲート絶縁膜G内の上のSi酸化膜6及びSi窒化膜5と、反射防止膜Fの内のSi窒化膜9とをp^+型チャネル阻止領域12上の領域で切り離している。 - 特許庁

Therefore, the sufficient range of the P-type diffusion condition can be obtained freely in the P^+-type embedded diffusion layer formed on the N^+-type embedded diffusion layer 11.例文帳に追加

したがって、Ｎ^＋型埋め込み拡散層１１上に形成するＰ^＋型埋め込み拡散層におけるＰ型拡散条件の範囲を十分に確保することが自在となる。 - 特許庁

A generated power P pulsates in accordance with the pulsation of the operating voltage V, and shows the maximum power P0 at an operating voltage V2 and the minimum power P1 at an operating voltage V3.例文帳に追加

また、発電電力Pは、動作電圧Vの脈動に応じて脈動し、動作電圧V2のときに最大電力P0を示し、動作電圧V3のときに最小電力P1を示す。 - 特許庁

The powder P is filled into a cavity 12 from the feeder box 40, and the powder P in the cavity 12 is compressed by upper and lower punches 51, 31, so that the green compact is molded.例文帳に追加

そしてフィーダボックス４０からキャビティ１２に粉末Ｐを充填し、上下のパンチ５１，３１でキャビティ１２内の粉末Ｐを圧縮することにより圧粉体を成形する。 - 特許庁

When driver's force characteristic value P is in a first region A_1 (predetermined value P_1 ≤ P < predetermined value P_2), first compensation amount L = L_1 composed of a fixed positive value is set.例文帳に追加

運転者の力特性値Ｐが第１の領域Ａ_１（所定値Ｐ_１≦Ｐ＜所定値Ｐ_２）にあるとき、一定の正値からなる第１の補正量Ｌ＝Ｌ_１を設定する。 - 特許庁

When a document pressing member presses a document P at an upstream side position p3 on a call-in roller 8, frictional force occurs on the position p3 between the document pressing member and the document P.例文帳に追加

原稿押さえ部材が呼び込みローラ８の上流側位置ｐ3で原稿Ｐを押さえると、この位置ｐ3で原稿押さえ部材と原稿Ｐ間に摩擦力が発生する。 - 特許庁

At a surface layer in the n^- epitaxial layer 2, a p well region 3 is formed, and at the same time an n^+ source region 4 is formed at the surface layer section of the p well region 3.例文帳に追加

ｎ^-エピタキシャル層２における表層部にはｐウエル領域３が形成されるとともに、ｐウエル領域３の表層部にはｎ^+ソース領域４が形成されている。 - 特許庁

To provide a steel in which P therein is made harmless to a level which has not been achieved heretofore by dispersing the segregation of P inside the steel only by the addition of Nd.例文帳に追加

Ｎｄの添加のみでＰの偏析を鋼の内部に分散させることにより、鋼中のＰを従来にない水準まで無害化させた鋼を提供する。 - 特許庁

When the paper P is set on a paper placing surface 1a, the paper P is bent upward by a projected amount of a projecting member 10 in an installed part of the projecting member 10.例文帳に追加

用紙Ｐを用紙載置面１ａにセットすると、突出部材１０の設置部分において、突出部材１０の突出量分だけ用紙Ｐが上方へ湾曲する。 - 特許庁

In the epitaxial layers 7, 8, p-type buried diffusion layers 43, 44, 45 constituting separating regions 3, 4, 5 are formed, and also, p-type diffusion layers 46, 47, 48 are formed.例文帳に追加

エピタキシャル層７、８には、分離領域３、４、５を構成するＰ型の埋込拡散層４３、４４、４５及びＰ型の拡散層４６、４７、４８が形成されている。 - 特許庁

In the equation, P denotes the rolling pressure P (kg/m2); F denotes exciting force (kg); G denotes the pressing force (kg) of the rolling surface; M denotes the area (m2) of the rolling surface and E denotes working efficiency.例文帳に追加

下記式（１）中、Ｐは転圧力（ｋｇ／ｍ^2）、Fは起振力（ｋｇ）、Gは転圧面の押し付け力（ｋｇ）、Ｍは転圧面の面積（ｍ^2）、Ｅは作業効率を示す。 - 特許庁

The empty pallet P is made to enter an opening part 11a of the turntable 11 via a connecting port 7e opening on a floor of the lead-in and -out part, and a vehicle is driven into the empty pallet P.例文帳に追加

空パレットＰを入出庫部の床に開口する連絡口７ｅを経てターンテーブル１１の開口部１１ａに進入させ、空パレットＰに車両を乗り入れる。 - 特許庁