「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

The optical glass comprises a fluorophosphate glass that has an Abbe's number (ν_d) of over 70, and in which the molar ratio O^2-/P^5+ of the content of O^2- to the content of P^5+ is at least 3.5.例文帳に追加

アッベ数（ν_d）が７０を超え、Ｐ^5+の含有量に対するＯ^2-の含有量のモル比Ｏ^2-／Ｐ^5+が３．５以上であるフツリン酸塩ガラスからなる光学ガラスである。 - 特許庁

In this epitaxial growth, impurity concentration of the p--type Si epitaxial layer 23 is made higher by about two orders of magnitude than that of the impurity concentration of the p---type high resistance layer 24.例文帳に追加

このエピタキシャル成長において、ｐ^- 型のＳｉエピタキシャル層２３の不純物濃度をｐ^--型の高抵抗層２４の不純物濃度より２桁程度高くする。 - 特許庁

In a planar view, a distance between the n-side electrode and the p-side electrode is greater than a sum of thicknesses of the n-type semiconductor layer, the light-emitting layer, and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

平面視において、ｎ側電極とｐ側電極との間隔は、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層の厚さの合計よりも大きい。 - 特許庁

Further, the image fixing device is equipped with a setting agent coating part 930b as a coating means upstream from the heat fixation part in the conveyance direction of transfer paper P.例文帳に追加

また、この画像定着装置には、転写紙Pの搬送方向に対して加熱定着部より上流側に塗布手段としての硬化剤塗布部９３０ｂを備えている。 - 特許庁

An n-type transparent conductive film 16, a mixed film 17 of a p-type organic semiconductor and an n-type organic semiconductor, and a p-type transparent conductive film 18, are stacked in this sequence.例文帳に追加

ｎ型透明導電膜１６、ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体との混合膜１７及びｐ型透明導電膜１８がこの順に積層されている。 - 特許庁

In jetting the superheated steam, a nozzle with a flat jet port is used for stripping the road surface indicating paint, and a nozzle with a scraper (a stripping blade) is used for stripping the P-tiles or the like.例文帳に追加

過熱蒸気の噴射に当たっては、路面表示塗料の剥離には噴射口が扁平なノズルを用い、Pタイル等の剥離にはスクレイパー（剥離刃）付ノズルを用いる。 - 特許庁

This decurler 2 forms a curled state in the roll paper P by a pinch roller 37 and an auxiliary roller 47 and the curling inclination of the roll paper P is corrected thereby.例文帳に追加

巻き癖矯正装置２は挟圧ローラ３７と補助ローラ４７とによってロール紙Ｐに湾曲状態を形成し、これによってロール紙Ｐの巻き癖を矯正する。 - 特許庁

The ventilation holes 16a, 16b, and 16c of the guide plate 24 are provided in a region on the upstream side of the opening 18a of the exhaust duct 18, with respect to the carrying direction of the recording medium P, for passing the air through.例文帳に追加

ガイド板24の通気口16a,16b,16c は、空気を通すために、排気ダクト18の開口18a よりも被記録媒体P の搬送方向上流側の領域に設けられている。 - 特許庁

This device is made to have a structure in which an n type reversal part 35 is provided on a part of a surface layer of a p type frame part 30 and a p+ type electric circuit 36 is provided on the n type inversion part 35.例文帳に追加

ｐ型の枠部３０の表層の一部にｎ型の反転部３５を設け、ｎ型の反転部３５にｐ^+型の電路３６を設けた構造とする。 - 特許庁

After correcting the curl of the recording paper P on which recording is performed on the face on one side in a second conveyance passage 41, the recording paper P is led into a first conveyance passage 25 again.例文帳に追加

一方の面への記録がなされた記録紙Ｐのカールを第２搬送路４１で矯正してから、記録紙Ｐを第１搬送路２５に再び導いている。 - 特許庁

An inclined surface 4 to gradually increase the inside diameter d toward a tip P' from a base end P in the circumferential wall projecting end 1b of the container body 1 is provided on the elastomer.例文帳に追加

そしてエラストマーに、容器本体１の周壁突端1bにおける基端Ｐから先端Ｐ′に向けて漸次に内径ｄを拡大させる傾斜面４を設ける。 - 特許庁

An n-type turn-off channel layer 8 is formed inside the p-type base layer 4 in such a manner that it contacts the side surface of the groove 5, and a p-type drain layer 9 is formed on its surface.例文帳に追加

ｐ型ベース層４内には、溝５の側面に接してｎ型ターンオフ用チャネル層８が形成され、その表面にｐ型ドレイン層９が形成される。 - 特許庁

On the semiconductor laminate portion 3, an n-type clad layer 11, an active layer 12, a p-type clad layer 13, and a p-type contact layer 14 are laminated in this order from the side of the substrate 2.例文帳に追加

半導体積層部３には、ｎ型クラッド層１１と、活性層１２と、ｐ型クラッド層１３と、ｐ型コンタクト層１４とが基板２側から順に積層されている。 - 特許庁

The bearing section of the general-purpose terminal acquires a mask session key k' as in an equation of k'=e(p',R), based on the mask key p' and an encryption session key R as against a cipher text C.例文帳に追加

汎用端末のペアリング部は、マスク鍵ｐ’と暗号文Ｃに対する暗号化セッション鍵Ｒから、マスクセッション鍵ｋ’を、ｋ’＝ｅ（ｐ’，Ｒ）のように求める。 - 特許庁

In each p-type epitaxial buried layer 123 at the termination section 5, the p-type horizontal resurf region 130 does not exist, at least on one portion of a surface section, thus making it without overlap.例文帳に追加

終端部５の各ｐ型エピタキシャル埋込層１２３は、表面部の少なくとも一部にｐ型横型リサーフ領域１３０が存在せずオーバーラップがない状態にする。 - 特許庁

In the formula, R_1 and R_2 are each a 2-4C radical having a reactive group which can form an ester group; P is a phosphorus atom with a valence of 5; n is an integer of 1-5.例文帳に追加

（但し、R_1及びR_2はエステル基を形成することが可能な反応基を有する炭素数2〜4のラジカルであり、Pは原子価5のリン原子であり、nは1〜5の整数である。） - 特許庁

In inspection processing on the crystallinity of a p-Si film 23, an LED 12 irradiates the p-Si film 23 and an a-Si film 230 with irradiation light Lout.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて、ＬＥＤ１２によって照射光Ｌoutを照射する。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 5 and a P-type diffusion layer 7 are formed in the N-type well 3 having a space between each other away from the P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１とは間隔をもってＮ型ウエル３に互いに間隔をもってＮ型拡散層５及びＰ型拡散層７が形成されている。 - 特許庁

An n-type low concentration diffusion layer 9 is formed in facing to the p-type low concentration diffusion layer 7 and the p-type high concentration diffusion layer 8 through the n-type epitaxial layer 5.例文帳に追加

ｎ型低濃度拡散層９は、ｎ型エピタキシャル層５を介してｐ型低濃度拡散層７及びｐ型高濃度拡散層８と対向して形成される。 - 特許庁

In the first layer, p-type semiconductor region, containing p-type impurities, is formed at a position opposed to at least one part of the gate electrode through the hetero-junction surface.例文帳に追加

第１層には、ｐ型の不純物を含むｐ型半導体領域が、へテロ接合面を介してゲート電極の少なくとも一部に対向する位置に形成されている。 - 特許庁

A P-type transistor cap film 108 is formed by introducing an ion 107 to the N-type transistor cap film 104 located in the P-type transistor area Rp.例文帳に追加

Ｐ型トランジスタ領域Ｒｐに位置するＮ型トランジスタ用キャップ膜１０４にイオン１０７を導入することにより、Ｐ型トランジスタ用キャップ膜１０８を形成する。 - 特許庁

To provide a therapeutic agent for diseases in which neovascularization involves as a result of researches concerning influence of Suc-Val-Pro-HNCH(CH_2Ph)P(O)(OPh)_2 having a chymase-inhibiting action on neovascularization.例文帳に追加

キマーゼ阻害作用を有するSuc-Val-Pro-HNCH(CH_2Ph)P(O)(OPh)_2の血管新生に及ぼす影響について研究をし、血管新生が関与する疾患の治療剤を提供する。 - 特許庁

Because a sheet P passing through the separation position S produces a deflection generally at the lateral center portion thereof, the sheet P can provide a strong stiffness in the feeding direction thereof.例文帳に追加

これにより、分離位置Ｓを通過する用紙Ｐは、その幅方向略中央部分にたわみを生じるため、その搬送方向について強いコシを得ることになる。 - 特許庁

When sheets of small size recording paper P are continuously passed and fixing is carried out, the temperature of the fixing belt 102 increases in the area where the sheets of recording paper P are not passed.例文帳に追加

小サイズの記録用紙Ｐが連続通紙され定着が行われると、記録用紙Ｐの非通過領域では定着ベルト１０２の温度が上昇する。 - 特許庁

A p-type AlGaAs layer 36, a p+-type GaAs layer 38, and an ohmic electrode 40 are laminated in this order on a part of the upper surface of the window layer 34.例文帳に追加

窓層３４の上面の一部に、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層３６と、ｐ^+ 型ＧａＡｓ層３８と、オーミック電極４０とが、この順序で積層されている。 - 特許庁

The PE pipe p is propelled in the propelling direction X while restraining the PE pipe p by fastening force by this extension-contraction.例文帳に追加

これにより無理な力を加えることなくＰＥ管ｐを推進させることができ、特定部位に過大な保持応力をかけることがないから、その損傷を防ぐことができる。 - 特許庁

In the semiconductor laminate 6; an n-type clad layer 9, an active layer 11, a p-type clad layer 13, and a p-type contact layer 15 are laminated successively on a substrate 7.例文帳に追加

半導体積層部６は、基板７上に、ｎ型クラッド層９、活性層１１、ｐ型クラッド層１３、及びｐ型コンタクト層１５が順次積層されてなる。 - 特許庁

In the hydrogen generation method, a short pulse P and a tailing pulse TP following the short pulse P are alternately repeatedly applied to a pair of electrodes, thus pulse electrolysis is performed.例文帳に追加

本水素発生方法では、短パルスＰと、短パルスＰに続くテーリングパルスＴＰとを、電極対に交互に繰り返し印加することにより、パルス電気分解を行っている。 - 特許庁

Thus, electrons in the semiconductor 12 attach the combination of the p-type impurities and hydrogen, and separate the hydrogen from the p-type impurities.例文帳に追加

これにより、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１２中に存在する電子がｐ型不純物と水素との結合を攻撃し、その結合が切断される。 - 特許庁

To enhance lubricating performance of a counter face (P) between a fixed scroll (22) and a movable scroll (23) when using a centrifugal pump (37) in a low-pressure dome type scroll compressor (1).例文帳に追加

低圧ドーム型のスクロール圧縮機（1）において遠心ポンプ（37）を用いた場合に、固定スクロール（22）と可動スクロール（23）の間の対向面（P）の潤滑性能を高める。 - 特許庁

In the meantime, the P^+-type impurity introduction region 24 at a part covered with the photoresist 103 remains as the P^+-type impurity introduction region 6 of a photodiode 51.例文帳に追加

一方、フォトレジスト１０３によって覆われている部分のＰ^+型不純物導入領域２４は、フォトダイオード５１のＰ^+型不純物導入領域６として残る。 - 特許庁

The air bags 3a, 3b are inflated and deflated to massage a seated person P from the under side and to move the shoulder parts of the seated person P in the vertical direction.例文帳に追加

上腿マッサージ用空気袋３ａ，３ｂは、着座者Ｐを下側からマッサージするとともに、着座者Ｐの肩部を上下方向に移動させるように膨縮可能である。 - 特許庁

The semiconductor device includes a photodiode having a p-type semiconductor layer 11, an n-type semiconductor layer 12, and an n-type cathode region 15 in this sequence on a p-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１０上に、ｐ型半導体層１１、ｎ型半導体層１２およびｎ型カソード領域１５をこの順に有するフォトダイオードを備える。 - 特許庁

The photonic crystalline layer 13 is formed between the n-type cladding layer 12 and the p-type cladding layer 16 or in the n-type cladding layer 12 or the p-type cladding layer 16.例文帳に追加

フォトニック結晶層１３は、ｎ型クラッド層１２とｐ型クラッド層１６との間、ｎ型クラッド層１２中、またはｐ型クラッド層１６中のいずれかに形成される。 - 特許庁

The semiconductor-device copper-alloy bonding wire contains at least one kind of Mg and P in total of 10 to 700 mass ppm, and oxygen within a range from 6 to 30 mass ppm.例文帳に追加

半導体装置用銅合金ボンディングワイヤは、Mg及びPの少なくとも１種を総計で10〜700質量ppm、酸素を6〜30質量ppmの範囲で含有することを特徴とする。 - 特許庁

The p-type cladding layer 16 includes p-type impurities at least in the second semiconductor layer 16B of the first and second semiconductor layers 16A, 16B.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１６は、第１半導体層１６Ａおよび第２半導体層１６Ｂのうち少なくとも第２半導体層１６Ｂにｐ型不純物を含んでいる。 - 特許庁

To provide an ultraviolet-emitting device which uses a p-type semiconductor having a light emission peak in the ultraviolet region and efficiently emits light by the highly conductive p-type semiconductor.例文帳に追加

高伝導度のｐ型半導体により紫外領域に発光ピークを有して効率良く発光するｐ型半導体を用いた紫外発光素子を提供する。 - 特許庁

In one embodiment, the metallic substrate is composed of a copper alloy, the amorphous metal lower layer is composed of Ni-P, the intermediate layer is composed of nickel, and the external layer is composed of palladium, respectively.例文帳に追加

一実施例において、金属基板は銅合金から、非晶質金属下部層はNi−Pから、中間層はニッケルから、外部層はパラジウムからそれぞれ成る。 - 特許庁

The alliinase is a crude enzyme contained in a liquid obtained by fracturing a cell body after culturing Ensifer adhaerens AMA9794 strain (FERM P-19486) and has optical specificity selectively acting on (-)alliin.例文帳に追加

エンサイファ アドヘレンス(Ensifer adhaerens）AMA9794株（FERM P-19486）を培養した後の菌体破砕液に含まれる粗酵素であり、（−)アリインに対して選択的に作用する光学特異性を有するアリイナーゼ。 - 特許庁

In the method for forming a p-type gallium nitride semiconductor region, a gallium nitride semiconductor film 13 is ion-implanted with a p-type dopant 17 by using a mask 15 to form a gallium nitride semiconductor film 13b.例文帳に追加

マスク１５を用いて窒化ガリウム系半導体膜１３にｐ型ドーパント１７のイオン注入を行って、窒化ガリウム系半導体膜１３ｂを形成する。 - 特許庁

A DNA having a specific bass sequence containing the DNA sequence of 1265 bp in the inside, and having other specified base sequence with an exon part to the DNA, and 1803 bp size is obtained as a DNA-P fragment.例文帳に追加

さらに、前記の1265bpのサイズのDNA配列を内部に含有し且つ該DNAに対するエクソン部を含有する別の特定の塩基配列をもつ1803bpサイズのDNAをDNA-P断片として得た。 - 特許庁

To provide a forming method of p-type group III nitride semiconductor regions and group III nitride semiconductor elements which is performed by activating p-type dopants present in group III nitride semiconductor regions.例文帳に追加

III族窒化物半導体領域中のｐ型ドーパントを活性化するｐ型のIII族窒化物半導体領域を形成する方法、および半導体素子を提供する。 - 特許庁

A pressure sensor is provided in such position that the discharge pressure of a precharge piston using a master cylinder pressure or a precharge pressure PP/P, whichever greater, as a discharge pressure can be detected.例文帳に追加

マスタシリンダ圧とプリチャージ圧Ｐ_P/P との何れか大きい方を吐出圧とするプリチャージピストン２０ＬＨの吐出圧を検出可能な位置に圧力センサ１６を設ける。 - 特許庁

A resist roller 5 sends out a paper sheet P toward a transfer section 8 for transferring a toner image to the paper sheet P in synchronization with the toner image formed by an image formation section 30.例文帳に追加

レジストローラ５は、画像形成部３０で形成されるトナー像と同期をとり、用紙Ｐにトナー像を転写する転写部８に向けて用紙Ｐを送り出す。 - 特許庁

The controller 21 actuates and controls the brake fluid pressure control device 16 on the basis of the pedaling force and brake fluid pressure P so that the brake fluid pressure P is in specified relation.例文帳に追加

そして、コントローラ２１は、ペダル踏力とブレーキ液圧Ｐとに基づいて、ブレーキ液圧Ｐが所定の関係となるようにブレーキ液圧制御装置１６を作動制御する。 - 特許庁