「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

In the mounting face 21, the width L in the optical axis P direction in the contact position with the side circumferential face 53 of the collimator lens 4 is narrower than the width L1 of the optical axis P direction in the contact position with the mounting face 21 on the side circumferential face 53 (L<L1).例文帳に追加

載置面２１は，コリメータレンズ４の側周面５３との接触位置での光軸Ｐ方向の幅Ｌが，側周面５３における載置面２１との接触位置での光軸Ｐ方向の幅Ｌ１よりも狭いもの（Ｌ＜Ｌ１）である。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a P board 61, a semiconductor layer 63 formed on the P board 61, a semiconductor circuit formed in a given area in the semiconductor layer 63, and a diode 33 formed in an area different from the given area in the semiconductor layer 63.例文帳に追加

Ｐ基板６１とこのＰ基板６１上に形成された半導体層６３と、半導体層６３の所定領域に形成された半導体回路と、半導体層の所定領域とは異なる領域に形成されたダイオード３３を備える。 - 特許庁

In the automatic winder for re-winding the elastic thread Y in a package P of a prescribed shape while unwinding it from a thread feed bobbin 2, the thread is wound up while reducing a winding tension given to the running thread in a period ranging from the start to the end of winding in the package P.例文帳に追加

給糸ボビン２から弾性糸Ｙを解舒しつつ所定形状のパッケージＰに巻き返す自動ワインダにおいて、前記パッケージＰの巻始めから巻終りに至るまで、走行糸に付与される巻取テンションを漸減させながら巻き取る。 - 特許庁

Accordingly, since the amount of moisture in the non-image-formed part is returned to the amount of moisture originally contained in the sheets of paper P, the difference in the amounts of moisture between an image-formed part and a non-image-formed part is reduced, thereby suppressing the cockling generated in the sheets of paper P.例文帳に追加

これにより、非描画部の水分量が、用紙Ｐが元々含んでいた水分量にまで戻るため、描画部と非描画部との水分量の差は小さくなり、用紙Ｐに生じるコックリング（波打ち）を抑制することができる。 - 特許庁

The sputtering target material for manufacturing a Ni-W-P,Zr-based intermediate layer film in a perpendicular magnetic recording medium includes, by atomic percentage, W in an amount of 1-20% and P and/or Zr in an amount of 0.1-10% in total with the balance being Ni.例文帳に追加

ａｔ％で、Ｗを１〜２０％、Ｐおよび／またはＺｒを合計０．１〜１０％を含み、残部Ｎｉからなる垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材。 - 特許庁

In this way, the impurity concentration can be easily made higher in a portion to be formed for insertion into the lower part of an n^+-source region 8 in the p^+-type contact region 9 than in a portion to be formed on the substrate surface side of a p-type base region 7.例文帳に追加

これにより、容易にｐ^+型コンタクト領域９のうちのｎ^+型ソース領域８の下方に入り込むように形成される部分をｐ型ベース領域７の基板表面側に形成される部分よりも不純物濃度が濃くできる。 - 特許庁

A first P-type transistor 22 in the first circuit has a gate connected with the drain of an N-type transistor 36 in the second circuit, and a first P-type transistor 32 in the second circuit has a gate connected with the drain of an N-type transistor 26 in the first circuit.例文帳に追加

第１の回路の第１のＰ型トランジスタ２２のゲートは第２の回路のＮ型トランジスタ３６のドレインに接続され、第２の回路の第１のＰ型トランジスタ３２のゲートは第１の回路のＮ型トランジスタ２６のドレインに接続される。 - 特許庁

A block noise amount prediction part 19 predicts the amount of the block noise included in a decoded image P based on an average quantization parameter QP (P') being an average value of a quantization parameter consulted for generating a decoded image P', and an average code amount B (P') being a code amount per unit region size of encoding data consulted for generating a decoded image P.例文帳に追加

ブロックノイズ量予測部１９は、復号画像Ｐ’を生成するために参照される量子化パラメータの平均値である平均量子化パラメータＱＰ（Ｐ’）、及び、復号画像Ｐを生成するために参照される符号化データの単位領域サイズあたりの符号量である平均符号量Ｂ（Ｐ’）に基づいて、復号画像Ｐに含まれるブロックノイズの量を予測する。 - 特許庁

An n-GaAs buffer layer 102, n-AlGaInP clad layer 103, active layer 104, p-AlGaInP lower clad layer 105, p-AlGaInP etching stopper layer 106, p-AlGaInP upper clad layer 107, p-GaInP intermediate layer 108, and p-GaAs lower contact layer 109 and grown in sequence on an n-GaAs substrate 101.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０３、活性層１０４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド層１０５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰエッチングストッパ層１０６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ上部クラッド層１０７、ｐ−ＧａＩｎＰ中間層１０８、ｐ−ＧａＡｓ下部コンタクト層１０９をその順序で成長させる。 - 特許庁

A low resolution image acquiring means 10 acquires the low resolution image data P' based on the input original image data P, a high resolution image acquiring means 30 acquires the high resolution image data P" based on the input original image data P, and a candidate area detecting means 20 detects the candidate area of abnormality in the image by inputting the low resolution image data P'.例文帳に追加

低解像度画像取得手段10が、入力した原画像データＰに基づいて低解像度画像データＰ′を取得するとともに、高解像度画像取得手段30が、入力した原画像データＰに基づいて高解像度画像データＰ″を取得し、候補領域検出手段20が、低解像度画像データＰ′を入力して画像中の異常陰影の候補領域を検出する。 - 特許庁

In the process for fabricating a photoelectric conversion element, a p-layer constituting the photoelectric conversion element having a pin junction is formed by depositing a first p-layer 7 having a film thickness of 5 nm or less and added with impurities uniformly, and then depositing a second p-layer 8 on the first p-layer 7 by gas decomposition containing no p-type impurity.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を有する光電変換素子を構成するｐ層を、５ｎｍ以下の膜厚を有する均一に不純物が添加された第１ｐ層７を成膜し、該第１ｐ層７上にｐ型不純物を含まないガス分解によって第２ｐ層８を成膜することにより形成する光電変換素子の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

In particular, a groove portion (600) is provided in a part (P) where it is stuck to the electrooptical panel in the holding member.例文帳に追加

そして特に、保持部材における電気光学パネルと接着される部分（Ｐ）には、接着剤が充填される溝部（６００）が設けられている。 - 特許庁

A ratio of [amino group equivalent included in the compound (P)]/[-COO- group equivalent in the polymer (X)] is in a range of 0.2/100-20.0/100.例文帳に追加

［化合物（Ｐ）に含まれるアミノ基の当量］／［重合体（Ｘ）の−ＣＯＯ−基の当量］の比が、０．２／１００〜２０．０／１００の範囲にある。 - 特許庁

Since a pad member 710 is higher in hardness than a pressure contact-part 721, the outlet of a nip section of a recording paper sheet P is higher in pressure than in an inlet.例文帳に追加

圧接部７２１よりパッド部材７１０の方が高硬度であるので、記録用紙Ｐのニップ部の出口の方が入口より圧力が高い。 - 特許庁

The p-side contact electrode is provided in contact with a light emitting part in the second surface at an inside of a first aperture formed in the insulating film.例文帳に追加

ｐ側コンタクト電極は、絶縁膜に形成された第１の開口の内側で、第２の面における発光部に接して設けられている。 - 特許庁

In addition, wiring legth from an input terminal P to an output terminal N in the circuit is equally set in each capacitor group.例文帳に追加

そして、上記回路における入力端子Ｐから出力端子Ｎまでの配線長が、各コンデンサ群において同じになるように構成する。 - 特許庁

The ratio [equivalent of amino group contained in the compound (P)]/[equivalent of -COO- group in the polymer (X)] is in a range of 0.2/100 to 20.0/100.例文帳に追加

［化合物（Ｐ）に含まれるアミノ基の当量］／［重合体（Ｘ）の−ＣＯＯ−基の当量］の比が、０．２／１００〜２０．０／１００の範囲にある。 - 特許庁

A CPU 11 takes in the head information in synchronism with the transfer clock from the ROM 51 through the S/P 152 and stores it in an EEPROM 21.例文帳に追加

ＣＰＵ１１はＳ／Ｐ１５２を介してヘッド情報をＲＯＭ５１から転送クロックに同期して取り込み、ＥＥＰＲＯＭ２１に格納する。 - 特許庁

Accordingly, the liquid droplets of ink are caused to permeate further in the thickness direction of the recording paper P in the marking ejecting operation than in the regular ejecting operation.例文帳に追加

これにより、マーキング噴射動作では、通常噴射動作よりもインクの液滴を記録用紙Ｐの厚み方向により浸透させる。 - 特許庁

The adhesive sheet S and the glass plate P are peeled off by vibrating the adhesive sheet S through the glass plate P by the vibrating means 12, and the glass plate P can be peeled off from the semiconductor wafer W by displacing the glass plate P in a direction separating from the semiconductor wafer W.例文帳に追加

振動付与手段１２によりガラス板Ｐを介して接着シートＳに振動を付与することで、当該接着シートＳとガラス板Ｐとを剥離し、ガラス板Ｐを半導体ウエハＷから離間する方向に変位させることで当該ガラス板Ｐを半導体ウエハＷから剥離することができる。 - 特許庁

The LED (10) including a p-type material layer having an associated p-contact, an n-type material layer having an associated n-contact, and an active region (18) between the p-type layer and the n-type is equipped with a confinement structure (20) formed in either one of the p-type material layer and the n-type material layer.例文帳に追加

関連したｐコンタクトを有するｐ型材料層（１０）と、関連したｎコンタクトを有するｎ型材料層と、ｐ型層とｎ型層との間の活性領域（１８）とを有するＬＥＤ（１０）は、ｐ型材料層またはｎ型材料層のいずれかの中に形成された閉じ込め構造（２０）を備える。 - 特許庁

In the mathematical expression, H1 represents JIS-C hardness at a point P1 that is located inside the point P along the radial direction and away from the point P at a distance of 1 mm, and H2 represents JIS-C hardness at a point P2 that is located outside the point P along the radial direction and away from the point P at a distance of 1 mm.例文帳に追加

Ｈ２ − Ｈ１ ≦ ５この数式において、Ｈ１は点Ｐよりも半径方向内側に存在しかつ点Ｐからの距離が１ｍｍである点Ｐ１のＪＩＳ−Ｃ硬度を表し、Ｈ２は点Ｐよりも半径方向外側に存在しかつ点Ｐからの距離が１ｍｍである点Ｐ２のＪＩＳ−Ｃ硬度を表す。 - 特許庁

The cooling device comprises: a cooling roller 1 for cooling the recording media P on which the toner is fixed, in contact with a principal surface of the recording media P; a conveyance roller 3 which supports the recording media P which is inserted between the conveyance roller 3 and the cooling roller 1; and an excitation mechanism part 5 for vibrating the cooling roller 1 to a thickness direction of the recording media P to pass through.例文帳に追加

トナーが定着された記録媒体Ｐの主面に接触して該記録媒体Ｐを冷却する冷却ローラ１と、冷却ローラ１との間で記録媒体Ｐを挟んで支持する搬送ローラ３と、冷却ローラ１を、通過する記録媒体Ｐの厚み方向に振動させる加振機構部５と、を備える。 - 特許庁

In a purple-blue semiconductor laser device 100, an n-type clad layer 102, an active layer 103, a p-type clad layer 104, and a p-type contact layer 105 are formed on one surface of an n-type GaN substrate 101, and a p-type ohmic electrode 106 is formed on the upper surface of the p-type contact layer 105.例文帳に追加

青紫色半導体レーザ素子１００においては、ｎ型ＧａＮ基板１０１の一面上にｎ型クラッド層１０２、活性層１０３、ｐ型クラッド層１０４、およびｐ型コンタクト層１０５が形成され、ｐ型コンタクト層１０５の上面にｐ型オーミック電極１０６が形成されている。 - 特許庁

As the size of the recording paper P becomes smaller, so that only a part of the delivery roller bodies are abutted on the recording paper P at plural positions in the perpendicular direction to the delivery direction, roughly uniform carrying force is applied from the respective delivery roller bodies to the recording paper P, thereby skew of the recording paper P is not generated.例文帳に追加

記録用紙Ｐのサイズが小さくなり、一部の排出ローラ体のみが記録用紙Ｐの排出方向に直交する方向における複数の位置に当接する状況でも、各排出ローラ体から記録用紙Ｐに対して略均一の搬送力が作用し、記録用紙Ｐに斜行を生じない。 - 特許庁

In the mathematical formula, H1 indicates JIS-C hardness at a point P1 located radially inward of each point P at a distance of 1 mm from the point P, and H2 indicates JIS-C hardness at a point P2 located radially outward of each point P at a distance of 1 mm from the point P.例文帳に追加

−５ ＜ Ｈ２ − Ｈ１ ＜ ５この数式において、Ｈ１は点Ｐよりも半径方向内側に存在しかつ点Ｐからの距離が１ｍｍである点Ｐ１のＪＩＳ−Ｃ硬度を表し、Ｈ２は点Ｐよりも半径方向外側に存在しかつ点Ｐからの距離が１ｍｍである点Ｐ２のＪＩＳ−Ｃ硬度を表す。 - 特許庁

A friction coefficient between the separating pad 11a and paper P in a paper feeder is set larger than a friction coefficient between the mutual paper P, and is set smaller than a friction coefficient between the paper P and a roller surface of the paper feeding roller 3, and is set larger than a friction coefficient between the paper P and a guide surface of a paper guide member 16.例文帳に追加

分離パッド１１ａと用紙Ｐとの間の摩擦係数は，用紙Ｐ相互間の摩擦係数より大きく，かつ，用紙Ｐと給紙ローラ３のローラ面との間の摩擦係数より小さく設定されているとともに，用紙Ｐと用紙ガイド部材１６のガイド面との間の摩擦係数より大きく設定されている。 - 特許庁

When sucking and holding the machine plate P stored in the cassette 2, the machine plate supply device 1 brings only a suction pad 31 into contact with the machine plate P to be conveyed, and the contact of the suction pad 31 and the machine plate P does not occur when conveying the machine plate P by conveyance rollers 51 and 52.例文帳に追加

さらに、刷版供給装置１は、カセット２に収納された刷版Ｐを吸着保持する際、吸着パッド３１のみを搬送対象の刷版Ｐに接触させ、搬送ローラ５１および５２によって当該刷版Ｐが搬送される際には、吸着パッド３１と当該刷版Ｐとの接触が発生しない。 - 特許庁

This semiconductor device for protection against static electricity contains a P type well 11 containing a P type impurity diffusion layer 90, and an N type impurity diffusion layer 20, and an N type well 13 which is formed in the P type well 11, and contains a P type impurity diffusion layer 30 and an N type impurity diffusion layer 40.例文帳に追加

本発明の静電気保護用半導体装置は、Ｐ型不純物拡散層９０およびＮ型不純物拡散層２０を含むＰ型ウエル１１と、Ｐ型ウエル１１に形成され、Ｐ型不純物拡散層３０およびＮ型不純物拡散層４０を含むＮ型ウエル１３とを含む。 - 特許庁

A p-type source/drain layer 37 is allowed to remain only at a p-type TFT region 12p by the reactive thermal CVD method via an etching stopper layer 35a, in a shape of the gate electrode 32 of a p-type TFT region 12n and a p-type TFT region 12p, and further the active layer 34 is patterned into an island shape.例文帳に追加

ｎ型ＴＦＴ領域１２ｎと、ｐ型ＴＦＴ領域１２ｐのゲート電極３２の形状のエッチングストッパ層３５ａを介して、反応性熱ＣＶＤ法によって成膜したｐ型ソース・ドレイン層３７をｐ型ＴＦＴ領域１２ｐのみに残し、さらに活性層３４を島状にパターニングする。 - 特許庁

In the pattern-forming method for forming an uneven pattern on a substrate P, a roller mold 10 with the surface formed with an inverse uneven pattern which is an inverted version of the uneven pattern to be formed on the substrate P is pressed against the substrate P and rolled over the substrate P, to form the uneven pattern.例文帳に追加

基板Ｐに凹凸パターンを形成するパターン形成方法であって、上記基板Ｐに形成される上記凹凸パターンが反転された反転凹凸パターンが表面に形成されたローラ型１０を上記基板Ｐに対して押圧した状態で回転駆動することによって上記凹凸パターンを形成する。 - 特許庁

This pusher barge connected with the pusher boat P and the barge B via fins 10, 11 is provided with an adjusting means for making draught conditions or trim heel conditions equal in the mutual connection or the mutual separation, when the draught conditions of the pusher boat P and the barge B, or the trim heel conditions are different each other.例文帳に追加

プッシャ(P)とバージ(B)とを、フィン(10),(11)を介して連結したプッシャバージにおいて、プッシャ(P)とバージ(B)の互いの喫水状態、もしくはトリム・ヒール状態が異なっている場合、相互間の連結あるいは相互離脱の際に、前記喫水状態もしくはトリム・ヒール状態を均しくする調整手段を備えた。 - 特許庁

This connector 10 is provided with a casing 20 having a pipe insertion hole 25 for inserting the pipe P, a pipe fixing member 30 sliding by inserting the pipe P in the pipe insertion hole 25 and fixing the pipe P to the casing, and a seal member 40 installed facing to a pipe channel 26 and sealing the pipe P.例文帳に追加

コネクタ１０は、パイプＰを挿入するパイプ挿入孔２５を有するケーシング２０と、パイプＰをパイプ挿入孔２５に挿入することによりスライドしてパイプＰをケーシングに対して固定するパイプ固定部材３０と、パイプ流路２６に面して装着され、パイプＰに対してシールするシール部材４０と、を備えている。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting device for flip chip and its manufacturing method improved in a luminance characteristic and a driving voltage characteristic capable of reducing an adhesion defect and improving the luminance characteristic by improving adhesiveness between a p metal layer and a p-type nitride semiconductor layer, reflection efficiency, current diffusion efficiency, and contact resistance.例文帳に追加

pメタル層とp型窒化物半導体層間の密着性と、反射効率及び電流拡散効率と、接触抵抗とを改善することにより、輝度及び駆動電圧特性の向上されたフリップチップ用窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関し、密着力不良を減少し、輝度特性を改善する。 - 特許庁

A body includes resist roller pairs 19 for conveying the paper sheets P conveyed by the paper feed roller 17, and guide pairs 56 for advancing the paper sheets P in the advancing direction by holding the paper sheets P from the slide direction at the upstream side of the advancing direction of the paper sheets P from the resist roller pairs 19.例文帳に追加

本体は、給紙ローラ１７により搬送されてきた用紙Ｐを搬送するレジストローラ対１９と、レジストローラ対１９よりも用紙Ｐの進行方向の上流側において、スライド方向から用紙Ｐを挟むことにより、用紙Ｐを進行方向に進行させるガイド対５６と、を含んでいる。 - 特許庁

The inkjet type image forming apparatus 1 is equipped with a feeding roller 5 for feeding a recording paper P to a recording part 10, a discharging roller 6 for feeding the recording paper P from the recording part 10, and a recording head 2 for delivering inks from a plurality of nozzles to the recording paper P and recording on the recording paper P in the recording part 10.例文帳に追加

インクジェット方式の画像成形装置１は、記録紙Ｐを記録部１０に送る供給ローラ５と、記録媒紙Ｐを記録部１０から送り出す排出ローラ６と、記録部１０において、記録紙Ｐに対し複数のノズルからインクを吐出して記録する記録ヘッド２を備えている。 - 特許庁

In this sheet carrying device, a sheet P is held by a driver roller 68 and a pressing means 69 having an elastic member 69f which is allowed to abut on the sheet P to press the sheet P to the drive roller 68 and deformed by a pressing force for pressing the drive roller 68 to the contact part with the sheet P and carried along a sheet carrying passage.例文帳に追加

駆動ローラ６８と、シートＰに当接してシートＰを駆動ローラ６８に押圧するとともに、シートＰとの当接部に駆動ローラ６８を押圧する押圧力により変形する弾性部材６９ｆを有する押圧手段６９と、によりシートＰを挟持してシート搬送経路に沿って搬送する。 - 特許庁

In genuine P-to-P file sharing software, which has no central server, the nature and level of control the service provider may exercise over the users' infringements of copyright after such software is provided to the users should be considered differently from the case of providers of hybrid P-to-P file sharing software. 例文帳に追加

純粋型のＰ２Ｐファイル交換においては、中央サーバを有しないゆえ、一旦ソフトウェアを提供した後に行われるユーザーの著作権侵害行為に対するソフトウェア提供者のコントロールの性質や程度は、ハイブリッド型のＰ２Ｐファイル交換のサービス提供者の場合と異なるといえよう。 - 経済産業省

In a structure of the lateral double diffusion MOS transistor formed on a p-type semiconductor substrate 7, a high concentration p-type diffusion layer 10 serving as an electrode of a low concentration p-type well layer 11 is formed in contact with a high concentration n-type diffusion layer 9 serving as a source region.例文帳に追加

ｐ型半導体基板上７に形成された横型二重拡散ＭＯＳトランジスタを構成において、ソース領域となる高濃度ｎ型拡散層９に接するように、低濃度ｐ型ウエル層１１の電極となる高濃度ｐ型拡散層１０を形成する。 - 特許庁

With a control method code 'P' inputted, a cpuC1 of a loader L stores the code 'P' in a memory M1, and actuates its transportation robot 6 so that a substrate in a housing vessel 2L is taken out first and held according to the delivery order indicated by the code 'P'.例文帳に追加

管理方式符号「Ｐ」が入力されると、ローダＬのｃｐｕＣ１は当該符号「Ｐ」をメモリＭ１に保存記憶させるとともに、その搬送ロボット６を動作させて、当該符号「Ｐ」が意味するところの払い出し順序に従い、収納容器２Ｌ内の基板をまず取り出して保持する。 - 特許庁

A lateral PNP transistor is formed in such a manner that an emitter diffused layer 14 having a p-type impurity and a collector diffused layer 13 having a p-type impurity are arranged via an n^--type epitaxial layer 12 of a base region in a planar inward direction of a semiconductor substrate (p^--type substrate 10).例文帳に追加

ｐ型不純物を有するエミッタ拡散層１４と、ｐ型不純物を有するコレクタ拡散層１３とが半導体基板（ｐ^−型基板１０）の面内方向にベース領域であるｎ^−型エピタキシャル層１２を介して配設されてなる横型ＰＮＰトランジスタを形成する。 - 特許庁

The elastic energy stored in a mechanical system of the punching press, which is the source of noise in the breakthrough period, is released by once raising a punch P after the punch P is dropped at a high speed until just before the breakthrough, then the punching work is completed by making punch P approach and move.例文帳に追加

ブレークスルーの直前までパンチＰを高速で下降させ、一旦パンチＰを上昇させることにより、ブレークスルー時における騒音の発生源であるパンチプレスの機械系に蓄積されている弾性エネルギーを解放し、その後パンチＰを接近移動させて打抜き加工を行う。 - 特許庁

In the boundary region to the n-type layer 12, the p-type region 13 includes a low impurity region 13A having a conductivity type closer to p-type than a high impurity region 13B in the p-type region 13 adjacent to the boundary region.例文帳に追加

ｐ型領域１３は、ｎ型層１２との境界領域において、境界領域に隣接するｐ型領域１３内の領域である高不純物領域１３Ｂよりも導電型がｐ型であるｐ型不純物の濃度の低い低不純物領域１３Ａを含んでいる。 - 特許庁

Thus, an image signal can be read while making curling or the like of the transfer material P stable by sucking the transfer material P to the conveyance sucking belt 112 by the suction fan 111, and also it is accurately read in such a state that temperature of the transfer material P is lowered to temperature in environment outside of the apparatus.例文帳に追加

これにより、吸引ファン１１１で搬送吸着ベルト１１２に転写材Ｐを吸引して転写材Ｐのカール等を安定させつつ画像信号を読み取ることができると共に、転写材Ｐの温度を機外環境の温度まで下げて、精度良く読み取ることができる。 - 特許庁

In this case, the n-well 7 and p-well 11 are formed in the manner that impurity concentration peak 10 of the p-well 11 becomes deeper than impurity concentration peak 6 of the n-well 7 by adjusting ion implantation energy of n-type impurity and ion implantation energy of p-type impurity.例文帳に追加

このとき、Ｎウエル７及びＰウエル１１は、Ｎ型不純物のイオン注入エネルギー及びＰ型不純物のイオン注入エネルギーを調整することによりＰウエル１１の不純物濃度ピーク１０がＮウエル７の不純物濃度ピーク６よりも深くなるように形成される。 - 特許庁