「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

A p^+ region 89 is formed within a source neighborhood p-type region 83 in an n-well 33 and then arsenic is injected into a shallow substrate surface in the p^+ region 89 by applying an ion implantation method using a ring-shaped gate electrode 35 as a mask to form a surface n^+ layer 90.例文帳に追加

ｎウェル３３中のソース近傍ｐ型領域８３内にｐ^+領域８９を形成した後、リング状ゲート電極３５をマスクとしたイオン注入法を適用して、ｐ^+領域８９中の浅い基板表面にひ素を注入して、表面ｎ^+層９０を形成する。 - 特許庁

By this construction, the recording paper P in the irregular size can be perform saddle stitching or secondary folded with high reproducibility based on the position determination information without measuring and inputting the length of the recording paper P even when the recording paper P after image forming is in the irregular size.例文帳に追加

この構成によって、画像形成後の記録紙Ｐが不定型サイズであった場合でも、その記録紙Ｐの長さをいちいち測って入力しなくても、不定型サイズの記録紙Ｐを位置決定情報に基づいて再現性良く中綴じ又は／及び中折りすることができる。 - 特許庁

Furthermore, the ratio P (P=WB/wu) of the weight-average molecular weight WB of a binder resin contained in the transferable protective layer to the weight-average molecular weight wu of a UV absorbing agent contained in the transferable protective layer, is within a range of 12≤P≤1,300.例文帳に追加

さらに、前記転写性保護層に含まれるバインダー樹脂の重量平均分子量ＷＢおよび前記転写性保護層に含まれる紫外線吸収剤の重量平均分子量ｗｕとの比Ｐ（Ｐ＝ＷＢ／ｗｕ）が、１２≦Ｐ≦１３００の範囲にある。 - 特許庁

A punch P and a die D are arranged near a laser beam machining head 9 of a laser beam machine 9 in which the laser beam machining head 9 arranged with a work clamp device 31 to hold a work W movable in the X, T directions is fixed, a punch unit 5 to strike the punch P is arranged above the punch P.例文帳に追加

Ｘ，Ｙ軸方向へ移動可能なワークＷを把持するワーククランプ装置３１を備えたレーザ加工ヘッド９を固定したレーザ加工機３の、前記レーザ加工ヘッド９の近傍にパンチＰとダイＤを設け、このパンチＰの上方にパンチＰを打撃するパンチユニット５を設けた。 - 特許庁

In the heat-sensitive recording body having a heat-sensitive recording layer containing the zinc salt of a p-hydroxybenzoic acid and a leuco dyestuff on a support, the containing molar ratio of the zinc to the p-hydroxybenzoic acid (zinc/p-hydroxybenzoic acid) in the heat-sensitive recording layer is preferably 0.75/1 to 1.7/1.例文帳に追加

支持体上に、ｐ−ヒドロキシ安息香酸の亜鉛塩及びロイコ染料を含有する感熱記録層を有する感熱記録体であって、前記感熱記録層におけるｐ−ヒドロキシ安息香酸に対する亜鉛の含有モル比率（亜鉛／ｐ−ヒドロキシ安息香酸）は０．７５／１〜１．７／１である。 - 特許庁

An advance roller 40 disposed in a downstream side in the conveying direction of a lower magazine 100 is formed with the roller width smaller than the width of paper P, and the advance roller 40 is disposed approximately at the center position over the width of the paper P so as to convey the paper P as pulling its center position.例文帳に追加

下側のマガジン１００の搬送下流側に設けられたアドバンスローラ４０のローラ幅をペーパーＰの紙幅よりも小さく形成し、且つアドバンスローラ４０をペーパーＰの紙幅の略中央位置に配設して、ペーパーＰの略中央位置を引っ張るようにして搬送する。 - 特許庁

The epoxy resin compositions comprises: (A) an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule; (B) a phenolic curing agent having an average content ratio P of hydroxyl group in one molecule of 0<P<1, wherein the average content ratio P is obtained by dividing the total number of hydroxyl groups by the total number of benzene rings; and (C) a polyvinyl acetal resin.例文帳に追加

（Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、（Ｂ）１分子中の平均水酸基含有率Ｐ（（総水酸基数／総ベンゼン環数）の平均値）が０＜Ｐ＜１であるフェノール系硬化剤、及び（Ｃ）ポリビニルアセタール樹脂を含有することを特徴とする、エポキシ樹脂組成物。 - 特許庁

The p-electrode of the light-emitting element and the positive electrode of the supporting substrate are opposite to each other, and the positive electrode of the supporting substrate is formed smaller in width than the p-electrode within a width of the p-electrode of the light-emitting element in a cross section crossing the pair of n-electrodes of the light-emitting element.例文帳に追加

そして、発光素子のｐ電極と支持基板の正電極とは対向しており、支持基板の正電極は、発光素子の一対のｎ電極を横切る断面において発光素子のｐ電極の幅内でｐ電極の幅よりも小さく形成されている。 - 特許庁

The P-type ZnTe quantum well layers 12a and the P-type ZnSe barrier layers 12b constituting the P-type ZnSe/ZnTeMQW layer 12 are grown in a desired thickness in a growing time almost an integer times as long as a rotation period of the substrate.例文帳に追加

ｐ型ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層１２は、ｐ型ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層１２を構成する全てのｐ型ＺｎＴｅ量子井戸層１２ａおよび全てのｐ型ＺｎＳｅ障壁層１２ｂは、基板の回転周期の整数倍とほぼ等しい成長時間で所望の厚さに成長することにより形成する。 - 特許庁

To provide a p-type diffusion layer forming composition capable of forming a p-type diffusion layer without causing an internal stress in a silicon substrate and a warpage of the substrate, in a manufacturing process of a solar cell element using the silicon substrate, a method for manufacturing the p-type diffusion layer, and a method for manufacturing the solar cell element.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを発生させることなくｐ型拡散層を形成するｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。 - 特許庁

The well-in-well structure includes a P-type well forming the floating gate, an N-type well including the P-type well and having a potential same as a potential of a cathode of one diode, and a first N-type region formed in the P-type well and having a potential same as a potential of a cathode of other diode.例文帳に追加

このウェル・イン・ウェル構造は、浮遊ゲートを形成するＰ型ウェルと、Ｐ型ウェルを包含し、一方のダイオードのカソードと同電位のＮ型ウェルと、Ｐ型ウェル内に形成された、他方のダイオードのカソードと同電位の第１のＮ型領域と、を有して構成されている。 - 特許庁

The trench type MOSFET 10 is formed by laminating a P type highly-doped drain section 1, a P type lightly-doped drain section 2, an N channel body section 3, and a P type source diffusion section 4 in this order and a trench gate electrode 6 is formed in a trench reaching the lightly-doped drain section 2 from a substrate surface.例文帳に追加

本発明のトレンチ型ＭＯＳＦＥＴ１０は、Ｐ型の高ドープドレイン部１、Ｐ型の低ドープドレイン部２、Ｎ型のチャネルボディ部３、Ｐ型のソース拡散部４がこの順で積層され、トレンチゲート電極６が基板表面から低ドープドレイン部２に達するトレンチに形成される。 - 特許庁

In a compound semiconductor epitaxial crystal, a plurality of epitaxial layers containing a p-type conduction layer principally comprising C added InGaAs as p-type impurities are formed in layers on a compound semiconductor substrate, and the p-type conduction layer contains antimony by 0.5-10 mol%.例文帳に追加

化合物半導体基板上に、ｐ型不純物として炭素が添加されたＩｎＧａＡｓを主成分とするｐ型伝導層を含む複数のエピタキシャル層が積層された化合物半導体エピタキシャル結晶において、前記ｐ型伝導層がアンチモンを０．５〜１０モル％含有するようにした。 - 特許庁

In this device method for combustion treatment the treating object P of high moisture content having a combustion furnace 1 for burning the high moisture content treating object P supplied therein, the treating object P is burned in the combustion furnace 1 with a pressure higher than a normal pressure.例文帳に追加

高水分含有量の処理物Ｐが供給されて燃焼させられる燃焼炉１を備えた高水分含有量処理物Ｐの燃焼処理装置および燃焼処理方法であって、燃焼炉１内を常圧よりも高圧の状態として処理物Ｐを燃焼させる。 - 特許庁

To improve the liquid-separability between a hydrocarbon reactive solvent layer containing poly(p-t-butoxystyrene) and an aqueous layer after a polymerization reaction stop in the production of poly(p-t-butoxystyrene) by the polymerization of p-t-butoxystyrene in the presence of a hydrocarbon reactive solvent and a polymerization initiator.例文帳に追加

炭化水素系反応溶媒と重合開始剤の存在下にｐ−ｔ−ブトキシスチレンを重合させてポリ（ｐ−ｔ−ブトキシスチレン）を製造する際に、重合反応停止後のポリ（ｐ−ｔ−ブトキシスチレン）含有炭化水素系反応溶媒層と、水層とを分液する際の分液性を改善する。 - 特許庁

The paper supply device 100 includes: an inner container 122 storing paper sheets P in superposition; and a feed unit 110 for feeding a paper sheet, which is the uppermost paper sheet P of a plurality of paper sheets P and located in a paper feeding position toward a feeding part 123.例文帳に追加

用紙供給装置１００は、複数の用紙Ｐを重ね合わせて収容する内側容器１２２と、複数の用紙Ｐのうち最も上方にある用紙Ｐであって用紙送り出し位置にある用紙Ｐを送り出し部１２３に向かって送り出す送り出しユニット１１０とを有している。 - 特許庁

Even if an upper side of a passive tag P existent in the search region R_11-R_13 is shielded or directivity of the passive tag P is not turned toward the antenna A_1-A_3 being positioned obliquely above the passive tag, the passive tag P in the search region R_11-R_13 is surely operated.例文帳に追加

探索領域Ｒ_１１〜Ｒ_１３に存在するパッシブタグＰの上方が遮蔽されていたり、パッシブタグＰの指向性がその斜め上方に位置するアンテナＡ_１〜Ａ_３の方向に向いていなかったりしたとしても、探索領域Ｒ_１１〜Ｒ_１３内のパッシブタグＰが確実に動作する。 - 特許庁

In addition, when the B ions are implanted into an undoped silicon film in a p-channel MISFET formation area so as to convert it into a p-type silicon film 9p, the concentration of B of the p-type silicon film 9p adjacent to the boundary with a gate insulating film 8 is controlled to 2×10^20 atoms/cm^3 or less.例文帳に追加

また、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域のアンドープシリコン膜にＢをイオン注入してｐ型シリコン膜９ｐに変換する際、ゲート絶縁膜８との界面近傍におけるｐ型シリコン膜９ｐのＢ濃度を２×１０^２０atom/cm^３以下に制御する。 - 特許庁

In the electronic component mounting apparatus, a nozzle 48 picking up an electronic component P is raised and the electronic component P is separated from the abutting surface, the nozzle 48 is then rotated about the axis thereof in order to adjust the mounting direction of the electronic component P for the substrate and then the nozzle 48 is lowered thus mounting the electronic component.例文帳に追加

電子部品Ｐをピックアップしたノズル４８を一旦上昇させて電子部品Ｐを当接面から離間させ、ノズル４８をその軸心を中心に回転させて電子部品Ｐの基板に対する実装方向を調節してからノズル４８を下降させ、実装する。 - 特許庁

In a sheet detection sensor 51, light from a line-like light emitting element 54 is shielded by a recording paper P and not injected into a light receiving element 55 just below the recording paper P, and injected only in light receiving elements 55 coming out of just above the recording paper P.例文帳に追加

シート検出センサ５１において、記録用紙Ｐが真上に存在する受光素子５５には、ライン状の発光素子５４からの光が記録用紙Ｐに遮られて入射せず、記録用紙Ｐの真上から外れる受光素子５５のみに、ライン状の発光素子５４からの光が入射する。 - 特許庁

In the body 11 of a pressure feed head for feeding a hollow pipe P pneumatically into a sheath pipe 1, two or more annular seal members 6a and 6b are provided in the longitudinal direction of the hollow pipe P wherein the interval of the seal members 6a and 6b is set longer than the length at the deformed part S of the hollow pipe P.例文帳に追加

中空パイプＰを鞘管１内に空気圧送するための圧送ヘッド本体11内に、環状のシール部材6a,6bをその中空パイプＰの長手方向に２つ以上備えると共に、そのシール部材6a,6bの設置間隔をその中空パイプＰの異形状部分Ｓの長さよりも長くする。 - 特許庁

In the transistor PB, a P+ type impurity doped region 14 and an N type lightly doped well region 12 form a diode D1 whereas, in the transistor NB, an N type lightly doped well region 22, a P type lightly doped well region 20 and a P type lightly doped substrate 10 form a diode D3.例文帳に追加

トランジスタＰＢではＰ^＋型不純物ドープ領域１４とＮ型低濃度ウエル領域１２とでダイオードＤ_１を形成し、トランジスタＮＢではＮ型低濃度ウエル領域２２とＰ型低濃度ウエル領域２０及びＰ型低濃度基板１０とでダイオードＤ_３を形成する。 - 特許庁

Further, the semiconductor device has a NPN transistor 101 formed on the P type substrate 3, an N+ type buried region 4 provided right below the NPN transistor 101 and buried in the P type substrate 3, and a P+ type buried region 2 provided in the N+ type buried region 4.例文帳に追加

Ｐ型基板３上に形成されたＮＰＮトランジスタ１０１と、ＮＰＮトランジスタ１０１の直下に設けられるＰ型基板３に埋め込まれたＮ＋型埋込領域４と、Ｎ＋型埋込領域４の内部に設けられたＰ＋型埋込領域２とを備える。 - 特許庁

At least a channel region is composed of at least one P-type or N-type nanoparticle arrayed in the longitudinal direction, and the P-type or the N-type nanoparticles are arrayed, in parallel with a P-type or N-type nanoparticle line partitioned on a board.例文帳に追加

少なくともチャンネル領域が、長手方向に配列された少なくとも一つのＰ型またはＮ型ナノ粒子よりなり、Ｐ型またはＮ型ナノ粒子は、それぞれその長手方向が、基板上に区画されたＰ型またはＮ型ナノ粒子ラインと平行に配列されている。 - 特許庁

The protection bag 31 preferably abuts on the waist L of the occupant P from the obliquely rear part of the occupant P, and abuts on the waist L of the occupant P in the obliquely inclined state to be located in the inner side of the vehicle as rear side with respect to the forward direction of the vehicle.例文帳に追加

保護バッグ３１は、乗員Ｐの斜め後方から該乗員Ｐの腰部Ｌに当接すること、及び、車両の前進方向に関して後方ほど該車両の内側に位置するように斜めに傾斜した状態で乗員Ｐの腰部Ｌに当接することが望ましい。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting device having a positive electrode formed on a p-type semiconductor layer via a p-type contact layer, the p-type contact layer is 250 Å or smaller in film thickness, and Mg concentration is 1.5×10^20/cm^3 or higher.例文帳に追加

ｐ型半導体層の上に、ｐ型コンタクト層を介して形成された正電極を備える半導体発光素子であって、前記ｐ型コンタクト層が、膜厚２５０Å以下の膜厚で、Ｍｇ濃度１．５×１０^２０／ｃｍ^３以上に設定されてなる半導体発光素子。 - 特許庁

This method partially removes a thick Locos oxide film formed on the well by using a mask for forming the emitter P^+ domain, then injects P^+ impurity in the second silicon surface from which this oxide film has been removed so that the P^+ emitter domain can be formed in a deep location of the silicon.例文帳に追加

ウェル上に形成した厚いＬｏｃｏｓ酸化膜の一部をエミッタＰ＋領域形成用のマスクを用いて除去し、その後、この酸化膜が除去された第２のシリコン表面に、Ｐ＋不純物をイオン注入し、Ｐ＋エミッタ領域をシリコンの深い位置に形成することとした。 - 特許庁

In this parts aligning device, the parts P being transferred rotate the selection rotary body 51 in the hooking part 52, and the selection recessed part 53 of the rotated selection rotary body 51 guides the normal attitude parts P' into the inside, transfers them through the transfer groove 4, and removes the asymmetrical attitude parts P" from the transfer groove 4.例文帳に追加

整列装置は、移送されるパーツＰが引掛部５２で選別回転体５１を回転し、回転される選別回転体５１の選別凹部５３が、正常姿勢パーツＰ’を内部に案内して移送溝４で移送して、非正常姿勢パーツＰ”を移送溝４から排除する。 - 特許庁

Light sources 3a and 3b and detectors 2a and 2b are arranged in both side end parts of a paper P traveling in the papermaking machine, and light is irradiated from the light sources 3a and 3b toward the paper P and light is caught by the detectors 2a and 2b to measure both side end positions Pa and Pb of the paper P.例文帳に追加

抄紙機において走行する紙Ｐの両側端部に光源３ａ，３ｂ及び検出器２ａ，２ｂを配置し、光源３ａ，３ｂより紙Ｐに向かって光を照射し、検出器２ａ，２ｂによって光を捕捉することによって、紙Ｐの両側端位置Ｐａ，Ｐｂを測定する。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 12, an active layer 13, a p-type semiconductor layer 14, a p-side ohmic electrode 15, a first diffusion prevention layer 16, a conductive reflective layer 17, a second diffusion prevention layer 18, and a p-side pad electrode 19 are laminated from the substrate 11 side in this order in the semiconductor laminated structure.例文帳に追加

半導体積層構造には、基板１１側から順に、ｎ型半導体層１２、活性層１３、ｐ型半導体層１４、ｐ側オーミック電極１５、第１拡散防止層１６、導電性反射層１７、第２拡散防止層１８、ｐ側パッド電極１９が積層されている。 - 特許庁

Furthermore, since the unit grooves UD of the spacer boards 411-415 are deviated in the Y axis direction by P/N each (N is number of the optical fibers and P is the pitch of the optical fibers), all the optical fibers 30 are arranged at equal intervals P/N without overlapping during projection in the main scanning direction.例文帳に追加

さらに、光ファイバー列の数をＮ、光ファイバーのピッチをＰとすると、各スペーサー基板４１１〜４１５の単位溝ＵＤは互いにＰ／ＮだけＹ軸方向にずれているため、主走査方向の射影では全ての光ファイバー３０が等しい間隔Ｐ／Ｎで重なることなく並んでいる。 - 特許庁

The door pocket 31 desirably abuts on the waist part L of the passenger P from obliquely rear of the passenger P, and desirably abuts on the waist part L of the passenger P in the condition wherein the door pocket 31 is inclined so as to be positioned more inside the vehicle as it goes more to a rear part of the vehicle in the travelling direction.例文帳に追加

ドアポケット３１は、乗員Ｐの斜め後方から該乗員Ｐの腰部Ｌに当接すること、及び、車両の前進方向に関して後方ほど該車両の内側に位置するように斜めに傾斜した状態で乗員Ｐの腰部Ｌに当接することが望ましい。 - 特許庁

The steel cord 11 has a low elastic area Y1 reaching from the origin to a point of inflection P in the load-elongation curve and a high elastic area Y2 exceeding the point of inflection P, and the point of inflection P is in a range of elongation of 2-7%, and the load at 2% elongation is further made to 60 N or less.例文帳に追加

前記スチールコード１１は、その荷重−伸び曲線において、原点から変曲点Ｐに至る低弾性域Ｙ１と該変曲点Ｐを越える高弾性域Ｙ２とを有し、かつ前記変曲点Ｐが伸び２〜７％の範囲にあり、しかも２％伸び時の荷重が６０Ｎ以下とした。 - 特許庁

When the polyphenylene sulfide is produced by polymerizing an alkali metal sulfide and p-dichlorobenzene in N-methyl-2-pyrolidone, the unreacted p-dichlorobenzene recovered as an unreacted substance during the production of polyphenylene sulfide is used for p-dichlorobenzene in the process for producing polyphenylene sulfide.例文帳に追加

Ｎ−メチル−２−ピロリドン中でアルカリ金属硫化物とｐ−ジクロロベンゼンとの重合反応を行いポリフェニレンスルフィドを製造する際に、ｐ−ジクロロベンゼンとしてポリフェニレンスルフィド製造時に未反応物として回収した未反応ｐ−ジクロロベンゼンを用いるポリフェニレンスルフィドの製造方法。 - 特許庁

When a pointer P is located in an area in which more than one icon images 101 are superimposed upon each other on a pointer selection screen 100, of center points of the respective icon images 101 a nearest center point from the pointer P is set as a drawing center point for the pointer P.例文帳に追加

ポインタ選択画面１００上のアイコン画像１０１同士が重畳して表示される重畳領域にポインタＰが位置する場合に、各アイコン画像１０１の中心点のうち、ポインタＰから最短距離の中心点をポインタＰの引き込み中心点とする。 - 特許庁

A flange roller 107b disposed at the outlet for the paper P as shown in Fig. 6 is used as a conveying roller positioned immediately after a flange roller 108k for supplying the conveying belts 101a, 101b which complete the conveyance of the paper P in a second conveying passage 104b for discharging the paper P.例文帳に追加

また、図６に示す紙葉類Ｐの出口に配置されたフランジローラ１０７ｂは、紙葉類Ｐを排出する第２搬送路１０４ｂで紙葉類Ｐの搬送を終了した搬送ベルト１０１ａ・１０１ｂを送り出すフランジローラ１０８ｋの直後の搬送ローラに使用される。 - 特許庁

Containing holes in a rotor core 8 having poles of a number of P consist of radial containing holes 8a of P/2 extending linearly in the substantially radial direction, and substantially V-shaped containing holes 8b (each thereof is a pair of magnet containing sections 8e) of P/2 which become convex on the radially outside.例文帳に追加

磁極数がＰ極となるロータコア８における収容孔は、略径方向に直線状に延びる径方向収容孔８ａと、径方向外側に凸となる略Ｖ字形状のＶ字収容孔８ｂ（一対の磁石収容部８ｅ）とが、それぞれＰ／２個形成されてなる。 - 特許庁

In the case where a separation distance S between sheets P is equal to or below a predetermined value, data to be output to a head 10 is edited so that ink can be simultaneously ejected from two or more arrays of ejection ports in the head 10 to the rear end area of the first sheet P and the front end area of the second sheet P.例文帳に追加

用紙Ｐの離隔距離Ｓが所定値以下である場合、１枚目の用紙Ｐの後端領域及び２枚目の用紙Ｐの先端領域に、ヘッド１０における２以上の列の吐出口から同時にインクが吐出されるように、ヘッド１０への出力データを編集する。 - 特許庁

A liquid display part provided in an operation means 3 displays the position of the jammed paper P as well as displaying the status of all paper P existing inside the apparatus when the jamming of the paper P somewhere in the apparatus is detected by a detection apparatus S-n.例文帳に追加

操作手段３に設けられた液晶表示部は、用紙Ｐが装置内のいずれかの箇所でジャムを生じたことを検知装置Ｓ−ｎが検知した際に、当該用紙Ｐのジャムの位置を表示すると共に、装置内に存在している全ての用紙Ｐの状態を表示する。 - 特許庁

A breakdown voltage at OFF is increased in the p-type layer buffer, a breakdown voltage at ON is increased by discharging the hole, the reduction in a drain current is eliminated since there is no leakage from the p-type layer, and high output can be achieved in the points of both current and voltage.例文帳に追加

ｐ型層バッファでＯＦＦ時の耐圧を上げ、ホールの排出でＯＮ時の耐圧を上げ、ｐ型層からのリークがないのでドレイン電流の低下が無く、電流面、電圧面の両者で高出力化が実現できる。 - 特許庁

The degree P of polarization of the group III nitride semiconductor laser is defined as P=(I1-I2)/(I1+I2) using an electric field component I1 in an X1 direction and an electric field component I2 in an X2 direction of light in the LED mode.例文帳に追加

III族窒化物半導体レーザの偏光度ＰはＬＥＤモードにおける光の該Ｘ１方向の電界成分Ｉ１と該Ｘ２方向の電界成分Ｉ２とを用いて、Ｐ＝（Ｉ１−Ｉ２）／（Ｉ１＋Ｉ２）によって規定される。 - 特許庁

When the rolled paper P is discharged in the state that the recording surface in the vicinity of the starting end curves reversely in the recessed shape, the paper P may break into a minimal interstice A between a discharge flame 63 and a discharge assistance roller holder 1.例文帳に追加

始端近傍の記録面が凹面形状となる逆反りを有した状態でロール紙Ｐが排出されてきた際には、排紙フレーム６３と排紙補助ローラホルダ１との間のわずかな隙間Ａに侵入する虞がある。 - 特許庁

To develop a technique by which complicated labor such as the preparation, charge, stirring and the confirmation of concentration in a master alloy which has been performed in the case a master alloy having a high P concentration is charged in a small amount for additionally feeding P into a solder bath can be obviated.例文帳に追加

はんだ浴中にＰを追加供給するためにＰ濃度の高い母合金を少量投入する場合に見られた母合金の調合、投入、攪拌、濃度確認等、煩雑な手間を省略できる技術を開発する。 - 特許庁

The degree P of polarization of the group III nitride semiconductor laser is prescribed by P=(I1-I2)/(I1+I2), where I1 is an electric field component in an X1 direction and I2 is an electric field component in an X2 direction of light in the LED mode.例文帳に追加

III族窒化物半導体レーザの偏光度ＰはＬＥＤモードにおける光の該Ｘ１方向の電界成分Ｉ１と該Ｘ２方向の電界成分Ｉ２とを用いて、Ｐ＝（Ｉ１−Ｉ２）／（Ｉ１＋Ｉ２）によって規定される。 - 特許庁

The paper money P taken out from the throwing-in part 4 is turned out and/or rotated at 180° on the basis of the detection result in the detection part 30 to automatically arrange all paper moneys P in the same direction.例文帳に追加

投入部４から取出した紙幣Ｐを検出部３０における検出結果に基づいて表裏反転および／或いは天地逆転させることにより、全ての紙幣Ｐを自動的に同じ向きに揃えることができる。 - 特許庁