p-Inの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 17764件
Therefore, light emission is prohibited just beneath the p-electrode 6, and the efficiency of light emission can be improved when compared with the conventional GaN-based compound semiconductor light emitting element in which a light produced just beneath the p-electrode 6 is shielded by the p-electrode 6.例文帳に追加
このため、ｐ電極６の直下での発光が禁止され、ｐ電極６の直下で発生した光がｐ電極６にて遮光される従来のＧａＮ系化合物半導体発光素子に比べて、発光効率を向上させることができる。 - 特許庁
A product sucking means 59 is lowered, the product P positioned on the positioning table 35 is sucked, the product sucking means 59 is lowered to suck the product P, and elevated in a waiting condition, the next product P is carried out onto the positioning table 35 and positioned.例文帳に追加
製品吸着手段５９を下降させて位置決めテーブル３５上の位置決めされた製品Ｐを吸着し、製品吸着手段５９を上昇させて待機させ、次の製品Ｐを位置決めテーブル３５に搬出して位置決めする。 - 特許庁
A p-type electrode layer 103 is formed on the p-type nitride semiconductor layer 101 in a nitride semiconductor device, and a hydrogen permeation electrode layer 102 and a hydrogen storage electrode layer 104 are laminated sequentially on the p-type electrode layer 103.例文帳に追加
窒化物半導体装置では、ｐ型窒化物半導体層１０１の上にｐ型電極層１０３が形成されており、ｐ型電極層１０３では、水素透過電極層１０２と水素蓄積電極層１０４とが順に積層されている。 - 特許庁
The amplifying element is provided with: the J-FET which has a p-type semiconductor layer 12 laminated on a grounded p-type semiconductor substrate 11 and also has an n-type channel region 22 in the p-type semiconductor layer 12; and the bipolar transistor which has an n-type collector region 33b.例文帳に追加
接地されたｐ型半導体基板11にｐ型半導体層12を積層し、ｐ型半導体層12にｎ型チャネル領域22を有するＪ−ＦＥＴと、ｎ型コレクタ領域33ｂを有するバイポーラトランジスタを設けた増幅素子とする。 - 特許庁
In an SOI layer 30, an n^+-type source diffusion region 9 is formed adjacent to the p-type body region 3, and also, a p^+-type body contact diffusion region 7B(7A) is formed adjacent to the p-type body region protrusion 3a.例文帳に追加
ＳＯＩ層３０内において、Ｐ型ボディ領域３に隣接してソース側にＮ^+型ソース拡散領域９が形成されるとともに、Ｐ型ボディ領域突出部３ａに隣接してＰ^+型ボディコンタクト拡散領域７Ｂ（７Ａ）が形成される。 - 特許庁
The conductor region 16 is formed in a range not opposing a p-type body region 24.例文帳に追加
導電体領域１６はｐ型ボディ領域２４と対向していない範囲に形成されている。 - 特許庁
To enable a p-type SiC region in a fine contact window to have a low contact resistance ρc.例文帳に追加
微細なコンタクト・ウインドウの内部において、ｐ型ＳｉＣ領域への低いコンタクト抵抗ρｃを実現する。 - 特許庁
A press-fit terminal P is pressed into and retained in the through-hole H installed on a press-fit joining wiring board.例文帳に追加
プレスフィット接合配線基板に設けたスルーホールＨに、プレスフィット端子Ｐが圧入保持される。 - 特許庁
A file in which image data on a storage memory are stored is opened (S11), and a page counter p is initialized (S12).例文帳に追加
蓄積メモリ上の画像データを蓄積するファイルをオープン（Ｓ１１）、ページカウンタｐを初期化（Ｓ１２）。 - 特許庁
An echo canceller section 6 outputs an inhibit signal (p) to a speech speed conversion section 5 in response to off-hook.例文帳に追加
オフフックに応じてエコーキャンセラ部６が話速変換部５に対して禁止信号ｐを出力する。 - 特許庁
The n^+ source region SR is formed on a principal surface 12 in the p-type back gate region BG.例文帳に追加
ｎ^+ソース領域ＳＲは、ｐ型バックゲート領域ＢＧ内の主表面１２に形成されている。 - 特許庁
Heat and pressure are applied on the sheet P in close contact with a fixing belt 57 to fix the image.例文帳に追加
そのシートＰを定着ベルト５７に密着させた状態で加熱および加圧して定着させる。 - 特許庁
The recording device records an image in a recording medium P by a recording head 7 based on image information.例文帳に追加
画像情報に基づいて記録ヘッド７により記録媒体Ｐに画像を記録する記録装置である。 - 特許庁
A rising speed is set by synchronizing servo motors 20, 50 and the shift of the preform P in axial stretching is prevented.例文帳に追加
上昇速度はサーボモータ２０，５５を同期させ、軸方向延伸でのプリフォームＰのずれを防止する。 - 特許庁
A transflective type liquid crystal display device includes a substrate in which a pixel region P having a transmission region B and a reflection region D are defined.例文帳に追加
透過部Ｂと反射部Ｄとを有する画素領域Ｐが定義された基板が設けられる。 - 特許庁
METHOD OF MEASURING CRACK IN INSIDE OF REINFORCED CONCRETE BEAM BY P-WAVE PENETRATION, AND STRUCTURE SAFETY EVALUATION METHOD例文帳に追加
Ｐ波貫通による鉄筋コンクリート梁内部のひび割れ計測方法及び構造安全評価方法 - 特許庁
In primary work, a thick portion is formed on one side face of the upper part of a blank P to provide for the locking projection 3.例文帳に追加
第１次加工でブランクＰの上部一側面に係止突起３用の肉厚部を形成する。 - 特許庁
A recessed part 12 for releasing the printing p is formed in the lower part of the positioning member 11.例文帳に追加
前記位置決め部材１１の下部には印刷物ｐを逃がすための凹部１２が形成されている。 - 特許庁
An n^++ source region 3 and drain region 4 are provided with a p^+ gate region 2 in-between.例文帳に追加
ｎ^＋＋型のソース領域３及びドレイン領域４が、ｐ^＋型のゲート領域２を挟んで設けられる。 - 特許庁
A table device 30 for placing a saucer thereon is installed in front of the island P to be freely movable vertically.例文帳に追加
島Ｐの前面に装着された受皿置き用のテーブル装置３０を上下動自在に装着する。 - 特許庁
When it is determined that the frequency error is not within the targeted error range (N in Step S7), the P gain is increased (Step S13).例文帳に追加
目標誤差範囲内で無い場合（ステップＳ７においてＮ）には、Ｐゲインを増加する（ステップＳ１３）。 - 特許庁
The method further comprises the step of forming an Ni/Au/In film 9 on a p-type GaP substrate 8 of a plane orientation (100).例文帳に追加
（１００）面方位のｐ型ＧａＰ基板８上にＮｉ／Ａｕ／Ｉｎ膜９を形成する。 - 特許庁
To allow low resolution of an encoder, and to restrain a fluctuation in sending-out time of paper P.例文帳に追加
エンコーダの分解能が低くてもよいと共に用紙Ｐの送り出し時間のばらつきを抑制する。 - 特許庁
In addition, the resistance of the n-well 16 and p-well 18 can be lowered by the second layers 15 and 21.例文帳に追加
さらに第２の層１５、２１により、ｎウェル１６及びｐウェル１８の抵抗を下げることができる。 - 特許庁
The three ribs 17 are arranged in the width direction of recording paper P stacked on the stack tray 16.例文帳に追加
これら３つのリブ１７は、積載トレイ１６に積載された記録紙Ｐの幅方向に並んでいる。 - 特許庁
A P type body contact region 9 is formed to penetrate the source region 8 in the thickness direction.例文帳に追加
また、ソース領域８を厚さ方向に貫通して、Ｐ型のボディコンタクト領域９が形成されている。 - 特許庁
A pitch of the stator blade train 1 is not constant and is expressed by a function P(t) in relation to time t of a rotation.例文帳に追加
静翼列（１）のピッチは、一定ではなく１回転の時間ｔの関数Ｐ（ｔ）で表される。 - 特許庁
Plural sheets of tap frames T loaded on the pallets P are carried in to a top frame feeding part 61.例文帳に追加
トップフレーム供給部61に、パレットＰ上に積載された複数枚のトップフレームＴを搬入する。 - 特許庁
A detecting section 31 detects the pitch P(t) of vibration of the vocal cord vc in the vocal cord sound source model M1.例文帳に追加
検出部３１は、声帯音源モデルＭ1における声帯ｖcの振動のピッチＰ(t)を検出する。 - 特許庁
A branch can be led out singly in the vertical direction P, using only the first branch leader 24.例文帳に追加
また、第一の支線引き出し部２４のみを用いて垂直方向Ｐに単独で引き出すことができる。 - 特許庁
When P is selected in the step S3, the first reservation recording is set as priority reservation recording.例文帳に追加
ステップＳ３において、Ｐが選択される場合には、一つ目の予約録画を優先予約録画に設定する。 - 特許庁
A conductive film 31 is wired in a wiring pattern area PI on a substrate P by discharging liquid droplets.例文帳に追加
液滴吐出により基板Ｐ上の配線パターン領域ＰＩに導電性膜３１を配線する。 - 特許庁
A second light receiving portion 41 receives the S-wave component, which is a component in a direction perpendicular to the P-wave component.例文帳に追加
第２の受光部４１は、Ｐ波成分に垂直な方向成分であるＳ波成分を受光する。 - 特許庁
To improve an effect for retaining a cable P coming out of a terminal box B in a solar photovoltaic power generation system.例文帳に追加
太陽光発電システムにおけるケーブルＰの端子ボックスＢ等からの抜け止め効果を向上させる。 - 特許庁
The method of assembling the optical connector uses a case 20 when an optical cord 2 is inserted in each component P.例文帳に追加
光コネクタの組立方法では、各部品Ｐに光コード２を挿通させる際に、ケース２０を用いている。 - 特許庁
Further, a well line WL0 is connected to a p type well region in which the memory cell M00 is formed.例文帳に追加
さらに、メモリセルＭ００が形成されたｐ型ウエル領域にはウエル線ＷＬ０が接続される。 - 特許庁
At the time of the deposit service of laundry, the utilization history is recorded in the area indicated by a history pointer P.例文帳に追加
洗濯物の預け入れサービス時には履歴ポインタＰに示す領域に利用履歴を記録する。 - 特許庁
The pin junction 100 is obtained by stacking an n-layer 13, an i-layer 14 and a p-layer 15 in this order.例文帳に追加
ｐｉｎ接合１００は、ｎ層１３、ｉ層１４、及びｐ層１５をこの順に積層して得る。 - 特許庁
The p-side electrode is provided in a region having the light emitting layer on the second face.例文帳に追加
前記ｐ側電極は、前記第２の面における前記発光層を有する領域に設けられている。 - 特許庁
An independent P type or N type semiconductor area is provided in each of the plurality of individual areas.例文帳に追加
複数の個別領域の各々に独立したＰ型またはＮ型の半導体領域を備える。 - 特許庁
As shown in a left part of Figure, a p^--type semiconductor is used for a substrate (1) and then an n^+-layer (3) is formed by doping.例文帳に追加
図４左に示すように、基板(１)にｐ−型半導体を用い、ｎ＋層(３)のドーピングを行う。 - 特許庁
The panel P is formed by arranging a glass plate 11 in almost the center of a panel body 10.例文帳に追加
パネル本体１０の略中央部領域にガラス板１１を配置してパネルＰが形成されている。 - 特許庁
An angle of the axis P of the body is enough to the angle enabling to excite surface elastic waves in one direction.例文帳に追加
圧電体の分極軸の角度は、表面弾性波を一方向に励起可能な角度であればよい。 - 特許庁
A plurality of capacitor cells connected in series is accommodated within a box type capacitor module P.例文帳に追加
箱形に形成されたキャパシタモジュールＰには直列接続された複数のキャパシタセルが収容される。 - 特許庁
A p-type RESURF layer 18 is formed on the substrate 50 in the n-type impurity region 1.例文帳に追加
Ｐ型リサーフ層１８はＮ型不純物領域１内の基板５０上面に形成されている。 - 特許庁
A plurality of target integral exposure amounts S are set in a plurality of shot regions S of a substrate P.例文帳に追加
基板Ｐの複数のショット領域Ｓに複数の目標積算露光量Ｓが設定されている。 - 特許庁
In a preferred embodiment of this invention, a p-type or n-type TFT is used as the 2nd TFT.例文帳に追加
本発明の好ましい実施例によると、第２ＴＦＴはｐ型或いはｎ型ＴＦＴとされる。 - 特許庁
A paper feeding mechanism 90 sends out a sheet P in synchronization with operation/non-operation of an air blow-off device 54.例文帳に追加
給送機構９０は、エアー吹出装置５４の動作・非動作と同期して、シートＰを送り出している。 - 特許庁
The extension layer 4 is provided in a lower part of a side wall 5 on both sides of the gate 2, and is formed into p-type.例文帳に追加
エクステンション層４は、前記ゲート２の両側面のサイドウォール５下部に設けられ、ｐ型である。 - 特許庁
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