p-Inの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 17764件
A temperature measuring unit 104 is configured to measure the temperature of a sheet material P in conveying to a fixing device 12.例文帳に追加
温度計測器104は、定着装置12へ搬送されるシート材Pの温度を計測する。 - 特許庁
In particular, the holding tool 5 holds the article P arranged astride the both walls 41, 41.例文帳に追加
特に、保持具5は両立壁41,41を跨ぐよう配置された物品Pを保持することができる。 - 特許庁
The nipple 14 is arranged in a position for overlapping with the pipe P inserted into the pipe inserting hole 16.例文帳に追加
ニップル14は、パイプ挿入孔16に挿入されたパイプPとオーバーラップする位置に設けられている。 - 特許庁
When an eddy current flaw detection probe P scans in the X2 direction to perform flaw detection, a flaw signal FS is generated.例文帳に追加
渦電流探傷プローブPをX2方向へ走査して探傷すると、キズ信号FSが発生する。 - 特許庁
In the cross section, the locking grooves 12 are provided so as to cross the imaginary outer shape line P of the cylindrical body 1.例文帳に追加
横断面において、係合溝12を円筒体1の仮想外形線Pと交わるよう設ける。 - 特許庁
The cross-sectional shape of the container drum 2 is made in a ellipical shape along the outer periphery of the molded potato chip P.例文帳に追加
容器胴2の横断面形状を、成型ポテトチップPの外周縁に沿うようなだ円形とする。 - 特許庁
In the method of manufacturing the semiconductor device, when six surfaces of a p-n column are exposed by etching back a p-type epitaxial layer 5 buried in a deep trench 4 having a high-aspect ratio, a surface of the p-type epitaxial layer 5 is etched so as to be lower in level than a surface of a n-type epitaxial layer 2 by isotorpic etching.例文帳に追加
高アスペクト比の深いトレンチ4に埋め込んだp型エピタキシャル層5をエッチバックすることによりpnカラム6表面を露出させるときに、等方性エッチングを用い、さらにp型エピタキシャル層5の表面をn型エピタキシャル層2表面よりも低くなるようにエッチングする半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁
The pile P is formed in a nearly columnar shape, and non-moisture absorbent filaments F of 0.3 denier are densely arranged in a manner radiating nearly in the radial direction around the axial of the pile P, wherein the roughly outer circumferential face of the columnar shape of the pile P is formed of the tip end of each filament F.例文帳に追加
パイルPは、略円柱形状をなし、0.3デニールの非吸水性のフィラメントFが、パイルPの軸線を中心としてほぼ径方向に放射状をなすように密設され且つ軸線方向に密設されてなり、パイルPの略円柱形状外周面は、各フィラメントFの先端部により形成される。 - 特許庁
To offset the contrast caused by the difference in the reflecting direction in an observation target surface P returning regular reflected light different in the reflecting direction by an irradiation region, and to detect the flaw, or the like, of the observation target surface P by having the observation target surface P having a large size irradiated with a uniform light.例文帳に追加
照射部位によって反射方向の異なる正反射光を返す観測対象面Pにおいて反射方向の違いに起因するコントラストを打ち消すとともに、大きいサイズの観測対象面Pに均一な光を照射して観測対象面Pの傷等を検出できるようにする。 - 特許庁
In the semiconductor device 1 for which many unit elements of the T-IGBT of N channel are formed in parallel on a semiconductor substrate, a p^+ region 3 where an impurity concentration is higher than a base p^- region 58 is formed between the digit part 2-2 of an emitter n^+ region 2 formed in a ladder shape and the base p^- region 58.例文帳に追加
NチャネルのT−IGBTの単位素子が半導体基板上に多数並列に形成される半導体装置1において、梯子型に形成されるエミッタn^+領域2の桁部分2−2とベースp^-領域58との間に、ベースp^-領域58よりも不純物濃度が高いp^+領域3を形成する。 - 特許庁
When the number of the optical fiber columns denotes N and the pitch of the optical fiber denoter P, since the surface grooves RD and the rear surface grooves WD of respective spacer substrates 401-403 are mutually deviated by P/N in the Y direction, all optical fibers 30 are aligned at the equal interval P/N without overlapping in projection in the main scanning direction.例文帳に追加
光ファイバー列の数をN、光ファイバーのピッチをPとすると、各スペーサー基板401〜403の表面溝RDと裏面溝WDは互いにP/NだけY軸方向にずれているため、主走査方向の射影では全ての光ファイバー30が等しい間隔P/Nで重なることなく並んでいる。 - 特許庁
The AC servomotor 61 turns the bowl 11 at small acceleration in the transfer direction of parts P as they follow the turning movement, and at such larger acceleration in the opposite direction as overcomes the frictional resistance between the parts P and the bowl 11, so that the parts P are slid over the bowl 11 in the transfer direction.例文帳に追加
そして、ACサーボモータ61によって、ボウル11を部品Pの移送方向へは部品Pと一体的に小さい加速度で回動させ、逆方向には部品Pとボウル11との摩擦抵抗に打ち勝つ大きい加速度で回動させることにより、部品Pは移送方向へボウル11上を滑るように移送される。 - 特許庁
Then a p-type well 5a is formed under the region matching the opening section 4a of the element isolating film 3a in a core section and, at the same time, a p-type well 5b which is deeper than the element isolating film 3b is formed in a p-type epitaxial layer 2 in a SRAM section.例文帳に追加
次いで、レジスト4をマスクとしてB^+をイオン注入することにより、コア部において、素子分離膜3aの開口部4aに整合する領域の下にp型ウェル5aを形成すると共に、SRAM部において、p^-エピタキシャル層2内に素子分離膜3bより深いp型ウェル5bを形成する。 - 特許庁
A displacement quantity detecting section detects the quantity of displacement of a sheet P in the cross direction crossing the sheet conveying direction, and a central part position detecting section detects that a central part of the conveyed sheet P in the conveying direction reaches a sheet conveying roller 901 in conveyance of the sheet P by the sheet conveying roller 901.例文帳に追加
ずれ量検出部により、シートPのシート搬送方向と直交する幅方向のずれ量を検出すると共に、中央部位置検知部により、シート搬送ローラ901によりシートPが搬送される際、搬送されるシートPのシート搬送方向中央部がシート搬送ローラ901に達したことを検知する。 - 特許庁
By collating the individual identification information of the P sensor 310 kept by the identification member with the individual identification information of the P sensor 310 stored in a memory in the apparatus main body, the apparatus main body obtains information that the P sensor 310 in the apparatus main body is exchanged when the individual identification information is not coincident.例文帳に追加
これにより、当該識別部材が有するPセンサ310の個体識別情報と、装置本体内メモリに記憶されているPセンサ310の個体識別情報とを照合し、個体識別情報が一致しない場合には、装置本体は装置本体内のPセンサ310が交換されたという情報を得ることができる。 - 特許庁
To provide a p-type diffusion layer forming composition, a p-type diffusion layer manufacturing method and a solar battery cell manufacturing method to form the p-type diffusion layer in a short time while reducing internal stress in a silicon substrate and the development of warpage of the substrate in manufacturing steps of a solar battery cell using a crystal silicon substrate.例文帳に追加
結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りの発生を抑制しつつ、短時間でp型拡散層を形成するp型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁
In addition, contact uniformity in a surface direction of the p-type metal electrode p and the p-type gallium-nitride ohmic-contact layer are reinforced, thereby local light-emitting caused by unevenness of the second contact spreading metal layer in the third contact spreading metal layer is effectively prevented, and driving voltage is reduced, thereby making outer quantum efficiency improved.例文帳に追加
且つ、効果的に、p型金属電極とp型窒化ガリウムオーム接触層の面方向の接触均一性を強化して、第二接触分布金属層の第三分布接触金属層中での分布が不均一のために生じる局部発光の現象を防止し、動作電圧を低下させて、外部量子効率を向上させる。 - 特許庁
In the corner transport part 18, a tip side of the photosensitive material P is made to abut between the rollers of the pair of discharging rollers 48 in a held state, in a state that the pair of holding transporting rollers 46 releases the photosensitive material P, and preferably, a loop of the photosensitive material P is formed to correct the skew.例文帳に追加
コーナー搬送部18においては、挟持搬送ローラ対46が感光材料Pの挟持開放した状態で、挟持状態の排出ローラ対48のローラ間に感光材料Pの先端辺を当接し、好ましくは感光材料Pのループを形成することによりスキューを補正する。 - 特許庁
In the solid-state imaging device in which an N-type photoelectric conversion region 403 is formed in a P^--type well region 402, a P^++-type hole storage region 407 is formed at a portion excluding the edge of the N-type photoelectric conversion region 403 and a P-type impurity region 430 is formed on a surface layer of the region including the edge.例文帳に追加
P^-型ウェル領域402内にN型光電変換領域403が形成された固体撮像装置において、N型光電変換領域403の端部を除く部分にP^++型正孔蓄積領域407を、当該端部を含む領域の表層部上にP型不純物領域430を形成する。 - 特許庁
In a high breakdown voltage MOS transistor 101, a peak p1 in concentration distribution in a depthwise direction of p-type impurity in the drain offset region 4, and a peak p2 in concentration distribution in a depthwise direction of n-type impurity having higher concentration than p-type impurity, are positioned in same depth just below the gate electrode 9.例文帳に追加
本発明の高耐圧MOSトランジスタ101は、ゲート電極9の直下では、ドレインオフセット領域4中のP型不純物の深さ方向の濃度分布のピークp1と、P型不純物よりも高濃度のN型不純物の深さ方向の濃度分布のピークp2とを互いに同じ深さ位置にしている。 - 特許庁
In recent years, meanwhile, there has been an increase across Japan in community businesses, including NPOs and various types of self-employed business, as analyzed in the 2004 White Paper on Small and Medium Enterprises in Japan (p. 104~. in the original Japanese edition and p. 108~. in the English edition). These are having both economic effects, such as contributing to the development of regional economies, and non-economic effects that manifest themselves, for example, in the form of the regeneration of communities and greater purpose of life among local residents.例文帳に追加
また、近年では、「中小企業白書(2004年版。p104~)」で分析したように、NPOや各種の自営業を含めたコミュニティ・ビジネスが各地で増加し、地域産業の振興等の経済効果とともにコミュニティの再生や地域住民の生きがいの創出等の非経済効果を発揮している。 - 経済産業省
If a leak spot P exists in the airtight test section, a change such as pressure decline or the like in the airtight test section is observed.例文帳に追加
もし、気密試験区間に漏洩地点Pが存在する場合、気密試験区間の圧力低下等の変化が観測される。 - 特許庁
In the p-type guide layer 16 and the n-type guide layer 15, In-compositions become larger as approaching the active layer 10, respectively.例文帳に追加
p型ガイド層16およびn型ガイド層15は、それぞれ、活性層10に近づくほどIn組成が大きくなっている。 - 特許庁
The PET bottles P are subjected to segmentation treatment in a segmentation device 51 before compression treatment in a compression device 56.例文帳に追加
ペットボトルPは、圧縮装置56で圧縮処理が行われるに先だって、分断装置51において分断処理が実効される。 - 特許庁
In the case of no light leak from the vicinity of an abutting connection part P, the connection state is favorable, and in the case of light leak, the state is not favorable.例文帳に追加
突き合わせ接続部P近傍から光が漏れない時は接続状態が良好、漏れる時は不良である。 - 特許庁
Each of the magnetic barrier sections 111 is provided in each of regions, where the periphery of the axis P is divided into (2N+1) equal parts in terms of an angle.例文帳に追加
磁気障壁部111の各々は、軸Pの周りを角度で(2N+1)等分した領域の各々に設けられる。 - 特許庁
When the vehicle T travels, the wheel load P is varied by motion in a vertical direction and in a left/right direction of the vehicle T.例文帳に追加
車両Tが走行すると、この車両Tの上下方向や左右方向の動揺などによって輪重Pが変動する。 - 特許庁
A through-hole 35c is formed in a portion of the rear end restricting member 35 which abuts on the rear ends in the carrying direction of the recording media P.例文帳に追加
後端規制部材35の記録媒体Pの搬送方向後端に当接する部分に貫通孔35cを形成した。 - 特許庁
At a product plant 2, the reuse part P used in assembling a product F is stored in a product tag Tf.例文帳に追加
製品工場2では、製品Fを組み立てるときに使用した再利用部品Pについて製品タグTfに記憶させる。 - 特許庁
A emitter region 14 is exposed intermittently in an island-like form along the same straight line in the interior of the p-type base region 13.例文帳に追加
エミッタ領域14は、p型ベース領域13の内側を同一直線上に、島状に、間欠的に露出している。 - 特許庁
A flat member 70 is arranged in the filling space FS so that it is nearly in parallel with a discharge direction P of the treatment liquid.例文帳に追加
充填空間FS内には板状部材70が、処理液の吐出方向Pと略平行となるように配設されている。 - 特許庁
A boiling deciding means 13 decides that liquid in the pan p is in boiling state when the cumulative value exceeds a boiling prediction value.例文帳に追加
沸騰判定手段13は累積値が沸騰予測値以上の場合、鍋pの中の液体が沸騰状態と判定する。 - 特許庁
A P electrode 28A and an N electrode 32 extend in the same direction, and are arranged opposite to each other in an insulated state.例文帳に追加
P電極28A及びN電極32が同じ方向に延出されて絶縁状態で互いに対向配置されている。 - 特許庁
An impeller mechanism G is disposed in the vicinity of a stage 14 in the accumulation device, and is rotated to assist stacking bills P.例文帳に追加
羽根車機構Gは、集積装置内のステージ14近傍に配置され、回転運動により紙幣Pの集積を補助する。 - 特許庁
In an S5, the square sum of a difference in the value of a power spectrum P with an actual RRT waveform is calculated to obtain the total To of the both.例文帳に追加
S5で実際のFFT波形とのパワースペクトルPの値の差の二乗和を計算し、両者の合計Toを求める。 - 特許庁
A plurality of grooves 4 in stripes, having a width W and a depth d, are formed in a main surface 1A of a single-crystal plate 1 at intervals of P.例文帳に追加
単結晶基板1に主面1Aに、幅W、深さdのストライプ状の溝4を周期Pで複数形成する。 - 特許庁
In a region under the element isolation region 11 in the well 13, a p-type second semiconductor region 24a is formed.例文帳に追加
このウェル13内の素子分離領域11下の領域には、p型の第2の半導体領域24aを形成している。 - 特許庁
The first and 1E1 of the first inner face 114A is positioned in adjacent and above a specified position P in the second inner face 122.例文帳に追加
第1内面114Aの第1端部1E1は、第2内面122内の所定の箇所Pの隣接上方に位置する。 - 特許庁
The p-type semiconductor layer 17 and the drain layer 15 are arranged in parallel with each other in a direction intersecting with a direction of an operating current.例文帳に追加
p型半導体層17とドレイン層15とは、動作電流の方向とは交差する方向に並ぶように配列される。 - 特許庁
Inert gas blowing quantity Q and back pressure P in an inert gas blowing passage are controlled to the range shown in the following formulas (1) and (2).例文帳に追加
不活性ガス吹込量Q及び不活性ガス吹込系路の背圧Pを下記式(1)及び(2)に示す適正範囲に制御する。 - 特許庁
The stages described above may be repetitively executed in a range where the (P) concentration in the slag amount after the dephosphorization refining is ≤35%.例文帳に追加
また、脱燐精錬後のスラグ量中の(P)濃度が35%以下の範囲で、前記工程を繰り返し実施することができる。 - 特許庁
The solution and powdery substrate are melted and glass is formed in a temperature range in which the viscosity of the resulting melt is ≤100,000 P.例文帳に追加
溶液および粉末基質を溶融して、溶融物の粘度を100,000ポアズ以下にする温度または温度範囲でガラスを形成する。 - 特許庁
In other words, the rotation center P of the side support 50 is set in the inside rather than the rotation center Q of the movable member 40.例文帳に追加
つまり、サイドサポート50の回動中心Pが可動部材40の回動中心Qよりも内側に設定されている。 - 特許庁
In each module P, the heat radiating surface is exposed at the external area of the bank and is held in such a manner that it can be individually removed from the capacitor bank.例文帳に追加
各モジュールは放熱面がバンクの外部に露出し且つキャパシタバンクから個別に取り外し可能に保持されている。 - 特許庁
A sliced loaf of bread P is sorted in each prescribed sheet, sorted each group is fed out by sorting it in a conveying line L.例文帳に追加
スライスされた食パンPを所定枚数ごとに区分けし、区分けされた各グループを搬送ラインLに振り分けて送出する。 - 特許庁
In the connecting portion of the portion having the inner diameter R and the portion having the inner diameter P in the bottle member, an inclining part is preferably formed.例文帳に追加
ボトル部材において内径Rの部分と内径Pの部分との連結部分に、傾斜部を形成することが好ましい。 - 特許庁
Total 16 game machines P can be loaded in the container body 10 by four rows with two rows in upper and lower stages.例文帳に追加
コンテナ本体10は、上下の各段に2台並べた状態で4列ずつ合計16台の遊技機Pを積み込むことができる。 - 特許庁
When the transmitter-receiver is driven in mutually adjacent frequency bands, a divisor P to be used for the feedback in the synthesizer is preferably changed (248).例文帳に追加
互いに近接した周波数帯域で動作するとき、シンセサイザのフィードバックで用いられる除数(P)は好適に変化する(248)。 - 特許庁
In some embodiments, the average dislocation density of the p-type layer in the active region is lower than approximately 5×10^8 cm^-2.例文帳に追加
いくつかの実施形態では、活性領域のp型層の平均転位密度は、約5×10^8cm^-2よりも小さい。 - 特許庁
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