「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

When the conveyed position of the sheet material P varies on the upper side and passes a position D, the sheet material P passes the leading end of the brush member 14 in the vicinity of a portion H of the inclined edge 14A.例文帳に追加

シート材Ｐの搬送位置が上側にばらつきＧ位置を通過するときは、傾斜辺１４ＡのＨ部近傍でシート材Ｐがブラシ部材１４の先端部を通過する。 - 特許庁

Thus, the transport attitude of the bill P is corrected immediately before the detecting part 7, whereby the detecting region for the bill P in the detecting part 7 can be narrowed so as to reduce the size of the detecting part 7.例文帳に追加

検出部７の直前で紙幣Ｐの搬送姿勢を補正するため、検出部７における紙幣Ｐの検出領域を狭めることができ、検出部７を小型化できる。 - 特許庁

When one part (p) is selected as an arpeggione object part, an arpeggione type in the part setting data 274-p is read out and a corresponding arpeggione pattern is automatically set to the arpeggiator.例文帳に追加

あるパートｐがアルペジオ対象パートとして選択されると、パート設定データ２７４−ｐ内のアルペジオタイプが読み出され、アルペジェータに対して対応するアルペジオパターンが自動的に設定される。 - 特許庁

In the method for producing a cold rolled steel sheet, a surface of a cold rolled steel sheet is subjected to electrogalvanizing so that an attached amount of Zn is 100-5,000 mg/m^2, and the cold rolled steel sheet is brought into contact with a P-containing aqueous solution after water washing.例文帳に追加

冷延鋼板表面にZnの付着量が100〜5000mg/m^2となるように電気Znめっきを施し、水洗した後に、Pを含有する水溶液に前記冷延鋼板を接触させる。 - 特許庁

Accordingly, when the q-th piece of the X-axis guide line receives the scanning voltage in the p-th piece scanning period, the touch point position can be detected accurately, to prevent faulty decision from occurring.例文帳に追加

従って、第p個の走査期間において、第q個のX軸誘導線が走査電圧を受けたとき、正確にタッチポイント位置を検出し、誤判断が起きるのを防ぐことができる。 - 特許庁

To faithfully simulate a reverse recovery current of a semiconductor element having a p-n junction part in accordance with an actual physical condition (that is, an actual operation environment) of the semiconductor element.例文帳に追加

p-n接合部を有する半導体素子の逆回復電流を、忠実に、当該半導体素子の実際の物理条件（即ち実際の動作環境）に即してシミュレーションすること。 - 特許庁

Subsequently, the P-type organic semiconductor layer 7 is formed on the whole surface and the resist 20 is dissolved in an alkaline developer solution and then the P-type organic semiconductor layer is patterned by means of lift off process.例文帳に追加

次いで、Ｐ型有機半導体層７が全面に形成された後、アルカリ現像液によってレジスト２０が溶解させられ、Ｐ型有機半導体層７がリフトオフによりパターン化される。 - 特許庁

In this case, formation is made as a p+-InGaAs layer where carrier concentration Na of the p-type semiconductor layer is set within 1.0×1020 cm-3>Na≥5.0×1018 cm-3.例文帳に追加

その場合、ｐ型半導体層のキャリア濃度Ｎａが１．０×１０^20ｃｍ^-3＞Ｎａ≧５．０×１０^18ｃｍ^-3の範囲内の値となるｐ^^+−ＩｎＧａＡｓ層として形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-SiN film 12 having a composition ratio Si/N of 0.75 or less or an P-SiON film is as a Cu anti-diffusion film and/or an etching stopper layer.例文帳に追加

半導体装置において、Ｃｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層として、Ｓｉ／Ｎ組成比が０．７５以下のＰ−ＳｉＮ膜１２またはＰ−ＳｉＯＮ膜を用いる。 - 特許庁

Furthermore, the continuous paper P is moved to the other end PB side by tolerance for shape of the other end PB of the continuous paper P by a cross roll 202 provided in a curved surface part 212 of a first guide 210.例文帳に追加

更に、連続紙Ｐの他端部ＰＢの形状公差分などを第一ガイド２１０の曲面部２１２に設けられたクロスロール２０２によって、連続紙Ｐを他端部ＰＢ側に寄せる。 - 特許庁

To provide a method for producing fine particles of a Cu-P alloy and fine particles of a Cu-Sn-P alloy, which reduces the formation of dendrite by conducting a reduction reaction in a liquid phase.例文帳に追加

液相で還元反応を行うことにより、デンドライト化が抑制されたＣｕ−Ｐ合金微粒子、及びＣｕ−Ｓｎ−Ｐ合金微粒子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

In a certain embodiment, the P-SCH comprises a GCL sequence or a Zadoff-Chu sequence, and the scrambling code uses the GCL sequence index of the P-SCH.例文帳に追加

本発明の或る実施形態では、Ｐ−ＳＣＨはＧＣＬ系列またはＺａｄｏｆｆ−Ｃｈｕ系列を含み、そしてスクランブルコードは、Ｐ−ＳＣＨのＧＣＬ系列のインデックスを利用する。 - 特許庁

An extraction roller 4 rotating by contacting a paper sheet P supplied at an extraction position has an outer layer 42 contacting the paper sheet P, and an inner layer 44 in its inside.例文帳に追加

取り出し位置に供給された紙葉類Ｐに接触して回転する取り出しローラ４は、紙葉類Ｐに接触する外層４２、およびその内側の内層４４を有する。 - 特許庁

Further, in the intermediate p layer 45, the SP2/SP3 coupling ratio is increased for the p layer 44, so that film resistance is made to be comparable even when the dope amount is reduced.例文帳に追加

さらに、中間ｐ層４５においては、ｐ層４４に対し、ＳＰ２／ＳＰ３結合比が大きくされてため、ドープ量が少なくされていても膜抵抗を同程度とすることができる。 - 特許庁

Since the recording medium P comes into surface contact with the rollers 3, large braking force suppressing the lateral positional shift of the recording medium P in an image forming area is obtained.例文帳に追加

ローラ２１，２１に対して記録媒体Ｐが面接触するので、画像形成領域における記録媒体Ｐの幅方向の位置ずれを抑制する大きな制動力が得られる。 - 特許庁

A denomination discriminating sensor for discriminating the denomination of a wad P of paper moneys taken out from a wad safe is arranged on a wad carrier line for carrying the wad P in an exit direction.例文帳に追加

小束金庫から取出した紙幣の小束Ｐを出口に向けて搬送する小束搬送路上には、小束Ｐの金種を判別する金種判別センサ１３３が配設されている。 - 特許庁

p This option results in less efficient code, but some strange hacks that alter the assembler output may be confused by the optimizations performed when this option is not used. 例文帳に追加

pこのオプションは効率の低いコードを生成しますが、アセンブラ出力を書き換えるようなハックを行なう場合には、このオプションを使用しなければ混乱させられることでしょう。 - JM

p Use of this flag for a register that has a fixed pervasive role in the machine's execution model, such as the stack pointer or frame pointer, will produce disastrous results. 例文帳に追加

pこのフラグをマシンの実行モデルにおいて、ある固定的で特殊な役割を持っているレジスタ、例えばスタックポインタやフレームポインタに対して適用することは、破滅的な結果を生みます。 - JM

Lipid metabolism can be ameliorated by taking in Lactobacillus fermentum SBT10534 strain (FERM P-21667) dead bacteria, because the dead bacteria have bile acid-adsorptive activity.例文帳に追加

ラクトバチルス・ファーメンタム（Lactobacillus fermentum） SBT10534株(FERM P-21667)死菌体は、胆汁酸吸着作用を有し、かつ、血中中性脂肪低減効果を有するので、これを摂取することにより脂質代謝を改善することができる。 - 特許庁

To provide a new cyclic p-aminostyrene tetramer which is excellent in capability for including various low-molecular-wt. compounds and useful as a chelating reagent or an inclusion compound.例文帳に追加

種々の低分子化合物の取り込み能に優れ、キレート試薬や包接化合物として有用な新規なpーアミノスチレン環状４量体及びその製造方法を提供する - 特許庁

The semiconductor layer 11 includes an n-type semiconductor layer, an active layer thereupon, and a p-type semiconductor layer further thereupon, and the Ni ultrathin film 12 is formed in contact with the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層１１はｎ型半導体層、その上の活性層およびその上のｐ型半導体層を含み、このｐ型半導体層に接してＮｉ超薄膜１２を形成する。 - 特許庁

Thus, the turning member 16 is turned by downwardly pressing the PET bottle P stored in the storage section 11, and the PET bottle P is held between the holding section 19 and an abutting section 17.例文帳に追加

これにより、収納部１１に収納されたペットボトルＰが下方に押されることで回動部材１６が回動し、保持部１９と当接部１７との間でペットボトルＰが保持される。 - 特許庁

In a comparison between (x+p) and (y+q), if (x+p)>(y+q), a ball is held by the player or the ball shot by the player enters the goal of the opponent.例文帳に追加

そして（ｘ＋ｐ）と（ｙ＋ｑ）とを比較し、（ｘ＋ｐ）＞（ｙ＋ｑ）の場合、プレーヤのサッカー選手がボールを保持する、もしくはプレーヤのサッカー選手がシュートしたボールが対戦相手のゴールに入る。 - 特許庁

Specifically, a pump P for circulating bathtub water within the reheating circulation pipe line 3 is arranged in the merged part 7, and the bactericidal metallic ion generator 6 is provided within the pump P.例文帳に追加

具体的には、合流部７に浴槽水を追焚き循環管路３内に循環させるポンプＰが配設され、このポンプＰ内に殺菌性金属イオン発生装置６が設けられる。 - 特許庁

An optional point C is set inside the target area inside the input image P, and a distinction area T thought that it includes the whole target area is set in the input image P.例文帳に追加

入力画像Ｐ中の対象領域内に任意の点Ｃを設定し、入力画像中Ｐに、対象領域の全体を含むと思われる判別領域Ｔを設定する。 - 特許庁

Next, a p-type impurity is ion-implanted through the opening of the first insulator 710, and a p-base layer 621 is formed in the main face 61S by performing heat treatment thereafter.例文帳に追加

次に、第１絶縁体７１０の上記開口を介してｐ型不純物をイオン注入し、その後熱処理を施すことにより、主面６１Ｓ内にｐベース層６２１を形成する。 - 特許庁

Thus, since the printing paper P housed in the paper cassette 30 is supported at the same position to the pedestal, the positioning accuracy of the printing paper P can be improved.例文帳に追加

これにより用紙カセット３０に収容されている印刷用紙Ｐを台座に対して同じ位置に支持させるため、印刷用紙Ｐの位置決め精度を向上することができる。 - 特許庁

The p-channel region 36 is provided in a trench structure 38 insulated with an oxide film 40, and an anode electrode 42 is subjected to Schottky junction on the p-channel region 36.例文帳に追加

ｐ−チャネル領域３６は酸化膜４０で絶縁されたトレンチ構造３８の間に設けられ、ｐ−チャネル領域３６上にはアノード電極４２がショットキー接合される。 - 特許庁

A p-type SiGe mixed crystal layer 49a is formed in a groove 8 by epitaxial growth, and a p-type SiGe mixed crystal layer 49b is formed thereupon by epitaxial growth.例文帳に追加

溝８内にｐ型のＳｉＧｅ混晶層４９ａがエピタキシャル成長法により形成され、その上にｐ型のＳｉＧｅ混晶層４９ｂがエピタキシャル成長法により形成されている。 - 特許庁

After a gettering layer 21 is formed in a substrate 20 by implanting carbon ions into the substrate 20 and a p^+-type impurity layer 22 is formed on the layer 21, a p-type epitaxial layer 10 is formed on the substrate 20.例文帳に追加

基板２０に炭素をイオン注入することによりゲッタリング層２１を形成し、ｐ^+ 型不純物層２２を形成した後に、基板２０上にｐ型エピタキシャル層１０を形成する。 - 特許庁

A lift plate 20 with paper sheets P stacked on an upper face thereof and a widthwise cursor 30 to position the paper sheets P in the width direction are provided on a cassette frame 10 of a paper feed cassette 1.例文帳に追加

給紙カセット１のカセットフレーム１０には、上面に用紙Ｐが積載されるリフト板２０と、用紙Ｐの幅方向の位置決めを行う幅方向カーソル３０とが備えられる。 - 特許庁

After forming a nitride semiconductor 12 including p-type impurities, the p-type impurities are activated by heat treatment in atmosphere containing such a halogenated nitrogen gas as NF_3.例文帳に追加

ｐ型不純物を含む窒化物半導体１２を形成したのち、ＮＦ_3 などのハロゲン化窒素ガスを含有する雰囲気中において熱処理を行い、ｐ型不純物を活性化する。 - 特許庁

In the protective diode, the p-type semiconductor layers 3 are formed on an n-type semiconductor layer 2 formed on the substrate 1, and electrodes 8 are formed on the p-type semiconductor layers 3.例文帳に追加

保護ダイオードは、基板１上に形成されたｎ型半導体層２上にｐ型半導体層３が形成されており、そのｐ型半導体層３上に電極８が形成されている。 - 特許庁

In performing merchandise sales data processing to merchandise P, the information processing part decides whether or not the P is specific merchandise whose age restriction to permit sales is determined.例文帳に追加

情報処理部は、商品Ｐについて商品販売データ処理を行うに際し、商品Ｐが販売を許可する年齢制限が定められている特定商品であるか否かを判定する。 - 特許庁

In the nitride semiconductor laser element, an active layer 17 is put between an n-type cladding layer 15 comprising n- and p-type nitride semiconductors and a p-type cladding layer 26.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体レーザ素子は、活性層１７をｎ型とｐ型の窒化物半導体からなるｎ型クラッド層１５とｐ型クラッド層２６で挟んだ構造を有している。 - 特許庁

Photons P are detected one by one based on a change in resistance of the niobium nitride wiring 13 when the photons P are incident on the niobium nitride wiring 13 from the rear surface side of the substrate 10.例文帳に追加

基板１０の裏面側から窒化ニオブ配線１３に光子Ｐが入射した際の窒化ニオブ配線１３の抵抗変化に基づいて、光子Ｐが１個ずつ検出される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having high drain current characteristics and high reliability in the semiconductor device with an n channel field-effect transistor and a p channel field-effect transistor.例文帳に追加

nチャネル型電界効果トランジスタとpチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、ドレイン電流特性に優れた信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

The distance between the deceleration starting point P and the crossing 5 is set to be a value in which the train 1 starts deceleration at the deceleration starting point P and is stopped before the crossing 5.例文帳に追加

減速開始地点Ｐと踏切５との間の距離は、列車１が減速開始地点Ｐで減速を開始し踏切５までに停止することができる距離に設定されている。 - 特許庁

To apply simultaneous plural picture display functions by adding a P-in-P function at the minimum costs to an integrated digital video system such as a digital video set top box or a digital video disk player.例文帳に追加

例えば、デジタル、・ビデオ・セット・トップボックスやデジタル・ビデオ・ディスクプレーヤ等の、統合デジタル・ビデオ・システムへ、最小コストでＰ−ｉｎ−Ｐ機能を付加し、複数ピクチュア同時表示能力を与える。 - 特許庁

A compound layer 115 resulting from alloying a material of the p-side electrode 114 and respective semiconductor layer materials is formed at interfaces of respective semiconductor layers in contact with the p-side electrode 114.例文帳に追加

ｐ側電極１１４と接する各々の半導体層の界面に、ｐ側電極１１４の材料と各々の半導体層材料とが合金化した化合物層１１５を形成する。 - 特許庁

Then, the first processing means 31 performs loopback of the packet P to the j-th input port through a loopback circuit 2 and stores the packet P in an input buffer 12-j for loopback.例文帳に追加

その後、第１の処理手段３１は、上記パケットＰをループバック回路２を介して第ｊ番目の入力ポートにループバックし、ループバック用入力バッファ１２−ｊに蓄積する。 - 特許庁

Then, the heating means 67 heats the transfer fixing surface so that the recording medium P may be conveyed to the nip part before the temperature in the back surface of the transfer fixing surface of the recording medium P increases.例文帳に追加

そして、加熱手段６７は、記録媒体Ｐの転写定着面の裏面が昇温する前に記録媒体Ｐがニップ部に搬送されるように転写定着面を加熱する。 - 特許庁

Between the first p-side contact layer 18A and the second p-side contact layer 18B, a carrier accumulation layer is formed, in which holes are accumulated, by piezoelectric field effects due to a distortion difference between them.例文帳に追加

第１ｐ側コンタクト層１８Ａおよび第２ｐ側コンタクト層１８Ｂの間には、両者の歪差によるピエゾ電界効果により、ホールが蓄積されたキャリア蓄積層が形成される。 - 特許庁

According to the frequencies at which the visitors A and B looked at the entries P and Q, values representing the levels of interest of the visitors A and B in the entries P and Q are calculated and output.例文帳に追加

来場者Ａ，Ｂが出場者Ｐ，Ｑの方を向いた回数に基づいて、来場者Ａ，Ｂが出場者Ｐ，Ｑに向ける関心の度合いを示す値を算出し、出力する。 - 特許庁

A minimum paper conveyance pitch P is set to satisfy the formula: P={N+(1/M)}×K with the proviso that K represents a nozzle pitch in an ink head, N represents an integer of not less than 1 and M represents an integer of not less than 2.例文帳に追加

インクヘッドのノズルピッチをＫ、１以上の整数をＮ、２以上の整数をＭとした場合、最小紙送りピッチＰを、Ｐ＝｛Ｎ＋（１／Ｍ）｝×Ｋ……… 式を満たすように設定する。 - 特許庁