「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(58ページ目) - Weblio英語例文検索

To shorten a wafer processing step of a reverse blocking IGBT having a step of forming a p-type isolation trench which has an inclined trench in the rear surface and is connected conductively with a p-type collector layer.例文帳に追加

裏面に傾斜溝を有し、ｐ型コレクタ層と導電接続されるｐ型分離溝を形成する工程を有する逆阻止ＩＧＢＴのウエハプロセス処理工程を短縮すること。 - 特許庁

Further, film deposition is conducted on the face P to be film deposition at this state, thus dust, etc., is prevented from sticking on the face P for film and a film deposition face in the film deposition system.例文帳に追加

そして、この状態で被成膜面Ｐへの成膜が行われるので、成膜装置内において被成膜面Ｐおよび成膜面へのダスト等の付着を防止することができる。 - 特許庁

Namely, a count-up value per recording paper P is made to differ according to the results of detection by a paper size detection sensor 90 for detecting the length of the recording paper P in a conveying direction.例文帳に追加

即ち、記録紙Ｐの搬送方向の長さを検知する紙サイズ検知センサ９０による検知結果に応じて記録紙Ｐ１枚あたりのカウントアップ値を異ならせるようにした。 - 特許庁

A bundle lowering member 37 regulating the rear end of the sheet P is arranged in a third position P3, so as not to hinder scraping off of the rear end of the sheet P by a scraping-off member 51.例文帳に追加

また、シート後端を規制する束下げ部材３７を第３の位置Ｐ３に配置して、掻き落とし部材５１によるシートＰの後端の掻き落としの邪魔にならないようにする。 - 特許庁

The yarn occupation index=0.106×n×√(D)/(P-T), wherein n is the number of yarns pulled in each dent; D is the fineness (dtex) of the polyhexamethylene adipamide yarn; P is a dent pitch (cm); T is a dent thickness (cm).例文帳に追加

繊維占有指数 ＝ ０．１０６×ｎ×√（Ｄ）/（Ｐ−Ｔ）ｎ：筬1羽に入れる糸引き込み本数Ｄ：ポリヘキサメチレンアジパミドの繊度（ｄｔｅｘ）Ｐ：筬羽ピッチ（ｃｍ）Ｔ：筬羽厚（ｃｍ） - 特許庁

The yarn occupation index=0.106×n×√(D)/(P-T), wherein n is the number of yarns pulled in each dent; D is the fineness (dtex) of the polyhexamethylene adipamide yarn; P is a dent pitch (cm); T is a dent thickness (cm).例文帳に追加

繊維占有指数 ＝ ０．１０６×ｎ×√（Ｄ）/（Ｐ−Ｔ）ｎ：筬1羽に入れる糸引き込み本数 Ｄ：ポリヘキサメチレンアジパミドの繊度（ｄｔｅｘ） Ｐ：筬羽ピッチ（ｃｍ） Ｔ：筬羽厚（ｃｍ） - 特許庁

In a step S4, the set value of the command value of the pressurizing force to the workpiece with the electrode tips upon spot welding is shifted by the correction value α of the pressurizing force and is corrected to p'=p+α.例文帳に追加

ステップＳ４において、スポット溶接時の電極チップによるワークの加圧力の指令値の設定値を、加圧力補正値αだけずらして、ｐ’＝ｐ＋αに補正する。 - 特許庁

If the value P in the dispensation counter is not 0 (S1), a dispensation motor is driven to dispense prize balls (S2), and 1 is subtracted from the counter value P every time when dispended won balls are detected (S3).例文帳に追加

そして、払出カウンタのカウンタ値Ｐが０でなければ（Ｓ１）、払出モーターを駆動して賞球を払い出し（Ｓ２）、払い出された賞球を検知する都度カウンタ値Ｐを１減算する（Ｓ３）。 - 特許庁

The splitter 16 separates the incident light to a wave P and a wave S in the polarization direction orthogonally intersecting with each other to supply the wave P to a mirror 18 and to supply the wave S to a mirror 20.例文帳に追加

偏光ビームスプリッタ１６は入射光を互いに直交する偏光方向のＰ波とＳ波に分離し、Ｐ波をミラー１８に、Ｓ波をミラー２０に供給する。 - 特許庁

Mg is added and chlorine gas (2) is blown into molten aluminum (1) containing P and/or Sb at 650-850°C molten metal temperature to remove P and/or Sb in the molten metal (1).例文帳に追加

溶湯温度６５０〜８５０℃でＰ及び／又はＳｂを含有するアルミニウム溶湯(1)にＭｇを添加し且つ塩素ガス(2)を吹き込み、溶湯(1)中のＰ及び／又はＳｂを除去する事を特徴とする。 - 特許庁

The lifting elements 15 are loaded with the heating fluid in such a manner that the lifting elements 15 are extendable through a predetermined change p-p_0 of the hydrostatic pressure p of the heating fluid.例文帳に追加

持ち上げ要素１５は、持ち上げ要素１５が加熱流体の静水圧ｐの所定の変化ｐ〜ｐ_０によって伸張可能であるように、加熱流体によって負荷をかけられる。 - 特許庁

A denomination discriminating sensor for discriminating the denomination of a wad P of a paper moneys taken out from a wad safe is arranged on a wad carrier line for carrying the wad P in an exit direction.例文帳に追加

小束金庫から取出した紙幣の小束Ｐを出口に向けて搬送する小束搬送路上には、小束Ｐの金種を判別する金種判別センサ１３３が配設されている。 - 特許庁

In this self-emitting element 4, a layer (GaN) 2 brought into contact with a light emitting layer, a light-emitting layer 1, a p side GaN 19, and a p electrode 3 are formed on a sapphire substrate 6.例文帳に追加

本発明の自発光素子４においては、サファイア基板６の上に、発光層に接する層（ＧａＮ）２、発光層１、ｐ側ＧａＮ１９、およびｐ電極３が形成されている。 - 特許庁

In a semiconductor light emitting element having electrodes including a Pt layer adjacent an Au layer 14, a Ti layer 12 of 50 nm, a Pt-Mo layer 13 of 50 nm, an Au layer 14 of 300 nm are laminated on a P-GaAs cap layer 9.例文帳に追加

Au層に隣接したPt層を含む電極を備えた半導体発光素子において、P-GaAsキャップ層９上にTi層12を50nm、Pt-Mo層13を50nm、Au層14を300nmの厚さで順次積層して形成した。 - 特許庁

The overlap part 9 is formed by increasing the indentation P of a rotary tool 10 in a position nearer by at least a distance of half the external diameter of the rotary tool 10 than the joining starting edge 7.例文帳に追加

接合始端７よりも、少なくとも、回転ツール１０の外径の１／２の距離だけ手前の位置で、回転ツール１０の押込み量Pを増加させてオーバラップ部９を形成する。 - 特許庁

The thin plate member 10 has several convex portions 11 protruding from one plane P of the thin plate member 10, and several concave portions 12 caved in from the plane P.例文帳に追加

薄板体１０は、薄板体１０の一つの平面Ｐから突出した凸状部１１を複数備えるとともに平面Ｐから陥没した凹状部１２を複数備えている。 - 特許庁

To prevent such defect that a range switching valve stops in an R range in the process to switch the current speed range to a P range in switching a range to another range electronically.例文帳に追加

レンジ切り替えを電子的に行う場合において、Ｐレンジへの切り替え過程でレンジ切り替え弁がＲレンジに止まる故障を回避し得るようになす。 - 特許庁

In a conference using data, the condition is recorded in consecutive data, and the data are distributed to the participator user P in a form of a printed matter D or an image output 4.例文帳に追加

資料を用いた会議ではその様子を連続データに収録し、その参加ユーザＰに当該資料を印刷物Ｄや画面出力４で配布する。 - 特許庁

In process cartridges P and E, projections 13a and 13b to open and close laser shutters have their positions are varied in the longitudinal direction crossing to be orthogonal with the paper surface, as shown in the diagram.例文帳に追加

プロセスカートリッジＰ，Ｅのレーザーシャッターを開閉するための突起１３ａ，１３ｂの図の紙面に直交する長手方向の位置を変える。 - 特許庁

and a P-V of both sides of the film in the range of 0.5-2.0 μm, wherein a1 is a polycarbonate polyol, and a2 is a compound in which the tertiary amino groups of a chain extender having tertiary amino groups in the molecule are quaternarized.例文帳に追加

ａ１：ポリカーボネートポリオール ａ２：分子中に３級アミノ基を有する鎖延長剤の３級アミノ基を４級化した化合物 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon wafer which allows effective acquisition of an IG effect even in a defect-free silicon wafer in which defect-free regions [P] are distributed in the entire area.例文帳に追加

無欠陥領域［Ｐ］が全域に分布する無欠陥のシリコンウェーハであっても、ＩＧ効果が有効に得られるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

At the same time, in other words, in the same process as the channel stopper 42, a base region 43 which constitutes a bipolar transistor is formed in a P type well 32-2.例文帳に追加

チャネルストッパー４２と同時に、すなわち同じ工程で、ｐ型ウェル３２−２にはバイポーラトランジスタを形成するベース領域４３が形成される。 - 特許庁

In the conveying system, the forklift 1 conveys the workpiece W between the areas 2, 3, and waits in a stand-by position P after conveying the workpiece W in the unmanned operation mode.例文帳に追加

搬送システムでは、フォークリフト１がエリア２、３間でワークＷの搬送を行い、無人運転モードではワークＷを搬送後に待機位置Ｐで待機する。 - 特許庁

A checker 50 is provided in the pipe insertion cylindrical part 11 so as to move in the axial direction and is operated in the axial direction by the bulge part Pv of the pipe P.例文帳に追加

チェッカー５０は、配管挿入筒部１１に軸方向に移動可能に設けられ、配管Ｐのバルジ部Ｐｖにより軸方向に作動される。 - 特許庁

The master pattern M and the object pattern P don't show any satisfactory coincidence in (a), and a large gradation difference is caused in the both patterns as shown in (b).例文帳に追加

（ａ）ではマスターパターンＭとオブジェクトパターンＰがあまりよい一致を示しておらず、両パターンには（ｂ）に示すような大きな階調差が生じている。 - 特許庁

To suppress variations in the band gaps in a quantum well active layer and the diffusion of Zn, i.e., P-type dopant, into the quantum well active layer in thermal annealing treatment.例文帳に追加

熱アニール処理による量子井戸活性層内のバンドギャップのばらつき、および、Ｐ型ドーパントのＺｎの量子井戸活性層への拡散を抑制する - 特許庁

The attenuators T having a ratio 1/1, ..., 1/n in order in vertical column direction from the power supply P side are inserted in the input side of the current amplifiers A.例文帳に追加

電流増幅器Ａの入力側に電源Ｐ側から縦列方向に順に１／１，…，１／ｎとなる比率の減衰器Ｔを挿入する。 - 特許庁

In a cassette 15, a plurality of paper sheets P are stacked, and inserted in and pulled out from a body by a slide in the predetermined slide direction.例文帳に追加

カセット１５は、複数の用紙Ｐが積載され、所定のスライド方向にスライドさせられることにより本体に対して挿抜可能に構成されている。 - 特許庁

In a vicinity of the pivot shaft P a circular arc locking rib 3 is provided in a suction grill 2 side and an elastic arm 4 is provided in a front panel 1 side.例文帳に追加

上記支軸Ｐの近傍において、吸込グリル２側に円弧状の係止リブ３が設けられ、前パネル１側に弾性アーム４が設けられている。 - 特許庁

The swinging chamber 40 swings in-door air introduced from an inlet port 41 in the vertical plane at a high speed to centrifuge coarse dust P in the air.例文帳に追加

旋回室４０は吸込口４１から導入した室内空気を垂直面内で高速旋回させ、空気中の粗塵Ｐを遠心分離するものである。 - 特許庁

A bat guide section 16, which has an upper guide 22 prolonged in a lateral direction in a position facing a batter swinging position P and a lower guide 23, is formed in a support stand 1.例文帳に追加

打者素振り位置Ｐに面する位置において横方向へ延びる上ガイド２２と下ガイド２３とを有するバットガイド部１６を支持台１に設けている。 - 特許庁

In each microcomputer chip 1, a P-channel transistor 24 is connected on a Vcc lead-in wire 112 in a power supply circuit 63 for supplying an internal Vcc.例文帳に追加

各マイコンチップ１では、内部Ｖｃｃを供給する電源回路６３において、Ｖｃｃ引込み線１１２上にＰチャネルトランジスタ２４が結合される。 - 特許庁

The toner band 31 is formed using colorless transparent toner is formed to the full width in a length of 5 mm in the feed direction in back of the end blank part of the sheet P.例文帳に追加

シートＰの端部余白部の領域で後ろに送り方向の長さ５ｍｍ、全幅に無色の透明トナーを用いてトナー帯３１を形成する。 - 特許庁

Seiyo Teian probably said "the fourth Myo in Hoza" to indicate "Hotoeza Shikyo Heisetsu chu Daishi Enkyo shodan no Myo" in a strict sense' (p. 68 in the same magazine). 例文帳に追加

「“方座第四の『妙』”といふのは、追究したら恐らく『方等会座四教並説中第四円教所談の妙』というつもりであらう」（前掲書68頁） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Simultaneous attack by a player plane P and allied planes Fa, Fb and Fc, four planes in total, against enemy facilities Ea, Eb, Ec and Ed is executed in a game for executing a prescribed target action by a player character in collaboration with other characters.例文帳に追加

該ゲームでは、プレーヤ機Ｐ及び僚機Ｆａ，Ｆｂ，Ｆｃの合計４機が敵施設Ｅａ，Ｅｂ，Ｅｃ，Ｅｄを同時に攻撃する同時攻撃を遂行する。 - 特許庁

The machine-glazed kraft paper is so designed as to be 30% or greater in surface glossiness (in accordance with JIS P 8142) and 3.0 μm or less in the Parker Print Surff roughness of both obverse and reverse faces.例文帳に追加

表面の光沢度（ＪＩＳ Ｐ ８１４２に準拠）を３０％以上とし、表裏面のパーカー・プリント・サーフ粗さが３．０μｍ以下とする。 - 特許庁

In a state of the opening posture P2, the center gravity P is in a second range S on the opposite side to the first range F in regard to the virtual plane surface V.例文帳に追加

開いた姿勢Ｐ２の状態にあるとき、重心Ｐは、仮想平面Ｖに対して、第１の範囲Ｆと反対側の第２の範囲Ｓ内にある。 - 特許庁

In a signal potential converting circuit for a DRAM, a P-channel MOS transistor(TR) 5 is connected in parallel to a P-channel MOS TR 6 for charging a node N6 and turned on in a pulsating way in response to a leading edge of an input signal VI.例文帳に追加

ＤＲＡＭの信号電位変換回路において、ノードＮ６を充電するためのＰチャネルＭＯＳトランジスタ６にＰチャネルＭＯＳトランジスタ５を並列接続し入力信号ＶＩの立上がりエッジに応答してＰチャネルＭＯＳトランジスタ５をパルス的に導通させる。 - 特許庁

Protrusions (2e) are arranged on part of the surface of the core bar 2a of the pressing roller 2, and consequently the deformation resistance, in the rotational direction, of the elastic layer 2b is higher on the outside of the area, in which the pressing roller 2 contacts the recording material P, than in the area in which it contacts the recording material P.例文帳に追加

加圧ローラ２の芯金２ａの表面の一部に突起（２ｅ）を配置しているので、加圧ローラ２が記録材Ｐに接する外側では、記録材Ｐに接する領域よりも弾性層２ｂの回転方向の変形抵抗が高くなっている。 - 特許庁

A p-InGaAs contact layer 9 is formed, not only in an optical modulation region MA but also in an optically coupled region CA, and an AlInAs oxide layer 7 is formed in a p-InP clad layer 5, 8, in the mesa MS part of the optical coupling region CA.例文帳に追加

ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層９を光変調領域ＭＡだけでなく、光結合領域ＣＡにも形成するとともに、光結合領域ＣＡのメサＭＳの部分におけるｐ−ＩｎＰクラッド層５、８内にＡｌＩｎＡｓ酸化層７を設ける。 - 特許庁

At this time, a Fermi level in the first metal-containing film is made to have an energy level close to the balance-band level of a doped silicon in high concentration in a p-type impurity, if the impurity in a first impurity transistor region belongs to p-type.例文帳に追加

この時、第１不純物型トランジスタ領域の不純物型がＰ型であれば、第１金属含有膜のフェルミ準位はＰ型不純物で高濃度ドーピングされたシリコンの平衡バンド準位と近接したエネルギー準位を有するようにする。 - 特許庁

The present invention includes first devices 140, 160 in a child piconet, a C-PNC device 120 comprising a C-MIB 124 stored with mapping information associated with the devices in the child piconet and a P-MIB 126 stored with mapping information associated with devices in a parent piconet 200, and a second device 240 in the parent piconet.例文帳に追加

子ピコネット100内の第１のデバイス140,160と、子ピコネット内のデバイスに関するマッピング情報が格納されたC-MIB124及び親ピコネット200内のデバイスに関するマッピング情報が格納されたP-MIB126を備えるC-PNCデバイス120と、親ピコネット内の第２のデバイス240と、を含む。 - 特許庁

After turning off an ignition switch, the ignition switch is turned on again in t1 in a short time, and when performing meshing operation (a pre-shift) by operation to a first speed from neutral of the synchronous meshing mechanism caused by P→D select in t3, a clutch lubricating oil supply quantity is set to zero in t1, and a target idling speed Neidle is increased.例文帳に追加

イグニッションスイッチをOFF後、短時間でt1に再ONさせ、t3にP→Dセレクトに伴う同期噛合機構の中立から1速への作動による噛合動作（プリシフト）が行われる場合、t1にクラッチ潤滑油供給量を零にし、目標アイドリング回転数Neidleを高くする。 - 特許庁

A movable lens body 25 which supports a lens 32 in a lens holder 31 is disposed in a manner that it is movable in the direction the optical axis P extends, by slidably engaging engagement parts 35 and 36 of the lens body to a plurality of guide shafts 21 and 22 disposed in parallel with the optical axis P.例文帳に追加

レンズホルダ３１にレンズ３２を支持した可動レンズ体２５を、このレンズ体の嵌合部３５，３６を光軸Ｐと平行に配置された複数本のガイド軸２１，２２に摺動自在に嵌合して、光軸Ｐが延びる方向に移動可能に設ける。 - 特許庁

By using a residual-pressure processor 20 the cubic capacity of whose chamber 21 is variable, the capacity of the chamber 21 is increased to flow in the slurry in a system P before opening a cope 12A and a drag 12B after in-magnetic field molding, then decreasing the residual pressure in the system P.例文帳に追加

チャンバ２１内の容積が変動可能な残圧処理部２０を用いることで、磁場中成形後に上型１２Ａ、下型１２Ｂを開く前に、チャンバ２１の容積を増大させて系Ｐ内のスラリーを流入させ、系Ｐ内の残圧を低減させる。 - 特許庁