「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(60ページ目) - Weblio英語例文検索

A p-type well region 4 and an n+ type drain region 2, away from each other, are formed in an n-type semiconductor layer 1 on an insulating layer 11, and an n+ type source region 3 is formed in the p-type well region 4.例文帳に追加

絶縁層１１上のｎ形半導体層１内には、ｐ形ウェル領域４と、ｎ^^^+形ドレイン領域２とが離間して形成され、ｎ^+形ソース領域３がｐ形ウェル領域４内に形成されている。 - 特許庁

In the method for operating the blast furnace, blowing auxiliary reducing material from a tuyere, injecting hydrogen quantity into the blast furnace is made to in the range of 12-31 Kg/t-p and also, DI (Drum Index)150/15 of the strength of the used coke, is made to 77-85.例文帳に追加

羽口から補助還元材を吹込む高炉操業方法において、高炉への投入水素量を12乃至31kg/t-pの範囲とすると共に使用するコークスの強度DI（ドラム強度）150/15を77乃至85とする。 - 特許庁

Anode terminals P1A to P(4Xn)A for connecting the first to fourth anode electrodes 3 in common are drawn out from the left end, and anode terminals P1B to P(4Xn)B for connecting the first to fourth anode electrodes 3 in common are drawn out from the right end.例文帳に追加

（１）〜（４）のアノード電極３を共通接続するアノード端子Ｐ_1A〜Ｐ__(4×m)Aが、左端部から引き出され、（１）〜（４）のアノード電極３を共通接続するアノード端子Ｐ_1B〜Ｐ_(4×m)Bが、右端部から引き出される。 - 特許庁

In a light receiving element forming island of a sensor chip 3, P regions 12, 14 of photodiodes DR, DCI are formed on a surface layer part of an N-type epitaxial layer 15b, and the P regions 12, 14 are in contact with electrodes 27, 28.例文帳に追加

センサチップ３の受光素子形成島において、ｎ型エピタキシャル層１５ｂの表層部に、フォトダイオードＤR ，ＤC1のｐ領域１２，１４が形成され、ｐ領域１２，１４は電極２７，２８と接している。 - 特許庁

In addition, an insulation layer or a high resistance layer is provided between the p-side contact layer 43 and a p-side electrode 52, corresponding to other areas excluding both ends of the active layer 30 in the direction A of the resonator.例文帳に追加

または、ｐ側コンタクト層４３とｐ側電極５２との間に、絶縁層または高抵抗層が、共振器方向Ａにおける活性層３０の両端部を除く他の領域に対応して設けられている。 - 特許庁

The online formation meter 15 is placed in a traveling region of paper Web P before completing scrolled paper S in a process after predryer 4, so as to capture the formation state of the paper Web P and to supply the formation data to a controlling means 16.例文帳に追加

プレドライヤ４以降の工程であって巻取紙Ｓに完成する前の紙匹Ｐの走行域にオンライン地合計15を設置し、紙匹Ｐの地合の状態を捕捉し、地合データを制御手段16に提供する。 - 特許庁

The beer having characteristic and good flavor responding to various needs of consumers can be produced by utilizing yeast of Saccharomyces cerevisiae NITE P-487 separated from cherry of Prunus jamasakura naturally growing in Tokachi area in Hokkaido.例文帳に追加

北海道十勝地方に自生するエゾヤマザクラのサクランボから分離した酵母Saccharomyces cerevisiae NITE P-487を利用することにより、消費者の多様なニーズに応える特徴的で良好な風味を備えたビールを製造可能となる。 - 特許庁

The tip of the projecting part 20 is brought into contact with the connecting part 23, the setscrew 3 inserted into the insertion hole 13 is fastened in the screw hole 23, and the pressing plate 1 and the holding plate 2 are temporarily fastened in a state of holding hydraulic oil pipes P, P.例文帳に追加

突起部２０の先端を連絡部１３に当て、挿通孔１４に通した止めねじ３をねじ孔２３に締め付けて、押え板１と挾持板２とを、油圧配管Ｐ，Ｐを挾持した状態で仮止めする。 - 特許庁

An abutting surface P of upper and lower cases 2 and 3 is welded and ribs 12 and 13 extended in the vertical direction covering the abutting surface P are provided staggeredly on the inner surfaces of the sidewalls of the upper and the lower cases 2 and 3 in the vicinity of the opening part.例文帳に追加

上下ケース２，３の突合せ面Ｐを溶着し、かつ開口部近傍の上下ケース２，３の側壁内面２ｂ，３ｂに、突合せ面Ｐを越えて上下方向に延びるリブ１２，１３を互い違いに設ける。 - 特許庁

A thickness and a length of each piping are set in such a way that pressure losses in drain circuits 10 and 12 from drain outlets 1a or 2a of two turning motors 1 and 2 to a confluence P are roughly equal to each other.例文帳に追加

二つの旋回モータ(1,2) のドレン出口(1a,2a) から合流点(P) までのそれぞれのドレン回路(10,12) の圧力損失が略等しくなるように、それぞれの配管の太さ及び長さを設定した構成としている。 - 特許庁

At the time of treatment with the conductive interconnections 91 being in such a position as to be nearly parallel with the electrode 11 and thus the plasma treatment space P, the substrate 90 is moved in a direction crossing the electrode 11 and thus the plasma treatment space P.例文帳に追加

処理の際は、導電性配線９１が電極１１ひいてはプラズマ処理空間Ｐと略平行になる姿勢で、電極１１ひいてはプラズマ処理空間Ｐと交差する向きに基板９０を移動させる。 - 特許庁

A CPU 19 determines a combination of single viewpoint images in which a parallax P' converted into the number of pixels is within a target pixel range (M≤P'≤N) suitable to appreciation of a three-dimensional image in a three-dimensional display device 200.例文帳に追加

ＣＰＵ１９は、画素数に換算された視差Ｐ’が、立体表示装置２００での立体画像の鑑賞に適した目標の画素範囲内（Ｍ≦Ｐ’≦Ｎ）となる単視点画像の組合せを決定する。 - 特許庁

Next, a part along the intended dividing line L1 is irradiated with a laser beam 4, so that a converging point P is formed in the semiconductor substrate 1, and a reformed area 1c by multiphoton absorption is formed in the converging point P.例文帳に追加

次に、レーザ光４をその集光点Ｐが半導体基板１の内部に形成されるように、分断予定ラインＬ１に沿って照射し、集光点Ｐに多光子吸収による改質領域１ｃを形成する。 - 特許庁

A photodiode 101 has a structure in which an n-type charge accumulation layer 115 and a p-type surface layer 116 are laminated one after another toward the surface side from the inside in the thickness direction of a p-type well region 112.例文帳に追加

フォトダイオード１０１は、ｎ型の電荷蓄積層１１５と、ｐ型の表面層１１６とが、ｐ型ウェル領域１１２の厚み方向の内側から表面側に向けて順に積層された構成を有する。 - 特許庁

To provide a feeding device capable of feeding paper sheets P with excellent feeding accuracy and capable of preventing deterioration of image quality by preventing the occurrence of banding in relation to the paper sheet P in an image recording part, and to provide an image forming device.例文帳に追加

用紙Ｐの送り精度が良好で、画像記録部での用紙Ｐに対するバンディングの発生防止により画質の劣化を防止することのできる搬送装置及び画像記録装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor substrate is prepared wherein a 2nd Al film 54 and a P-SiN film 55 are formed, in this order on its uppermost part, and an opening 55a is formed on the upper part of the 2nd Al film 54 in the P-SiN film 55.例文帳に追加

最上部に、２ｎｄＡｌ膜５４と、Ｐ−ＳｉＮ膜５５とが順に形成され、Ｐ−ＳｉＮ膜５５のうち、２ｎｄＡｌ膜５４の上方部分に開口部５５ａが形成されている半導体基板を用意する。 - 特許庁

In case one possesses no such non-contact IC card, authentication does not take place, and the switch manipulation of the panel P is not accepted, and the elevator device remains out of service in whichever manner the person manipulates the panel P.例文帳に追加

一方、非接触型ＩＣカードＣを持たない場合は、認証が行われないので、操作パネルＰのスイッチ操作を受け付けず、どのように操作パネルＰを操作しても昇降装置を使用できないようにする。 - 特許庁

During print start position correction processing in an ink jet printer, a control section controls a carrier 3 to move not only in the range on a sheep P but over a wider range and controls an alignment sensor 6 to scan the end of the sheet P on the main scanning side.例文帳に追加

印字開始位置補正処理時に、制御部は、用紙Ｐ上の範囲に限らず、キャリア３をさらに広い範囲に移動させて用紙Ｐの主走査方向側の端部もアライメントセンサ６により走査させる。 - 特許庁

The rear end on one end side P1 of the width direction of the paper sheet P in which higher tension is exerted is first extracted from a nip N1, and the rear end of the other end side P2 of the width direction of the paper sheet P is extracted in a delayed manner thereto.例文帳に追加

張力が強く作用した用紙Ｐの幅方向一端側Ｐ１の後端が、ニップ部Ｎ１から先に引き抜かれ、それに遅れて用紙Ｐの幅方向他端側Ｐ２の後端が引き抜かれる。 - 特許庁

At the time point when a "0" insertion position is decided by the instruction from the scheduling section 20, in an S/P conversion circuit, the subcarrier mapping section 15 fixedly outputs "0" instead of performing S/P conversion in regard to a "0" output portion.例文帳に追加

スケジュール部２０からの指示で“０”を挿入する位置が判明した時点で、サブキャリアマッピング部１５は、Ｓ／Ｐ変換回路において、“０”出力する部分についてＳ／Ｐ変換の動作をせず、“０”出力固定とする。 - 特許庁

To provide a ZnSe light emitting device equipped with a ZnMgSSe clad layer or a BeMgZnSe clad layer, which is improved in luminance and made to have a longer lifetime by making a p-type dopant contained in the p-type clad layer stable.例文帳に追加

ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層、またはＢｅＭｇＺｎＳｅクラッド層をもつＺｎＳｅ系発光素子において、ｐ型クラッド層のｐ型ドーパントを安定化させて高輝度で長寿命の発光素子とすること。 - 特許庁

A pattern image P formed on a running body is imaged on a light incident face of the photodetector 100, and the pattern image P on the light incident face is moved in the x-axis direction in accordance with running of the running body.例文帳に追加

走行体に形成されたパターンの像Ｐが光検出器１００の光入射面上に結像され、走行体の走行に応じて、光入射面上のパターン像Ｐはｘ軸方向に移動する。 - 特許庁

The column P erected on the base 1 by engaging the nuts 10 with an engaging groove 11 provided in a lower end face, and the upper joint rod 2 fittingly inserted in the column P, are fixed to each other by fixing rods 14.例文帳に追加

そして、下端面に設けた係合溝１１に前記ナット１０を係合して前記基板１上に立設した柱Ｐと、該柱Ｐに嵌挿した前記上接合杆２を固定杆１４で互いに止着する。 - 特許庁

To prevent the rising of an output signal from being steep to cause noise even in the size of a transistor with large current capability of a p-FET of an output stage in order to lower the on-resistance of the p-FET.例文帳に追加

出力段のｐ−ＦＥＴのオン抵抗を低くするために、その電流能力を大きくしたトランジスタサイズにしても、出力信号の立ち上がりが急峻になりノイズが発生することを防止する。 - 特許庁

In this case, there is a relation of Y>X1 and Y>X2 between aluminum compositions (X1, Y, and X2) included in the p-type first clad layer 104, the current block layer 105, and the p-type second clad layer 106.例文帳に追加

ｐ型の第１のクラッド層１０４、電流ブロック層１０５及びｐ型の第２のクラッド層１０６層におけるアルミニウムの組成（Ｘ１、Ｙ、Ｘ２）の間には、Ｙ＞Ｘ１及びＹ＞Ｘ２の関係がある。 - 特許庁

A juxtaposed direction (a Y-direction) of the refrigerant passages 21 of the refrigerant pipe 2 is set in a state of extending along a vertical direction (P-direction) or set in an inclined state to the vertical direction (P-direction).例文帳に追加

冷媒管２の冷媒通路２１の並設方向（Ｙ方向）は、鉛直方向（Ｐ方向）に沿った状態に設定されているか、または、鉛直方向（Ｐ方向）に対して傾斜された状態に設定されている。 - 特許庁

With respect to punchable carbon-carbon composite plate, there are provided one having a porosity P of ≥20% and subjected to punching in anhydrous condition and another having a porosity P of ≥10% and subjected to punching in hydrous condition.例文帳に追加

打抜き加工用炭素−炭素複合板には，気孔率ＰがＰ≧２０％であって，無水下で打抜き加工を施されるものと，気孔率ＰがＰ≧１０％であって，含水下で打抜き加工を施されるものとがある。 - 特許庁

This tax measure will be maintained, further to revision of the types of equipment covered and special exemption rates under revisions to the tax system in 2012, in order to support anti-pollution initiatives undertaken by SMEs. (Continuation) (See p. 217.) 例文帳に追加

中小企業者の公害防止対策に対する取組を支援するため、平成24 年度税制改正により、対象設備・特例率を見直した上で、本税制措置を引き続き実施する。（継続）（p.225参照） - 経済産業省

In a radiation detector, a P layer is formed on a first surface of the I layer, an island-form N layer is formed on a second surface of the I layer, and an annular P ring is formed around the N layer to concentrate charges generated in the I layer with incoming radioactive rays on the N layer by potential gradient generated by voltages applied to the P layer and the P ring.例文帳に追加

Ｉ層の第１の面にＰ層が設けられ、Ｉ層の第２の面に島状のＮ層が設けられると共にＮ層を中心として環状のＰリングが形成され、放射線の入射によりＩ層で発生した電荷をＰ層およびＰリングに印加した電圧により生じた電位勾配によってＮ層に集める放射線検出器に関する。 - 特許庁

A conveying device of the present invention includes: conveying means for conveying a medium P; and a conveyance stop control part 100 that, when predetermined conditions for stopping conveyance of the medium P conveyed by the conveying means are met, stops the medium P conveyed by the conveying means in a state where the medium P is deformed in a shape different from the shape during conveyance.例文帳に追加

本発明の搬送装置は、媒体Ｐを搬送する搬送手段と、その搬送手段により搬送される媒体Ｐの搬送を停止させる所定条件が成立した場合に、その搬送手段により搬送される媒体Ｐを、搬送中の媒体Ｐの形状と異なる形状に変形させた状態で停止させる搬送停止制御部１００と、を有する。 - 特許庁

Since the heat insulation material feeding process S9 and the gas force feed process S11 are alternately repeatedly performed until the pearlite P is filled in the heat insulation space S, not only the pearlite P of an upper layer of the heat insulation space S but also the pearlite P of a lower layer of the heat insulation space S can be sufficiently compacted, and the pearlite P can be efficiently filled in the heat insulation space S.例文帳に追加

また、断熱空間ＳにパーライトＰが充填されるまでの間に、断熱材給送工程Ｓ９と気体圧送工程Ｓ１１とを交互に繰り返して行うので、断熱空間Ｓの上層のパーライトＰのみでなく、断熱空間Ｓの下層のパーライトＰまでも十分に圧密することができ、断熱空間ＳにパーライトＰを効率良く充填することができる。 - 特許庁

In an electrode forming step, in forming a p-type ohmic electrode composed of a metal film comprising a Pd film and a Ta film by successive lamination of the Pd film which is a first p-type ohmic electrode 10 and the Ta film which is a second p-type ohmic electrode 11 on a p-type GaN contact layer 7, the metal film is formed to include an oxygen atom.例文帳に追加

電極形成工程において、ｐ型ＧａＮコンタクト層７上に、第１ｐ型オーミック電極１０であるＰｄ膜および第２ｐ型オーミック電極１１であるＴａ膜を順次形成して、Ｐｄ膜およびＴａ膜から成る金属膜で構成されるｐ型オーミック電極を形成するとき、金属膜中に酸素原子が含まれるように金属膜を形成する。 - 特許庁

A transparent resin 16 is formed so as to cover an upper face of the p-type GaN layer 13 in a portion around the end 14 and the p-side electrode 15, and a reflective film 17 is formed so as to coat the entire of the transparent resin 16 and the p-side electrode 15.例文帳に追加

端面１４およびｐ側電極１５の周囲の部分のｐ型ＧａＮ層１３の上面を覆うように透明樹脂１６を形成し、この透明樹脂１６およびｐ側電極１５の全体を覆うように反射膜１７を形成する。 - 特許庁

The pull-up device for cable includes pull-up means 2 that pulls up cables C,... to be stored in a pit P with a top opened from a bottom face Pu of the pit P and support means 3 that separates midway sections of the cables C,... from the bottom face Pu of the pit P for supporting.例文帳に追加

上部が開口されたピットＰに収容されるケーブルＣ，…をピットＰの下面Ｐｕから引き上げる引上げ手段２と、ケーブルＣ，…の中途部をピットＰの下面Ｐｕから離間して支持する支持手段３と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

Then a p-type semiconductor 25 projecting from the mask oxide film is polished to remove the mask oxide film, and then a surface layer of the parallel p-n structure is subjected to annealing processing in a non-oxidizing and a non-nitriding atmosphere to smooth the surface layer of the parallel p-n structure.例文帳に追加

次いで、マスク酸化膜より上に突出しているｐ型半導体２５を研磨し、マスク酸化膜を除去した後、並列ｐｎ構造の表面層に非酸化性および非窒化性雰囲気でアニール処理を行い、並列ｐｎ構造の表面層を平滑化する。 - 特許庁

The stimulation element section 14 has a common n-InP lower clad layer, an active layer 32 in common with a variable wavelength layer, and a common i-InP layer, and has a p-InP spacer layer 34, a p-diffraction grating 36, and a p-InP buried layer 38 on it.例文帳に追加

励起素子部１４は、共通のｎ−ＩｎＰ下部クラッド層、波長可変層と共通の活性層３２、及び共通のｉ−ＩｎＰ層を備え、その上にｐ−ＩｎＰスペーサ層３４、ｐ−回折格子３６、ｐ−ＩｎＰ埋め込み層３８を備える。 - 特許庁

In the corresponding deep N+ type region 14, a P+ type base region 26 for absorbing the surge is formed along the deep N+ type region 14 on the opposite side to a P+ type base region 17, and a ground electrode 27 is formed on the corresponding P+ base region.例文帳に追加

当該ディープＮ＋型領域１４においてＰ＋型ベース領域１７とは反対側にディープＮ＋型領域１４に沿ってサージ吸収用のＰ＋型ベース領域２６が形成され、当該Ｐ＋型ベース領域上にグランド電極２７が形成されている。 - 特許庁

The TCU calculates a difference ▵P=Pc-Ps, determines a current I_E for energizing a valve based on the relation of the predetermined ▵P to the maximum percentage of the current for the valve, and repeats this processing in real time for regulating I_E until the difference ▵P can be neglected.例文帳に追加

ＴＣＵは差ΔＰ＝Ｐ_C−Ｐ_Sを算出して、予め定められたΔＰと最大の弁の電流のパーセンテージの関係から弁を印加するための電流Ｉ_Eを決定し、差ΔＰが無視できるまで、Ｉ_Eを調整するためにリアルタイムにこの処理を繰り返す。 - 特許庁

The electromagnetic steel sheet with an insulating coating film comprises Zr, P and one or more selected from Mg and Ca, and in which the molar ratio of P to Zr, P/Zr, is 0,4 to 4.0, and the molar ratio of the total of Mg and Ca to Zr, (Mg+Ca)/Zr, is 0.005 to 0.10.例文帳に追加

ＺｒおよびＰ、ならびにＭｇ、Ｃａのうちの一つ以上を含有し、ＰがＺｒに対しモル比でＰ／Ｚｒ＝０．４〜４．０であり、ＭｇとＣａの合計量がＺｒに対しモル比で（Ｍｇ＋Ｃａ）／Ｚｒ＝０．００５〜０．１０である絶縁被膜を有する電磁鋼板。 - 特許庁

When the paper roll P is in a loosen state 'unavailable' (stretched), the sensor detecting part 19 and the sensor engagement part 18b are engaged with each other, whereby a drum rotating roller 4 is rotated and driven to feed the paper roll P, and to prepare the loosen state 'available' of the paper roll P.例文帳に追加

ロール紙Ｐが弛み状態「否」となる（突っ張る）と、センサ検出部１９とセンサ係合部１８ｂとが係合状態となり、これによってドラム回動ローラ４を回動駆動してロール紙Ｐを繰り出し、ロール紙Ｐの弛み状態「適」を形成する。 - 特許庁

A p^++-type source region 40 much higher in impurity concentration than a p-type semiconductor substrate 10 is provided on the surface of the p-type semiconductor substrate 10 so as to bring, at least, a part of its side face into contact with an n^--type extended drain region 20.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１０の表層部に、Ｐ型半導体基板１０よりも十分に高い不純物濃度で形成されたＰ^++型ソース領域４０は、少なくともその側面の一部でＮ^-型延長ドレイン領域２０と接するように形成されている。 - 特許庁

A p-type impurity introduced region 8p is formed by introducing a p-type impurity in a top surface of a semiconductor substrate 1 using the side wall 6a as a mask, and a groove 9 is formed on a top surface of the p-type impurity introduced region 8p using the side wall 6a as a mask.例文帳に追加

サイドウォール６ａをマスクとして半導体基板１の表面にｐ型不純物を導入してｐ型不純物導入領域８ｐを形成し、サイドウォール６ａをマスクとしてｐ型不純物導入領域８ｐの表面に溝９を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a p-type nitride semiconductor for improving yield of the p-type nitride semiconductor, by preventing a voltage abnormality due to an abnormality in contact resistance between an electrode and the p-type nitride semiconductor, and to provide a nitride semiconductor device.例文帳に追加

電極とｐ型窒化物半導体との間のコンタクト抵抗異常による電圧異常を防止して、ｐ型窒化物半導体の歩留まりを向上させるためのｐ型窒化物半導体の製造方法および窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

This LED chip 1 is provided with p-and n-type semiconductor layers formed on a substrate and p-and n-side electrodes 7 respectively provided in the p- and n-type semiconductor layers on the main surface of the chip 1 opposite to the substrate.例文帳に追加

基板上にｐ形半導体層およびｎ形半導体層を形成し、ｐ形半導体層およびｎ形半導体層において基板の反対側であるＬＥＤチップ１の主チップ面にそれぞれｐ側電極６およびｎ側電極７を設ける。 - 特許庁

A p-type well area 8 and an n-type collector region 6 are separately formed in a p-type element formation region 3a that is a portion of a p-type silicon layer 3 as a semiconductor layer, and an n-type emitter region 5 is formed at the surface side of the well region 8.例文帳に追加

半導体層たるｐ形シリコン層３の一部のｐ形の素子形成領域３ａ内に、ｐ形のウェル領域８とｎ形のコレクタ領域６とを離間して形成し、ｎ形のエミッタ領域５をウェル領域８の表面側に形成してある。 - 特許庁