「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(62ページ目) - Weblio英語例文検索

The p-type clad layer 15 of a light-emitting diode 1 has a superlattice structure, as shown in Fig.2, in which p-InGaN layers 152 and AlGaN layers 151 are alternately laminated five times on a non-doped AlGaN layer 151a in contact with the active layer.例文帳に追加

発光ダイオード１のｐ型クラッド層１５は、図２に示すように、活性層と接するノンドープのＡｌＧａＮ層１５１ａ上に、ｐ−ＩｎＧａＮ層１５２とＡｌＧａＮ層１５１が交互に５回繰り返し積層された超格子構造である。 - 特許庁

In addition, a primary differential coefficient (slant α of tangent M1) at the bonded section (point P) on the chamfered plane side in the optical plane 2b and a primary differential coefficient (slant α of tangent M2) at the bonded section (point P) on the optical plane side in the chamfered plane 3 are matched.例文帳に追加

また、光学面２ｂにおける面取り面側接合部（点Ｐ）での一次微分係数（接線Ｍ_1 の傾きα）と、面取り面３における光学面側接合部（点Ｐ）での一次微分係数（接線Ｍ_2 の傾きα）は、一致している。 - 特許庁

The p-type dopant contained in the gate electrode 40 is diffused in the vicinity of an interface between the silicon carbide layer 20 just below the gate electrode 40 and the gate insulating film 30, and an impurity level in the vicinity of the interface is passivated by the p-type dopant.例文帳に追加

そして、ゲート電極４０中の上記ｐ型ドーパントを、ゲート電極４０直下の炭化珪素層２０とゲート絶縁膜３０との界面近傍に拡散させ、上記ｐ型ドーパントによって界面近傍の不純物準位をパッシベーションする。 - 特許庁

The floating resistor formed under a state that one end is floated electrically is formed in an isolated insular shape in an n-type semiconductor region 13 formed in a p-type semiconductor substrate 10 as a diffusion resistor 14 composed of a p-type semiconductor.例文帳に追加

一端が電気的に浮いた状態で設けられるフローティング抵抗を、ｐ型半導体からなる拡散抵抗１４として、ｐ型半導体基板１０内に形成されたｎ型半導体領域１３内に孤立した島状に形成する。 - 特許庁

In that case, while the gas in the projection-molding recess 41 is escaped through the second backing sheet 17, the foamingly flowing of the urethane foam raw material P is proceeded so as to fill the urethane foam raw material P in the projection-molding recess 41.例文帳に追加

その際、突出部成形用凹部４１内の気体を第２のバッキングシート１７を介して逃がしつつウレタン発泡体原料Ｐの発泡流動を進行させて突出部成形用凹部４１内にウレタン発泡体原料Ｐを充填する。 - 特許庁

A barrier region 13 is disposed in an area below the gate region 17 in a boundary region of the channel layer 12 and the buffer layer 11, and contains p-type impurities at a higher concentration than the concentration of the p-type impurities in the buffer layer 11.例文帳に追加

バリア領域１３は、チャネル層１２とバッファ層１１との境界領域において、ゲート領域１７の下に位置する領域に配置され、バッファ層１１におけるｐ型不純物の濃度より高い濃度のｐ型不純物を含む。 - 特許庁

In a girdle 1, areas and the number of a P-portion and a Q-porion are adjusted in each portion 21, 22 and 23 so that a fastening force of a belly-pressing part 21 becomes the strongest, and next, the fastening forces of a thigh-inside side 22 and a rear-side fastening part 23 are sequentially lowered in this order.例文帳に追加

ガードル１において、腹押さえ部２１の緊締力が最も強く、次いで、大腿内側側部２２、後側緊締部２３の順に緊締力が弱くなっていくように、各部２１，２２，２３において、P部とQ部の面積と個数を調整する。 - 特許庁

Also, since the carrier tube 5 has an inner hole sectional shape that nearly coincides with the end face shape of the electronic parts P, the electronic parts P can be sent to the supply passage 6a while they pass in a state being aligned in the longitudinal direction and in a specific direction.例文帳に追加

また、搬送チューブ５は電子部品Ｐの端面形状にほぼ一致した内孔断面形を有しているので、電子部品Ｐが長さ向きで、且つ、所定向きで整列した状態で通過させて供給通路６ａに送り込むことができる。 - 特許庁

To provide a technique for preventing accumulation of holes in a p-type nitride semiconductor layer by setting the threshold voltage at a low level in a transistor which is provided, in the surface layer of the p-type nitride semiconductor layer, with an n-type source region and an n-type drain region.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層の表層部にｎ型のソース領域とｎ型のドレイン領域が設けられているトランジスタにおいて、しきい値が低く、ｐ型窒化物半導体層内にホールが蓄積されない技術を提供する。 - 特許庁

In the paper receiving device 3 for receiving printed paper sheets P falling in the state of being curved into a U-shape and for forming a stack A of the paper sheets P in the vertical direction, lateral jogger operation control and hang-up prevention control are executed.例文帳に追加

Ｕ字状に曲げられた状態で落下する印刷済み用紙Ｐを受け取って、上下方向に上記用紙Ｐの積層体Ａを形成する紙受け装置３において、横ジョガー動作制御及び引掛り防止制御を実行する。 - 特許庁

The position of a pick up roller 85 is moved between a position in contact with the recording paper P in the feed cassette mechanism unit 6 and a position in contact with the recording paper sheet P on the manual-feed mechanism unit 7, thereby enabling an alternative paper feeding operation.例文帳に追加

ピックアップローラ８５の位置を、給紙カセット機構部６内の記録用紙Ｐに接触する位置と手差し給紙機構部７上の記録用紙Ｐに接触する位置との間で移動させることで選択的な給紙動作を可能にする。 - 特許庁

The accommodated article fixing device 1 has a flat plate 2 disposed so as to cover the upper face of the article P accommodated in the box 10, and a face plate 4 having a hole 3 penetrated in the middle of it, through which the upper part of the article P accommodated in the box is passed.例文帳に追加

本発明の収容物固定具１は、身箱１０内の収容物Ｐの上面を覆うように配する平板部２と、中央に収容物Ｐの上部を挿通する孔３を有する面版部４とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

Thus, the polishing liquid 13 is uniformly and entirely spread in the width direction of the surface of the magnesium alloy plate P, and it is possible to mitigate occurrence of localized differences in the wet condition of the polishing liquid 13 in the width direction of the magnesium alloy plate P.例文帳に追加

そうすることで、研磨液１３をマグネシウム合金板Ｐの表面幅方向全体に均一に広げられ、マグネシウム合金板Ｐの幅方向に対して、研磨液１３の濡れ状態に局所的な差が生じることを緩和することができる。 - 特許庁

There is an opening (p) in the long side section side parallel with the long side section in a position avoiding the planting hole opening section in the surface of the front sheet, and one or more bag bodies (8) communicating the inside to a space (s) between both front and back sheets is formed.例文帳に追加

更に、該表シートの表面の該植穴開口部を避けた位置には、該長辺部と平行で、該長辺部側に開口(p)を有し、かつ内部が該表裏のシート間の空間(s)に連通する一つ以上の袋体(8)が形成されている。 - 特許庁

With this structure, residual quantity of the housed paper sheets P is easy to recognize from a position in an oblique direction, besides in the front direction, and rough residual quantity of the paper sheets P is grasped in response to position and angle of the lift plate 51b inside the main body 51a.例文帳に追加

これにより正面方向のみならず斜め方向からでも収容された用紙Ｐの残量が見やすくなり、本体５１ａ内部でのリフト板５１ｂの位置や角度によっても用紙Ｐの大まかな残量を把握することができる。 - 特許庁

The recorder comprises a sheet receiver 11 for holding a recording sheet P in a tube 10, means for moving the tube 10 in parallel with the central axis thereof, and a head 31 for printing on the recording sheet P held in the tube while turning.例文帳に追加

円筒１０の内部に記録シートＰを保持するシート受け１１と、円筒１０を円筒の中心軸と平行に移動させる移動手段と、円筒の内部に保持された記録シートＰに、回転しながら記録を行う記録ヘッド３１と、を有する。 - 特許庁

The galvanized steel sheet has a phosphate film on the surface of a galvanizing layer, in which P (a phosphorus content) of the film is 30 to 400 mg/m^2 in average value and the region of ≤25 mg/m^2 in the coating weight of the P is specified to ≥30% of the total area.例文帳に追加

亜鉛めっき層の表面にリン酸塩皮膜を備え、前記皮膜のＰ（リン分）が、平均値で３０〜４００ｍｇ／ｍ^２であるとともに、Ｐの付着量が２５ｍｇ／ｍ^２未満の領域を全面積の３０％以上とする。 - 特許庁

This vibration proofing member is formed by packing a knitted tape obtained by knitting a metallic wire into a compression molding die 30 in such manner that a tape width W is located in parallel with a pressing shaft P, and the obtained pre-molded matter 25 is compressed and molded in the direction of the pressing shaft P.例文帳に追加

この防振部材は、金属線材を編んだ編成テープを、テープ幅Ｗが押圧軸Ｐと平行になるように圧縮成形型３０に充填し、得られた予備成形物２５を前記押圧軸Ｐ方向に圧縮して成形されている。 - 特許庁

The p-type ohmic electrode 4 is buried in one of the recessed sections 6, is electrically connected to a p-type contact layer 21 through a contact hole vertically formed in polyimide, and can supply a current to a light emitting section 2A in the thickness direction of the section 2A.例文帳に追加

ｐ型オーミック電極４は、凹部６内に埋め込まれ、ポリイミド内に上下方向に形成されたコンタクトホール４１ａを介して、ｐ型コンタクト層２１と導通しており、発光部２Ａにその厚さ方向の電流を供給することができる。 - 特許庁

In the second rotation process, the first coil wire bundle 50 is rotated in the reverse side to the first rotation process, with the engaging part P as a fulcrum.例文帳に追加

第２回転工程は、係合部Ｐを支点として第１コイル線材束５０を第１回転工程と逆方向へ回転させる。 - 特許庁

If the roll paper P runs out in the middle of the execution of recording (Yes in step S5), a roll paper discharge process A is carried out (step S6).例文帳に追加

記録実行途中においてロール紙Ｐが無くなった時は（ステップＳ５でＹｅｓ）、ロール紙排紙処理Ａを実行する（ステップＳ６）。 - 特許庁

In addition, an n-type diffusion layer 6 is provided on the layer 2, and an n-type diffusion layer 6' is provided in the p-type layer 3'.例文帳に追加

また、ｎ型埋め込み層２の上にはｎ型拡散層６が、ｐ型埋め込み層３´にはｎ型拡散層６´が設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, and a fabrication method thereof, in which resistance of contact formed in p-type impurity region can be decreased.例文帳に追加

ｐ型の不純物領域に形成されたコンタクトの抵抗を減少させ得る半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A value equivalent to a lower position part of the starter total number of drive times i is written in a memory Mp of the address [p] in a step 360.例文帳に追加

ステップ３６０では、スタータ総駆動回数ｉのうち、その下位部分に相当する数値を、アドレス「ｐ」のメモリＭｐに書き込む。 - 特許庁

The certain shape is characterized in that it has a corner part (P) capable of generating stress in the semiconductor layer at the time of heat treatment.例文帳に追加

この一定形状は、熱処理時に半導体層に応力を生じさせることが可能な角部（Ｐ）を有することを特徴とする。 - 特許庁

An illumination circle (L) is formed is such a manner that illumination members (31, 32, 33, 34) are arranged in a circle in a playing region (P) of a playing board (10) of a game machine.例文帳に追加

遊技機の遊技盤(10)の遊技領域(Ｐ)に全環帯状に電飾部材(31、32、33、34)を配置し、電飾環帯(Ｌ)を形成する。 - 特許庁

In an opening end 1 for inserting a pipe P to be connected of a joint body 2, a recessed circumferential groove 11 is integrally formed in the joint body 2.例文帳に追加

継手本体２の被接続パイプＰ挿入用開口端１に於て、継手本体２に凹周溝11を一体状に形成する。 - 特許庁

Therefore, the air conveying unit 71A can rotate the conveyor belt 71c in the specified direction of the arrow Q4 in which the paper P is conveyed.例文帳に追加

従って、エア搬送ユニット７１Ａは、用紙Ｐを搬送する一定の矢印Ｑ４の方向に搬送ベルト７１ｃを回転できる。 - 特許庁

In the case of a reverse double speed playback operation, banks No. 0 to No. 5 are occupied by I and P pictures, which are stored in the decode order.例文帳に追加

−２倍速再生時、バンクＮＯ．０乃至５は、ＩおよびＰピクチャに占有され、デコード順に格納されるようになされている。 - 特許庁

In the rear surface Pb of the wafer P, a prescribed region A3 is formed flat in face to face with the upper surface of a peripheral wall of the substrate holder.例文帳に追加

基板Ｐの裏面Ｐｂのうち基板ホルダに設けられた周壁の上面と対向する所定領域Ａ３は平坦である。 - 特許庁

In addition, it is preferable that the white-paper gloss of a gloss layer is 70% or more in 75-degree relative-specular glossiness based on JIS P-8142.例文帳に追加

また、光沢層の白紙光沢が、ＪＩＳ Ｐ−８１４２に準拠した７５度鏡面光沢度で７０％以上であると好ましい。 - 特許庁

A p-type base layer 150 has a first peak, a second peak and a third peak in a thickness direction in an impurity profile.例文帳に追加

ｐ型ベース層１５０は、厚さ方向の不純物プロファイルにおいて、第１のピーク、第２のピーク、及び第３のピークを有している。 - 特許庁

In response to the fact that the device is exposed to the light on the front thereof, the p-n junction generates a voltage in the device.例文帳に追加

装置が当該装置の前面において光に露出されることに反応して、ｐ−ｎ接合は当該装置に電圧を生成する。 - 特許庁

A second opening pattern is positioned in the whole edge periphery of a region, where an element is formed in the p-type well 1b.例文帳に追加

前記第２の開口パターンは、少なくとも、Ｐ型ウェル１ｂ上のうち素子が形成される領域の縁全周に位置している。 - 特許庁

During fuel-cut of an internal combustion engine, an in-cylinder pressure P is calculated on the basis of an in-cylinder pressure sensor output immediately after an intake valve is closed.例文帳に追加

内燃機関のフューエルカット中に、吸気弁が閉じた直後の筒内圧センサ出力に基づき、筒内圧Ｐを算出する。 - 特許庁

To apply motion estimation (ME) based on reconstructed reference pictures in a bi-predictive frame (B frame) or in a predicted frame (P frame) at a video decoder.例文帳に追加

ビデオデコーダの双予測フレーム又は予測フレームにおいて再構成された参照ピクチャに基づいて動き推定（ＭＥ）を適用する。 - 特許庁

The thick Cu electrode layer 72 is formed in an opening part 55a at an upper part of the 2ndAl film 54 in the P-SiN film 55.例文帳に追加

Ｐ−ＳｉＮ膜５５のうち、２ｎｄＡｌ膜５４の上方部分における開口部５５ａに厚いＣｕ電極層７２を形成する。 - 特許庁

In a suitable execution example, the threshold is obtained by multiplying the number of usable queue slots remaining in the port with a ratio P.例文帳に追加

好適な実施例では、ポートに残っている使用できるキュー・スロットの数を割合Ｐにかけることによってしきい値が求められる。 - 特許庁

The amount of impurities in n-drift regions 12a is set within a range of 110% to 150% of the amount of impurities in p-partition regions 12b.例文帳に追加

ｎドリフト領域１２ａの不純物量がｐ仕切り領域１２ｂの不純物量の１１０〜１５０％の範囲内とする。 - 特許庁

The titanium plate 16 and the intermediate connecting element 15 are combined in a manner to make a relative movement in P arrow direction against the base material 11.例文帳に追加

そして、母材１１に対しチタン板１６及び中間連結体１５がＰ矢印方向に相対移動するように結合する。 - 特許庁

A surface of a semiconductor substrate 1 is divided into a region D, in which a DRAM is formed and a region P, in which a photodiode is formed.例文帳に追加

半導体基板１の表面がＤＲＡＭが形成される領域Ｄと、フォトダイオードが形成される領域Ｐとに区画される。 - 特許庁

A bill accumulation section 31 stores the bill P in an accumulation status in the accumulation direction which is a direction inclined to a vertical direction.例文帳に追加

紙幣集積部31では、上下方向に対して傾斜する方向を集積方向として紙幣Ｐを集積状態で収容する。 - 特許庁

A base conveyance device coming in and out of the modules (P/M) 24 and (LL/M) 28 adjacent on both sides of the transfer module (T/M) 26 is provided in the transfer module (T/M) 26.例文帳に追加

トランスファ・モジュール（Ｔ／Ｍ）２６内には両隣のモジュール（Ｐ／Ｍ）２４，（ＬＬ／Ｍ）２８に出入り可能な基板搬送装置が設けられている。 - 特許庁

The thickness dimension of the non-magnetic layer 4 is in the range of 1-50 nm and surface roughness (P-V) is in the range of ≥2 nm and ≤20 nm.例文帳に追加

非磁性層４の厚さ寸法は、１ｎｍ〜５０ｎｍの範囲、表面粗さ（Ｐ−Ｖ）が２ｎｍ以上、２０ｎｍ以下の範囲とする。 - 特許庁

The second p-type contact layer 16b has an Mg concentration in a range between 4×10^19/cm^3 and 9×10^19/cm^3, and is 10 to 60 nm in thickness.例文帳に追加

第２ｐ型コンタクト層１６ｂは、Ｍｇ濃度が４×１０^19〜９×１０^19／ｃｍ^3 で、厚さは１０〜６０ｎｍである。 - 特許庁