「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(61ページ目) - Weblio英語例文検索

In, for example, a high-breakdown-voltage P-type MOS transistor structure, a low-density P-type diffusion region 109 is formed on a low-density N-type diffusion region 108 to the right and the left of a gate G, and a high-density P-type diffusion region 106 is formed thereupon.例文帳に追加

例えば高耐圧Ｐ型ＭＯＳトランジスタ構造では、低濃度Ｎ型拡散領域１０８の上において、ゲートＧの右方及び左方に、低濃度Ｐ型拡散領域１０９が形成され、その上に高濃度Ｐ型拡散領域１０６が形成される。 - 特許庁

The pole P is inserted into the pole supporting cylinder 6 and the tapered cylindrical part 6a is thrust by the tapered surface 16 by tightening of the nut member 14 and the pole P is grasped by the inward deformation in the radial direction of an elastic piece 8 formed between the slits 7, by which the pole P is stabilized.例文帳に追加

ポール支持筒６内にポールＰを挿入し、ナット部材１４の締付けによりテーパ面１６でテーパ筒部６ａを押圧し、スリット７間に形成された弾性片８の半径方向内方への変形によりポールＰを挾持して、ポールＰの安定化を図る。 - 特許庁

In the manufacturing method of a semiconductor laser, there are formed by an MOCVD method successively on an n-type substrate 101 an n-type buffer layer 102, an n-type clad layer 103, an active layer 104, a first p-type clad layer 105, a p-type etching stop layer 106, and a second p-type clad layer 107.例文帳に追加

ｎ型基板１０１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型クラッド層１０３、活性層１０４、ｐ型第１クラッド層１０５、ｐ型エッチングストップ層１０６、およびｐ型第２クラッド層１０７を、順次形成する。 - 特許庁

A guide 28 constitutes a passage R through which the paper P passes from the pair of resist rollers 24 to the transfer roller 34 and which is curve-shaped in a planar view from a direction perpendicular to the carrying direction of the paper P and parallel to the paper P.例文帳に追加

ガイド２８は、レジストローラ対２４と転写ローラ３４との間において用紙Ｐが通過する経路Ｒであって、用紙Ｐの搬送方向に直交しかつ用紙Ｐに平行な方向から平面視したときに、湾曲した形状をなす経路Ｒを構成している。 - 特許庁

In a solar cell element 10 comprising a semiconductor substrate 1 having a p-type semiconductor layer, the p-type semiconductor layer has an Si-N bond internally and a passivation layer 7 is provided on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層を有する半導体基体１を備えた太陽電池素子１０であって、前記ｐ型半導体層は内部にＳｉ−Ｎ結合を有しており、前記ｐ型半導体層の上にパッシベーション層７が設けられている太陽電池素子１０とする。 - 特許庁

By a selection on a selector switch 1b on the tachometer body P side, an output pulse of a waveform shaping circuit 12 in a second sensor device R is inputted into an arithmetic circuit 4 on the tachometer body P side while bypassing an input circuit 2 on the tachometer body P side.例文帳に追加

回転計本体Ｐ側の切替スイッチ１ｂの切り替えによって、第２のセンサ装置Ｒにおける波形整形回路１２の出力パルスを、回転計本体Ｐ側の入力回路２をバイパスして、回転計本体Ｐ側の演算回路４に入力する。 - 特許庁

An element value specifying part 32 specifies element values C corresponding to image data Din of respective pixels P on the basis of positions of respective pixels P in each unit areas Au when the plurality of pixels P are divided into unit areas Au having line-symmetrical or point-symmetrical concave polygon-shape.例文帳に追加

要素値特定部３２は、複数の画素Ｐを線対称または点対称の凹多角形の単位領域Ａuに区分したときの各単位領域Ａuにおける各画素Ｐの位置に基づいて当該画素Ｐの画像データＤinに応じた要素値Ｃを特定する。 - 特許庁

The obtained reference point P_c(j) or a point P' which is not an infinite point O on the elliptic curve E/GF(p^m) when the reference point P_c(j) is the infinite point O, is substituted in each equation P^#_c(j) of the expansion equation for computation.例文帳に追加

上記展開式の各式Ｐ^♯_ｃ（ｊ）に、上記求まった参照点Ｐ_ｃ（ｊ）又は、その参照点Ｐ_ｃ（ｊ）が無限遠点Ｏである場合には楕円曲線Ｅ／ＧＦ（ｐ^ｍ）上の無限遠点Ｏではない点Ｐ’を代入して計算をする。 - 特許庁

For example, in a unit sell 6_11 of a MOS sensor, there are provided an n conductivity type charge storage 24 becoming a photodiode, and a p-conductivity well region 25 of a scanning transistor on the surface of a p-conductivity epitaxial layer 21a on a p-conductivity silicon substrate 21.例文帳に追加

たとえば、ＭＯＳセンサの単位セル６_11は、Ｐ導電型シリコン基板２１上のＰ導電型エピタキシャル層２１ａの表面に、フォトダイオードとなるＮ導電型の電荷蓄積部２４、および、走査トランジスタ部のＰ導電型ウェル領域２５が設けられている。 - 特許庁

The load may include a container 6 to store the lower portion of the PET bottle P, a ring body 8 attachably/detachably fixed to the outer circumference of the lower portion of the PET bottle P, and weights 7a, 7b attachably/detachably fixed to a recess P3 in the undersurface of the PET bottle P.例文帳に追加

また、荷重体としては、ペットボトルＰの下部を収容する容器６や、ペットボトルＰの下部外周に嵌合により着脱自在に固定されるリング体８や、ペットボトルＰの下面の凹部Ｐ３に着脱自在に固定される重り７ａ、７ｂを用いてもよい。 - 特許庁

The dopant of a p-type clad layer and a p-type active layer is Ge, with its carrier concentration in the range of 8×1017 to 12×1017 cm-3, the thickness of the p-type active layer is set to 0.5 to 1.2 μm, and the oxygen concentration is set less than 3×1016 cm-3.例文帳に追加

ｐ型クラッド層およびｐ型活性層のドーパントをＧｅとし、そのキャリヤ濃度を８×１０^17ｃｍ^-3以上１２×１０^17ｃｍ^-3未満、ｐ型活性層の層厚を０．５μｍ以上１．２μｍ以下で酸素濃度を３×１０^16ｃｍ^-3未満とする。 - 特許庁

The pair of guide members 31, 32 are vertically moved in accordance with conveyance of the paper money P into the upper part of the storage part 1 and are once removed onto an upper face side of the paper money P to press the paper money P into the storage part 12 from above by the pair of guide members 31, 32.例文帳に追加

収納部12の上部への紙幣Ｐの搬送に応じて、一対のガイド部材31，32を上下動させ、一対のガイド部材31，32を紙幣Ｐの上面側に一旦外した後、一対のガイド部材31，32で紙幣Ｐを上方から収納部12内に押さえ込む。 - 特許庁

A lens pitch P (μm) of the first film 2, a haze value H (%) by measurement of backward diffusion and total light transmittance T (%) in the second film 3, and a pixel pitch Pp (μm) of the liquid crystal panel 4 satisfy H/T×Pp/P>1.6 and P≥110 μm.例文帳に追加

第１のフィルム２のレンズピッチＰ（μｍ）と、第２のフィルム３の後方拡散測定によるヘイズ値Ｈ（％）および全光線透過率Ｔ（％）と、液晶パネル４の画素ピッチＰｐ（μｍ）とが、Ｈ/Ｔ・Ｐｐ/Ｐ＞１．６、かつＰ≧１１０μｍの関係を満たす。 - 特許庁

The PNP bipolar transistor 164 is formed by P-type, N-type, and P-type impurity diffusion regions 122, 126, and 128 that are formed in the direction of the depth of a substrate, and the zener diode 150 is formed by the N-type and P-type impurity diffusion regions 126 and 128.例文帳に追加

ＰＮＰバイポーラトランジスタ１６４は、基板の深さ方向に形成したＰ型、Ｎ型及びＰ型不純物拡散領域１２２，１２６，１２８にて形成され、ツェナーダイオード１５０は、Ｎ型及びＰ型不純物拡散領域１２６，１２８にて形成される。 - 特許庁

This exposure method, which transfers the pattern of a mask M onto the substrate P, includes a register process for registering the mask M and the substrate P and an addition process for adding the information of the register result in the register process onto the substrate P.例文帳に追加

マスクＭのパターンを基板Ｐ上に転写する露光方法において、前記マスクＭと前記基板Ｐとを位置合わせする位置合わせ工程と、前記位置合わせ工程における位置合わせ結果の情報を前記基板Ｐ上に付ける付加工程とを有する。 - 特許庁

To provide a PDC-P channel packet network access method by which a communication server of a general office can surely transmit an electronic mail without being affected by an external environment of a path between the server and a PDC-P terminal in the case that the communication server transmits the electronic mail to the PDC-P terminal.例文帳に追加

一般のオフィスの通信サーバからＥメールをＰＤＣ−Ｐ端末に送信する際に、経路間の外部環境に影響されずに送信でき、確実にＥメールを送信することができるＰＤＣ−Ｐパケットネットワークアクセス方法を提供すること。 - 特許庁

A copper alloy having a composition comprising, by mass, 0.03 to 0.3% Fe and 0.01 to 0.1% P in such a manner that Fe/P as the mass ratio between Fe and P is controlled to 2.0 to 4.0, and also comprising 0.005 to 0.5% Sn, and the balance copper with inevitable impurities is used.例文帳に追加

Ｆｅ：０．０３〜０．３質量％、Ｐ：０．０１〜０．１質量％を含有し、ＦｅとＰとの質量比であるＦｅ／Ｐが２．０〜４．０であり、かつＳｎ：０．００５〜０．５質量％を含有し、残部銅及び不可避不純物からなる銅合金を用いる。 - 特許庁

The semiconductor laser element 1 is formed by stacking, in a following sequence, an n-type semiconductor substrate 11, an n-type clad layer 12, an active layer 13, a p-type first clad layer 14, a current block layer 15, a p-type second clad layer 16, and a p-type contact layer 17.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子１は、ｎ型半導体基板１１、ｎ型クラッド層１２、活性層１３、ｐ型第１クラッド層１４、電流ブロック層１５、ｐ型第２クラッド層１６、及びｐ型コンタクト層１７が、この順に積層されてなる。 - 特許庁

To suppress the occurrence of a banding due to an instantaneous change in the transporting speed of photographic paper P, by relieving the impact exerted on the photographic paper P when a guide roller 23 of a guide member 20 and the photographic paper P come into contact with each other right after the passage through an exposure area.例文帳に追加

露光エリアの通過直後でガイド部材２０のガイドローラ２３と印画紙Ｐとが接触した際に、印画紙Ｐに加わる衝撃を緩和し、これによって、印画紙Ｐの搬送速度の瞬間的な変化に起因するバンディングの発生を抑える。 - 特許庁

This element has a configuration in which a p-type electrode 8 is formed on the p-type layer 7 and an n-type electrode 9 is formed on the surface of a second n-type layer 4 exposed by removing a part of a multilayer structure from the p-type layer 7 to the second n-type layer 4.例文帳に追加

ｐ型層７の上にはｐ型電極８が形成され、ｐ型層７から第２のｎ型層４までの多層構造の一部が除去されて露出された第２のｎ型層４の表面にｎ型電極９が形成された構成となっている。 - 特許庁

In mod p groups, an even h is chosen of value approximately (9/16)(log_2n)^2, values r and n are determined using sieving and primality testing on r and n, and a value t is found to compute p=tn+1 where p is prime.例文帳に追加

ｍｏｄ ｐ群において、偶数ｈが約（９／１６）（ｌｏｇ_2ｎ）^2の値として選択され、値ｒとｎは、ｒとｎに対するふるいと素数性テストを使用して判定され、値ｔが、ｐが素数の場合に、ｐ＝ｔｎ＋１を計算するために見出される。 - 特許庁

When an I picture format and a P picture format are both included, a frame kind converting means 104 converts I pictures into P pictures and the image composing means 103 puts together the moving picture data, which are all in the P picture format.例文帳に追加

また、Ｉピクチャ形式とＰピクチャ形式のフレームが含まれる場合は、画像合成手段１０３は、フレーム種別変換手段１０４がＩピクチャをＰピクチャに変換し、符号化種別が全てＰピクチャ形式に揃えられて動画像データを合成処理する。 - 特許庁

In order to load the paper sheets P on the standby tray 10 with excellent alignment property, the tray members 10a, 10b are turned upwardly when the downwardly curled paper sheets P are loaded, and the tray members 10a, 10b are turned downwardly when the upwardly curled paper sheets P are loaded.例文帳に追加

用紙Ｐを待機トレイ１０上に整列よく載せるため、下側カールした用紙Ｐを載せる場合には、トレイ部材１０ａ、１０ｂは上向きに回動し、上側カールした用紙Ｐを載せる場合には、トレイ部材１０ａ、１０ｂは下向きに回動させる。 - 特許庁

A processing control unit acquires a designated return point P by converting a prescribed place (P) into a position (a latitude, a longitude) on a map when the prescribed place (P) is pressed by the user on a guidance route R1 connecting a stating place S to a destination G as shown in Fig. (a).例文帳に追加

処理制御部は、（ａ）に示すように、出発地Ｓと目的地Ｇとを結ぶ誘導経路Ｒ１上において、所定箇所（Ｐ）が利用者により押圧された場合に、地図上の位置（緯度、経度）に変換する等により、指定された復帰ポイントＰを取得する。 - 特許庁

A P-type SiC area 30 is formed in a part of the surface layer of an N-type SiC epitaxial area 20, and a gate electrode is formed through a gate insulating film 40 on the surface of the P-type SiC area 30 and the surface of the N-type SiC epitaxial area 20 adjacent to this P-type SiC area 30.例文帳に追加

Ｎ型ＳｉＣエピタキシャル領域２０の表層の一部にＰ型ＳｉＣ領域３０を設け、Ｐ型ＳｉＣ領域３０とこれに隣接するＮ型ＳｉＣエピタキシャル領域２０の表面にゲート絶縁膜４０を介してゲート電極を設ける。 - 特許庁

The liquid crystal, a cell gap and the chiral agent are selected in such a manner that 450×d/p+290≤Δnd≤459×d/p+590 is satisfied, when the refractive index anisotropy of the liquid crystal, the cell gap and the helical pitch of the chiral agent are defined as Δn, d (nm) and p (nm), respectively.例文帳に追加

更に、液晶の屈折率異方性をΔｎ、セルギャップをｄ（ｎｍ）、カイラル剤のヘリカルピッチをｐ（ｎｍ）としたときに、４５０×ｄ／ｐ＋２９０≦Δｎｄ≦４５９×ｄ／ｐ＋５９０を満足するように、液晶、セルギャップ及びカイラル剤を選択する。 - 特許庁

An h-ary operation section 35 calculates k-multiplication of the point P in h-ary system wherein the h-multiplication of the point P by an h-multiplication operation section 36 and the addition of integral multiple points equal to or less than (h-1)-folds with respect to the point P by an addition operation section 38 are combined.例文帳に追加

ｈ進法演算部３５は、ｈ倍算演算部３６による点Ｐのｈ倍算と、加算演算部３８による点Ｐの（ｈ−１）倍以下の整数倍点の加算を組み合わせたｈ進法により、点Ｐのｋ倍算を計算する。 - 特許庁

A guide rib 32 is installed in an inner wall of a holder part 30 to be slanted with respect to an inserting direction of a beverage can P, so the beverage can P is easily inserted into the holder and is securely held by a long-sized holding line expanding up and down along the slim-shaped can P.例文帳に追加

ホルダ部３０の内壁面にドリンク缶Ｐの挿入方向に対してガイドリブ３２を斜め方向に設定することで、ドリンク缶Ｐの挿入作業性を高め、かつ、細長状のドリンク缶Ｐの上下に亘り長寸の保持ラインで確実な保持を図る。 - 特許庁

In a semiconductor device 1, a deep N well (DNW) 12 is formed at the upper layer part of a P type substrate 11, a P well 13 is formed partially at the upper layer part of the DNW 12, and an N type LDMOS 26 is formed at the upper layer part of the P well 13.例文帳に追加

半導体装置１において、Ｐ型基板１１の上層部分にディープＮウエル（ＤＮＷ）１２を形成し、ＤＮＷ１２の上層部分の一部にＰウエル１３を形成し、Ｐウエル１３の上層部分にＮ型ＬＤＭＯＳ２６を形成する。 - 特許庁

A feed roller pair 2 rotating while holding the recording medium P from both surfaces thereof to feed the recording medium P is provided on the downstream side in a feed direction of the recording head 42 and a fixing roller fixing an image while pressing the recording medium P is provided on the downstream side of the feed roller pair 2.例文帳に追加

記録ヘッド４２の搬送方向下流側に、記録媒体Ｐを表裏から挟圧しつつ回転して搬送する搬送ローラ対２０を設け、その下流側に、記録媒体Ｐを押圧しながら画像を定着させる定着ローラ５４を設ける。 - 特許庁

An impedance controller 10 latches P-channel control signals PCNT5-PCNT1 to change P-channel impedance control signals PCNTY5-PCNTY1 when P-channel transistors PTr5-PTr1 in an output buffer 30 with an impedance control turn off.例文帳に追加

インピーダンス制御部１０は、インピーダンス・コントロール付き出力バッファ３０のＰチャンネルトランジスタＰＴｒ５〜ＰＴｒ１がオフになる時にＰチャンネル制御信号ＰＣＮＴ５〜ＰＣＮＴ１をラッチしてＰチャンネルインピーダンスコントロール信号ＰＣＮＴＹ５〜ＰＣＮＴ１を変化させる。 - 特許庁

p-t-Amyloxystyrene is produced by reacting a p-halophenol with 2-methyl-1-butene and/or 2-methyl-2-butene, preparing a Grignard reagent from the obtained p-t-amyloxyhalobenzene and reacting the reagent with a vinyl halide in the presence of a catalyst.例文帳に追加

ｐ−ハロフェノールを２−メチル−１−ブテン又は／及び２−メチル−２−ブテンと反応させて得られたｐ−第三級−アミルオキシハロベンゼンからグリニャール試薬を調製し、これを触媒存在下ビニルハライドと反応させｐ−第三級−アミルオキシスチレンを製造する。 - 特許庁

Accordingly, when large tension is applied to paper P in transporting the paper P, the driving force of the rotary shaft 20 is transmitted through the external gear 40 and the internal gear 38 to the roller part 26, whereby the roller part 26 transports the paper P to keep the paper from breaking off.例文帳に追加

従って、ペーパーＰの搬送時にペーパーＰに大きなテンションが掛かっても、回転軸２０の駆動力が外ギヤ４０及び内ギヤ３８を介してローラ部２６に伝達されることで、ローラ部２６がペーパーＰを搬送し、ペーパーＰが切れることがない。 - 特許庁

This carrier device to carry the recording medium P toward the image transferring part includes an abutting member 32 to make a head end of the recording medium P moving in a carrier route by blocking the carrier route of the recording medium P abut and to open the carrier route thereafter.例文帳に追加

画像転写部に向けて記録媒体Ｐを搬送する搬送装置であって、記録媒体Ｐの搬送経路を閉鎖してその搬送経路を移動する記録媒体Ｐの先端を突き当てるとともに、その後に搬送経路を開放する突当部材３２を備える。 - 特許庁

A container 11 which has a rotation mechanism 20 and a measurement part which measures AC impedance of paste P are used to measure the AC impedance of the paste P by the measurement part while rotating the paste P stored in the container 11 by the rotation mechanism 20.例文帳に追加

回転機構２０を有する容器１１と、ペーストＰの交流インピーダンスを測定する測定部とを用い、容器１１内に収容したペーストＰを回転機構２０により回転させながら、測定部によりペーストＰの交流インピーダンスを測定する。 - 特許庁

When a takeout direction of the recording material P shown by an arrow 5 is not equal to the combining direction of the recording material P, a control part 3 displays an instruction to rotate the housing direction of the recording material P in the recording material cassette 69 by 90 degrees on a control panel 108.例文帳に追加

制御部３は、矢印５で示される記録材Ｐの取り出し方向と記録材Ｐの梳き目方向とが等しくない場合には、記録材カセット６９に対する記録材Ｐの収納方向を９０度回転させる指示を操作パネル１０８に表示させる。 - 特許庁

A p-n joint part between a p-type diffusion layer 2 and an n-type silicon substrate 1 is formed in an element formation area divided by an element isolation area 5 on the surface of a semiconductor substrate 1, and a radiation sensitive area is formed by the p-n joint part.例文帳に追加

半導体基板１の表面の素子分離領域５により区画された素子形成領域に、ｐ型拡散層２とｎ型シリコン基板１とのｐｎ接合部が形成されており、このｐｎ接合部により放射線有感領域が構成されている。 - 特許庁

The vacuum heat treatment device 1 is provided with a rotary vessel 4 arranged in a vacuum and further having a storage chamber 42 storing an object P with gas absorbed, and, by heating the object P, the object P is subjected to degassing treatment.例文帳に追加

真空熱処理装置１は、真空中に配置されると共にガスを吸収した被処理物Ｐが収容される収容室４２を持つ回転容器４を備え、被処理物Ｐを加熱することにより被処理物Ｐの脱ガス処理を行うことを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device having an N-type SiC layer 3, which has a hexagonal crystal structure, a P-type SiC region 4 provided on the main plane of the N-type SiC layer 3, and a P-type conductive layer 6 provided on the surface of the P-type SiC region 4, wherein the P-type SiC region 4 includes cubic structure SiC in the part touching the P-type conductive layer 6.例文帳に追加

六方晶構造を有するＮ型ＳｉＣ層３と、Ｎ型ＳｉＣ層３の主面に設けられたＰ型ＳｉＣ領域４と、Ｐ型ＳｉＣ領域４の表面上に設けられたＰ型導電層６と、を備え、Ｐ型ＳｉＣ領域４のうちのＰ型導電層６に接する部分は、立方晶構造のＳｉＣを含むことを特徴とする半導体装置が提供される。 - 特許庁

In addition to a surface P+ pinning layer 7 on a photodiode surface and a surface P- region 12 directly below a transfer gate electrode 10, a surface p- region 11 is formed therebetween on an overlapping region of the photoelectric conversion and accumulation section 4 to form an electric field directed from the surface P- region 11 on an overlapping region surface to a drain region through the surface P- region 12.例文帳に追加

フォトダイオード表面の表面Ｐ＋ピンニング層７と、転送ゲート電極１０下の表面Ｐ−領域１２に加えて、これらの間で光電変換蓄積部４のオーバーラップ領域上に表面Ｐ−領域１１を形成することにより、このオーバーラップ領域表面の表面Ｐ−領域１１から表面Ｐ−領域１２を介してドレイン領域に向かう電界を形成している。 - 特許庁

In the solar cell 10, a p-type electrode 15 is disposed in a first trench 13a formed in a first insulating layer 13, and is contact with a p-type region 11a, while a n-type electrode 16 is disposed in a second trench 14a formed in a second insulating layer 14, and is in contact with a n-type region 11b.例文帳に追加

太陽電池１０において、ｐ側電極１５は、第１絶縁層１３に形成された第１溝部１３ａに配設されてｐ型領域１１ａと接触しており、ｎ側電極１６は、第２絶縁層１４に形成された第２溝部１４ａに配設されてｎ型領域１１ｂに接触する。 - 特許庁

To a p-type semiconductor substrate 1a, the semiconductor device forms an n-well 7 in which concentration increases in the depthwise direction from the main surface of the semiconductor substrate 1a to result in impurity concentration peak 6, and a p-well 11 in which concentration increases in the depth direction from the main surface of the semiconductor substrate 1a to result in impurity concentration peak 10.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１ａに半導体基板１ａの主表面から深さ方向に濃度を増加し不純物濃度ピーク６を有するＮウエル７及び半導体基板１ａの主表面から深さ方向に濃度を増加し不純物濃度ピーク１０を有するＰウエル１１を形成する。 - 特許庁

In the second process, the magnet 3 is arranged in a part supposed to have the possibility of generating a void P, and is laterally and vertically moved so that the cement 1 is completely filled in a branch-shaped filling passage 20 easily generating the void P.例文帳に追加

そして、第２工程において、磁石３を、空隙Ｐが発生するおそれがあると思われる部位に配置し、左右又は上下などに移動させることで、空隙Ｐが発生し易い枝状充填路２０等にセメント１を完全に充填させる。 - 特許庁

In the leg 1a, a housing recessed part 12 having side wall 8 and a bottom wall 10 facing a body panel P and housing a part of an attaching seat 3 is cut out in a face 6 facing the body panel P in the retracted position of the grip body 1.例文帳に追加

脚部１ａには、グリップ本体１が格納位置において車体パネルＰに対向する面６に、側壁８と車体パネルＰに対向する底壁１０とを有して取付座３の一部を収容する収容凹部１２を切欠形成する。 - 特許庁

In a construction method of void slab buried in concrete C by arranging a large number of hollow pipes P in parallel, the hollow pipes P are arranged on a thin PC plate 1 laid between beams to fix, and the concrete C is placed on the thin PC plate 1.例文帳に追加

多数本の中空管Ｐを並列させてコンクリートＣに埋め込むボイドスラブの構築方法において、梁間に掛け渡した薄肉ＰＣ板１上に中空管Ｐを配置して固定し、この薄肉ＰＣ板１上にコンクリートＣを打設する。 - 特許庁