「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

The width in the second direction perpendicular to the first direction of the P-type junction portion is narrower than the width in the second direction of the P-type contact portion, and the width in the second direction of the N-type junction portion is narrower than that of the N-type contact portion.例文帳に追加

Ｐ型接合部の第１方向に直交する第２方向の幅は、Ｐ型コンタクト部の第２方向の幅よりも狭く、Ｎ型接合部の第２方向の幅は、Ｎ型コンタクト部の第２方向の幅よりも狭い。 - 特許庁

In this embodiment, it will do to change the depth of the P+ region all in every color of R, G, and B, or to change the depth of the P+ region in two kinds by deepening or shallowing R and G or deepening R and shallowing G and B.例文帳に追加

本実施形態においては、Ｒ、Ｇ、Ｂの色毎にすべてＰ^+領域の深さを変えても良いし、Ｒ、Ｇを深く、Ｂを浅くしたり、Ｒを深く、Ｇ、Ｂを浅くするなど２種類でＰ^+領域の深さを変えてもよい。 - 特許庁

The curl correcting device changes quantity of correction of the curl in relation to one end or both ends of the printing paper P after cutting and quantity of correction of the curl in relation to at least an intermediate part of the printing paper P in the longitudinal direction.例文帳に追加

カール矯正装置は、切断後のプリントペーパＰの一端部又は両端部に対するカール矯正の矯正量と、プリントペーパＰの少なくとも長さ方向中間部に対するカール矯正の矯正量と、を変更させる。 - 特許庁

This Pb-free solder alloy may contain at least one of Al, Sn and P, wherein, 0.02 mass% or more in the case of Al, 0.3 mass% or more in Sn, and 0.001 mass% or more in P.例文帳に追加

このＰｂフリーはんだ合金は、Ａｌ、ＳｎおよびＰのうちの１種以上が、Ａｌの場合は０.０２質量％以上、Ｓｎの場合は０.３質量％以上、Ｐの場合は０.００１質量％以上含まれていてもよい。 - 特許庁

In incinerating the high polymer wastes P accommodated in an incinerator 2, water W is accommodated in the incinerator 2 and a portion Pp of the wastes P is exposed from a water surface Lw for incineration.例文帳に追加

焼却炉２に収容した高分子廃棄物Ｐを焼却するに際し、焼却炉２の内部に水Ｗを収容することにより、高分子廃棄物Ｐの一部Ｐｐを水面Ｌｗから露出させて焼却を行うようにした。 - 特許庁

It is possible to transfer the object P in the arrow direction G or in a reverse direction by a transfer mechanism 61 in gripping the object P by the robot hand 10 as the transfer mechanism 61 is provided on a palm of the robot hand 10.例文帳に追加

ロボットハンド１０の手の平に移送機構６１を設けているので、ロボットハンド１０により対象物Ｐを把持した際に、移送機構６１により対象物Ｐを矢印Ｇの方向又は逆方向に移送することができる。 - 特許庁

The polarization degree P of the group III nitride semiconductor laser is defined by P=(I1-I2)/(I1+I2) using the electric field component I1 in the X1 direction of the light in the LED mode and the electric field component I2 in the X2 direction.例文帳に追加

III族窒化物半導体レーザの偏光度ＰはＬＥＤモードにおける光の該Ｘ１方向の電界成分Ｉ１と該Ｘ２方向の電界成分Ｉ２とを用いて、Ｐ＝（Ｉ１−Ｉ２）／（Ｉ１＋Ｉ２）によって規定される。 - 特許庁

A printer includes the skew correction device for correcting position of sheet P in a process in which a tip of the sheet P to be conveyed in accordance with the turn of a conveyance roller is abutted on registration rollers 29A, 29B, 29C and is bent and deformed.例文帳に追加

プリンターは、搬送ローラーの回動に伴って搬送されるシートＰの先端をレジストローラー２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃに当接させて撓み変形させる過程でシートＰの位置補正を行うスキュー補正装置を備える。 - 特許庁

An n+ cathode layer 2 is formed in a surface layer on one main surface of an n-type semiconductor substrate 100, and a p+ anode layer 3 where p+ layer 3a is overlapped in a horizontal direction by ion implantation and heat diffusion is formed in the surface layer on the other.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１００の一方の主面の表面層に、ｎ^+ カソード層２を形成し、他方の主面の表面層に、イオン注入と熱拡散でｐ^+ 層３ａが横方向で重なったｐ^+ アノード層３を形成する。 - 特許庁

In a first p-type contact layer 106, a light emitting element sample wherein a growth temperature is varied in a range of 780-1,000°C, and a Mg concentration of the first p-type contact layer 106 is varied in a range of 2×10^19-8×10^19/cm^3 is manufactured.例文帳に追加

第１ｐ型コンタクト層１０６について、成長温度を７８０〜１０００℃の範囲、第１ｐ型コンタクト層１０６のＭｇ濃度を２×１０^19〜８×１０^19／ｃｍ^3 の範囲で変化させた発光素子サンプルを作製する。 - 特許庁

To easily recognize an error in a setting direction of a scrap paper P while not providing an image forming apparatus with a sensor for reading the scrap paper P to reduce the manufacturing cost, and to prevent re-printing on printed surfaces of a large quantity of scrap papers P.例文帳に追加

画像形成装置に裏紙Ｐを読み取るセンサを設けずに製造コストの削減を図りつつ、容易に裏紙Ｐのセット方向の誤りを認識でき、又、裏紙Ｐの印刷済面への再度の印刷が大量の枚数になされることを防ぐ。 - 特許庁

On an n-type GaN substrate 10, an n-type AlGaN clad layer 14, an undoped active layer 16, a p-type AlGaN electron barrier layer 18, a p-type AlGaN clad layer 20, and a p-type GaN contact layer 22 are formed in order.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１０上に、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１４、アンドープの活性層１６、ｐ型ＡｌＧａＮ電子障壁層１８、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２０及びｐ型ＧａＮコンタクト層２２が順番に形成されている。 - 特許庁

An n-type current inhibition layer 1201 is formed so that a p-type ridge stripe 1700 formed of parts obtained by working p-type AlGaAs clad layer 1106 and a p-type GaAs cap layer 1107 in stripe shapes is sandwiched with both sides.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１１０６、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１１０７をストライプ形状に加工した部位からなるｐ型のリッジストライプ部１７００を両側面側から挟むように、ｎ型電流阻止層１２０１が形成されている。 - 特許庁

Then, when the paper discharge roller 34 rotates reversely, a rear end of the recording paper P is driven in a reverse feed direction by the paper discharge roller 34, and the rear end of the recording paper P abuts on the recording paper rear end abutting part 73 and the reverse feed of the recording paper P is prevented.例文帳に追加

その後、排紙ローラ３４が逆転したとき、記録紙Ｐの後端が排紙ローラ３４によって逆送方向に駆動されるが、記録紙Ｐの後端は記録紙後端当接部７３と当接し、記録紙Ｐの逆送が防止される。 - 特許庁

The performance of the heat treatment for a short time less than or equal to 1 ms suppresses a variation in the concentration profile of the p-type impurity of the p-type extended region 7 and the p-type diffusion region 11 that are previously formed.例文帳に追加

また、Ｓｉ：Ｃ層１６を形成する際の熱処理を１ｍ秒以下の短時間で行うことにより、すでに形成されているｐ型拡張領域７およびｐ型拡散領域１１のｐ型不純物の濃度プロファイルの変化を抑える。 - 特許庁

When recording paper P conveyed on a paper conveying path to be ejected to the outside of the image forming apparatus 10 is wrinkled, the conveying operation of the recording paper P is stopped on the paper conveying path in order to specify the cause of the wrinkles of the recording paper P.例文帳に追加

用紙搬送経路を搬送されて画像形成装置１０の外へ排出される記録用紙Ｐに紙シワが発生したとき、その原因を特定するため、記録用紙Ｐの搬送動作を用紙搬送経路上で停止させる。 - 特許庁

Be ions are then implanted in the n^--InP window layer 7 to form a p-type guard ring 8, and Zn or Cd ions are thermally diffused or implanted to the inside of the p-type guard ring 8 thus forming a circular p^+ type light receiving region 9 selectively.例文帳に追加

次に、ｎ^−−ＩｎＰ窓層７にＢｅをイオン注入してｐ型ガードリング８を形成し、ｐ型ガードリング８の内側に、ＺｎやＣｄを熱拡散又はイオン注入して、ｐ^^+型受光領域９を円形状に選択形成する。 - 特許庁

In the case of performing printing (so-called margin-less printing) without leaving a blank margin at edges of the paper P by applying ink also to an area overrunning from the paper P, overrunning widths (La, Lb, Lc, Ld) of an area E overrunning from the paper P are made adjustable.例文帳に追加

用紙Ｐ上からはみ出た領域もインクを付与して、用紙Ｐの端部に余白を設けずにプリント（いわゆるフチなしプリント）を行う場合に、用紙Ｐからはみ出る領域Ｅのはみ出し量Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃ，Ｌｄを調整できるように構成する。 - 特許庁

On a substrate 11, a first p-type semiconductor layer 12 having a high dopant concentration, a second p-type semiconductor layer 13 having a low dopant concentration, and an n-type semiconductor layer 14 having a concentration higher than that of the second p-type semiconductor layer 13 are formed in order.例文帳に追加

基板１１上には、高不純物濃度の第１のｐ型半導体層１２と、低不純物濃度の第２のｐ型半導体層１３と、第２のｐ型半導体層１３よりも高濃度のｎ型半導体層１４とが形成されている。 - 特許庁

When accepting a request for the double-sided printing (S11), after printing an image of one surface of the paper P in a printing part (S12), the paper P is carried until the tip of the paper P reaches an entrance of a switchback part from the printing part (S13).例文帳に追加

両面印刷の要求を受付けると（Ｓ１１）、印刷部において、用紙Ｐの一方の面の画像を印刷した後（Ｓ１２）、用紙Ｐの先端が印刷部からスイッチバック部の入出口に到達するまで、用紙Ｐを搬送する（Ｓ１３）。 - 特許庁

Area occupancy of the P+ type contact layer 17 to the N+ type source layer 18 can be enlarged compared to a conventional case for forming the P+ type contact layer 17 in the P type base layer 13 just below the bottom face of the N+ type source layer 18.例文帳に追加

また、Ｎ＋型ソース層１８の底面の直下のＰ型ベース層１３内にＰ＋型コンタクト層１７を形成するため、従来に比して、Ｐ＋型コンタクト層１７のＮ＋ソース層１８に対する面積占有率を大きくできる。 - 特許庁

A control part 30 starts switches to the conveying route R3 of the conveying destination of the paper P in the solenoid when the paper P is conveyed from the conveying route R1 to the conveying route R2, and brings the switching member 32 into contact with the paper P.例文帳に追加

制御部３０は、用紙Ｐが搬送経路Ｒ１から搬送経路Ｒ２に搬送されているときに、用紙Ｐの搬送先の搬送経路Ｒ３への切り替えをソレノイドに開始させて、切り替え部材３２を用紙Ｐに接触させる。 - 特許庁

Coherent light is irradiated on a paper P moving by a light source 701 to detect light reflected from the paper P by a plurality of photodiode segments 703a, 703b arranged at a predetermined interval in the direction of conveyance of the paper P.例文帳に追加

光源７０１によって移動する用紙Ｐにコヒーレントな光を照射し、用紙Ｐの搬送方向に所定の間隔を持って配設される複数のフォトダイオードセグメント７０３ａ、７０３ｂによって用紙Ｐから反射された光を検知する。 - 特許庁

In a semiconductor laser, a stripe-like contact layer 3 is provided on a p-type compound semiconductor substrate 1 or a p-type semiconductor layer 2, and a light-emitting layer forming section 12 is provided on the contact layer 3, so that a p-type clad layer 4 comes into contact with the section 12.例文帳に追加

ｐ形化合物半導体基板１上またはｐ形半導体層２上にストライプ状のコンタクト層３が設けられ、ストライプ状のコンタクト層３上にｐ形クラッド層４が接するように発光層形成部１２が設けられている。 - 特許庁

In this case, R_1, R_2 and P satisfy a relational expression of R_1≥2×P, and R_1>R_2, where a curvature radius of the first circular arc 23a is R_1, a curvature radius of the second circular arc 23b is R_2, and a chain pitch is P.例文帳に追加

この場合において、第１の円弧２３ａの曲率半径をＲ_１ とし、第２の円弧２３ｂの曲率半径をＲ_２ とし、チェーンピッチをＰとするとき、Ｒ_１ ，Ｒ_２ およびＰが、Ｒ_１ ≧２×ＰかつＲ_１ ≫Ｒ_２ の関係式を満足している。 - 特許庁

To provide a technology for determining whether such real coefficient polynomials p(X) and f(X) that the real coefficient polynomial p(X) can be divided by the real coefficient polynomial f(X) are present in real interval polynomials P(X) and F(X), respectively.例文帳に追加

実係数多項式ｐ（Ｘ）が実係数多項式ｆ（Ｘ）で割り切れるような実係数多項式ｐ（Ｘ），ｆ（Ｘ）がそれぞれ実区間多項式Ｐ（Ｘ），Ｆ（Ｘ）の中に存在するかどうかを判定するための技術を提供する。 - 特許庁

In method embodiments disclosed, a resistive gallium nitride border is formed by forming an implant mask on the p-type epitaxial region and implanting ions into portions of the p-type epitaxial region to render portions of the p-type epitaxial region semi-insulating.例文帳に追加

方法の実施形態では、ｐ型エピタキシャル領域上に打ち込みマスクを形成し、ｐ型エピタキシャル領域の部分にイオンを打ち込んでｐ型エピタキシャル領域の部分を半絶縁性にすることによって、抵抗性窒化ガリウム境界を形成する。 - 特許庁

A LOCOS oxide film 8 is formed on the second drain region 6, and a P-type third drain region 10 having a P-type impurity concentration higher than that of the P-type second drain region 6 is formed in a region underneath the LOCOS oxide film 8a.例文帳に追加

第２ドレイン領域６上にＬＯＣＯＳ酸化膜８が形成され、ＬＯＣＯＳ酸化膜８ａ下の領域にＰ型第２ドレイン領域６よりも濃いＰ型不純物濃度をもつＰ型第３ドレイン領域１０が形成されている。 - 特許庁

In the rubber blanket used for fine line patterning, the surface rubber of the rubber blanket has arithmetical mean roughness of a value of 0.05×Ra(p) to 4.5×Ra(p) with respect to arithmetic mean roughness Ra(p) of the surface of the printing body.例文帳に追加

細線パターニングに使用されるゴムブランケットであって、ゴムブランケット表面ゴムの算術平均粗さが、被印刷体表面の算術平均粗さＲａ（ｐ）に対し０．０５×Ｒａ（ｐ）から４．５×Ｒａ（ｐ）の値の粗さを持つゴムブランケットである。 - 特許庁

A P-type well 3 is provided at an upper part of an N-type substrate 2, an embedded photodiode 6 and an electric charge detection part 7 are provided in the P-type well 3, and the P-type well 3 at a lower part of the electric charge detection part 7 is completely depleted.例文帳に追加

Ｎ型基板２の上部にＰ型ウエル３が設けられ、Ｐ型ウエル３内に埋め込みフォトダイオード６および電荷検出部７が設けられており、電荷検出部７の下方のＰ型ウエル３は完全に空乏化されている。 - 特許庁

A slide contact portion 40A of a guide member 40 which comes into slide contact with a paper sheet P is formed in an R shape and the tail end of the paper sheet P passes along the R shape, so the tail end of the paper sheet P never hops to fall when passing by the slide contact portion 40A.例文帳に追加

用紙Ｐと摺接するガイド部材４０の摺接部４０ＡをＲ形状とすることで、用紙Ｐの後端はＲ形状に沿って通過するので、用紙Ｐの後端が摺接部４０Ａを通過する際に跳ね落ちることがない。 - 特許庁

H-mold steel having a plurality of protrusions on the inner surface side satisfies P/h≤10 and P/b_2≥4, wherein b2 represents the upper side width of the protrusions, h represents the protrusive height, and P represents the protrusion pitch in a cross mold perpendicular to the H-mold steel face formed with the protrusions.例文帳に追加

内面側に複数の突起を有するＨ形鋼であって、前記突起が形成されたＨ形鋼面に垂直な断面における該突起の上辺幅ｂ_2、突起高さｈ、突起ピッチＰが、Ｐ／ｈ≦１０、かつ、Ｐ／ｂ_2≧4を満たすようにした。 - 特許庁

Containing hole of a rotor core having the number of poles P consists of P/2 of radial containing holes 8a extending in the substantially radial direction, and P/2 of substantially V-shaped containing holes 8b (a pair of magnet containing sections 8f) which becomes convex on the radially outside.例文帳に追加

磁極数がＰ極となるロータコアの収容孔は、略径方向に延びる径方向収容孔８ａと、径方向外側に凸となる略Ｖ字形状のＶ字収容孔８ｂ（一対の磁石収容部８ｆ）とが、それぞれＰ／２個形成されてなる。 - 特許庁

Subsequently, the main body part of the molding paper P is passed through a cylindrical guide member 20 while both the end edge parts 31, 31 of the molding paper P are passed through the slit 22 of the guide member 20 in an extended state to mold the molding paper P as a cylindrical part 32.例文帳に追加

次いで、筒状ガイド部材２０に成形紙Ｐの本体部分を通過させると共に、ガイド部材２０のスリット２２に前記両端縁部３１,３１を延出状態で通過させることで、成形紙Ｐを筒状部３２として成形する。 - 特許庁

In the inspection processing of a p-Si film 23, an LED 12 irradiates the p-Si film 23 with an irradiating light Lout from a rear side of a movable stage 11, on which a transparent substrate 20 (Si thin-film substrate 2) formed with the p-Si film 23 is mounted.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ膜２３の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３が形成された透明基板２０（Ｓｉ薄膜基板２）を搭載する可動ステージ１１の裏側から、ｐ−Ｓｉ膜２３へ向けてＬＥＤ１２によって、照射光Ｌoutを照射する。 - 特許庁

And gate voltage of the (p)channel transistor 2 is set to threshold voltage Vtp at which the (p)channel transistor 2 becomes an off-state in the vicinity of a boundary state of an on-state and an off-state utilizing the threshold voltage Vtp of the (p) channel transistor 2.例文帳に追加

そして、ｐチャネルトランジスタ２のゲート電圧は、ｐチャネルトランジスタ２のしきい値電圧Ｖｔｐを利用して、ｐチャネルトランジスタ２がオン状態とオフ状態との境界状態の近傍のオフ状態となるしきい値電圧Ｖｔｐに設定される。 - 特許庁

Under the first sidewall 25 in the n-type well region 11, a p-type lightly-doped layer 23 is formed, while a p-type heavily-doped layer 28 is formed on the outside of the p-type lightly-doped layer.例文帳に追加

ｎ型ウェル領域１１における第１のサイドウォール２５の下側にはｐ型低濃度不純物層２３が形成されていると共に、該ｐ型低濃度不純物層２３の外側にはｐ型高濃度不純物層２８が形成されている。 - 特許庁

The solid state image sensor 10 has such a structure as a P type semiconductor layer 1, an N type semiconductor layer 2, a P type semiconductor layer 3, and an N type semiconductor layer 4 are laid sequentially in layers from the surface of a P type semiconductor substrate 5 toward the inside thereof.例文帳に追加

固体撮像素子１０は、Ｐ型半導体基板５の表面からその内部に向かって、Ｐ型半導体層１、Ｎ型半導体層２、Ｐ型半導体層３、Ｎ型半導体層４がこの順に重層された構造となっている。 - 特許庁

The light emitting element 1 has an emission layer part where a p-type clad layer 2, an active layer 33 and an n-type clad layer 34 are formed sequentially in this order and the p-type clad layer 2 comprises a p-type MgxZn1-xO layer (0<x≤1).例文帳に追加

発光素子１は、ｐ型クラッド層２、活性層３３及びｎ型クラッド層３４がこの順序にて積層された発光層部を有し、かつｐ型クラッド層２がｐ型Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（ただし、０＜ｘ≦１）層からなる。 - 特許庁

The pipe jacking method is applicable to the case where a new pipe line is arranged in a sheath pipe P' by inserting an insertion port 1 of a pipe P into a socket 2 of a preceding pipe P and connecting the pipes together via a jacking force transmission member 8 formed of honeycomb cores, while ensuring an expansion margin at a joint portion.例文帳に追加

挿し口１を先行する管Ｐの受口２にハニカムコアからなる推進力伝達材８を介在して継手部には伸縮代をもって挿入して継合わせつつさや管Ｐ’内に管路を新設する推進工法である。 - 特許庁

A parasitic pnp transistor is arranged where p-type emitters 27 and 28 are formed in the n-type well 12 at a position near the ends of the p-type well 13, the n-type well 12 is set to be a base, and the p-type well 13 to be the collector and the base is connected to the Vdd terminal 3.例文帳に追加

ｐ型ウェル１３の端部に近い位置でｎ型ウェル１２内にｐ型エミッタ２７，２８が形成され、ｎ型ウェル１２をベース、ｐ型ウェル１３をコレクタとし、ベースがＶｄｄ端子３に接続された寄生ｐｎｐトランジスタが設けられる。 - 特許庁

The action of placing the substance P to be treated on the vacant placement position in condition that at least one placement position is vacant, and next, taking out the substance P to be treated at the point of time when the treatment time has passed out of the substances P to be treated placed on the support 3 is repeated.例文帳に追加

少なくとも１つの載置位置が空である状態において、空の載置位置に被処理物Ｐを載置し、次に支持台３に載置されている被処理物Ｐのうち処理時間が経過した時点で被処理物Ｐを取り出すことを繰り返す。 - 特許庁

Parallel data outputted from an S/P conversion circuit 12 in a 1st S/P conversion section 1 are outputted synchronously with a 1 system frame pulse signal, and a 2nd S/P conversion section 2 outputs parallel data synchronously with a 2 system frame pulse signal.例文帳に追加

第１のＳ／Ｐ変換部１でＳ／Ｐ変換回路１２から出力されたパラレルデータ１７は１系フレームパルス信号に同期して出力され、第２のＳ／Ｐ変換部２からも２系フレームパルス信号に同期してパラレルデータが出力される。 - 特許庁

A dust removing filter U can separate dust from the inside of the waste water flowing in the drainage ditch P from the opening part Po of the drainage ditch P, and is detachably installed on the lower side more than the water permeable groove cover T on an inner wall of the drainage ditch P.例文帳に追加

排水溝Ｐの内壁には、透水性の溝蓋Ｔよりも下側において、該排水溝Ｐの開口部Ｐｏより排水溝Ｐ内に流れ込む排水中より塵埃を分離し得る塵埃取り用濾過具Ｕが着脱可能に装着される。 - 特許庁

To prevent diffusion of boron frame a p-type polysilicon film and penetration through a gate oxide film and to stabilize the characteristics of a P-channel MOS transistor, when polysilicon film is contained in the gate electrode of the P-channel MOS transistor and the polysilicon film coexists with a silicon nitride film.例文帳に追加

ＰＭＯＳのゲート電極７にｐ型ポリシリコン膜５が含まれ、かつ窒化シリコン膜１３と共存する場合に、該ｐ型ポリシリコン膜５からのホウ素の拡散やゲート酸化膜４の突抜けを防止し、ＰＭＯＳ特性を安定化させる。 - 特許庁