「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

The plug body 1 is mounted on the adapter P, by moving the slider 13 in the direction of the adapter P, wherein the release lever 11 is moved downward by the guide of the adapter P together with the engaging piece 12, and the engaging piece 12 and the adapter P are engaged.例文帳に追加

プラグ本体１は、アダプタＰへの装着時にスライダ１３をアダプタＰ方向に移動することで、解除レバー１１は、係止片１２と共にアダプタＰのガイドによって下方へ変位し、係止片１２とアダプタＰが係合可能となる。 - 特許庁

A p-type GaN layer 10 is stacked on an n^- type GaN layer 6, an aperture 28 penetrating through the p-type GaN layer 10 is formed on the p-type GaN layer 10, and an n-type GaN layer 26 is filled in the aperture 28.例文帳に追加

ｎ^−型のＧａＮ層６にp型のＧａＮ層１０が積層されており、ｐ型のＧａＮ層１０にｐ型のＧａＮ層１０を貫通するアパーチャー２８が形成されており、そのアパーチャー２８にｎ型のＧａＮ層２６が充填されている。 - 特許庁

In the high voltage resistant p-channel MOS transistor formed on an SOI substrate, p^+-source regions 8, an n-type body region 4, and an n^+-body/contact diffusion region 10 are surrounded by a p^+-drain region 9 and a p-type drift region 5.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に形成される高耐圧ＰｃｈＭＯＳトランジスタであって、Ｐ^＋ソース領域８、Ｎ型ボディ領域４およびＮ^＋ボディ・コンタクト拡散領域１０を、Ｐ^＋ドレイン領域９およびＰ型ドリフト領域５で包囲している。 - 特許庁

The front edge part PA of the paper P in the carrying direction is obliquely brought into contact with the blade, and the paper P passes by the blade 160 while gradually increasing the contact area, then, a shock applied on the paper P when the paper P comes into contact with the blade 160 is reduced, then, the paper smoothly passes through.例文帳に追加

ペーパーＰの搬送方向前縁部分ＰＡは、斜めに接触してから除々にその接触面積を増しながらブレード１６０を通過するので、ブレード１６０に当接するときのショックも少なく、スムーズに通過することができる。 - 特許庁

Since the second P-type high concentration impurity region 6 is brought into contact with the P-type semiconductor substrate 1, the concentration of P-type impurity in the P-type semiconductor substrate 1 is increased, and thereby, the holding voltage of the electrostatic protection element is increased.例文帳に追加

すなわち、第２のＰ型高濃度不純物領域６がＰ型半導体基板１と接触するため、Ｐ型半導体基板１におけるＰ型不純物の濃度が高くなり、従って静電気保護素子の保持電圧が高くなる。 - 特許庁

In the formulae, Mg and P respectively express contents (ppm) as Mg atoms and P atoms of the Mg compound and the P compound to the polyester, and Mg/P is a ratio of the contents of the metal atoms.例文帳に追加

３０．０ ≦ Ｍｇ ≦３００．０ …（Ｉ）Ｍｇ／Ｐ ≦ ３．０ …（ＩＩ）（式中、Ｍｇ、Ｐは基材中のＭｇ化合物、Ｐ化合物のポリエステルに対するＭｇ原子、Ｐ原子としての含有量（ｐｐｍ）を示し、Ｍｇ／Ｐは上記それぞれの金属原子の含有量比を示す。） - 特許庁

P-side ohmic metal electrodes 3A and 3B, P-side barrier metal electrodes 4A and 4B, and P-side bonding metal electrodes 5A and 5B are successively arranged on the P-side (upper side in Figure 1) of a semiconductor crystal 1.例文帳に追加

半導体結晶１のＰ側（図１中の上側）では、半導体結晶１に近い側から順次、Ｐ側オーミックメタル電極部３Ａ，３Ｂ、Ｐ側バリアメタル電極部４Ａ，４ＢおよびＰ側ボンディングメタル電極部５Ａ，５Ｂが配置されている。 - 特許庁

The analog circuit is further provided with a deep n-type well provided in the bottom surface side of the p-type Si substrate 101 nearer than the p-type well 107, and is constituted to separate the bottom surface side of the p-type well 107 and the p-type Si substrate 101.例文帳に追加

アナログ回路は、ｐ型ウェル１０７よりもｐ型Ｓｉ基板１０１の底面側に設けられており、ｐ型ウェル１０７およびｐ型Ｓｉ基板１０１の底面側を隔離するように構成されている、ディープｎ型ウェルを備える。 - 特許庁

In a P-channel MOS transistor 50 having an SOI structure, an element formation region 20 the surrounding of which is isolated by an element isolation region is provided with a gate electrode 7, a P^+ drain layer 8, a P^+ source layer 9, a P^+ source layer 11, and an N^+ layer 10.例文帳に追加

ＳＯＩ構造Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタ５０は、周囲を素子分離領域で分離された素子形成領域２０に、ゲート電極７、Ｐ^＋ドレイン層８、Ｐ^＋ソース層９、Ｐ^＋ソース層１１、及びＮ^＋層１０が設けられる。 - 特許庁

The lead bands 10 are inserted into the plate P with their one ends protruded into holes 11 bored in the plate P, and the lead pins (r) of an optical module M are inserted into the holes 11 provided to the plate P, so as to come into contact with the ends of the lead belts 10 for mounting the optical module M on the plate P.例文帳に追加

そのリード帯１０は穴１１にその一端が突出しており、光モジュールＭのリードピンｒをその穴１１に挿入してリード帯１０の一端に接触させて接続するとともに、光モジュールＭをプレートＰに取付ける。 - 特許庁

The semiconductor layer 3 having a plurality of grooves 2 formed on a surface 6a has the p-type semiconductor regions 40, the n-type semiconductor region 30 formed in a region enclosing the p-type semiconductor region, and an n^+-type cathode region 20.例文帳に追加

表面６ａに複数本の溝２が形成されている半導体層３は、p型半導体領域４０と、そのp型半導体領域を取り囲む領域に形成されているn型半導体領域３０と、n^+型カソード領域２０を有している。 - 特許庁

Integrated fins are arranged in the tube shaft direction on an outer periphery of a copper or copper alloy tube, a ratio H/P of a fin height H and a fin pitch P is at least 1 and less than 4, and the fin height H is 7 mm or less.例文帳に追加

銅または銅合金管の外周に一体のフィンを管軸方向に並設してなり、フイン高さHとフィンピッチPの比、H／Pを１以上４未満とし、フィン高さＨが７ｍｍ以下とする吸着器伝熱管としたことを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device includes at least an n-type cladding layer 2, an active layer 4, a p-type cladding layer 6, and a p-type contact layer 8 stacked in this order on a substrate 1, and further includes a ridge portion 6a including the p-type cladding layer and the p-type contact layer.例文帳に追加

半導体発光素子は、基板１上に少なくともｎ型クラッド層２、活性層４、ｐ型クラッド層６及びｐ型コンタクト層８が順次積層され、ｐ型クラッド層及びｐ型コンタクト層からなるリッジ部６ａを有している。 - 特許庁

The ink jet imaging apparatus records images on the recording paper P when a carriage 16 moves back and forth in a horizontal scanning direction while the recording paper P is transferred between the printing head mounted on the carriage 16 and a platen 14 at the printing part 6.例文帳に追加

インクジェット画像形成装置は、印字部6で、キャリッジ16に搭載された印字ヘッドとプラテン14との間を記録用紙Pが搬送され、キャリッジ16が主走査方向に往復動作することにより記録用紙Pに画像が記録されるものである。 - 特許庁

The exposure method for illuminating a mask M1 with illumination light and exposing the substrate P using the mask pattern of the mask M1 includes scanning the substrate P relative to the mask M1 in a scanning direction which is an in-plane direction of the substrate P, and exposing the substrate P during relative scanning.例文帳に追加

照明光でマスクＭ１を照明し、マスクＭ１のマスクパターンを用いて基板Ｐを露光する露光方法は、基板Ｐを、マスクＭ１に対して基板Ｐの面内方向である走査方向に相対走査させること、相対走査中に基板Ｐを露光することを含む。 - 特許庁

In the number P of pinion rollers 23 juxtaposed along the peripheral direction and the number F of elastic deformation members 25 juxtaposed along the peripheral direction, P≠F/k and P≠k×F are realized to optional 1 or more of integer k, and 2 or more of common divisor also exists in P and F.例文帳に追加

周方向に沿って並べられたピニオンローラ２３の個数Ｐ、及び周方向に沿って並べられた弾性変形部材２５の個数Ｆに関して、Ｐ≠Ｆ／ｋ、且つＰ≠ｋ×Ｆが任意の１以上の整数ｋに対して成立し、さらに、ＰとＦに２以上の公約数が存在する。 - 特許庁

In the number P of pinion rollers 23 juxtaposed along the peripheral direction and the number C of cam rollers 30 juxtaposed along the peripheral direction, P≠C/k and P≠k×C are realized to optional 1 or more of integer k, and 2 or more of common divisor also exists in P and C.例文帳に追加

周方向に沿って並べられたピニオンローラ２３の個数Ｐ、及び周方向に沿って並べられたカムローラ３０の個数Ｃに関して、Ｐ≠Ｃ／ｋ、且つＰ≠ｋ×Ｃが任意の１以上の整数ｋに対して成立し、さらに、ＰとＣに２以上の公約数が存在する。 - 特許庁

The p-type regions 13, in boundary regions with the n-type layer 12, each include a low impurity region 13A having a lower concentration of p-type impurities that exhibit p-type conductivity than a high impurity region 13B, which is a region in the p-type region 13 adjacent to the boundary region.例文帳に追加

ｐ型領域１３は、ｎ型層１２との境界領域において、境界領域に隣接するｐ型領域１３内の領域である高不純物領域１３Ｂよりも導電型がｐ型であるｐ型不純物の濃度の低い低不純物領域１３Ａを含んでいる。 - 特許庁

Accordingly, in forming the color image on the front surface of the recording medium P and forming the black image on the rear surface of the recording medium P, the images are formed on both sides of the recording medium P in a short time only by conveying the recording medium P once, and the first printing time is shortened.例文帳に追加

従って、記録媒体Ｐの表面にカラー画像、裏面にブラック画像を形成する場合には、記録媒体Ｐを１回搬送させるだけで短時間で記録媒体Ｐの両面に形成することが可能となり、ファーストプリントの時間短縮を行なうことが可能となる。 - 特許庁

A P-type high-concentration impurity diffusion layer 130 is provided in the region jointing to the ground wiring 130 of the silicon substrate 10, and a P-type semiconductor diffusion region 160 is provided in the region between the P-type high-concentration impurity diffusion layer 140 and the P-type well region 120.例文帳に追加

シリコン基板１０のグランド配線１３０を接合する領域には、Ｐ型高濃度不純物拡散層１４０が設けられ、このＰ型高濃度不純物拡散層１４０とＰ型ウエル領域１２０との間の領域には、Ｐ型半導体拡散領域１６０が設けられている。 - 特許庁

In a high-frequency switch, constituted of a finger-type MOSFET formed on an Si substrate, a p+-type well contact region 105 for applying a fixed potential to a p-type well 102 is formed in an element isolation layer 101, and a capacitor 109 is formed between the p+ well contact region 105 and the p-type well.例文帳に追加

Ｓｉ基板に形成されたフィンガー型MOSFETからなる高周波スイッチにおいて、ｐ型ウエル１０２に固定電位を与えるｐ＋型ウエルコンタクト領域１０５を素子分離層１０１の中に設け、ｐ＋型ウエルコンタクト領域１０５とｐ型ウエルとの間に容量１０９を設ける。 - 特許庁

A p-body region 203a, a p^+emitter region 203c, and an n^+emitter region 204a are formed in the region 213a, and a p-body region 203c, a p^+emitter region 203d, and an n-hole barrier region 211 are formed in the region 213b.例文帳に追加

半導体領域２１３ａにはｐボディ領域２０３ａ、ｐ＋エミッタ領域２０３ｃ及びｎ＋エミッタ領域２０４ａが形成されており、半導体領域２１３ｂにはｐボディ領域２０３ｃ、ｐ＋エミッタ領域２０３ｄ及びｎ正孔バリア領域２１１が形成されている。 - 特許庁

When the navigation device 1 is stored in a pocket P of a coat or the like of a user, the hook part 1b is hooked on the pocket P, and thereby the casing 1a is hooked, and only the casing 1a is stored in the pocket P, and the hook part 1b is jutted out to the outside of the pocket P.例文帳に追加

ナビゲーション装置１をユーザの上着等のポケットＰに収納すると、フック部１ｂがポケットＰに掛止されることにより、筐体１ａが掛止されて筐体１ａだけがポケットＰに収納され、フック部１ｂはポケットＰの外にはみ出した状態となる。 - 特許庁

In the aligning and feeding device, the selection rotating body 51 is rotated by the transferred parts P in the hook 52, the selection recess 53 of the rotated selection rotating body 51 guides the normal attitude parts P' to the inside, transfers the parts P' by the outside ring plate 2 and eliminates the abnormal attitude parts P" from the outside ring plate 2.例文帳に追加

整列供給装置は、移送されるパーツＰが引掛部５２で選別回転体５１を回転し、回転される選別回転体５１の選別凹部５３が、正常姿勢パーツＰ’を内部に案内して外側リング板２で移送して、非正常姿勢パーツＰ”を外側リング板２から排除する。 - 特許庁

For example, N,N-di-p-tolyl-N',N'-bis(4'-methoxybiphenyl-4-yl)benzidine is demethylated in the presence of boron tribromide to synthesize N,N-di-p-tolyl-N',N'-bis(hydroxybiphenyl-4-yl)benzidine, which is used as a production intermediate and reacted with acryloyl chloride in the presence of triethylamine to produce an acrylic acid ester compound.例文帳に追加

例えば、N,N-ジ-p-トリル-N´,N´-ビス（４´-メトキシビフェニル-４-イル）ベンジジンを三臭化ホウ素の存在下に脱メチル化してN,N-ジ-p-トリル-N´,N´-ビス（４-ヒドロキシビフェニル-４-イル）ベンジジンを合成し、これを製造中間体に用いて塩化アクリロイルとトリエチルアミンの存在下に反応させてアクリル酸エステル化合物とする。 - 特許庁

In the semiconductor layer constituting the percutaneous treatment member layer 10, N type or P type or both N type and P type semiconductor powder is mixed in an adhesive or the like, and a P type semiconductor layer 3, an N type semiconductor layer 5 or the semiconductor layer of mixed N type and P type are stacked.例文帳に追加

経皮治療部材層１０を構成する半導体層は、接着剤等にＮ型またはＰ型または両者混合の半導体パウダーを混入させ、Ｐ型半導体層３、Ｎ型半導体層５、またはＮ型とＰ型とを混合させた半導体層としてこれらを積層する。 - 特許庁

To provide a method for simultaneously producing p-ethylbenzoic acid containing little amount of per p-ethylbanzoic acid and ε-caprolactone in good selectivity in simultaneously producing p-ethylbenzoic acid and ε- caprolactone by co-oxidizing p-ethylbenzaldehyde and cyclohexanone with molecular oxygen.例文帳に追加

Ｐ−エチルベンズアルデヒドとシクロヘキサノンを分子状酸素により共酸化してＰ−エチル安息香酸とε−カプロラクトンを製造するに際して、過Ｐ−エチル安息香酸の含量が少ないＰ−エチル安息香酸およびε—カプロラクトンを選択性良く、同時に製造する方法を提供する。 - 特許庁

There is provided a production method of producing an N,N-dimethylcarbamoylmethyl p-(p-guanidinobenzoyloxy)phenylacetate-hydrochloride by reacting N,N-dimethylcarbamoylmethyl p-hydroxyphenylacetate with p-guanidinobenzoic acid chloride in acetonitrile or a mixture solvent of acetonitrile and ethyl acetate in the presence of a base.例文帳に追加

アセトニトリル、またはアセトニトリルと酢酸エチルとの混合溶媒中で、塩基の存在下、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルメチルｐ−ヒドロキシフェニルアセテートと、ｐ−グアニジノ安息香酸クロリドとを反応させることを特徴とするＮ，Ｎ−ジメチルカルバモイルメチルｐ−（ｐ−グアニジノベンゾイルオキシ）フェニルアセテート・塩酸塩の製造方法。 - 特許庁

In the hybrid type P-to-P file sharing, users wishing to exchange files first download and install P-to-P file sharing software designed for such services and then access the central server in order to obtain information on the shared files, which eventually enable them to exchange files with other users. 例文帳に追加

ハイブリッド型のＰ２Ｐファイル交換においては、ユーザーはファイル交換を行うにあたって、当該サービス専用のＰ２Ｐファイル交換ソフトウェアをダウンロードし、ユーザーのパソコンへインストールした後、中央サーバへアクセスし、交換可能なファイル情報を入手することで、他のユーザーとのファイル交換が可能となる。 - 経済産業省

This base leading-out electrode 13 has a bilayer structure in which a p-type polycrystalline silicon film 13b in which boron is doped in a medium concentration is laminated on a p-type polycrystalline silicon film 13a in which boron is doped in a high concentration.例文帳に追加

ベース引き出し電極１３は、高濃度のホウ素がドープされたｐ型多結晶シリコン膜１３ａの上に中濃度のホウ素がドープされたｐ型多結晶シリコン膜１３ｂを積層した２層構造になっている。 - 特許庁

This heat transfer member is made such that tapes having twisted metallic wire members are laminated in such a way that a tape width W becomes in parallel with a pressing axis P and the tapes are formed while being compressed in a direction of the pressing axis P.例文帳に追加

この伝熱部材は、金属線材を編んだ編成テープを、テープ幅Ｗが押圧軸Ｐと平行になるように集積し、前記押圧軸Ｐ方向に圧縮して成形されている。 - 特許庁

In step S706, a path link angle θ with the path link P which is smaller than β and is not included in the drawing set S is selected among path links in contact with the end point of the path link P.例文帳に追加

ステップＳ７０６では、パスリンクＰの終端に接するパスリンクの中から、パスリンクＰとのパスリンク角度θがβよりも小さく、かつ描画集合Ｓに含まれないものを選択する。 - 特許庁

A p^+-type impurity region 33 is formed in contact with a p-type well 29 in between an NMOS 14 and a PMOS 15 in the upper surface of an n-type impurity region 28.例文帳に追加

ＮＭＯＳ１４とＰＭＯＳ１５との間において、ｎ型不純物領域２８の上面内には、ｐ型ウェル２９に接するようにｐ^＋型不純物領域３３が形成されている。 - 特許庁

In a middle stage where the pull-in force P is slightly enhanced (S4), the slightly enhanced pull-in force P starts to move the wheelchair 2 and gently moves the wheelchair 2 to a fixed area 11.例文帳に追加

引込力Ｐがやや高められた中期段階では（Ｓ４）、やや高められた引込力Ｐによる車椅子２の移動を開始し、車椅子２を緩やかに固定領域１１まで移動する。 - 特許庁

Further, the MOS transistor for controlling its output is so designed as to be formed in a P-type well 23 which is further formed in an N-type well 22 formed in the P-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

そして、その出力制御用のＭＯＳトランジスタを、Ｐ型半導体基板１１に形成されたＮ型ウエル２２内にさらに形成されたＰ型ウエル２３内に、形成するようにした。 - 特許庁

The powdery component (P) is provided in a mixing container (1), and the liquid component (M) is provided in a liquid container (18) by which the liquid component (M) moves to the powdery component (P) in the mixing container (1).例文帳に追加

粉末成分（Ｐ）を混合コンテナ（１）内に備え付け、液体成分（Ｍ）が混合コンテナ（１）内の粉末成分（Ｐ）に移動する液体コンテナ（１８）内に液体成分（Ｍ）を備え付ける。 - 特許庁

The drum 21 holds and conveys the paper sheet P in the state of being brought in contact with one surface of the paper sheet P fed out of the paper re-supply tray 51 and led by the lead-in route 41.例文帳に追加

ドラム２１は、再給紙トレイ５１から送り出され導入経路４１によって導かれた用紙Ｐの一方の面と接触した状態で、用紙Ｐを保持しつつ搬送する。 - 特許庁

Regarding the set conditions, provided that the set condition in the case the plasma treatment conditions are fixed is defined as p, and the set condition in the case the plasma treatment conditions change as q, the set p is included in the set q.例文帳に追加

この設定条件は、プラズマ処理条件が一定の際の設定条件をｐ、プラズマ処理条件が変化する際の設定条件をｑとした場合、ｐ⊂ｑとする。 - 特許庁

The upper die U1 is provided with a projective shaft V extended from the pushing surface P and the tip end part of the shaft part 14 in the caulking member is crushed with the pushing surface P in a state in which the projective shaft V is inserted into the through-hole 16.例文帳に追加

上型Ｕ１は押圧面Ｐから延びる突軸Ｖを備え、突軸Ｖを貫通穴１６に挿通させた状態で押圧面Ｐによりカシメ部材の軸部１４の先端をつぶす。 - 特許庁

In this pusher-barge, a fin (11) mounted in the pusher (P) is engaged with a connecting recessed portion (21) provided in the barge (B) to integrally connect the pusher with the barge, and the fin (10) is capable of vertically rocking around a shaft (12).例文帳に追加

プッシャ(P)に設けたフィン(11)を、バージ(B)に設けた連結凹部(21)に嵌合することにより一体連結可能としたプッシャバージにおいて、前記フィン(10)を軸(12)周りに上下揺動自在とした。 - 特許庁

A phenol novolak resin in which peak strength ratios of o-o/o-p/ p-p bonds determined by 13C-NMR measurement in a resin skeleton have no substantial change even in each molecular weight region, and the Mw is 3,000-20,000.例文帳に追加

^13Ｃ−ＮＭＲ測定により検出される樹脂骨格中のｏ−ｏ／ｏ−ｐ／ｐ−ｐ結合のピーク強度比が、各分子量域においても、比率が実質的に変化することなく、Ｍｗが３０００〜２００００であるフェノールノボラック樹脂。 - 特許庁

In the coating method for coating the substrate P with the liquid material, the liquid material is discharged in the columnar state from the nozzle of a discharge head 1 to apply drawing to the substrate P in a state that the substrate P and the columnar liquid material are connected to coat the substrate P with the liquid material.例文帳に追加

基板Ｐ上に液状体を塗布する塗布方法であって、吐出ヘッド１のノズルから液状体を液柱状に吐出させて、基板Ｐと液柱状の液状体とがつながっている状態で基板Ｐに描画することにより、前記基板Ｐ上に前記液状体を塗布することを特徴とする。 - 特許庁

In an element manufactured in a third crystal growing stage, a dopant is diffused from the p-type cap layer 109 to the p-side clad layer 105, resulting in a clad layer 114 forming a part of the p-side clad layer 105 directly under a mesa clad layer 107 is a p-type one and the clad layer 105 locating around it forms an undoped structure.例文帳に追加

３回の結晶成長により作製された素子は、ｐ型キャップ層１０９からのドーパントの拡散により、ｐ側のクラッド層１０５において、メサ部クラッド層１０７の直下に位置するクラッド層１０５の一部であるクラッド層１１４がｐ型で、その周辺に位置するクラッド層１０５がアンドープの構造となる。 - 特許庁

Since the impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is formed in proximity to the active layer 5; p-type impurities existing in the p-type clad layer 10, the p-type second guide layer 9, etc. can be accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8, thereby preventing the diffusion of the p-type impurities into the active layer 5.例文帳に追加

活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 - 特許庁

A plurality of sets in which a plurality of P type transistors are provided in series are connected together in parallel in the P type semiconductor area, and a plurality of sets in which a plurality of N type transistors are provided in series are connected together in parallel in the N type semiconductor area.例文帳に追加

Ｐ型の半導体領域には、複数のＰ型のトランジスタが直列に設けられた組が複数並列に接続されており、Ｎ型の半導体領域には、複数のＮ型のトランジスタが直列に設けられた組が複数並列に接続される。 - 特許庁