「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

Air is blown from an air blow-out opening 70 to the sheets P piled inside a sheet supply tray 52, and the sheet P is floated in the air.例文帳に追加

シート供給トレイ５２内に積載されたシートＰに、エアー吹出口７０からエアーが吹き付けられ、シートＰが浮揚する。 - 特許庁

An arithmetic part 1 sets permutation information in a permutation information storage part 18 as values P (1) to P (n) showing (n) orders.例文帳に追加

演算部１は、入替情報Ｐをｎ個の順番を示す値Ｐ（１）〜Ｐ（ｎ）として入替情報記憶部１８に設定する。 - 特許庁

The N and P ground layer regions formed in the SOI layer are doped with N-type and P-type dopants to a high concentration level.例文帳に追加

ＳＯＩ層で形成されたＮおよびＰグラウンド層領域に高濃度レベルのＮ型およびＰ型ドーパントをドープする。 - 特許庁

Based on only low-luminance pixels constituting an image of a pupil included in the digital image P of the eye, the digital image P is corrected.例文帳に追加

眼のデジタル画像Ｐに含まれる瞳孔の画像を構成する低輝度ピクセルのみに基づいて、デジタル画像Ｐを補正する。 - 特許庁

Rules 20 to 23, shall apply, mutatis mutandis, to industrial designs and for this purpose the letter “P,” in Rule 23, shall be read as the letter “D.” 例文帳に追加

第20規則乃至第23規則は、意匠に準用され、準用の目的上、第23規則の「P」の文字は「D」の文字と読み替えられる。 - 特許庁

When the device main body 2 is driven, the gas in a poly bag P is sucked, and a solid waste D and the poly bag P are contracted.例文帳に追加

装置本体２を駆動させると、ポリ袋Ｐ内のガスが吸引され、固体廃棄物Ｄとポリ袋Ｐとが収縮する。 - 特許庁

A CU (card unit) connected with a gained point type P machine (game machine) stores the number of game balls usable for a game in the P machine.例文帳に追加

持点式のＰ台（遊技機）と接続されるＣＵ（カードユニット）は、Ｐ台で遊技に使用可能とされる遊技玉数を記憶する。 - 特許庁

The In composition ratio of the p-side well layer is lower than that of all the well layers except for the p-side well layer.例文帳に追加

前記ｐ側井戸層のＩｎ組成比は、前記ｐ側井戸層を除く全ての前記井戸層のＩｎ組成比よりも低い。 - 特許庁

Therefore, the solid particles P fall in a powdery state from the stirring part 13 located above and the solid particles P are mixed with the air current.例文帳に追加

上部に位置する攪拌部１３から固体粒子Ｐが粉体状に落下し、この固体粒子Ｐが気流に混入される。 - 特許庁

A focal point P' is present at a position in line symmetry with the focal point P of the sound beam with the bottom side of the reflection plate 4 as a center line.例文帳に追加

焦点Ｐ´は、反射板４の底面を中心線として音声ビームの焦点Ｐと線対称の位置にある。 - 特許庁

A p well contact region 102 is provided in order to connect an interconnect on the p well 202 on the outer side of the polysilicon 101.例文帳に追加

多結晶シリコン１０１より外側のＰウェル２０２の上に配線を接続するためにＰウェルコンタクト領域１０２がある。 - 特許庁

A p electrode P2 is provided in the remaining region of the upper surface of the laminated body S, and the p electrode is covered with an insulator layer m.例文帳に追加

該積層体Ｓの上面の残された領域にはｐ電極Ｐ２を設け、第ｐ電極を絶縁体層ｍで覆う。 - 特許庁

To provide an antenna device for underground radar having no dead angle in the propelling direction of a drill head P at the tip of an underground excavator.例文帳に追加

地中掘削機の先端部分のドリルヘッド(P) の推進方向に死角を持たない地中レーダ用アンテナ装置を提供する。 - 特許庁

A p^+-type diffusion region 21 constituting the ZD is formed at the center of an element to prevent an increase in total amount of p-type dopants.例文帳に追加

素子中央にＺＤを構成するＰ^+型拡散領域２１を形成し、Ｐ型不純物総量の増加を防いだ。 - 特許庁

In the case of fixing a full color toner image on the continuous paper P by a flash fixing apparatus 52, the continuous paper P thermally expands and contracts.例文帳に追加

フラッシュ定着装置５２で連続紙Ｐにフルカラートナー像を定着させる際、熱によって、連続紙Ｐが伸縮する。 - 特許庁

An operator takes in the photoprints P upon recognizing the full state of plural orders of photoprints P on the conveyor belt 22.例文帳に追加

また、オペレータは、搬送ベルト２２の上が複数オーダーの写真プリントＰで一杯になったことを認知し、写真プリントＰを取り込む。 - 特許庁

The optical semiconductor element has the p-n junction structure in which a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer are laminated.例文帳に追加

この光半導体素子は、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層が積層されたｐｎ接合構造を有している。 - 特許庁

Mute reproduction is, however, performed in the period from the reproduction start position P' to the timing corresponding to the reproduction start position P.例文帳に追加

ただし、この再生開始位置Ｐ’から再生開始位置Ｐに相当するタイミングに至るまでの期間はミュート再生される。 - 特許庁

In some aspects, forming the quantization value includes forming a set of recursive quantization factors with a period P, where A(QP+P)=A(QP)/x.例文帳に追加

量子化値を構成することは、周期Ｐ（ここでＡ（ＱＰ＋Ｐ）＝Ａ（ＱＰ）／ｘである）で再帰的量子化ファクタの組を形成することを含む。 - 特許庁

A genuine amorphous silicon P-I-N photo diode 7 is formed in the cavities 6, which produce an output signal denoting an incident light.例文帳に追加

空洞の中には、真性アモルファスシリコンP-I-Nフォトダイオード７が形成され、入射光を表わす出力信号を生成する。 - 特許庁

The P^---type impurity layer 12 is of the same P-type with a semiconductor substrate 1, but lower in impurity concentration than the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ^−−型不純物層１２は、半導体基板１と同じＰ型であるが、不純物濃度は半導体基板１よりも低い。 - 特許庁

A P^+-type diffusion layer 7 is formed in the surface of the P^--type diffusion layer 5 adjacently to the N^+-type diffusion layer 6.例文帳に追加

Ｐ−型の半導体層５の表面にはＮ＋型の拡散層６に隣接してＰ＋型拡散層７が形成されている。 - 特許庁

Therefore, the misfit dislocation occurs in the vicinity of the interface between the p-type distorted silicon layer 22 and the p-type silicon-germanium layer 24.例文帳に追加

したがって、ｐ型歪シリコン層２２とｐ型シリコン−ゲルマニウム層２４との界面近傍には、ミスフィット転位が発生している。 - 特許庁

A few days ago, we thought that you killed felix soto and cyril nauer in the hopes of solving p versus np yourself someday.例文帳に追加

数日前 フェリックスとシリルを あなたが殺したのは P対NP問題をいつかあなた自身が 解くためだと私たちは 考えた - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

Removes the entry in dictionary p with key key.key must be hashable; if it isn't, TypeError is raised.例文帳に追加

辞書 p から key をキーとするエントリを除去します。 key はハッシュ可能でなければなりません; ハッシュ可能でない場合、 TypeError を送出します。 - Python

Return true if p is a tuple object, but not an instance of a subtype of the tuple type.New in version 2.2.例文帳に追加

p がタプルオブジェクトで、かつタプル型のサブタイプのインスタンスでない場合に真を返します。 バージョン 2.2 で 新たに追加 された仕様です。 - Python

Edges of the p-type semiconductor layers are exposed, so that the parasitic capacitance in the edge of the p-type semiconductor layer will not be formed.例文帳に追加

ｐ型半導体層のエッジ部が露出しているので、ｐ型半導体層のエッジ部分での寄生容量がなくなる。 - 特許庁

Related to the p-type partition region 38b, 3-stage of p-type embedded diffusion unit regions Up are connected mutually in the vertical direction.例文帳に追加

ｐ型の仕切領域３８ｂは３段のｐ型の埋め込み拡散単位領域Ｕ_p を縦方向に相互連結して成る。 - 特許庁

2. Strengthening of consultation system and raising of awareness of importance of making subcontracting fairer (fiscal 2012 budget: included in ¥590 million) (Continuation) (See p. 198.) 例文帳に追加

2 ． 相談体制の強化と下請取引適正化に関する普及啓発【24 年度予算：5.9 億円の内数】（継続）（p.200参照） - 経済産業省

1. Promotion of development and changes of business by building contractors playing leading role in growth strategy (fiscal 2012 budget: ¥1.27 billion) (Continuation) (See p. 215.) 例文帳に追加

1 ． 成長戦略の担い手たる建設産業の育成と事業転換の促進【24年度予算：12.7億円】（継続）（p.222参照） - 経済産業省

Since the impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is formed in proximity to the active layer 5; p-type impurities existing in the p-type clad layer 10, the p-type second guide layer 9, etc. is accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8, thereby preventing the diffusion of the p-type impurities into the active layer 5.例文帳に追加

活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 - 特許庁

In a semiconductor device 30 comprising a plurality of input parts 20da, 20db, output parts 20sa, 20sb, gate parts 20ga, 20gb and ground parts 31 or 32 in a semiconductor substrate 32, a (p) layer 33 is formed in the semiconductor substrate 32 and this (p) layer 33 is connected to the ground parts 31 or 32.例文帳に追加

本発明は半導体基板３２に複数の入力部２０da、２０db、出力部２０sa、２０sb、ゲート部２０ga、２０gbおよびグランド部３１または３２を備えた半導体装置３０において、半導体基板３２にp層３３を形成し、このp層３３をグランド部３１または３２に接続したものである。 - 特許庁

The relation between the distance Y between the second P-type drain diffusion layer 11d and the channel 9 in the first P-type drain diffusion layer 5d and the difference Xj in depth between the second P-type drain diffusion layer 11d and the first P-type drain diffusion layer 5d is expressed in an inequality: Y<Xj.例文帳に追加

第１Ｐ型ドレイン拡散層５ｄにおける第２Ｐ型ドレイン拡散層１１ｄ、チャネル９間の距離Ｙと、第２Ｐ型ドレイン拡散層１１ｄと第１Ｐ型ドレイン拡散層５ｄの深さの差Ｘｊとの間にＹ＜Ｘｊの関係が成り立っている。 - 特許庁

The p-type silicon film 3 has a low-doped layer 31 to which p-type impurities are doped in a low concentration, a high-doped layer 32 to which p-type impurities are doped in a high concentration, and the low-doped layer 33 to which p-type impurities are doped in the low concentration successively from the i-type amorphous silicon film 2 side.例文帳に追加

ｐ型非晶質シリコン膜３は、ｉ型非晶質シリコン膜２側から順にｐ型不純物が低濃度にドープされた低ドープ層３１、ｐ型不純物が高濃度にドープされた高ドープ層３２およびｐ型不純物が低濃度にドープされた低ドープ層３３を有する。 - 特許庁

In the molding apparatus (1), a frame (33) that is positioned around a mold (32) and is movable relative to the mold is contacted with a thermoplastic resin (P) extruded from an extruding machine (12) in a sheet form, and the frame 33 is moved in such a manner that the thermoplastic resin (P) is sagged downward while making contact with the frame (33).例文帳に追加

本実施形態の成形装置（1）は、押出装置（12）からシート状に押し出した熱可塑性樹脂（P）に金型（32）の周囲に位置して当該金型に対して移動可能な型枠（33）を接触させ、熱可塑性樹脂（P）が型枠（33）に接触しながら下方に垂下するように型枠（33）を移動する。 - 特許庁

In this way, P in the brazing material and Fe in the base material are combined together to prevent the formation of a brittle layer caused by Fe-P base compound deteriorating into the mechanical strength on the joined surface.例文帳に追加

これによりロウ材中のＰと母材のＦｅが化合して、接合面に機械的強度の劣るＦｅ−Ｐ系化合物による脆化層の形成を防止する。 - 特許庁

Carrying rollers 38 for horizontally carrying a paper P in processing liquid are installed in tanks, and a slit 106 is formed in a partition wall 104 between the tanks so that the paper P may pass through the slit 106.例文帳に追加

槽内にペーパーＰを処理液内で水平に搬送する搬送ローラ３８を設け、槽間の隔壁１０４にはペーパーＰを通過させるスリット１０６を設ける。 - 特許庁

In a semiconductor memory device 70, each STI (shallow trench isolation) 2 is buried in a first main face (surface) of a semiconductor substrate 1, which is P-type silicon in a word-line direction.例文帳に追加

半導体記憶装置７０では、ワード線方向において、P型シリコンである半導体基板１の第１主面（表面）にＳＴＩ（シャロートレンチアイソレーション）２が埋設される。 - 特許庁

Size sensors S1 to S6 for detecting the sizes of a recording paper P in the longitudinal and lateral directions are installed in the magazine 101 for containing the recording paper P in a paper tray.例文帳に追加

用紙トレイ内の記録紙Ｐを収納する収納部１０１内には記録紙Ｐの縦横のサイズを検出するサイズセンサＳ１〜Ｓ６が設けられている。 - 特許庁

In the first step, a reference value of a joint clearance P in the plurality of substrates 1 is led out based on the measurement result of the joint clearance P in the plurality of substrate 1.例文帳に追加

第一ステップでは、複数の基材１における目地間隔Ｐの測定結果に基づいて、これらの複数の基材１における目地間隔Ｐの基準値を導出する。 - 特許庁

(3) The wet rigidity in longitudinal direction measured in conformity to JIS P 8125 using a sample prepared by the method in accordance to JIS P 8135 is ≥0.4 mN.m.例文帳に追加

（３）ＪＩＳ Ｐ ８１３５に準ずる方法で調整したサンプルを用いて、ＪＩＳ Ｐ ８１２５に準拠して測定された縦方向の湿潤剛度が０．４ｍＮ・ｍ以上である。 - 特許庁

An engaging hole 4 is provided in a position to be matched with a tenon hole 7 provided in the upper framework material b joined to the lower framework material p, in the lower framework material p.例文帳に追加

下側の軸組材ｐに、該下側の軸組材ｐと接合する上側の軸組材ｂに設けたほぞ穴７に一致する位置にして係合穴４を設ける。 - 特許庁

As for the diode, it is possible to use, in addition to a typical p-n diode shown in Fig. 1, an equivalent diode shorted between a transistor base and collector as shown in Fig. 2. 例文帳に追加

このダイオードとしては、図に示す通常のp-nダイオードの他に、図に示されるようなトランジスタのベースとコレクタを短絡した等価ダイオードを用いることもできる。 - 特許庁

In the first press working, a pressed material P having an inside bend radius r_0 in the corner 12 of substantially 0 mm is formed by using a punch 53 having a bend radius Rp in the shoulder part of substantially 0 mm.例文帳に追加

第一のプレス加工では、肩部の曲げ半径Rpが実質的に0mmのパンチ53を用いて、角部12の内側曲げ半径r_0が実質的に0mmであるプレス材Pを形成する。 - 特許庁

A group of heat plates P and P, which are arranged in upper and lower positions of a carrying path L of a twofold postcard X in the heating treatment process, is provided in the state of being vertically movable from a set position.例文帳に追加

加熱処理の工程で二つ折り葉書Ｘの搬送経路Ｌの上下に配置されるヒートプレートＰ、Ｐ群を設定位置から上下可動に設ける。 - 特許庁