「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

A method for producing the alliinase comprises culturing Ensifer adhaerens AMA9794 strain (FERM P-19486), producing alliinase in culture products and collecting the alliinase.例文帳に追加

エンサイファ アドヘレンス(Ensifer adhaerens）AMA9794株（FERM P-19486）を培養し、培養物中にアリイナーゼを産生せしめ、これを採取するアリイナーゼの製造法。 - 特許庁

Thus, the photosensitive material P is bent and then a loop of the photosensitive material P is formed in the loop formation region L.例文帳に追加

すると、感光材料Ｐの腰が折られ、その後は、感光材料Ｐの弛みがループ形成領域Ｌで形成される。 - 特許庁

The azithromycin and the p-gp inhibitor can be administered in combination as one composition, or as separated components.例文帳に追加

アジスロマイシン及びp−gp阻害剤は、一つの組成物中で一緒に又は別個の成分として投与することができる。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-N junction between a p type semiconductor layer 11 and an n type semiconductor layer 12 forms a photodiode.例文帳に追加

ｐ型半導体層１１とｎ型半導体層１２とのＰＮ接合によってフォトダイオードが構成されている。 - 特許庁

From an air blowout device 54, air is sent to sheets P stacked in a sheet feed tray 52 to cause the sheets P to levitate.例文帳に追加

シート供給トレイ５２内に積載されたシートＰに、エアー吹出装置５４からエアーが吹き付けられ、シートＰが浮揚する。 - 特許庁

The attitude selection mechanism 50 is provided with a selection rotary body 51 rotated by the parts P in a transfer path for the parts P.例文帳に追加

姿勢選別機構５０は、パーツＰの移送路にあって、パーツＰで回転される選別回転体５１を備える。 - 特許庁

When a pipe P is inserted in a joint body 10 to screw a fastening member 30, a plurality of clamping rings 40, 50 are contracted in diameter to bite into the pipe P to lock the pipe P in the connected state, and the clamping rings 40, 50 are brought into watertight contact with the pipe P to seal the pipe P.例文帳に追加

パイプＰを継手本体１０に挿入して締付部材３０を螺合すると、複数の締付リング４０，５０が縮径してパイプＰに食い込むことによりパイプＰが接続状態にロックされるとともに、締付リング４０，５０がパイプＰに対して水密状態に密着されることによりシールされる。 - 特許庁

In one p well 211 and the other p well 212, a first n^+ source region 221 to be arranged in the p well 21 and a second n^+ source region 222 extending to the outside of the p well 21 from the inside of the p well 21 are arranged opposite to each other with a channel region 29 in between.例文帳に追加

一方のｐウェル２１１および他方のｐウェル２１２においては、ｐウェル２１の中に配置される第１ｎ^＋ソース領域２２１と、ｐウェル２１の内部からｐウェル２１の外部にまで延在する第２ｎ^＋ソース領域２２２とが、チャネル領域２９を挟んで互いに対向するように配置されている。 - 特許庁

The projections on the plane α of the polarization vectors P in odd-numberth piezoelectric layers counted from the first electrode 121 side orient in the opposite direction from the projections on the plane α of the polarization vectors P in the even-numberth piezoelectric layers counted from the first electrode 121 side.例文帳に追加

各圧電体層における分極ベクトルPの法線１３への射影は同方向であり、第１電極１２１側から数えて奇数番目の圧電体層における分極ベクトルPの面αへの射影は第１電極１２１側から数えて偶数番目の圧電体層における分極ベクトルPの面αへの射影と逆方向である。 - 特許庁

A portal frame 2 connected to a building skeleton P is separately erected from the building skeleton P on a forward position of the large-sized opening section in the building skeleton P.例文帳に追加

建物躯体Ｐにおける大型開口部の前方位置に、建物躯体Ｐに接合された門型枠２が建物躯体Ｐから独立して立設されている。 - 特許庁

The second transposed Bloom filters tbf(p-1)s, tbf(p-2)s are arranged in order of the words, thereby converted into the second transposed Bloom filter row tBF(p)s.例文帳に追加

そして、第２の転置ブルームフィルタｔｂｆ（ｐ−１）ｓ，ｔｂｆ（ｐ−２）ｓをワードの配列順に並べることで、第２の転置ブルームフィルタ列ｔＢＦ（ｐ）ｓに変換される。 - 特許庁

An n type cladding layer 21, an active layer 22, a p type cladding layer 23, a p-side contact layer 24, and a p-side electrode 30 are laminated on a first surface 11 of a substrate 10 in this order.例文帳に追加

基板１０の第１面１１に、ｎ型クラッド層２１，活性層２２，ｐ型クラッド層２３，ｐ側コンタクト層２４およびｐ側電極３０をこの順に積層する。 - 特許庁

In a peripheral region, two p^+-layers 15 are formed from under the surface of a channel p region 6a, and a RESURF p layer 16 is formed outside of it.例文帳に追加

外周領域には、チャネルＰ領域６ａの表面下からＰ＋層１５が２層形成されており、その外側には、リサーフＰ層１６が形成されている。 - 特許庁

In particular, a p-type ZnO nanowire or a p-type ZnO nanosheet can be formed as a p-type ZnO nanostructure by suitably selecting pressure and temperature.例文帳に追加

特に圧力及び温度を適宜選択することにより、ｐ型ＺｎＯナノ構造体として、ｐ型ＺｎＯナノワイヤやｐ型ＺｎＯナノシートを形成することができる。 - 特許庁

A reversely conductive (P-type) P+W layer 4 is formed the surface of an n-type epitaxial layer 2, and the DMOS transistor 70 is formed in the (P+W) layer 4.例文帳に追加

Ｎ型のエピタキシャル層２の表面に逆導電型（Ｐ型）のＰ＋Ｗ層４を形成し、当該Ｐ＋Ｗ層４内にＤＭＯＳトランジスタ７０を形成する。 - 特許庁

A component p_jk permutation means 307 reads information on the matrix P from a matrix P information storage means 306 and permutes the components of the matrix P in descending order.例文帳に追加

成分ｐ_ｊｋ並び替え手段307が、行列Ｐ情報記憶手段306から行列Ｐの情報を読み取り、行列Ｐの各成分を降順に並び替える。 - 特許庁

A record material P in which an image is transferred is conveyed to a fixing device 70, toner on the record material P is heated by electromagnetic waves to be melted and fixed to the record material P.例文帳に追加

画像を転写された記録材Ｐを定着装置７０に搬送し、記録材Ｐ上のトナーを電磁波により加熱、溶融させて記録材Ｐに定着させる。 - 特許庁

The p-type silicon nitride film 3 is formed in contact with the n-type silicon oxide film 2, and the n-type silicon oxide film 2 and p-type silicon nitride film 3 form a p-n junction.例文帳に追加

ｐ型シリコン窒化膜３は、ｎ型シリコン酸化膜２に接して形成され、ｎ型シリコン酸化膜２およびｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ−ｎ接合を形成する。 - 特許庁

The glass pipe 2 and the glass rod 3 are unified while setting the pressure P[kPa] to the atmosphere in the glass pipe 2 so that the pressure P satisfies following relation: -10kPa≤P<0kPa.例文帳に追加

ガラスパイプ２内の大気圧に対する圧力Ｐ［ｋＰａ］を、−１０ｋＰａ≦Ｐ＜０ｋＰａを満たすように設定して、ガラスパイプ２とガラスロッド３との一体化を行う。 - 特許庁

In an n-type well of a p-type semiconductor substrate 1, a p-type diffusion layer 15 functioning as a storage node is so formed as to be connected to a p-type source region 8b.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１のＮ型ウェルにＰ型ソース領域８ｂに接続するようにストレージノードとして機能するＰ型拡散層１５が形成されている。 - 特許庁

P pieces of note numbers n(d1, 1)-n(d1, P) are extracted in order of the magnitude of the effective strength to be arranged on time positions corresponding to respective unit sections on P pieces of tracks.例文帳に追加

実効強度の大きい順にＰ個のノートナンバーｎ（ｄ１，１）〜ｎ（ｄ１，Ｐ）を抽出し、Ｐ個のトラック上の各単位区間に対応する時間位置に配置する。 - 特許庁

Further, in a region between the p^+-type region 5 and the p^++-type region 4 of the photodiode's surface, a p^+-type region 12 was formed whose impurity concentration is medium between the two.例文帳に追加

さらに、フォトダイオード部表面のｐ^+型領域５とｐ^++型領域４との間の領域に不純物濃度が両者の間となるｐ^+型領域12を形成した。 - 特許庁

A subtractor 73 subtracts the mean value MG (P) from a value G (P) of the pixel P of interest in the monotone image G, to output as a differential signal to a correction value calculator 74.例文帳に追加

減算部７３は、単色画像Ｇの注目画素Ｐの値Ｇ（Ｐ）から平均Ｍ_G（Ｐ）を減算し、差分信号として補正値算出部７４に出力する。 - 特許庁

In this steering operation, the steering assist force of the hydraulic P/S device 70 is added, and the operation is conducted by the hydraulic P/S device 70 and the motor-driven P/S device 60(S265).例文帳に追加

この操舵においては、油圧Ｐ／Ｓ装置７０による操舵補助力を追加し、油圧Ｐ／Ｓ装置７０と電動Ｐ／Ｓ装置６０により行なう（Ｓ２６５）。 - 特許庁

A p^+source layer 9 of the p-channelMOS transistor 30 is so formed as to surround the circumference of a p^+drain layer 11, for example, in an elliptical planar shape.例文帳に追加

このｐ−ｃｈＭＯＳトランジスタ３０のｐ+ソース層９は、ｐ+ドレイン層１１の周囲を、たとえば楕円の平面形状で取囲むように形成されている。 - 特許庁

This device is provided with a supporting means for supporting a pipe material P, while rotating the pipe material P in the peripheral direction, and a grinding means for grinding the pipe surface of the pipe material P.例文帳に追加

パイプ表面研削装置は、パイプ材Ｐを周方向に回転させつつ支持する支持手段と、パイプ材Ｐのパイプ表面を研削する研削手段とを備えている。 - 特許庁

When the paper sheets P are delivered in bundle to a paper delivery tray 16, and if no paper sheets P are present on the paper delivery tray 16, one paper sheet is delivered in advance on the paper delivery tray 16, and the paper sheets P are delivered in bundle while the paper sheets P are present on the paper delivery tray 16.例文帳に追加

用紙Ｐを排紙トレイ１６に束排出する時に、排紙トレイ１６上に用紙Ｐが無い場合は、排紙トレイ１６上に予め用紙を１枚排紙し、排紙トレイ１６上に用紙Ｐが有る状態で、用紙Ｐを束排出する。 - 特許庁

The LED is configured in such a manner that the p-type bonding electrode and the p-type GaN-based semiconductor layer do not form an ohmic contact, and the p-type ohmic electrode is not formed substantially under the p-type bonding electrode.例文帳に追加

ｐ型ボンディング電極とｐ型ＧａＮ系半導体層がオーミック接合しないようにするとともに、ｐ型ボンディング電極の下にはｐ型オーミック電極を実質的に形成しないことを特徴とする。 - 特許庁

Accelerations (a(0), a(1), a(2)) corresponding to the positions (0-P(0), P(0)-P(1), P(1) and more) of a motor during movement up to a desired position due to a command for movement are preset in a controller as an acceleration pattern.例文帳に追加

移動指令による目標位置までの移動中のモータの位置（０〜Ｐ（０）、Ｐ（０）〜Ｐ（１）、Ｐ（１）以上）に対応する加速度（ａ（０）、ａ（１）、ａ（２））を加速度パターンとして予め制御装置に設定しておく。 - 特許庁

When a divided area S (P) including the area corresponding to the predictive image P has already been written to the interpolated image buffer 101, a value stored in the divided area S (P) is used to acquire the predictive image P.例文帳に追加

予測画像Ｐに対応した領域を含む分割領域Ｓ（Ｐ）が、すでに補間画像バッファ１０１に書き込まれていた場合、分割領域Ｓ（Ｐ）に格納された値が用いられて予測画像Ｐが獲得される。 - 特許庁

Furthermore, the radius r1 of the liquid droplet (p) in the case that the liquid droplet (p) has a spherical shape is calculated on the basis of the image of the liquid droplet (p) to be substituted for a predetermined operation formula to the volume V1 of the liquid droplet (p).例文帳に追加

更に、この液滴ｐの画像に基づいて該液滴ｐが球体形状であるとした場合の半径ｒ１を求め、これを所定の演算式に代入して液滴ｐの体積Ｖ１を求める。 - 特許庁

The scramble key buffer 61 sets an n-p bit pseudo random number supplied from a random number output device in higher-order n-p bits and combines the n-p bit with a lower-order fixed value to generate an n-bit scramble key.例文帳に追加

スクランブル鍵バッファ６１は、乱数出力器から供給されたｎ−pビットの疑似乱数をレジスタの上位のｎ−ｐビットに設定し、下位の固定値と合わせてｎビットのスクランブル鍵を生成する。 - 特許庁

Preferably, the hole array 12 has an interval P between holes 14 satisfying 250 nm<P<400 nm as an average interval and a diameter D of the hole 14 with respect to the interval P between the holes 14 is in a range of 0.7<D/P<0.85.例文帳に追加

また、ホールアレイ１２は、各ホール１４間の間隔Ｐは２５０ｎｍ＜Ｐ＜４００ｎｍの平均間隔を有し、ホール１４の直径Ｄは各ホール１４間の間隔Ｐに対して０．７＜Ｄ／Ｐ＜０．８５の範囲であることが好ましい。 - 特許庁

In setting an integer, which the arithmetic value y2 of a remainder calculation means 105 can range, to be (p), a storing means 103 holds the value of 2 (p/c) as G (P) with respect to P of 0 to 3 to store by the fixed decimal point format.例文帳に追加

記憶手段１０３は、剰余算手段１０５の演算値ｙ２に対し、とり得る範囲の整数をｐとすると０〜３のＰに対し、２∧（ｐ／ｃ）の値をＧ（Ｐ）として保持し、固定小数点フォーマットで格納する。 - 特許庁

Respectively different memory capacities are provided in providers P, a memory state report is periodically distributed from the providers P to a network NW, and the providers P and requesters R recognize the memory using conditions of the providers P.例文帳に追加

プロバイダＰでそれぞれ異なるメモリ容量を有し、プロバイダＰからネットワークＮＷに定期的にメモリ状態レポートを配信して、プロバイダＰ及びリクエスタＲはプロバイダＰのメモリ使用状況を把握する。 - 特許庁

An n-type substrate 1, n-type buffer layer 2, GRIN-SCH-MQW active layer 3, p-type spacer layer 4, p-type clad layer 6, p-type contact layer 7, and p-side electrode 10 are successively laminated upon an n-side electrode 11 in this order.例文帳に追加

ｎ側電極１１の上にｎ−基板１、ｎ−バッファ層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−スペーサ層４、ｐ−クラッド層６、ｐ−コンタクト層７、ｐ側電極１０の順に積層する。 - 特許庁

A P^+ region halo-P, with which a P^- type impurity is introduced with high concentration, is provided in contact with the source/drain region except for the N^- region 171 of a low concentration extension region, namely, to the lower part of the N^+ region 172.例文帳に追加

低濃度エクステンション領域のＮ^-領域１７１を除いたソース／ドレイン領域、つまりＮ^+領域１７２下部に接触するように、Ｐ型の不純物が高濃度に導入されたＰ^+領域Halo-Pが設けられている。 - 特許庁

Error position polynomial-numerical polynomial arithmetic circuits 2a, 2b, 2c receive the syndrome orderly from the syndrome arithmetic circuit 1 without interruption, and respectively calculate them in parallel by (n/p) clock where (n/p) satisfies a relation of 3×(n/P)≥L>2×(n/P).例文帳に追加

誤り位置多項式・数値多項式演算回路２ａ，２ｂ，２ｃはシンドローム演算回路１から順次、途切れることなくシンドロームを受け取って、それぞれ３×（ｎ／Ｐ）≧Ｌ＞２×（ｎ／Ｐ）クロックで並列に演算する。 - 特許庁

A first and a second polarizing beam splitters 13 and 14, respectively, divide unpolarized light L into p-polarized light P and s-polarized light S1, transmit the p-polarized light P and the unpolarized light L in the same direction, and reflect the s-polarized light S1.例文帳に追加

第１および第２の偏光ビームスプリッタ１３，１４は、無偏光Ｌをｐ偏光Ｐとｓ偏光Ｓ１とに分離するとともに、ｐ偏光Ｐを無偏光Ｌと同方向に透過し、ｓ偏光Ｓ１を反射する。 - 特許庁

Further, in a (p) base region on the bottom of a trench, an n+ source region and a p+ contact region are formed, and a source electrode is connected to an n+ source region and p+ contact region respectively via a source connecting conductor and a p+ connecting conductor.例文帳に追加

また、トレンチ底部のｐベース領域内に、ｎ^+ ソース領域とｐ^+ コンタクト領域とを形成し、ソース電極とｎ^+ ソース領域、ｐ^+ コンタクト領域とをそれぞれソース接続導体、ｐ^+ 接続導体で接続する。 - 特許庁

The p type frame part 30 is formed by p type silicon, the n type inversion part 35 is inverted to an n type in conductivity by impurity and the p+ type electric circuit 36, is further made a p+ type by impurity.例文帳に追加

ｐ型の枠部３０はｐ型シリコンで形成されており、ｎ型の反転部３５は不純物によりｎ型に導電性が反転されており、ｐ^+型の電路３６はさらに不純物によりｐ^+型になっている。 - 特許庁

The post-treatment device comprises a Z-folding device to fold paper sheets P in a Z-shape, a loading surface 14 to temporarily load the paper sheets P thereon, an alignment means to align the paper sheets P, and a pressing means 18 to press the paper sheets P.例文帳に追加

後処理装置は、用紙ＰをＺ折りするＺ折り装置、用紙Ｐを一時的に載置する載置面１４、用紙Ｐの整合を行う整合手段、用紙Ｐを押える押え手段１８などを備える。 - 特許庁

In an epitaxial layer 12, a p-type embedded layer 13 A of the bottom is embeddedly formed and further a p-type connection layer 13B which connects the p-type embedded layer 13 and a p-type base layer 14 is embeddedly formed.例文帳に追加

エピタキシャル層１２には、底部のｐ型埋め込み層１３Ａが埋め込み形成され、更にｐ型埋め込み層１３とｐ型ベース層１４とを接続するｐ−型接続層１３Ｂが埋め込み形成されている。 - 特許庁

Color difference data Cr(n), Cr(n-1), and Cr(n+1) of a target pixel P(n), and pixels P(n-1) and P(n+1) adjoining the target pixel P(n) in a preset color shift direction are obtained.例文帳に追加

注目画素Ｐ（ｎ）と、注目画素Ｐ（ｎ）に対し予め設定された色ずれ方向で隣接する隣接画素Ｐ（ｎ−１）及びＰ（ｎ＋１）との色差データＣｒ（ｎ）、Ｃｒ（ｎ−１）、Ｃｒ（ｎ＋１）を得る。 - 特許庁

In pMOSs 18 and 20, a source region 30 consists of a p+ source region 34 and an LDD region 36 consisting of p-, and a drain region 32 comprises a p+ drain region and an LDD region 40 consisting of p-.例文帳に追加

ｐＭＯＳ１８、２０は、ソース領域３０がｐ^+ ソース領域３４とｐ^- からなるＬＤＤ領域３６とからなり、ドレイン領域３２がｐ^+ ドレイン領域とｐ^- からなるＬＤＤ領域４０とからなっている。 - 特許庁