「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

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A sheet P (2-1) is buffered by carrying a subsequent sheet P (2-1) in the carrying passage 553 corresponding to one post-processing part while a post-processing is performed for a preceding sheet P (1-1) at the other post-processing part among the plurality of post-processing parts performing post-processing for image-formed sheets.例文帳に追加

画像形成されたシートに後処理を施す複数の後処理部のうち、一の後処理部で先行シートP(1-1)に対する後処理が実行されている間、他の後処理部に対応する搬送路553に後続シートP(2-1)を搬送し、シートP(2-1)をバッファリングさせる。 - 特許庁

In the case of a Bloom filter row BF(p) in (C), since a fourth bit and an eighth bit in four Bloom filters bf(p-1) to bf(p-4) are referred to, 8 (=4X2) memory accesses are required.例文帳に追加

（Ｃ）において、ブルームフィルタ列ＢＦ（ｐ）の場合は、４個のブルームフィルタｂｆ（ｐ−１）〜ｂｆ（ｐ−４）内の４ビット目と８ビット目を参照するため、８（＝４×２）のメモリアクセスが必要となる。 - 特許庁

Since the fixing device 80 is arranged in a non-contact state with the paper P, the deformation of the sheet P can be suppressed in comparison with the device wherein fixing is performed in contact with the sheet P.例文帳に追加

ここで、定着装置８０が用紙Ｐと非接触状態で配設されているので、用紙Ｐと接触して定着を行うものに較べて、用紙Ｐの変形を抑えることができる。 - 特許庁

This slitter device is equipped with a transfer means 2 for transferring a board-like body P in the longitudinal direction and a cutting means 3 for cutting the body P on two spots in the longitudinal direction in association with transfer of the board-like body P.例文帳に追加

板状体Ｐを縦向きに移送させる移送手段２と、板状体Ｐの移送に伴って縦方向に向けて二か所で切断する切断手段３とを備えている。 - 特許庁

When skew occurs in a paper sheet P being conveyed, sensors 64, 65 detect the amount of skew in the paper sheet P from the difference of timing when the leading end of the paper sheet P is detected.例文帳に追加

搬送される用紙Ｐにスキューが発生した場合は、センサ６４とセンサ６５とが用紙Ｐの先端を検知するタイミングに差から用紙Ｐの傾き量を検出する。 - 特許庁

Therefore, the P-type contact layer 43 can be enlarged in area, and a contact surface between the P-type contact layer 43 and the P-side electrode 70 can be enlarged in area.例文帳に追加

よって、ｐ型コンタクト層４３の面積を広くすることができ、ｐ型コンタクト層４３とｐ側電極７０との接触面積を広くすることができる。 - 特許庁

The stage part 231 supported in cantilever by the other leads P(1)-P(12) in a mold is held at a fixed position by the holding lead P(13).例文帳に追加

保持用リードＰ（１３）によって、成形型内において他のリードＰ（１）〜Ｐ（１２）によって片持ち状態で支持されているステージ部分２３１が定まった位置に保持される。 - 特許庁

Magnetic flux (a) generated from the magnet 12 in the sensor P passing through the pole piece 11 toward sensor rotor 22, and returns to the magnet 12 in the sensor P after passed through the sensor rotor 22.例文帳に追加

センサＰ内の磁石１２から生じた磁束ａは、ポールピース１１を通ってセンサロータ２２に向かい、そのセンサロータ２２を通過してセンサP内の磁石１２に戻る。 - 特許庁

To provide an excimer laser annealing method(ELA) for obtaining a p-Si good in crystallinity in the ELA for forming the p-Si for p-Si TFT LCDs.例文帳に追加

ｐ−ＳｉＴＦＴＬＣＤのｐ−Ｓｉを形成するエキシマレーザーアニール(ＥＬＡ)において、結晶性の良好なｐ−Ｓｉを得るためのＥＬＡを提供する。 - 特許庁

To prevent increase in the resistance in the neighborhood of a re-grown interface, when regrowing a p-type semiconductor layer that includes P and with a p-type semiconductor device as a base.例文帳に追加

Ｐを含むおよびｐ型の半導体装置を下地としてｐ型の半導体層を再成長する際に、再成長界面付近の抵抗値の増大を防止する。 - 特許庁

The pick-up roller 31 in the first contact position is brought in contact with one surface of the paper sheet P so as to feed the paper sheet P from the paper supply tray 11, and a drum 21 holds and conveys the paper sheet P in the state of being brought in contact with the one surface of the paper sheet P.例文帳に追加

ピックアップローラ３１は、第１接触位置において、用紙Ｐの他方の面に接触しその用紙Ｐを給紙トレイ１１から送り出し、ドラム２１が当該用紙Ｐの他方の面と接触した状態で保持しつつ搬送する。 - 特許庁

The paper feed belts 43 are plurally arranged in parallel in the width direction of the paper P.例文帳に追加

該給紙ベルト４３…を用紙Ｐの幅方向に複数本並設される。 - 特許庁

In response to a gate electrode 15, a p-type layer 26a made of p-type AlGaAs is buried in the first barrier layer 24, and a p-type contact layer 26b made of p-type GaAs is buried in the surface layer 25.例文帳に追加

ゲート電極１５に対応してＡｐ型ｌＧａＡｓよりなるｐ型層２６ａを第１の障壁層２４に埋め込んで形成し、ｐ型ＧａＡｓよりなるｐ型コンタクト層２６ｂを表面層２５に埋め込んで形成する。 - 特許庁

In the case of according to a Diffie-Hellman type key exchange system, the exchange keys α and Z of the computers 1-A, 1-C become gamod p and gzmod p, and the group secret keys calculated by the computers 1-A, 1-C become Zamod p, αzmod p, and become the same value as gazmod p.例文帳に追加

Diffie-Hellman型鍵交換方式に従った場合、計算機1-A,1-Cの交換鍵α,Ｚは、ｇａmod ｐ，ｇｚmod ｐとなり、計算機1-A,1-Cが計算するグループ秘密鍵は、Zａmod ｐ、αzmod ｐとなり、同一値ｇａｚmod ｐとなる。 - 特許庁

The p-electrode 6 is formed of such a material that cannot form ohmic junction between the p-type layer 4 and itself, so that a current does not flow from the p-electrode 6 to a part with which the p-electrode 6 of the p-type layer 4 is in direct contact.例文帳に追加

ｐ電極６は、ｐ型層４との間にオーミック接合が得られない材料で形成されており、ｐ型層４のｐ電極６が直接に接触している部分には、ｐ電極６から電流が流れない。 - 特許庁

The pallet P drawn onto the carrying truck is lifted and the first and second engaging tools 22, 23 of the pallet P are disengaged from the first and second engaging tools 22, 23 of the pallet P in the front-row housing space and the pallet P on the carrying truck is detached from the pallet P in the front-row housing space in the case of leaving.例文帳に追加

出庫時、搬送台車上に引き込んだパレットＰを上昇させてその第１及び第２係合具２２，２３を前列格納スペースのパレットＰの第１及び第２係合具２２，２３から離脱させて搬送台車上のパレットＰを前列格納スペースのパレットＰから切り離す。 - 特許庁

In Fig.(a) and Fig.(b) being an equivalent circuit thereof, p-diffusion is carried out in an n-well (n-type well) 220 of a p-type substrate 210 to form p-n-p structures 230 and 240 (refer to right and left rectangles in the well) by utilizing the p-type substrate under the n-well 220.例文帳に追加

（ａ）とその等価回路である（ｂ）において、ｐ型基板２１０のｎ−ｗｅｌｌ（ｎ型ウエル）２２０内にｐ拡散を行い、ｎ−ｗｅｌｌ２２０の下のｐ型基板を利用してｐ−ｎ−ｐ構造２３０，２４０(ウエル内の左と右の長方形参照）を作る。 - 特許庁

The pellet, having a thickness between 0.05 and 1 mm, forms a colorless transparent protective film comprising Sn-30 to 50 at% O-5 to 15 at% P or Sn-10 to 30 at% In-40 to 60 at% O-5 to 15 at% P, on the surface of a lead-free solder alloy including Sn as a principal component when heated for soldering.例文帳に追加

Sn主成分の鉛フリーはんだ合金の表面に無色透明のSn-30〜50at%O−5〜15at%PやSn-10〜30at%In-40〜60at%O−5〜15at%Pからなる保護膜をはんだ付け加熱時に形成するペレットであり、厚さが0.05〜1mmである。 - 特許庁

In an output buffer circuit 31, the source of a P-channel MOS transistor M4 is connected to the gate of an N-channel MOS transistor M6 in a push-pull circuit 15, and the N-channel MOS transistor M6 is driven by an output from the source of the P-channel MOS transistor M4.例文帳に追加

出力バッファ回路３１において、PチャネルMOSトランジスタM4のソースは、プッシュプル回路１５のNチャネルMOSトランジスタM6のゲートと接続され、PチャネルMOSトランジスタM4のソース出力によって、NチャネルMOSトランジスタM6が駆動される。 - 特許庁

To obtain a polarized beam splitter having wavelength selectivity that S polarization in a first wavelength band is transmitted and P polarization therein is reflected, and S polarization in a second wavelength band different from the first wavelength band is reflected and the P polarization light therein is transmitted.例文帳に追加

第一波長帯域のS偏光を透過、P偏光を反射、第一波長帯域と異なる第二波長帯域のS偏光を反射、P偏光を透過させる波長選択性のある偏光分離素子を得ること。 - 特許庁

In P-channel TFTs and n-channel TFTs forming an output amplifier for applying a pulse to a gate line in a vertical scanning circuit, the output capability of the P-channel TFTs is reduced to 50% of that of the n-channel TFTs or less.例文帳に追加

垂直走査回路でのゲート線に印加するパルスの出力アンプを形成するPチャネルTFTとｎチャネルTFTで、前記PチャネルTFTの出力能力を前記ｎチャネルTFTの出力能力の５０％以下にする。 - 特許庁

In the exhaust gas cleaning filter 1, when the thickness of the partition wall 2 of the base material 20 is assumed to be t mm and the cell pitch p mm, t and p are in the following relations: 0.35≤t≤0.51, 1.6≤p≤1.8, and t/p^2 ≥0.03.例文帳に追加

排ガス浄化フィルタ１においては、基材２０の多孔質隔壁２の厚さをｔ（ｍｍ）、セルピッチをｐ（ｍｍ）とした場合、０．３５≦ｔ≦０．５１、１．６≦ｐ≦１．８、ｔ／ｐ^2≧０．０３の関係にある。 - 特許庁

A second p base region 26 doped with high density is formed in the inside of the p base region 6, and a p^+ body region 8 and an n^+ source region 9 are selectively formed in the inside of the second p base region 26.例文帳に追加

ｐベース領域６の内部に高濃度にドープされた第２のｐベース領域２６を形成し、この第２のｐベース領域２６の内部に、ｐ^+ボディ領域８とｎ^+ソース領域９を選択的に形成する。 - 特許庁

The erected plate material P is moved as it is supported from below on a lower end surface while the plate material P is maintained in the erected state by injecting fluid A to the plate material P.例文帳に追加

板材Ｐに流体Ａを噴射して板材Ｐを起立状態に維持しておき、起立した板材Ｐを下端面で下支えしながら移動させる。 - 特許庁

During the P(D) mode, when the sum value SUMp(SUMd) for the P(D) mode is a value in an increasing direction and "SUMp(SUMd)-SUMd(SUMp)>A" is satisfied, the injection mode is fixed to the P(D) mode.例文帳に追加

Ｐ（Ｄ）モード時、Ｐ（Ｄ）モード用の総和値SUMp（SUMd）が増量方向の値で且つ「SUMp（SUMd）−SUMd（SUMp）＞Ａ」が成立する場合、噴射モードがＰ（Ｄ）モードに固定される。 - 特許庁

In the effective part 71, the distance from a center P (C) to an X-axis end P (H_0) is defined as H_0, and the distance from a diagonal axis end P (D_0) to the X axis is defined as D_0.例文帳に追加

有効部内において、中心Ｐ（Ｃ）からＸ軸端Ｐ（Ｈ_0）までの距離をＨ_0、対角軸端Ｐ（Ｄ_0）からＸ軸までの距離をＤ_0とする。 - 特許庁

An aligning and feeding device aligns the parts P in a specified direction by an attitude selection mechanism 50 and discharges the parts P, while transferring the parts P by a moving mechanism.例文帳に追加

パーツの整列供給装置は、パーツＰを移送機構で移送しながら、姿勢選別機構５０で特定の方向に整列して排出する。 - 特許庁

With the user device 2, the image is outputted as the printed material P, and, on ordering, the user fills in the printed material P with a necessary item, and sends back the printed material P.例文帳に追加

ユーザ装置２ではこれを印刷物Ｐとして出力し、注文する場合にはユーザが当該印刷物Ｐに必要な事項を記入して返送する。 - 特許庁

In the case of (B), a second transposed Bloom filter row tBF(p)s is composed of c=2 transposed Bloom filters, tbf(p-1)s, tbf(p-2)s.例文帳に追加

（Ｂ）の場合、第２の転置ブルームフィルタ列ｔＢＦ（ｐ）ｓは、ｃ＝２個の転置ブルームフィルタｔｂｆ（ｐ−１）ｓ，ｔｂｆ（ｐ−２）ｓにより構成される。 - 特許庁

In order to obtain maximum life, the semiconductor laser is pulse-driven at an output P satisfying P=ηI0/(r-1) and at a duty ratio of β=P0/P.例文帳に追加

最大寿命を得る場合には、Ｐ＝ηＩ_0 ／（ｒ−１）を満たす出力Ｐで、かつ、β＝Ｐ_0 ／Ｐなるデューティ比で半導体レーザをパルス駆動する。 - 特許庁

This hinge 2 includes a pivot P, the first and second blades 3 and 4 capable of rotating on the pivot P, and a knuckle pipe 15 which is elongated in the direction of the pivot P.例文帳に追加

枢軸Ｐと、枢軸Ｐを中心として旋回可能な第１及び第２羽根３，４と、枢軸Ｐ方向へ延びるナックル管１５とを含む蝶番２。 - 特許庁

A p-type AlAs layer 165 which always gives a strain in a constant amount is inserted between a p-type clad layer 150 and a p-type heterobuffer layer 160.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１５０とｐ型ヘテロバッファ層１６０の間に、常に一定量の歪みを与えるｐ型ＡｌＡｓ層１６５を挿入する。 - 特許庁

The active pixel sensor including an N well 14 of n-type silicon and a P well 22 of p-type silicon formed on a p-type silicon substrate 10 is formed in the N well.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１０に形成されたｎ型シリコンのＮウェル１４、およびｐ型シリコンのＰウェル２２を含む能動画素センサを、Ｎウェルに形成する。 - 特許庁

A P-type flat initial impurity profile is kept in a P-type region 21a of the P-type semiconductor substrate 21 present above the N diffusion layer 35.例文帳に追加

Ｎ拡散層３５の上部に存在するＰ型半導体基板２１のＰ領域２１ａではＰ型の平坦な初期不純物プロファイルが維持されている。 - 特許庁

A liquid A is injected to the tabular material P to maintain the tabular material P in an erected state, and the erected tabular material P is supported from below at the lower end face and simultaneously moved.例文帳に追加

板材Ｐに液体Ａを噴射して板材Ｐを起立状態に維持しておき、起立した板材Ｐを下端面で下支えしながら移動させる。 - 特許庁

The NMOS transistors T1 and T2 are arranged in a P conductivity-type well, and the P conductivity-type well is arranged on a P conductivity-type substrate.例文帳に追加

ＮＭＯＳ型のトランジスタ（Ｔ１，Ｔ２）はｐ導電型のウエル（Ｗｐ）に配置されており、このウエル（Ｗｐ）はｐ導電型の基板（Ｓｐ）に配置されている。 - 特許庁

A second p-type clad layer 16 is formed in the laser on the first p-type clad layer 13, and has higher carrier concentration than the p-type current block layer 14.例文帳に追加

第２ｐ型クラッド層１６は、第１ｐ型クラッド層１３上のレーザ部に形成され、ｐ型電流ブロック層１４よりも高いキャリア濃度を有する。 - 特許庁

The center part of the second p-clad layer 6 is removed by wet etching by a mask pattern in accordance with the outline of a p electrode 8 to expose the first p-clad layer 5.例文帳に追加

第２ｐクラッド層６の中央部を、ｐ電極８の輪郭に合わせたマスクパターンによるウェットエッチングで除去して、第１ｐクラッド層５を露出させる。 - 特許庁

The method for purifying p-phenylenediamine includes a process for distilling crude p-phenylenediamine in the presence of a reducing inorganic compound to obtain p-phenylenediamine.例文帳に追加

還元性無機化合物の存在下、粗ｐ−フェニレンジアミンを蒸留してｐ−フェニレンジアミンを得る工程を有するｐ−フェニレンジアミンの精製方法である。 - 特許庁

To provide a laser diode epitaxial wafer wherein p-type carrier concentration in a p-type AlGaInP cladding layer is uniform and diffusion of p-type impurities is reduced.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層中のｐ型キャリア濃度が均一でｐ型不純物の拡散が少ないレーザダイオード用エピタキシャルウエハを提供する。 - 特許庁

In a p-type clad layer 16, a first p-type clad layer 16A comprising a single layer, and a second p-type clad layer 16B comprising a superlattice structure are formed.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１６内に、単層からなる第１ｐ型クラッド層１６Ａと、超格子構造からなる第２ｐ型クラッド層１６Ｂが設けられている。 - 特許庁

P-side control electrodes 21A and 21B are provided independent of the p-side main electrode 21 on both sides in widthwise direction of the p-side main electrode 21.例文帳に追加

ｐ側主電極２１の幅方向両側には、ｐ側主電極２１とは独立してｐ側制御電極２１Ａ，２１Ｂが設けられている。 - 特許庁

This device has a memory cell array formed in a pocket P well region.例文帳に追加

ポケットＰウェル領域に形成されたメモリセルアレイを有する。 - 特許庁

A capacitor 5 is connected in series with the P-channel transistor 3.例文帳に追加

キャパシタ５は、Ｐチャネルトランジスタ３に直列接続されている。 - 特許庁