「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

When P picture is detected in ST1, the signal quantity Kp of the P picture is calculated in ST2.例文帳に追加

ＳＴ１で、Ｐピクチャを検出したときにはＳＴ２で、このＰピクチャの信号量Ｋpを算出する。 - 特許庁

A P+ layer 103 is formed in a position facing the outer circular part of the P+ layer 102 in a second face.例文帳に追加

また、第２の面におけるＰ^+層１０２の外環部と対向する位置にもＰ^+層１０３を形成する。 - 特許庁

An N well 12 is formed in a P type silicon substrate 10 and a P well 14 is formed in the N well.例文帳に追加

Ｐ型シリコンの基板１０にＮウェル１２が形成され、ＮウェルにＰウェル１４が形成される。 - 特許庁

It is proved that a conjugate set of ω, which gives f(ω)=0 is included in the normal basis in the extension GF (PP), with respect to an irreducible polynomial of degree P, given by f(x)=xP-xP^-1+1 on the GF (P).例文帳に追加

ＧＦ（Ｐ）上のＰ次既約多項式ｆ（ｘ）＝ｘ^P −ｘ^P-1 ＋１において, ｆ（ω）＝０となるωの共役集合が拡大体ＧＦ（Ｐ^P ）において正規基底に含まれることを立証した。 - 特許庁

In an upper layer of the P-type region 7a, a P-type doped polysilicon film 12 having an impurity concentration higher than that of the P-type region 7a and equivalent to that of the P-type region 4 is formed in contact with the P-type region 7a.例文帳に追加

Ｐ型領域７ａの上層には、不純物濃度はＰ型領域７ａより高く、Ｐ型領域４と同程度のＰ型ドープトポリシリコン膜１２がＰ型領域７ａに接触して形成されている。 - 特許庁

When the pipe inserting implement 1 is inserted into the pipe P, a plate spring 4 is elastically deformed in the pipe P, and a filter 2 is secured in the pipe P.例文帳に追加

パイプ挿入具１をパイプＰ内に挿入すると、パイプＰ内で板バネ４が弾性変形して、フィルタ２がパイプＰ内で固定される。 - 特許庁

The p-type GaAs single crystal has an average dislocation density of ≤100/cm^-2 and contains Si, Zn, B and In as dopants.例文帳に追加

本発明のp型GaAs単結晶は、平均転位密度100cm^-2以下のp型GaAs単結晶であって、ドーパントとして、Si，Zn，B，及びInを含有することを特徴とする。 - 特許庁

This p-well 14' is connected to the p-type semiconductor substrate 22 via the p-well 25 in order to be at the stable zero potential.例文帳に追加

このＰウェル１４’は、安定したゼロ電位をとるために、Ｐウェル２５を介して、Ｐ型半導体基板２２に接続されている。 - 特許庁

This p-well 13' is connected to a p-type semiconductor substrate 22 via a p-well 25 in order to be at the stable zero potential.例文帳に追加

このＰウェル１３’は、安定したゼロ電位をとるために、Ｐウェル２５を介して、Ｐ型半導体基板２２に接続されている。 - 特許庁

The attachment surface 7 is formed in a concave shape, to be in contact with the pipe material P at positions away from each other in the peripheral direction of the pipe material P.例文帳に追加

装着面７は、パイプ材Ｐの周方向に離間した位置でパイプ材Ｐに接する凹形状をなす。 - 特許庁

As for waveform data W(p) of performance strength (mp) and performance strength (p), which are weaker than the waveform (mf), an attack section waveform data Wa(mp) and an attack section waveform data Wa(p) which are created by similar attack waveform creation processing B and C, are stored in the waveform memory 23.例文帳に追加

演奏強度(mf)より弱い演奏強度(mp)、演奏強度(p)の波形データW(p)については、同様のアタック波形作成処理Ｂ、Ｃを行う作成したアタック部波形データWa(mp)、アタック部波形データWa(p)を波形メモリ２３に記憶する。 - 特許庁

In the expression (6), p is the number of the processors; τ(p) is a processing time when it is executed by the processors of a number p; and γ_i(p) is a processing time of a portion wherein parallel calculation is performed by the i-th processor (wherein, 1≤i≤p, and p is the number of the processors).例文帳に追加

ただし、ｐはプロセッサ数、τ（ｐ）はプロセッサ数ｐで実行したときの処理時間，γ_ｉ（ｐ）はプロセッサ数ｐでｉ（１≦ｉ≦ｐ）番目のプロセッサで並列計算が行なわれている部分の処理時間である。 - 特許庁

In the second press working, the pressed body F having the corner 22 of R≤t by using a stepped punch 55 for pressing the end faces 11e in the sidewalls 11 of the pressed body P and the inside corner 12i of the pressed material P.例文帳に追加

第二のプレス加工では、プレス材Pの側壁部11の端面11eとプレス材Pの内角部12iとを押圧する段差パンチ55を用いて、R≦tの角部22を有するプレス体Fを形成する。 - 特許庁

The determination unit determines whether the predetermined TA is for the P-NW by checking a common identification information which is common to P-NWs in information included in the broadcast information.例文帳に追加

判定手段は、報知情報に含まれる情報の中で、P-NWに共通する共通識別情報を確認することで、特定されたTAがP-NW用のものであるか否かを判別する。 - 特許庁

A solar battery 10 is constituted by laminating an upper cell 12 stacking an n+-layer, a p-layer, and a p+-layer upon a lower cell 14 in which n+-layers and p+-layers are arranged in the lower section of a p-layer along the rear surface of the cell 14.例文帳に追加

ｎ^+層、ｐ層、ｐ^+層で構成された上部セル１２とｐ層の下部に裏面に沿ってｎ^+層とｐ^+層を並べた下部セル１４とを積層し太陽電池１０とする。 - 特許庁

To obtain a polarized beam splitter having wavelength selectivity that S polarization in a blue wavelength band is transmitted and P polarization therein is reflected, and S polarization in a red wavelength band is reflected and the P polarization therein is transmitted.例文帳に追加

青波長帯域のS偏光を透過、P偏光を反射、赤波長帯域のS偏光を反射、P偏光を透過させる波長選択性のある偏光分離素子を得ること。 - 特許庁

A pilot lamp P is embedded in the main body case 4.例文帳に追加

本体ケース４は、パイロットランプＰを内蔵している。 - 特許庁

The point P is cut in this state.例文帳に追加

この状態で切断予定箇所Ｐが切断される。 - 特許庁

A number of p-type deep layers 10 are arranged in grid patterns.例文帳に追加

ｐ型ディープ層１０を格子状に配置する。 - 特許庁

In the p-type cladding layer 34, C is doped.例文帳に追加

ｐ型クラッド層３４には、Ｃがドーピングされている。 - 特許庁

The M. P.'s are all of a tremble―Shaking in the shoes―at the rumour of dissolution. 例文帳に追加

議員連は解散の噂でぶるぶるものだ - 斎藤和英大辞典

The mantissa part is a function periodical at a period P (P is a constant), the exponent part includes a structure of Be(QP)[i][j]=Be+QP/P by the constant P and the constant Be, and the value of the inverse quantization parameter is doubled in each period P.例文帳に追加

仮数部は周期Ｐ（Ｐは定数）で周期的な関数であり、指数部は、定数Ｐと定数ＢｅによりＢｅ（ＱＰ）［ｉ］［ｊ］＝Ｂｅ＋ＱＰ／Ｐなる構造を有し、逆量子化パラメータは周期Ｐ毎に値が二倍となる。 - 特許庁

An extension Galois field GF (PP) where the same prime P is taken as a characteristic P, and an extension degree m is used in a extension GF (P^m) to realize quick processing.例文帳に追加

ガロア拡大体ＧＦ（Ｐ^m ）において、標数Ｐと拡大次数ｍを同一の素数Ｐとした拡大体ＧＦ（Ｐ^P ）を用いることにより、課題を解決した。 - 特許庁

The tailing pulse TP has a wave form which tails after the short pulse P, and in which voltage V gradually drops over a longer time than the applying time Δt(P) of the short pulse P.例文帳に追加

テーリングパルスＴＰは、短パルスＰの尾を引くような、短パルスＰの印加時間Δt(P)よりも長時間に渡って電圧Vが漸次低下する波形を有している。 - 特許庁

When 0 is substituted for variable P (S602) and a decision is made that a document has been set in an inserter (S603, YES), a decision is further made whether P=0 or not and 1 is substituted for P if P=0 (S604 YES, S605).例文帳に追加

変数Ｐに０を代入し、インサータに書類がセットされていると判定した場合は、Ｐ＝０か否かを判定し、Ｐが０の場合は、Ｐに１を代入する。 - 特許庁

On an n-GaAs substrate 21, an n-AlGaAs clad layer 22, an undoped AlGaAs optical guide layer 23, an undoped active layer 24, an undoped AlGaAs optical guide layer 25, a p-AlGaAs clad layer 25, and a p-GaAs cap layer 27 are in sequence laminated.例文帳に追加

n-GaAs基板21の上に、n-AlGaAsクラッド層22、アンドープAlGaAs光ガイド層23、アンドープ活性層24、アンドープAlGaAs光ガイド層25、p-AlGaAsクラッド層26、p-GaAsキャップ層27を順次積層する。 - 特許庁

Next, a type P- type epitaxial layer 3 is formed at the type P- type semiconductor substrate 1 and a type P+ type embedded contact layer 5 is formed in the type P- type epitaxial layer 3.例文帳に追加

次にＰ−型半導体基板１上にＰ−型エピタキシャル層３を形成し、該Ｐ−型エピタキシャル層３内にＰ＋型埋め込みコンタクト層５を形成する。 - 特許庁

Next, a type P+ type up-diffusing layer 2b that is coupled with the type P+ type embedded contact layer 5 in the P- type epitaxial layer 3 from the P+ type embedded layer 2 is formed.例文帳に追加

次にＰ＋型埋め込み層２からＰ−型エピタキシャル層３内のＰ＋型埋め込みコンタクト層５に連結するＰ＋型這い上がり層２ｂを形成する。 - 特許庁

Furthermore, serial data stored registers 114-116 are fed to the S/P conversion circuit 110 via a P/S conversion circuit 111 in a prescribed timing of a timer circuit 112.例文帳に追加

また、レジスタ１１４〜１１６に記憶されたシリアルデータは、タイマ回路１１２の所定タイミングでP／S変換回路１１１を介してS／P変換回路１１０に送られる。 - 特許庁

As the drive means in the pitch direction, a P magnet and P yoke 29 are fixed to the Y guide base 24, and a P electromagnetic coil is fixed to a P guide base at an opposed position.例文帳に追加

ピッチ方向の駆動手段として、Ｙガイドベース２４にＰマグネット、Ｐヨーク２９が固定され、対向する位置にＰ電磁コイルがＰガイドベースに固定されている。 - 特許庁

The nMOS protection circuit 1g comprises a transistor formation portion 10 and a p^+-type well tap region 30 that are formed in a p-type (second-conductivity-type) well 4 so as to be apart from each other.例文帳に追加

nMOS保護回路１ｇはp型（第２導電型）ウェル４内に互いに離間して形成されているトランジスタ形成部１０とp^+型ウェルタップ領域３０を備えている。 - 特許庁

A point interior-dividing H and G into HP:PG=1:3 is P, a straight line in parallel to the surface of the substrate passing P is L_1, and points intersecting the cross section of the deep color separation picture wall by L_1 are B_1 and B_2.例文帳に追加

HとGをHP:PG=1:3に内分する点をPとし、Pを通り基板表面に平行な直線をL_1とし、L_1が濃色離画壁の断面と交わる点をB_1、B_2とする。 - 特許庁

The element 24 is a p-n diode, constituted of a p-type well and an n+-type diffused region 26 provided in the p-type well and allows negative charges to escape to a p-side substrate.例文帳に追加

第１の保護素子は、ｐウエルと、ｐウエル内に設けられたｎ^+ 拡散領域２６とから構成されたｐｎダイオードであって、負の電荷をｐ側基板に逃がす。 - 特許庁

In the p-type clad layer 25 or p-type buried region 13, the concentration of the p-type dopant of the second part is lower than the concentration of the p-type dopant of the first part.例文帳に追加

ｐ型クラッド層２５及びｐ型埋め込み領域１３の一方において、第２部分のｐ型ドーパントの濃度が第１部分のｐ型ドーパントの濃度より低い。 - 特許庁

By a heat treatment in an hydrogen atmosphere or by the application of a hydrogen plasma, resistances of the portions (H regions) of the p-type AlGaInN cladding layer 6 and the p-type GaN layer 7 are increased.例文帳に追加

次に水素化物雰囲気中での熱処理または水素プラズマ照射を行いp-AlGaInNクラッド層６、p-GaN層７の一部分（Ｈ領域）を高抵抗にする。 - 特許庁

In this screen panel connecting device, a plurality of screen panels P and P are arranged in an endless manner, a connecting pin 4 is arranged between the adjacent screen panels P and P so that the screen panels P and P can be connected to each other, and the connecting member 5 made of an elastic body is interposed along the connecting pin 4 of this connection part.例文帳に追加

複数枚のスクリーンパネルＰ、Ｐをエンドレス状に配設し、この隣接スクリーンパネルＰ、Ｐ間に連結ピン４を配設して連結接続し、この連結接続部の連結ピン４に沿って弾性体製の連結部材５を介在させて構成する。 - 特許庁

For example, p-tolyl-bis(6-methoxy-2-naphthyl)amine is demethylated in the presence of boron tribromide to synthesize p-tolyl-bis(6-hydroxy-3-naphthyl)amine, which is used as a production intermediate and reacted with acryloyl chloride in the presence of triethylamine to produce p-tolyl-bis(6-acryloxy-2-naphthyl)amine.例文帳に追加

例えば、p-トリル-ビス（6-メトキシ-2-ナフチル）アミンを三臭化ホウ素の存在下に脱メチル化してp-トリル-ビス（6-ヒドロキシ-2-ナフチル）アミンを合成し、これを製造中間体に用いて塩化アクリロイルとトリエチルアミンの存在下に反応させてp-トリル-ビス（6-アクリロキシ-2-ナフチル）アミンを製造する。 - 特許庁

This method for producing p,p'-biphenol comprises debutylating a 4,4'-biphenol compound having at least one tert-butyl group in the presence of a debutylating catalyst; wherein at least one compound selected from thiosulfates, sulfites and metal borohydrides is made to act on the crude p,p'- biphenol resulted from the debutylation reaction, or made to coexist in the process of the debutylation reaction.例文帳に追加

脱ブチル触媒の存在下に、少なくとも１個以上のtert-ブチル基を有する4,4'-ビフェノール類を脱ブチル化せしめて、p,p'-ビフェノールを製造するに際して、チオ硫酸類、亜硫酸類、水素化ホウ素金属類から選ばれる少なくとも１種の化合物を、脱ブチル化反応により得られた粗p,p'-ビフェノールに作用させる又は脱ブチル化反応時に共存させることを特徴とするp,p'-ビフェノールの製造法。 - 特許庁

Wherein, [] is the component in the welding material and []p is the component in a steel plate.例文帳に追加

尚、〔〕：溶接材料中の成分、〔〕_p：鋼板中の成分を示す。 - 特許庁

In this way, carrying operation of the paper P in the normal direction or in the reverse direction is performed in a state that the paper P is always stretched.例文帳に追加

このように、正方向または逆方向への用紙Ｐの搬送動作は常にこの用紙Ｐが張られた状態で行われる。 - 特許庁

A (P^+)-type embedded layer 55 in contact with the bottom of the P-type well area 52C is formed, and a MOS transistor is formed in the P-type well area 52C.例文帳に追加

Ｐ型ウエル領域５２Ｃの底部に接するＰ＋型埋め込み層５５を設け、Ｐ型ウエル領域５２Ｃの中にＭＯＳトランジスタを設ける。 - 特許庁

A P-type diffusion region 38 for supplying fixed potential to the p-type well 52 is arranged in the P-type well 52 in the predetermined region.例文帳に追加

Ｐ型ウエル５２に固定電位を供給するためのＰ型拡散領域３８が、前記所定領域においてＰ型ウエル５２中に配置される。 - 特許庁

To position an arc shaped bend pipe P in a certain attitude.例文帳に追加

弧状曲管Ｐを一定の姿勢に位置決めする。 - 特許庁

This plate member P is provided with a void B in its inside.例文帳に追加

プレート部材Ｐは内部に空隙Ｂを有している。 - 特許庁

A double wall unit panel P is connected in the form of a face.例文帳に追加

二重壁ユニットパネルＰにて面状に連結する。 - 特許庁