| 意味 | 例文 |
pattern afterの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3623件
After a black-color pattern 320P and a conductive pattern 314P are formed, the both are baked in a bulk.例文帳に追加
黒色パターン320Pと導電性パターン314Pを形成後、両者を一括焼成する。 - 特許庁
After a left symbol, a middle pattern and a right pattern have started to change (a), they are temporarily stopped a first time.例文帳に追加
左図柄、中図柄及び右図柄を変動開始した後(a)、1回目の仮停止を行う。 - 特許庁
The printed condition of the circuit pattern is inspected after the circuit pattern is printed on a film 4A.例文帳に追加
フィルム4Aに回路パターンを印刷した後、その回路パターンの印刷状態を検査する。 - 特許庁
After completion of ion injection treatment, a resist pattern is subjected to fluorine treatment before the resist pattern is ashed.例文帳に追加
イオン注入処理の終了後、レジストパターンをアッシングする前に、レジストパターンをフッ素処理する。 - 特許庁
To provide a pattern formation method for setting a pattern dimension and a pattern shape after processing to desired values, to provide a pattern formation system, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加
加工後のパターン寸法及びパターン形状を所望の値にするパターン形成方法、パターン形成システム、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To diminish a mask pattern in pattern width after the mask pattern is formed and also to reduce the cost of plant investment which increases with scaling-down of the mask pattern.例文帳に追加
マスクパターンを形成した後にそのパターン幅を縮小化できるようにすると共に、マスクパターンの微細化に伴う設備投資コストを低減できるようにする。 - 特許庁
The resist pattern measuring method measures the true resist pattern with a shrinkage taken into consideration, after determining correctly the line pattern/space pattern, based on the shrinkage amount.例文帳に追加
このシュリンク量により、レジストパターンのLine/Spaceを正しく判別した上でシュリンクを考慮した真の寸法を測定することが可能となる。 - 特許庁
The area relevant to the layout data 6 of the pattern data 2 are replaced with the pattern data 9, and the pattern data 11 after the correction based on the pattern data 3 are formed.例文帳に追加
パターンデータ2のレイアウトデータ6に該当する領域をパターンデータ9に差し替えて、レイアウトデータ3に基づいた修正後のパターンデータ11を作成する。 - 特許庁
Then, mask patterns after correcting are created for every mask pattern by performing pattern correction to the mask patterns using the amount of the pattern correction for every mask pattern.例文帳に追加
そして、前記マスクパターン毎のパターン補正量を用いた前記マスクパターンへのパターン補正を前記マスクパターン毎に行うことにより補正後マスクパターンを作成する。 - 特許庁
The second resolved pattern 10b is formed after forming the first resolved pattern 10a, thus forming the one pattern.例文帳に追加
そして、第1分解パターン10aを形成した後に第2分解パターン10bを形成することで、1つのパターンを形成した。 - 特許庁
After a variation pattern type is determined using a variation pattern type determination table, the variation pattern is determined based on the variation pattern type using the variation pattern determination table.例文帳に追加
加えて、変動パターン種別決定テーブルを用いて変動パターン種別を決定した後、その変動パターン種別に基づき、変動パターン決定テーブルを用いて変動パターンを決定する。 - 特許庁
An auxiliary pattern is then so formed that the pattern shape after exposure is nearly equaled to the design pattern with respect to the sorted gate pattern in an auxiliary pattern forming stage ST04.例文帳に追加
次に、補助パターン生成工程ST04において、選別されたゲートパターンに対して、露光後のパターン形状が設計パターンとほぼ同等となるように補助パターンを生成する。 - 特許庁
The pattern G is set as a pattern which finishes the change 240 seconds after change display is started (after the right of the great hit is terminated) and displays the stopped pattern.例文帳に追加
パターンGは、変動表示を開始してから240秒後(大当り権利消滅後)に変動を終了して停止図柄を表示するパターンとして設定されている。 - 特許庁
After pattern exposure, the barrier film 202 is removed, and the resist film 202 after pattern exposure is developed to form a resist pattern 202a.例文帳に追加
パターン露光を行なった後に、バリア膜202を除去し、さらに、パターン露光が行なわれたレジスト膜202に対して現像を行なってレジストパターン202aを形成する。 - 特許庁
After the final pattern of the first pattern combination is stopped and displayed, the final pattern of a second pattern combination to be the combination of the failures after displaying the ready-for-win in another valid line is stopped and displayed.例文帳に追加
第1の図柄組合せの最終図柄を停止表示させた後、他の有効ラインにおけるリーチ表示後に外れの組合せとなる第2の図柄組合せの最終図柄を停止表示させる。 - 特許庁
To provide a rectangular pattern after post baking by suppressing occurrence of pattern peeling and generation of residue in developing after exposure, and pattern breakage in post baking when forming a pattern with an increased coloring agent content.例文帳に追加
着色剤含有量を高めてパターンを形成する際に、露光後現像時のパターン剥離の発生及び残渣の発生とポストベーク時のパターン崩れを抑制し、ポストベーク後に矩形なパターンを得る。 - 特許庁
An after exposure baking process (temperature cycle) for a substrate is implemented within prescribed hours after pattern transfer.例文帳に追加
基板の露光後ベーク工程(温度サイクル)は、パターン転写後の所定の時間内に実施される。 - 特許庁
After that, it is colored, and then painted with the color for a base after covering the entire pattern with glue. 例文帳に追加
その後で色を挿し、文様全体を糊で覆ってから地の色となる染料につける。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
After that, the servo light controller starts pattern write sequence to a magnetic disk 11.例文帳に追加
その後、磁気ディスク11へのパターン書き込みシーケンスを開始する。 - 特許庁
After forming the circuit pattern 4, unnecessary portions of the seed layer 2 are etched.例文帳に追加
回路パターン4の形成後、不要なシード層2はエッチングされる。 - 特許庁
After the resist is coated on a semiconductor, a pattern is formed by exposure.例文帳に追加
半導体上にレジストを塗布し、露光によりパターンを形成する。 - 特許庁
After then, the patterns are stopped temporarily (3, 4) at the stage of varying one pattern.例文帳に追加
その後、1図柄変動した段階で一旦停止する(3、4)。 - 特許庁
When a correction mask pattern has the required size, no pattern remains after the computer micrographics-macrographics of the difference graphic pattern, and when the correction mask pattern is larger, a pattern remains after the computer micrographics-macrographics of the difference graphic pattern, accordingly inappropriate correction can be detected.例文帳に追加
補正マスクパターンが所望サイズであれば、差分図形パターンを縮小−拡大処理するとパターンが残らず、補正マスクパターンが大きい場合には、差分図形パターンに縮小−拡大処理するとパターンが残るため、不適切な補正を検出可能である。 - 特許庁
When 0.5 sec, e.g. passes after receiving a variation pattern command, a received pattern designation command is checked.例文帳に追加
変動パターンコマンド受信後、例えば0.5秒が経過したら、受信図柄指定コマンドのチェックが行われる。 - 特許庁
The process for forming a resist pattern includes applying the thickening material after forming a resist pattern on its surface.例文帳に追加
レジストパターンを形成後、該パターン表面に前記厚肉化材料を塗布するレジストパターンの製造方法。 - 特許庁
Thus, entirely corrected pattern data showing a layout pattern after correcting the optical proximity effect can be created.例文帳に追加
これにより、光近接効果を補正した後のレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータが生成される。 - 特許庁
To perform pattern inspection of a glass substrate after removing a dead zone of the pattern inspection on both ends of the glass substrate.例文帳に追加
ガラス基板の両端部のパターン検査の不感帯を無くしてガラス基板のパターン検査を行うこと。 - 特許庁
This pattern forming apparatus may also be provided with heating means 28 for removing a dispersant by heating the pattern after removing the solvent.例文帳に追加
溶媒除去後、加熱を行って分散剤を除去する加熱手段28を備えてもよい。 - 特許庁
A first circuit pattern transferred by exposure on a wafer is simulated from the circuit pattern data after designed.例文帳に追加
また設計後の回路パターンデータによってウェハ上に露光される第1回路パターンをシミュレーションする。 - 特許庁
A synchronizing pattern is detected by a synchronizing pattern detection circuit 107 using data 161-165, 261-265 after serial-to-parallel conversion.例文帳に追加
シリアルパラレル変換した後のデータ161〜165、261〜265を用い同期パターン検出回路107で同期パターンを検出する。 - 特許庁
When 0.5 second for instance elapses after receiving a fluctuation pattern command, a received pattern specifying command is checked.例文帳に追加
変動パターンコマンド受信後、例えば0.5秒が経過したら、受信図柄指定コマンドのチェックが行われる。 - 特許庁
After the second photoresist pattern has been removed, a layer to be etched is etched, by using the second hard mask layer pattern.例文帳に追加
第2フォトレジストパターンを除去した後、第2ハードマスク層パターンを用いて、被エッチング層をエッチングする。 - 特許庁
To obtain a precise fine wiring pattern after heating, regardless of whether a photoresist pattern prior to the heating is fine or coarse.例文帳に追加
加熱前のフォトレジストパターンの疎密にかかわらずに加熱後に精密な微細配線パターンを得る。 - 特許庁
After the mold is removed, the polymer pattern is imprinted onto a metal/semiconductor pattern on a substrate.例文帳に追加
モールドを外した後、そのポリマーパターンを基板上の金属/半導体パターンに転写することができる。 - 特許庁
The correction factors are calculated, based on the measured pattern and the DIW pattern, after the pattern matching between which there is no mutual waveforms shift.例文帳に追加
パターンマッチング後の互いに波形のずれがない計測パターンおよびDIWパターンに基づいて補正係数の演算が行われる。 - 特許庁
To provide a pattern dimension calculation method with which the dimension of pattern after processing can be accurately estimated regardless of shapes of pattern.例文帳に追加
パターン形状に関わらずパターンの加工後寸法を精度良く予測することができるパターン寸法算出方法を提供する。 - 特許庁
To provide a game machine allowing a player to confirm stop pattern information and stop pattern data corresponding to the stop pattern information after the event.例文帳に追加
停止図柄情報と、その停止図柄情報に対応した停止図柄用データとを事後に確認可能な遊技機を提供する。 - 特許庁
The first sub pattern is eliminated from the display area when the second sub pattern starts fluctuation after the first sub pattern is stopped and displayed.例文帳に追加
第1副図柄の停止表示後に第2副図柄が変動を開始すると、第1副図柄が表示領域から消去される。 - 特許庁
On the other hand, a woven pattern watermark image 14 after having some woven pattern points removed is generated from a woven pattern watermark image 12 with a document.例文帳に追加
一方、文書付地紋透かし画像12から、一部の地紋点を除去した除去後地紋透かし画像14を生成する。 - 特許庁
A pattern storage section 79 stores an energizing pattern which is formed one pattern after the energizing pattern corresponding to the rotor rotation position where a rotation pulse signal G is generated.例文帳に追加
パターン記憶部79には、回転パルス信号Gが発生されるロータ回転位置に対応する通電パターンよりも1つ後に形成される通電パターンを記憶する。 - 特許庁
The pattern is formed by light-exposure of the pattern to a photosensitive resin applied onto a substrate 1 and developing treatment, and a pattern layer 6 is formed by heating after formation of the pattern.例文帳に追加
基板1上に塗布した感光性樹脂へのパターン露光、及び現像処理によりパターン形成し、パターン形成後の加熱によってパターン層6形成する。 - 特許庁
To solve such a problem of a coded aperture image pickup device that random blur occurs if the aperture pattern is a random pattern, or square blur occurs if the aperture pattern after synthesis is a square pattern.例文帳に追加
符号化開口撮像装置において、開口パターンがランダムパターンであればランダムなボケが、あるいは、合成後の開口パターンが方形であれば方形のボケが発生する。 - 特許庁
After a mold pattern is formed on the first pattern of the floating gate, the first pattern of the floating gate is removed with the mold pattern as a mask for forming the floating gate.例文帳に追加
浮遊ゲートの第1パターン上にモールドパターンを形成した後、モールドパターンをマスクとして露出された浮遊ゲートの第1パターン部分を除去して浮遊ゲートを形成する。 - 特許庁
Synthesized moving picture data are outputted by the similar pattern after the synthesis processing.例文帳に追加
合成処理後、合成動画像データを同様のパターンで出力する。 - 特許庁
After removing the masking layer 13, a circuit pattern 7 is formed.例文帳に追加
そして、マスキング層13を除去してから、回路パターン7を形成する。 - 特許庁
After that, first metal foil is machined for forming a first conductive pattern.例文帳に追加
その後、第1金属箔を加工して第1導体パターンを形成する。 - 特許庁
After the resist pattern is removed, a surface where the wiring is formed is treated in a chemical liquid (62) to remove a residue after the resist pattern is removed.例文帳に追加
レジストパターンの除去後、配線が形成されている表面を薬液(62)で処理することにより、レジストパターン除去後の残渣物を除去する。 - 特許庁
Next, after the formation of the seed film, a resist for wiring pattern is peeled off.例文帳に追加
次いで、シード膜の形成後、配線パターン用レジストの剥離を行う。 - 特許庁
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