「pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(111ページ目) - Weblio英語例文検索

According to this method, the ink 5 remains on only the pattern forming unit 4 and the thin film pattern is formed.例文帳に追加

これにより、パターン形成部４上にのみインク５を残し、薄膜パターンを形成する。 - 特許庁

The input pattern file is a spatial-frequency-restricted representation of the requested device layout pattern.例文帳に追加

入力パターンファイルは、要求デバイスレイアウトパターンの空間周波数制限型表示である。 - 特許庁

To obtain the pattern of a desired dimension in forming the pattern by using a double transfer method.例文帳に追加

２重転写法を用いてパターンを形成する際に、所望の寸法のパターンを得ること。 - 特許庁

PATTERN PROCESSOR, PARTIAL/FULL APERTURE MASK, PATTERN PROCESSING METHOD, AND FABRICATING METHOD OF STENCIL MASK例文帳に追加

パターン処理装置、部分一括アパーチャマスク、パターン処理方法およびステンシルマスクの作製方法 - 特許庁

A test pattern is generated corresponding to a tester model selected by a test pattern generation part 13.例文帳に追加

テストパターン生成部１３で選択されたテスター機種に応じたテストパターンを作成する。 - 特許庁

COATING FORMING AGENT FOR FINER PATTERN AND METHOD FOR FORMING FINE PATTERN BY USING THE SAME例文帳に追加

パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法 - 特許庁

A first coil portion 40 has a first coil pattern portion 41 and a second coil pattern portion 42.例文帳に追加

第１コイル部４０は、第１コイルパターン部４１と、第２コイルパターン部４２とを有している。 - 特許庁

The line width of the transfer pattern on each pattern position of length measuring position recognition is measured (ST104).例文帳に追加

各測長箇所認識パターン位置における転写パターンの線幅を測定する（ST104)。 - 特許庁

SILICON-CONTAINING COMPOSITION FOR FORMING FINE PATTERN, AND METHOD FOR FORMING FINE PATTERN BY USING SAME例文帳に追加

ケイ素含有微細パターン形成用組成物およびそれを用いた微細パターン形成方法 - 特許庁

METHOD FOR PREPARING DRAWING PATTERN, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN AND METHOD FOR CONTROLLING EXPOSURE APPARATUS例文帳に追加

描画パターンの生成方法、レジストパターンの形成方法、及び露光装置の制御方法 - 特許庁

A type of corner lacking in the maze pattern is determined and a right orientation of the maze pattern is obtained.例文帳に追加

迷路パターンの欠けている角のタイプを判定し、迷路パターンの正しい方位を得る。 - 特許庁

The relative arrangement of a pattern next to a standard pattern is determined (S70).例文帳に追加

基準模様の配置に対する次の模様の相対的な配置が決定され（Ｓ７０）。 - 特許庁

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE FILM, PERMANENT PATTERN FORMING METHOD AND PERMANENT PATTERN例文帳に追加

感光性組成物及び感光性フィルム、並びに永久パターン形成方法及び永久パターン - 特許庁

CURABLE SILICONE COMPOSITION FOR NEGATIVE PATTERN FORMATION AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

ネガ型パターン形成用硬化性シリコーン組成物、及びこれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR PATTERN INSPECTION, AND RECORDING MEDIUM HOUSING PATTERN INSPECTION PROGRAM例文帳に追加

パターン検査装置、パターン検査方法およびパターン検査プログラムを格納した記録媒体 - 特許庁

METHOD FOR EVALUATING HYDROPHOBIC TREATMENT, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND FORMATION SYSTEM FOR THE RESIST PATTERN例文帳に追加

疎水化処理の評価方法、レジストパターンの形成方法及びレジストパターン形成システム - 特許庁

The pattern of the transparent electrode is formed on the whole area of the pattern of the light emitting layer.例文帳に追加

発光層のパターンのすべての領域上に透明電極のパターンを形成する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING PATTERN STRUCTURE, SUBSTRATE WITH PATTERN STRUCTURE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE例文帳に追加

パターン構造物の製造方法、パターン構造物付き基板及び液晶表示装置 - 特許庁

To provide a mask pattern data preparation method can form a highly precise pattern.例文帳に追加

高精度のパターンを形成することのできるマスクパターンデータ作成方法を提供する。 - 特許庁

Lower layer wiring 11 is provided with an auxiliary pattern 11S in the way of elongation of the pattern.例文帳に追加

下層配線１１は、パターンの伸長途中に補助パターン１１Ｓを設けている。 - 特許庁

LIQUID DISCHARGING DEVICE, PATTERN FOR CORRECTION, METHOD OF FORMING PATTERN FOR CORRECTION, AND LIQUID DISCHARGING SYSTEM例文帳に追加

液体吐出装置、補正用パターン、補正用パターン形成方法、及び、液体吐出システム - 特許庁

ORGANOMETALLIC COMPOUND FOR FORMING METAL PATTERN AND METHOD FOR FORMING METAL PATTERN USING THE SAME例文帳に追加

金属パターン形成用有機金属化合物及びそれを用いた金属パターン形成方法 - 特許庁

To provide an improved pattern generator that prints a highly precise pattern.例文帳に追加

高精度パターンの印刷を行なう改良型パターン・ジェネレータを提供することを目的とする。 - 特許庁

This resist pattern measuring method acquires two resist pattern images, measures an inner dimension and an outer dimension of the resist pattern in each resist pattern image, determines which resist pattern is the remaining part (line pattern) or the cut-out part (space pattern), by comparing measured values, and calculates the shrinkage amount, based on a difference between the measured values.例文帳に追加

２枚のレジストパターン画像を取得し、各レジストパターン画像においてレジストパターンの内側寸法と外側寸法を測定し、測定値の比較によってレジストパターンが残し部（Ｌｉｎｅパターン）と抜き部（Ｓｐａｃｅパターン）のどちらであるかを判定するとともに、測定値の差分からレジストのシュリンク量を算出する。 - 特許庁

The control part switches to the passing light distribution pattern via the light distribution pattern for a basic low beam from the additional light distribution pattern, or returns to the additional light distribution pattern via the light distribution pattern for the basic low beam from the passing light distribution pattern, when receiving the passing signal when forming the additional light distribution pattern in the ADB mode.例文帳に追加

制御部は、ＡＤＢモードで付加配光パターンを形成しているときにパッシング信号を受けた場合には、付加配光パターンからベーシックロービーム用配光パターンを経由してパッシング用配光パターンに切り換えるか、またはパッシング用配光パターンからベーシックロービーム用配光パターンを経由して付加配光パターンに戻す。 - 特許庁

The pen type input device 1 is provided with a pattern discrimination part 27 which discriminates whether a detected pattern is a pattern included in the position pattern or a pattern included in the identification pattern, a handwriting data forming part 24 which forms the handwriting data based on the detection pattern and an identification code deciding part 26 which decides the identification code.例文帳に追加

ペン型入力装置１は検出パターンが位置パターンに含まれるパターンか否か及び識別パターンに含まれるパターンか否かを判別するパターン判別部２７と、検出パターンに基づいて筆跡データを形成する筆跡データ形成部２４と、識別コードを決定する識別コード決定部２６とを備えている。 - 特許庁

In the positioning E of a pattern in a fluctuation pattern, a position correction pattern for rotationally moving a pattern display body at a required positioning speed is selected and set, and a moving amount corresponding to the deviation amount of a display pattern before a positioning processing and a final stop pattern after pattern fluctuation is stopped is obtained in fixed time.例文帳に追加

変動パターンにおける図柄の位置合わせＥでは、図柄表示体を所要の位置合わせ速度で回転移動させる位置補正パターンを選択設定して、位置合わせ処理前の表示図柄と図柄変動停止後の最終停止図柄とのずれ量分に対応する移動量が、一定時間で得られるようにする。 - 特許庁

The method comprises steps of: reading the servo pattern recorded on a disk; generating an erase pattern for erasing the servo pattern on the basis of the servo pattern acquired through the step of reading the servo pattern; and deleting the servo pattern using the erase pattern while the disk is rotated.例文帳に追加

ディスク上に記録されたサーボパターンを読み取る段階と、前記サーボパターンを読み取る段階を通じて獲得されたサーボパターンに基づいて、前記サーボパターンを消去するためのイレーズ（ｅｒａｓｅ）パターンを生成する段階と、前記ディスクが回転している間に、前記イレーズパターンを用いて前記サーボパターンを削除する段階とを有する。 - 特許庁

On a surface of a printed board 1, a reverse L shape antenna pattern 5 comprising a conductor pattern 5b connected to a ground pattern 2 is formed so as to close the outside of a reverse F-shaped antenna pattern 4 comprising a conductor pattern 4b connected to a supply point 3 and a conductor pattern 4c connected to the ground pattern 2.例文帳に追加

プリント基板１の表面に給電点３に接続された導体パターン４ｂとグランドパターン２に接続された導体パターン４ｃを備えた逆Ｆ形状アンテナパターン４の外側に近接するように、グランドパターン２に接続された導体パターン５ｂを備えた逆Ｌ形状アンテナパターン５を形成する。 - 特許庁

All the conductor pattern layers 3 have a main conductive pattern 5, and also at least one conductor pattern layer 3 among the upper conductor pattern layers 3 than the lowermost conductor pattern layer 3 has the lead-out conductor pattern 7 formed to extend from the main conductor pattern 5 to an external connecting electrode 8.例文帳に追加

全ての導体パターン層３はメイン導体パターン５を有し、また、最も下側の導体パターン層３よりも上側の導体パターン層３のうちの少なくとも１つの導体パターン層３は、メイン導体パターン５から外部接続用電極８まで伸長形成される引き出し導体パターン７を有する。 - 特許庁

A RLL conversion pattern processing part 51 converts the first data pattern of input data to a corresponding a first code pattern according to a first table constituted of a parity preservation pattern, a specific rule conversion pattern detecting part 54 detects a parity preservation violation individual conversion code pattern from the converted first code pattern.例文帳に追加

RLL変換パターン処理部51は、偶奇性保存パターンからなる第１のテーブルに従って、入力されたデータの第１のデータパターンを、対応する第１の符号パターンに変換し、特定規則変換パターン検出部54は、変換された第１の符号パターンから、偶奇性保存違反個別変換符号パターンを検出する。 - 特許庁

The mask includes a first pattern repeating in a first direction, a second pattern having a first width W1 and arranged between the first patterns and parallel to the first pattern, and a supplemental pattern disposed between the first pattern and the second pattern and is spaced apart by a first distance D1 from the second pattern.例文帳に追加

該マスク及び方法は、第１方向に繰り返された第１パターンと、第１パターンの間に位置し、第１パターンと平行に配列される第１幅Ｗ１の第２パターンと、を備え、第１パターンと第２パターンとの間に配置され、第２パターンと第１間隔Ｄ１を維持する補助パターンを備える。 - 特許庁

In the case that an edge pattern detected by pattern detection processing is not matched with the ideal pattern while the line type of the white line 30 has been settled, the edge pattern is verified with a deteriorated pattern (S18), and the white line 30 is recognized as a line type of the settled pattern when the edge lines match the deteriorated pattern.例文帳に追加

そして、白線３０の線種が確定している状態において、パターン検出処理により検出されたエッジパターンが理想パターンと一致しないときに、そのエッジパターンを劣化パターンと照合し（Ｓ１８）、そのエッジ線が劣化パターンと一致したときに白線３０が確定済みパターンの線種として認識する（Ｓ２４）。 - 特許庁

When a prescribed condition in a game is not satisfied, a first variation pattern selection means 44 selects a special pattern variation pattern and a decoration image variation pattern whose start and finish time points of variation are coincident respectively from a special pattern variation pattern first table 42 and a decoration image variation pattern first table 43.例文帳に追加

遊技中の所定の条件が満たされていないときには、第１変動パターン選択手段４４が、変動の開始及び終了時点が一致する特別図柄変動パターン及び装飾画像変動パターンを、特別図柄変動パターン第１テーブル４２及び装飾画像変動パターン第１テーブル４３からそれぞれ選択する。 - 特許庁

When a prescribed condition in a game is not satisfied, a first variation pattern selection means 44 selects a special pattern variation pattern and a decoration image variation pattern whose start and finish time points of variation are coincident respectively from a special pattern variation pattern first table 42 and a decoration image variation pattern first table 43.例文帳に追加

遊技中の所定の条件が満たされていないときには、第１変動パターン選択手段44が、変動の開始及び終了時点が一致する特別図柄変動パターン及び装飾画像変動パターンを、特別図柄変動パターン第１テーブル42及び装飾画像変動パターン第１テーブル43からそれぞれ選択する。 - 特許庁

In the pattern forming method to form a superfine pattern and a large area pattern on a process film on a substrate 11, an electron beam resist pattern film for forming a superfine pattern from the process film is formed by electron beam lithography, and a photoresist pattern film to form a large area pattern from the process film is formed through photolithography.例文帳に追加

基板１１上の加工膜に、超微細パターンと大面積パターンを形成するパターン形成方法において、加工膜を超微細パターンに形成するための電子線レジストパターン膜を電子線描画により形成し、加工膜を大面積パターンに形成するためのフォトレジストパターン膜をフォトリソグラフィにより形成した。 - 特許庁

As shown in Fig.5(a), by a character pattern CA in a first pattern column, a suggestion pattern VS in a second pattern column and a silhouette pattern SL in a third pattern column, chance patterns for shifting to a battle performance wherein a character corresponding to the character pattern CA and a character to be an opponent fight to determine winning and losing are formed.例文帳に追加

図５（ａ）に示すように、第１図柄列にキャラクタ図柄ＣＡ、第２図柄列に示唆図柄ＶＳ、第３図柄列にシルエット図柄ＳＬにより、キャラクタ図柄ＣＡに対応するキャラクタと、対戦相手となるキャラクタとが対戦し、勝敗を決定するバトル演出に移行するチャンス目を形成するようにした。 - 特許庁

According to the semiconductor integrated circuit, a wiring pattern 100, a large-sized first dummy pattern 400 close to the wiring pattern 100 in an idle region 200, and an annular dummy pattern 300 disposed as a shield between the wiring pattern 100 and the large-size first dummy pattern 400 close to the wiring pattern 100, are formed within one wiring layer.例文帳に追加

配線パターン１００と、空き領域２００内で配線パターン１００に近接する大規模な第１のダミーパターン４００と、配線パターン１００と配線パターンに近接する大規模な第１のダミーパターン４００との間に遮蔽物として配置されたリング状のダミーパターン３００とが一つの配線層内に形成される。 - 特許庁

This method contains at least the resist pattern forming step in which after a resist pattern 3 is formed on a processing face 5, a resist pattern thickness increasing material 1 is applied so as to cover a surface of the resist pattern, whereby the thickness of the resist pattern is increased and the unwanted pattern formed together with the resist pattern is erased.例文帳に追加

被加工面５上にレジストパターン３を形成後、該レジストパターンの表面を覆うように、レジストパターン厚肉化材料１を塗布することにより、該レジストパターンを厚肉化し、かつ該レジストパターンと共に形成された不要なパターンを消去するレジストパターン形成工程を少なくとも含むことを特徴とする。 - 特許庁

Conducting the minimum area violation pattern extraction (S6), the minimum area violation pattern expansion (S7), the interconnection interval violation detection and improvement (S8), and the correction pattern creation (S9) once again to the synthtic pattern of the correction pattern and the minimum area violation pattern outputs the finally extracted correction pattern data (S11).例文帳に追加

修正パターンと最小面積違反パターンとの合成パターンに対して、再度、最小面積違反パターン抽出（Ｓ６）、最小面積違反パターン拡張（Ｓ７）、配線間隔違反検出・改善（Ｓ８）および修正パターン生成（Ｓ９）を行い、最終的に抽出された修正パターンデータを出力（Ｓ１１）する。 - 特許庁

The method for forming a resist pattern includes at least a resist pattern thickening step of applying and heating a resist pattern thickening material for covering the surface of a resist pattern, after the resist pattern is formed, and developing the material to thicken the resist pattern; and a heat treatment step of further heating the thickened resist pattern.例文帳に追加

本発明のレジストパターンの形成方法は、レジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うように、レジストパターン厚肉化材料を塗布し、加熱した後、現像することにより前記レジストパターンを厚肉化するレジストパターン厚肉化工程と、厚肉化後のレジストパターンを更に加熱する加熱処理工程とを少なくとも含む。 - 特許庁

The detection sensitivity for a mask defect is inspected by using a mask for inspection of defect detection sensitivity having a basic pattern region where a pattern is formed based on the design data of a basic pattern and a defect pattern region where a pattern is formed based on the design data of a defect pattern prepared by adding a specified defect to the basic pattern.例文帳に追加

基本パターンの設計データを基づきパターンが形成された基本パターン領域と、基本パターンに、所定の欠陥を加えた欠陥パターンの設計データを元にパターンが形成された欠陥パターン領域とを備える欠陥検出感度検査用マスクを用いて、マスク欠陥検出感度の検査を行う。 - 特許庁

The control section 4 compares the pattern of the transmission illumination image with a first reference pattern, inspects the pattern 5a, compares the pattern of the vertical illumination image at a position corresponding to a faulty section with a second reference pattern regarding the pattern 5a that is determined to be a faulty candidate, and determines whether the pattern 5a is conforming or not.例文帳に追加

制御部５は、透過照明画像のパターンと第１の基準パターンを比較して、上記パターン５ａの検査を行い、不良候補と判定されたパターン５ａに関して、該不良部分に対応する位置における落射照明画像のパターンと第２の基準パターンを比較して、上記パターン５ａの良否を判定する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING THREE-DIMENSIONAL PATTERN ON FABRIC, FIBER-SHRINKING AGENT FOR FORMING THREE-DIMENSIONAL PATTERN AND THE THREE-DIMENSIONAL PATTERN-FORMED ARTICLE例文帳に追加

布帛への立体模様形成方法、その立体模様形成方法に用いる繊維収縮剤およびその立体模様形成物 - 特許庁

To provide a pattern forming method for forming a pattern nearer to design dimensions in the case of forming the pattern on level difference.例文帳に追加

段差上にパターンを形成する場合に、設計寸法により近いパターンを形成することができるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁