| 例文 |
patterning processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 515件
The process for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming a resist 6 containing a thermally crosslinking material on the surface of a semiconductor substrate 5, a step for pressing a mold 1 provided with a pattern 4 against the resist 6, a step for heating the resist 6 while pressing the mold 1 against the resist 6, and a step for patterning the resist 6 by removing it.例文帳に追加
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板5の表面上に、加熱により架橋する材料を含むレジスト6を形成する工程と、パターン4の形成されたモールド1をレジスト6に押し付ける工程と、モールド1をレジスト6に押し付けた状態で、レジスト6を加熱する工程と、レジスト6を除去することにより、レジスト6をパターニングする工程とを備えている。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a color filter substrate by simply correcting a black matrix exposure pattern, fabricating an exposure mask and forming a black matrix in a black matrix forming process in which a series of patterning treatments such as pattern exposure with a proximity exposure method on a black photosensitive resin layer on a transparent substrate, a development treatment and so on are conducted.例文帳に追加
透明基板上の黒色感光性樹脂層に近接露光法(プロキシミティー)にてパターン露光し、現像処理等の一連のパターニング処理を行ってブラックマトリクスを形成する工程において、簡易的にブラックマトリクス露光パターンのパターン補正を行って露光マスクを作製してブラックマトリクスを形成するカラーフィルタ基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
In patterning the barrier material layer through a masking layer by sandblast process, the pattern in the vicinity of the end portion A in the masking layer 3 is made so that the masking layer 3 having an extended portion is put adjacent to the masking layer 3 having no extended portion and that the extended portion of that adjoining masking layer 3 is positioned on the extension line of the masking layer 3 having no extended portion.例文帳に追加
マスキング層を介してのサンドブラスト加工により障壁材料層をパターニングするに際し、マスキング層3における端部A付近のパターンを、延長部分の有るマスキング層3と延長部分のないマスキング層3とが隣合わせとなり、しかも延長部分のないマスキング層3の延長線上に隣のマスキング層3の延長部分が位置するパターンとする。 - 特許庁
The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for etching a substrate having a through hole 11 in a region different from the through hole 11, wherein etching is carried out after forming resist 72 on the substrate over the opening of the through hole 11 and then patterning the resist by exposure.例文帳に追加
本発明の半導体装置の製造方法は、貫通孔11を有した基板に対し、該貫通孔11とは異なる領域においてエッチングを行う工程を含む半導体装置の製造方法であって、基板に対し、貫通孔11の開口面に跨る形にてレジスト72を形成し、該レジスト72を露光によりパターニングした後に、エッチングを行うことを特徴とする。 - 特許庁
The method for manufacturing the patterned polyimide precursur film comprises subjecting the photoresist film on a polyimide pattern to a heat treatment for 30 seconds to 30 minutes at a temperature ranging from 40 to 100°C within 30 minutes, before a process of peeling the photoresist film with a peeling liquid after patterning the polyimide precursur film formed on a semiconductor wafer, having a difference in level of ≥2 microns with the photoresist.例文帳に追加
2ミクロン以上の段差を有する半導体ウエハ上に形成されたポリイミド前駆体被膜をフォトレジストでパターン加工した後、ポリイミドパターン上のフォトレジスト被膜を剥離液で剥離する工程の前60分以内に、40〜100℃の範囲の温度で30秒〜30分間の加熱処理を施すことを特徴とするパターン化されたポリイミド前駆体被膜の製造方法。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an organic EL element of a simple manufacturing process and high productivity of zoning pixel electrodes formed in patterning on a substrate by a liquid-repellent layer formed by a stable liquid-repellent layer forming method, and forming a stable pixel in each zone with the use of a droplet discharge method, as well as an organic EL element and a device using the organic EL element.例文帳に追加
製造工程が簡便で、生産性が高く、安定した撥液層形成方法を用いて形成した撥液層により、基板上にパターン化されて形成された画素電極を区画し、各区画内に液滴吐出法を使用し、安定した画素を形成する有機EL素子の製造方法、有機EL素子及び有機EL素子を使用した装置の提供。 - 特許庁
The method includes the steps of: depositing a hydrophilic material layer on a substrate; depositing a bank material layer on the hydrophilic material layer; patterning the bank material layer to define a bank forming one or more of the droplet deposition wells; and etching the hydrophilic material layer in a self-aligned process using the patterned bank material layer as a resist.例文帳に追加
前記方法は、基板上に親水性材料層を堆積させる工程、前記親水性材料層の上にバンク材料層を堆積させる工程、前記バンク材料層をパターニングして1または2以上の前記液滴堆積ウェルを形成するバンクを規定する工程、前記パターニングされたバンク材料層をレジストとして使用して自己整合プロセス中において前記親水性材料層をエッチングする工程を含む。 - 特許庁
To provide a photosensitive conductive paste composition that can form a circuit pattern achieving high-definition patterning, having stable adhesiveness to a substrate or a lower layer in each process of drying, exposure, development and baking, having excellent baking property, excelling in adhesiveness to the substrate and adhesiveness between layers after baking, suppressing the formation of edge curls and showing a low sheet resistance value.例文帳に追加
高精細パターン化が可能であり、乾燥、露光、現像、焼成の各工程において基板もしくは下層に対して安定した密着性を有すると共に、優れた焼成性を有し、焼成後の基板への密着性、層間の密着性に優れ、エッジカールの発生を抑制でき、かつ低いシート抵抗値を示すような、回路パターンを形成することができる、感光性導電性ペースト組成物を提供すること。 - 特許庁
In the multiple patterning wiring board 9a formed by vertically and horizontally arranging a plurality of the wiring board regions 2 on the matrix substrate 1 formed of the ceramic sintered body and divided by the dicing process at the boundaries 2b of the wiring board regions 2, non-sintered ceramic particle layers 5a are deposited on parts positioned on the boundaries 2b of the wiring board regions 2 of the matrix substrate 1.例文帳に追加
セラミック焼結体からなる母基板1に複数の配線基板領域2が縦横の並びに配列形成されてなり、配線基板領域2の境界2bにおいてダイシング加工により分割される多数個取り配線基板9aであって、母基板1のうち配線基板領域2の境界2b上に位置する部位に、未焼結のセラミック粒子層5aが被着されている多数個取り配線基板9aである。 - 特許庁
The manufacturing method of the organic EL element consisting of a first electrode patterned on a substrate, an organic layer containing an organic light-emitting layer arranged on the first electrode, and a second electrode arranged on the organic layer, includes a process in which the first electrode is formed by patterning with the use of printing of resist liquid or etchant liquid.例文帳に追加
基板上にパターニング配設された第一電極、該第一電極上に配設された有機発光層を含む有機層および該有機層上に配設された第二電極からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法において、前記第一電極は、レジスト液またはエッチャント液の印刷を用いたパターニングにより形成されて工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法。 - 特許庁
In the anodizing process, the cathode 25 is arranged opposite to the other surface side of the semiconductor substrate 10 and a mask for patterning is designed so as to form a light intensity distribution in accordance with a desired lens shape on the other surface of the semiconductor substrate 10 and is arranged between a light source 30 composed of a tungsten lamp and the other surface of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加
陽極酸化工程において半導体基板10の上記他表面側に対向配置される陰極25が、半導体基板10の上記他表面に所望のレンズ形状に応じた光強度分布を形成するように設計されてタングステンランプからなる光源30と半導体基板10の上記他表面との間に配置されるマスクを構成するようにパターン設計されている。 - 特許庁
In another embodiment, a method for process integration in manufacture of a photomask includes depositing a hard mask on a substrate in a first processing chamber, depositing a resist layer on the substrate, patterning the resist layer, etching the hard mask through apertures formed in the patterned resist layer in a second chamber, and etching a chromium layer through apertures formed in the hard mask in a third chamber.例文帳に追加
別の実施形態では、フォトマスク製造におけるプロセス集積方法は、第1の処理チャンバにおいて基板上にハードマスクを堆積するステップと、レジスト層を該基板上に堆積するステップと、該レジスト層をパターニングするステップと、第2のチャンバにおいて該パターニング済みレジスト層上に形成されたアパーチャを介して該ハードマスクをエッチングするステップと、第3のチャンバにおいて該ハードマスクに形成されたアパーチャを介してクロム層をエッチングするステップと、を含んでいる。 - 特許庁
The manufacturing method of the pattern forming body has a plasma irradiation process in which a patterning substrate having: a base material; an intermediate layer formed on the substrate and including a silane coupling agent or a polymer of the silane coupling agent ; and the resin layer formed in a pattern shape on the intermediate layer, is irradiated with plasma from the side of a resin layer by using fluorine gas as an introduction gas.例文帳に追加
上記目的を達成するために、本発明は、基材と、前記基材上に形成され、シランカップリング剤または前記シランカップリング剤の重合体を含有する中間層と、前記中間層上にパターン状に形成された樹脂層とを有するパターニング用基板に、前記樹脂層側からフッ素ガスを導入ガスとしてプラズマ照射するプラズマ照射工程を有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供する。 - 特許庁
The method for forming a triode structure of a field emission display includes a step of preparing a transparent substrate, a step of patterning a conductive paste layer containing catalytic metal on the transparent substrate to form a cathode layer, a step of forming a gate structure on the cathode layer and the transparent substrate by a process of sandblasting or photolithography, and a step of forming an isomeric carbon emitter on the cathode layer.例文帳に追加
透明基板を準備するステップと、前記透明基板の上に金属触媒を含有する導電性ペーストを付着させ、導電性ペースト層をパターン化して陰極電極層を形成するステップと、砂吹き法または写真平板法プロセスにより前記陰極電極層と前記透明基板上にゲート構造を作成するステップと、前記陰極電極層上部に異性炭素エミッターを作成するステップとからなる電界放射ディスプレイ用の三極構造を形成させる。 - 特許庁
In the process of forming the condenser lens, when a resist pattern is transferred on a lens base for forming the lens, an etching selectivity between the resist pattern and the lens base is adjusted, thereby patterning the lens base so as to have a desired curvature.例文帳に追加
半導体基板上に、光電変換部と前記光電変換部で生成された電荷を転送する電荷転送部とを備えた撮像部を形成する工程と、前記撮像部上に、平坦化膜を介して形成された集光レンズを形成する工程とを具備した固体撮像素子の製造方法において、集光レンズを形成する工程が、レンズを形成するためのレンズ基体にレジストパターンを転写するに際し、レジストパターンとレンズ基体とのエッチング選択比を調整することにより、レンズ基体を、所望の曲率にパターニングする。 - 特許庁
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