「patterning process」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a display and the display wherein patterning can be made on a large-area substrate with a simple process, and improve light-emitting characteristics of the light-emitting layer.例文帳に追加

簡素な工程で大面積基板に発光層をパターニングすることができると共に、発光層の発光特性を向上させることができる表示装置の製造方法および表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nano gap electrode having a gap width of ≤100nm, ≤50nm in particular, by using technique of patterning precision of a micron order degree without using a wet process of light exposure, electronic beam exposure, etc.例文帳に追加

光露光や電子ビーム露光などのウェットプロセスを用いることなく、ミクロンオーダー程度のパターンニング精度の技術を用いて、１００ｎｍ以下、特に５０ｎｍ以下のギャップ幅のナノギャップ電極を提供する。 - 特許庁

In a process (a), after forming an insulation film 2 and a diffusion layer 3 on a silicon substrate 1, a gate oxide film is formed on the surface of the diffusion layer 3 to form thereon a gate electrode 4 by its patterning.例文帳に追加

工程（ａ）は、シリコン基板１上に絶縁膜２と拡散層３とを形成し、拡散層３の表面にゲート酸化膜を形成してパターンニングにより前記ゲート電極４を形成する。 - 特許庁

To provide a positive resist material having both chemical amplification and non-chemical amplification functions, which has high sensitivity and high resolution in exposure with high-energy radiation, and a patterning process using the same.例文帳に追加

高エネルギー線での露光において、高感度で高解像性を有する化学増幅機能と非化学増幅機能の両方を有するポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Because this method is free of generation of a large electric discharge during the sandblasting process, there is no risk of producing any defect in the electrode or barrier, and the patterning of the barrier can be conducted while the quality of the base board is well maintained.例文帳に追加

サンドブラスト加工中に大きな放電を起こすことがないことから、電極や障壁に欠陥を生じることなく、基板品質を良好に保って障壁のパターニングを行うことができる。 - 特許庁

In this case, a method is employed which performs the electric inspection on the respective substrates 400 after cutting and dividing the multiple patterning substrate 500 into the respective substrates 400 (after performing the cutting process).例文帳に追加

この場合、多面付け基板５００を切断して各基板４００に分割した後（切断処理を実行した後）に各基板４００に対する電気的検査を実行する方法を採用することができる。 - 特許庁

The functional liquid-drawing-in protrusion Ip is formed together with the insulation membrane I by patterning a silica membrane without installing an exclusive layer, a composing material for that layer, or a manufacturing process.例文帳に追加

機能液引込み突起Ｉｐは、専用のレイヤ及びそのレイヤの構成材料、製造工程を設けることなく二酸化ケイ素膜をパターニングすることによって絶縁膜Ｉと共に形成される。 - 特許庁

Next, an ITO film in an amorphous state at normal temperatures is stacked on the gate insulating film and a data line and a drain electrode are formed by patterning in a wet etching process that utilizes a photosensitive film pattern.例文帳に追加

次に、ゲート絶縁膜上に常温で非晶質状態のＩＴＯ膜を積層して感光膜パターンを利用した湿式エッチング工程でパターニングして、データ線及びドレイン電極を形成する。 - 特許庁

To provide lamination equipment for improving a lamination property and patterning in a laser thermal transfer process by improving a method for fixing a donor substrate and a substrate inside a thermal transfer device.例文帳に追加

熱転写装置内においてドナー基板と基板の固定方法を改善することによって、ラミネーション特性及びレーザ熱転写工程のパターニングを改善させることができるラミネーション装備を提供する。 - 特許庁

To improve smoothness of the surface of a recording layer and to improve precision in nano imprint of a resist layer by eliminating occurrence of residuals in the removal of a mask layer after the patterning process of a magnetic layer.例文帳に追加

磁性層のパターニング工程後のマスク層除去で残渣を発生させず、記録層表面の平滑性を向上させることができ、またレジスト層のナノインプリントを高精度で行うことができるようにする。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a flash memory device which facilitates the etching process of a device isolation film to be executed after gate patterning by lowering the height of the device isolation film formed in a peripheral region.例文帳に追加

周辺領域に形成される素子分離膜の高さを下げるように形成して、ゲートパターニング後に実施する素子分離膜のエッチング工程を容易にするフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic light emitting display device capable of reducing a number of steps of a patterning process utilizing a mask and suppressing an increase in resistance due to non-uniform doping in a capacitor, and a method for manufacturing the organic light emitting display device.例文帳に追加

マスクを利用したパターニング工程段階を減らし、キャパシタの不均一ドーピングによる抵抗増加を抑制可能な有機発光表示装置とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A wafer-forming a filter is made into individual pieces, these pieces are mounted on a circuit substrate having a phase matching circuit, and forms a clad layer 14, thereby enabling a patterning process of the clad layer 14 to be reduced.例文帳に追加

フィルタを形成したウェハを個片化し、位相整合回路を有する回路基板に実装し、クラッド層１４を形成するので、クラッド層１４のパターニング工程を削減することができる。 - 特許庁

A lithographic apparatus for use in the process may comprise an exposure tool having a single illuminator and a single patterning device that is imaged through a single exposure slit onto a scanning substrate.例文帳に追加

このプロセスで使用するためのリソグラフィ装置は、単一のイルミネータと、単一の露光スリットを介して、スキャンする基板上に結像される単一のパターニングデバイスとを有する露光ツールを備えることができる。 - 特許庁

To provide a photoresist composition capable of forming a high resolution pattern without an additional heating process, a method of patterning a thin film using the same, and a method of manufacturing a liquid crystal display panel using the same.例文帳に追加

別途の加熱工程を経ずに高解像度のパターンを形成できるフォトレジスト組成物、これを利用した薄膜パターニング方法、及びこれを利用した液晶表示パネルの製造方法を提供する。 - 特許庁

Hereby, since patterning of the Au film 26 is not performed even if the Au film 26 is removed for insulation between electrodes, addition of a process line of photolithography exclusive for Au is not required.例文帳に追加

このため、電極間における絶縁のために、Ａｕ膜２６を除去したとしても、Ａｕ膜２６をパターニングするものではないため、Ａｕ専用のフォトリソグラフィの工程ラインを追加する必要がない。 - 特許庁

To provide a patterning method of a film that simplifies the manufacturing process of an electron discharge element, can inexpensively manufacture an image forming apparatus having excellent display quality for a long term, and is made of carbon fibers.例文帳に追加

電子放出素子の作製プロセスを簡易化するとともに、長期に渡り表示品位に優れた画像形成装置を安価に製造し得るカーボンファイバーからなる膜のパターニング方法を提供する。 - 特許庁

A process for manufacturing the metal structure using the trenches carries out the etching of a semiconductor substrate in a desired depth and width through patterning from the top of the semiconductor substrate in the lower direction to form trenches.例文帳に追加

トレンチを用いた金属構造物の製造工程は、トレンチを形成するために半導体基板の上部から下方向にパターニング過程を経て希望する深さおよび幅に食刻を行う。 - 特許庁

First, patterning process is performed to form plural two-dimensionally disposed micro lens surfaces on the surface of a first optical resin layer 2 having a first refractive index and disposed on a transparent substrate 1.例文帳に追加

先ずパタニング工程を行ない、透明な基板１の上に配された第一の屈折率を有する第一光学樹脂層２の表面に、二次元的に配された複数のマイクロレンズ面を形成する。 - 特許庁

These trapezoidal protruded parts 7a and 7b are formed by patterning the surface of a p-AlGaInP clad layer 5 with the same photoresist etching process as for the pattering of the current mesa stripe 6.例文帳に追加

この台形凸部７ａ、７ｂはｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５の表面を電流メサストライプ部６のパターニングと同一のフォトレジスト・エッチング工程によりパターニングすることによって形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an image sensor capable of performing fine patterning while enhancing a fill factor even if roughness or uniformity is not improved by a CMP or WET process.例文帳に追加

本発明は、フィルファクターを高めながら、ＣＭＰやＷＥＴ工程による粗さやユニフォーミティの改善を施さなくても、微細パターニングすることができるイメージセンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface treatment agent for freezing process and a method of forming a resist pattern using the same, meeting the requirement that in a double patterning method, dimensions of a first resist pattern are not varied by a freezing process conducted for the first resist pattern and formation of a second resist pattern.例文帳に追加

ダブルパターニング法において第一のレジストパターンに対して行うフリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの寸法が変動しないという要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤およびそれを用いたレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

Further, the manufacturing method of the photoelectric conversion device according to an embodiment includes: a process where a radiation part 8 is formed by radiating laser light to a part of the light absorption layer 3; and a process where a removal part is formed by removing the radiation part 8 by mechanical processing and patterning is performed on the light absorption layer 3.例文帳に追加

さらに、本実施形態に係る光電変換装置の製造方法は、光吸収層３の一部に、レーザを照射してなる照射部８を形成する工程と、照射部８を機械加工で除去して除去部を形成し、光吸収層３をパターニングする工程とを備えている。 - 特許庁

To deal with the exposure for patterning where micro patterns with different pitches coexist closely and to accurately form micro patterns at enough production process margin without using a photo mask such as Levenson-type phase shift mask that has a complicated production process and is high in manufacturing cost.例文帳に追加

ピッチの異なる微細なパターンが近接して混在するパターニングを行うための露光にも対応し、レベンソン型位相シフトマスクの如き製造プロセスが煩雑で製造コストの高いフォトマスクを用いることなく、十分な製造プロセスマージンで微細なパターンを精度良く形成する。 - 特許庁

It has least the process, which forms the organic EL layer of at least one-layer which constitutes the EL element by patterning it with the photo lithography method, and the process, which forms the buffer layer which is not eluted in a solvent.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、ＥＬ素子を構成する少なくとも1層の有機ＥＬ層をフォトリソグラフィー法によりパターニングして形成する工程と、溶媒に不溶なバッファー層を形成する工程とを少なくとも有することを特徴とするＥＬ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method includes (1) depositing or growing a dielectric material in intrinsic and extrinsic regions of a device, (2) patterning the dielectric material by a dry or wet etching process or a lift-off process, and (3) performing vapor deposition of a field plate on the patterned dielectric material.例文帳に追加

（１）デバイスの真性および外因性領域に誘電性材料を堆積または成長させ、（２）乾式または湿式エッチングプロセス、あるいはリフトオフプロセスで誘電性材料をパターニングし、（３）パターニングされた誘電性材料上にフィールドプレートを蒸着させるステップを包含する方法。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display panel and a method for manufacturing the same, of which the manufacturing process is simplified and the manufacturing cost is saved by patterning a flattening layer and spacers of the liquid crystal display panel without conducting a photolithography process.例文帳に追加

本発明の目的は、液晶表示パネルの平坦化層およびスペーサーをフォトリソグラフィー工程を実施することなくパターニングすることにより、製造工程を単純化すると共に製造費用を節減し得る液晶表示パネルおよびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

The solid state imaging device is manufactured through a process of forming conductive layers 13, 14 containing the metallic element on the semiconductor substrate 6 to form the electrode 15 by patterning the conductive layers 13, 14, and another process of forming the nitride silicon film 16 on the surface of the electrode 15.例文帳に追加

また、半導体基体６上に金属元素を含む導電体層１３，１４を成膜し、この導電体層１３，１４をパターニングして電極１５を形成する工程と、この電極１５の表面に窒化珪素膜１６を形成する工程とを有して、上記固体撮像素子を製造する。 - 特許庁

The method for manufacturing an active element array includes a process of forming pixel electrodes and a process of forming an amorphous transparent conductive film and then patterning the amorphous transparent conductive film into the same pattern as the pixel electrodes by a photolithographic method.例文帳に追加

アクティブ素子アレイの製造方法であって、画素電極を形成する工程と、非晶質透明導電膜を成膜した後、前記非晶質透明導電膜をフォトリソグラフィー法で前記画素電極を同じパターンに形成する工程を有するアクティブ素子アレイの製造方法。 - 特許庁

The semiconductor etching method has a process of forming a metal fluoride layer at a temperature of not less than 150°C as at least one part of an etching mask 3 to be formed on a semiconductor layer 2; a process of patterning the metal fluoride layer; and a process of etching the semiconductor layer using the patterned metal fluoride layer 3 as a mask.例文帳に追加

半導体層２上に形成されるエッチングマスク３の少なくとも一部として、金属フッ化物層を１５０℃以上の温度で形成する工程と、この金属フッ化物層をパターンニングする工程と、パターニングされた金属フッ化物層３をマスクとして、前記半導体層をエッチングする工程とを有する半導体層のエッチング方法。 - 特許庁

To provide a surface treatment agent and a resist composition for a freezing process being applied to the first resist pattern in a double patterning method and satisfying the requirements for preventing line width and LWR of the first resist pattern from fluctuating due to the freezing process and the formation of the second resist pattern and resist composition and to provide a pattern formation process by use of them.例文帳に追加

ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの線幅及びＬＷＲが変動しないという要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤、レジスト組成物およびそれらを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

In a producing method of a magnetic head by forming an element part having prescribed characteristics through a deposition process of depositing on the surface of the substrate 10 and an etching process of patterning the film formed by the deposition process, the circumference of a region, where each element part on the substrate 10 is formed, is surrounded by an electrically conductive film and worked.例文帳に追加

基板１０の表面に成膜する成膜工程と、成膜工程によって形成された膜をパターンニングするエッチング工程を経て所要の特性を有する素子部を形成する磁気ヘッドの製造方法において、前記基板１０上の各々の素子部が形成される領域の周囲を導体膜で包囲して加工する。 - 特許庁

This pattern forming method includes a process wherein an electron beam emission element 10 having at least one pyramid part 18 whose surface is made of diamond is prepared; a process wherein an electron beam 19 is emitted from the pyramid part 18 to expose an electron beam sensitive resist layer 22 by applying a voltage; and a process wherein a portion of the resist layer 22 is removed to execute patterning.例文帳に追加

表面がダイヤモンドからなる少なくとも一つの錐体部１８を有する電子線放出素子１０を用意する工程と、電圧を印加して錐体部１８から電子線１９を放出させて、電子線感応性のレジスト層２２を暴露する工程と、レジスト層２２の一部を除去してパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a process of forming an amorphous silicon layer 13 on a substrate such as a plastic substrate 11, a process of patterning the amorphous silicon layer 13 and forming a prescribed pattern to be a thin film transistor, and a process of crystallizing the patterned amorphous silicon layer 13 thereafter, and the semiconductor device provided with the thin film transistor is manufactured.例文帳に追加

プラスチック基板１１等の基板上にアモルファスシリコン層１３を形成する工程と、アモルファスシリコン層１３をパターニングして、薄膜トランジスタとなる所定のパターンを形成する工程と、その後、パターニングされたアモルファスシリコン層１３を結晶化する工程とを有して、薄膜トランジスタを有する半導体装置を製造する。 - 特許庁

To provide a surface treatment agent for a freezing process that meets the requirement that (1) the line width of a first resist pattern does not fluctuate and (2) the line edge roughness (LER) of the first resist pattern does not deteriorate, by a freezing process in a freezing process that is applied to the first resist pattern in a double patterning method, and a pattern forming method using it.例文帳に追加

ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理によって、（１）第一のレジストパターンの線幅が変動しない、（２）第一のレジストパターンのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が悪化しない、という要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

The laminate composed of the dielectric layer and the metallic tin-film layer is manufactured by using a process in which a resin material is attached and the dielectric layer is formed, a process in which a patterning material is attached on the dielectric layer in a beltlike manner, and a process in which the metallic thin-film layer is laminated as one unit and repeating the processes in fixed numbers.例文帳に追加

樹脂材料を付着させて誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層上にパターニング材料を帯状に付着させる工程と、金属薄膜層を積層する工程とを一単位とし、これを所定の回数繰返すことにより、誘電体層と金属薄膜層とからなる積層体を製造する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a process for forming a seed metal layer 20a on a support substrate 70, a process for forming a wiring layer 10 comprising wiring 18 on the seed metal layer 20a, a process for removing the support substrate 70 after the wiring layer 10 is formed, and a process for patterning the seed metal layer 20a after the support substrate is removed so as to make wiring 20.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る製造方法は、支持基板７０上にシードメタル層２０ａを形成する工程と、シードメタル層２０ａ上に配線１８を含む配線層１０を形成する工程と、配線層１０を形成した後に支持基板７０を除去する工程と、支持基板を除去した後にシードメタル層２０ａをパターニングして配線２０とする工程と、を含んでいる。 - 特許庁

An extra capacitor or a capacitor is fabricated utilizing the capacitance between interconnections (between M11 and M12) or the capacitance between through holes (between B11 and B12) which is increased as a finer patterning is employed in the process technology.例文帳に追加

プロセス技術の微細化に伴って大きな容量を持つようになった配線間（Ｍ１１およびＭ１２間）容量およびスルーホール間（Ｂ１１およびＢ１２間）容量を利用して、付加容量またはキャパシタを形成する。 - 特許庁

Further, a protective film or the like needs not be formed by performing patterning newly for forming the defective region, thus resulting in manufacturing advantages in which only a process for applying electron rays is necessary without increasing the number of processes.例文帳に追加

さらに、欠陥領域を形成するために新にパターニングし保護膜等を形成する必要がないため、工程を増やすことなく、電子線照射の工程のみで対応が可能という製造上の利点もある。 - 特許庁

This double patterning system provides a means for forming a hard mask feature with a feature interval less than a minimum interval with which the hard mask can be printed according to a single exposure, by of a single hard mask etching process.例文帳に追加

この二重パターニングシステムは、単一露光に基づいてハードマスクにプリント可能な最小間隔よりも小さいフィーチャ間隔で、１回のハードマスクエッチング工程においてハードマスクフィーチャを形成する手段を提供する。 - 特許庁

Since the polarization filter 16 is formed by patterning the polarization material deposited on the protective film 13, the alignment accuracy is improved because a unification can be conducted without a conventional junction process.例文帳に追加

また、偏光フィルタ１６が保護膜１３の上に堆積された偏光材料をパターニングして形成されることから従来のような接合プロセスを行わずに一体化できることによりアライメント精度が向上する。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device and a method of manufacturing the optical semiconductor device making it possible to precisely carry out a patterning in a manufacturing process of the optical semiconductor device having a light emitting device portion and a functional portion.例文帳に追加

発光素子部と機能部とを有してなる光半導体素子の製造工程において、精密にパターニングすることを可能にする光半導体素子の製造方法および光半導体素子の提供を目的とする。 - 特許庁

A substrate can be exposed in the process windows by using a patterning means having a pattern corrected in accordance with the determined optical proximity correction rules and by using the radiation source having the intensity distribution of the radiation source.例文帳に追加

前記決定した光学的近接補正規則に従って修正したパターンを有するパターニング手段と前記線源強度分布の線源を使って前記プロセスウインドウ内で基板を露出することもできる。 - 特許庁

The masking layer can be obtained by conducting a conditioning process for more than five hours under a processing condition of the temperature being 30°C or more and the relative humidity being 90% or more after having pasted the dry film resist as a patterning mask.例文帳に追加

このようなマスク層は、ドライフィルムレジストをパターニングマスクとして貼りつけた後、温度が３０℃以上、相対湿度が９０％以上の処理条件で５時間以上コンディショニング処理を行なうことで得られる。 - 特許庁

Since the gate insulating film and the semiconductor film are simultaneously machined into an element shape after the heating process, the expansion and contraction of a glass substrate does not exert influence on the alignment deviation in patterning.例文帳に追加

加熱処理後にゲート絶縁膜と半導体膜を同時に素子形状に加工するため、加熱時のガラス基板の膨張、収縮がパターニングのアライメントずれに影響を及ぼさないことを特徴としている。 - 特許庁