「patterning process」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The mask patterns of the photomask used in patterning wiring patterns by the photolithography process step are subjected to correction of the mask patterns by dividing the photomask to ≥2 regions and determining correction parameters by each of the respective regions.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程により配線パターンをパターニングする際に使用するフォトマスクのマスクパターンについては、フォトマスクを２以上の領域に分割し、各領域毎に補正パラメータを求めてマスクパターンの補正を行う。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device, which can form dual oxide by a simplified process of forming and patterning a protection film such as a photosensitive organic film and forming an oxide film once.例文帳に追加

感光性有機膜等の保護膜の成膜及びパターニングと１回の酸化膜形成という単純化された工程によってデュアルオキサイドを形成することができる半導体装置の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck device which can provide a patterning process of increasing a product yield, and stabilizing dry etching by controlling discharge in the interior of an He gas supply hole.例文帳に追加

Ｈｅガス供給穴内部での放電を制御して、製品の歩留りを向上させ、ドライエッチングによる安定したパターンニング工程を提供することができる静電チャック装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a conductive pattern generation method that eliminates the need for using a printer for patterning and its complicated process, and enables easy generation and miniaturization of conductive patterns.例文帳に追加

パターニングのための印刷装置を用いず、またそれによる複雑な処理工程を必要とすることなく、導電パターンの生成を簡易に行え、導電パターンの微細化を実現できる導電パターンの生成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor where it is not necessary to execute a plurality of photo-lithograph processes, and it realizes increase in the margin of patterning in a process for forming the gate electrode of a linewidth area whose microfabrication is progressed.例文帳に追加

微細化が進んだ線幅領域のゲート電極の形成工程において、複数回のフォトリソグラフ工程が不要であり、パターニングのマージンを拡大できる薄膜トランジスタの作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a display device, which attains a high yield with a simple process, a liquid crystal display device and a method for patterning a metal film, with which corrosive reduction of a base transparent conductive film is prevented.例文帳に追加

簡易な工程により、高歩留りを実現する表示装置の製造方法、液晶表示装置並びに下地の透明導電膜の腐食還元を防止することができる金属膜のパターニング方法を提供する。 - 特許庁

The laminated patterns 3 of the eaves structure are obtd. by executing patterning by the process of preventing the contact of the substrate surface with the water or the aq. soln. after successively depositing a lower layer resist 2 and an upper layer resist 4 on the substrate 1 having the large ruggedness.例文帳に追加

凹凸の大きい基板１に下層レジスト２、上層レジスト４を順次成膜した後、基板表面が水あるいは水溶液に接触しないプロセスによりパターニングして庇構造の積層パターン３を得る。 - 特許庁

In a process to make a patterning of a transparent electrode 12 on a transparent substrate 11, an alignment mark 13 used for positioning of a shadow mask 14 and the transparent substrate 11 on the transparent substrate 11 is formed of an identical material as the transparent electrode 12.例文帳に追加

透明基板11上に透明電極12をパターニングする工程において、透明基板11にシャドーマスク14と透明基板11との位置決めに使用するアライメントマーク13を透明電極12と同一の材料で形成する。 - 特許庁

In a process for patterning the wiring 30, etching is performed so as to cut the wiring 30 so that the semiconductor layer 20 is left as it is, on a position furthermore in the cutting line direction of the substrate 10 than the drain electrode 32 or the source electrode 34.例文帳に追加

配線３０をパターニングする工程で、ドレイン電極３２又はソース電極３４よりも基板１０の切断ライン方向の位置で、半導体層２０を残すように配線３０を切断するようにエッチングする。 - 特許庁

To provide a patterning method capable of accurately processing a processing object layer even when the processing object layer is formed by containing a material unsuitable for a wet process or a material having a large amount of etching shift.例文帳に追加

被加工層がウエットプロセスに適さない材料、またはエッチングシフト量の多い材料を含んで構成されている場合であっても、高精度に被加工層を加工することを可能とするパターニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fine patterning method for a semiconductor element by which a problem that critical dimension (CD) becomes poor by superimposition is eliminated to form a pattern finer than resolution of an exposure process.例文帳に追加

本発明は、重畳(overlay)により臨界寸法(Critical Demension; ＣＤ)が不良になる問題を除去し、露光工程の解像度より微細なパターンを形成することができる半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

At this moment, the planarization process is performed until the top electrode of the capacitor is exposed, then a conduction film for plate electrode is formed and a plate line directly contacting to the upper electrode is formed by patterning.例文帳に追加

この際、平坦化工程はキャパシタ上部電極が露出される時まで実施され、その後、プレート電極用導電膜を形成し、パターニングして上部電極に直接接触するプレートラインを形成する。 - 特許庁

During the process of patterning a thin film resistor 28 in an SOG film 26 formed on a silicon substrate 20 as a base interlayer insulating film and a second TEOS film 27, moisture is left in the SOG film 26.例文帳に追加

シリコン基板２０上に下地層である層間絶縁膜として成膜したＳＯＧ膜２６および２ｎｄＴＥＯＳ膜２７に薄膜抵抗体２８をパターニングする過程で、水分がＳＯＧ膜２６中に残留する。 - 特許庁

To provide a pressure-sensitive adhesive sheet to be pasted on the surface of a semiconductor wafer having a patterning thereon to protect the patterning in a process for processing the semiconductor wafer that causes neither "warpage" nor "cracks" of the wafer when exposed to a high temperature even when the wafer having the pressure-sensitive adhesive sheet pasted thereon is ground very thin.例文帳に追加

パターニングを施した半導体ウェハを加工する工程において、半導体ウェハ表面に貼り合わせることによりパターニングを保護することができる粘着シートであって、粘着シートを貼着したウェハを極薄研削しても、高温下に曝した場合にウェハに「反り」や「割れ」が発生することがない粘着シートを提供する。 - 特許庁

A multiple patterning process employs a phase change material, portions of which can be converted to an amorphous state and then a remaining portion is selectively removed to provide high resolution pattern features with a feature spacing smaller than, for example, a minimum spacing available in a conventional patterning layer employing a single exposure.例文帳に追加

多重パターニングプロセスで相変化材料を使用し、相変化材料の一部分をアモルファス状態に転化させることができ、次いで残りの部分が選択的に除去され、たとえば単一の露光を使用して従来のパターニング層内で使用可能な最小間隔より小さいフィーチャ間隔を有する高解像度パターンフィーチャをもたらす。 - 特許庁

This method for manufacturing the cushion layer for the polishing pad includes: a process for molding a mixture containing energy ray curing resin into a sheet shape; a process for performing patterning of hardened parts and unhardened parts by a photolithography method on one surface of the obtained sheet; and a process for forming irregularities on one surface of the sheet by removing the unhardened parts.例文帳に追加

研磨パッド用クッション層の製造方法であって、エネルギー線硬化性樹脂を含む混合物をシート状に成型加工する工程、得られたシートの片面上にフォトリソグラフィー法により硬化部分と未硬化部分のパターニングを施す工程、及び未硬化部分を除去することによりシートの片面上に凹凸形状を形成する工程を含む研磨パッド用クッション層の製造方法。 - 特許庁

In the manufacturing method of the thin film transistor comprising the process of patterning at least one element of the thin film transistor (TFT) on an intermediate transfer medium and the process of transferring the at least one patterned element onto a long-length support body, the manufacturing method of the thin film transistor has the process of executing heating treatment to the at least one patterned element.例文帳に追加

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の少なくとも一つの要素を中間転写媒体上にパターニングする工程、該パターニングされた少なくとも一つの要素を、長尺支持体上に転写する工程を有する薄膜トランジスタの製造方法において、 前記パターニングされた少なくとも一つの要素に、加熱処理を行う工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the liquid crystal display device comprises: a process of forming an electrode layer 120a for pixel electrode on a first substrate 100; a process of forming a prescribed alignment layer pattern 500 on the electrode layer 120a for pixel electrode; and a process of patterning the electrode layer 120a for pixel electrode by using the alignment layer pattern 500 as a mask and forming a pixel electrode pattern 120.例文帳に追加

第１基板１００上に画素電極用電極層１２０ａを形成する工程と、画素電極用電極層１２０ａ上に所定の配向膜パターン５００を形成する工程と、配向膜パターン５００をマスクにして画素電極用電極層１２０ａをパターニングし、画素電極パターン１２０を形成する工程と、を含んで液晶表示素子の製造方法を構成する。 - 特許庁

The forming method of the bump includes a process for patterning a resist layer 20 so as to have a through hole 22 upward of a pad 12, a process for hardening at least the surface of the resist layer 20 by applying energy 36 producing crosslinking reaction on the resist layer 20, and a process for forming metal layers 40, 42 connected electrically to the pad 12 in the through hole 22.例文帳に追加

バンプの形成方法は、パッド１２の上方に貫通穴２２を有するようにレジスト層２０をパターニングする工程と、レジスト層２０に架橋反応を生じさせるエネルギー３６を加えてレジスト層２０の少なくとも表面を硬化させる工程と、貫通穴２２内にパッド１２と電気的に接続する金属層４０、４２を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

In the patterning process of the thin film transistor 44, holographic exposure and a tracking focus system is employed, design rule of 1.0 μm or less is employed, and only a polysilicon layer 41 and a first metal layer 42 are employed as the interconnect lines of the element chip 45.例文帳に追加

薄膜トランジスタ４４のパターニング工程で、ホログラフィック露光や追尾フォーカスシステムを用い、１．０μｍ以下の設計ルールを用い、素子チップ４５の配線として、多結晶シリコン層４１と第１の金属層４２のみを用いる。 - 特許庁

To provide a method for removing a resist for sufficiently suppressing damage of an insulating film consisting of a low dielectric constant material when removing a residual resist from a base substance to be treated after patterning in an etching process.例文帳に追加

エッチング工程においてパターニング後の被処理基体から残留レジストを除去するに際し、低誘電率材料からなる絶縁膜のダメージを十分に抑制することが可能なレジストの除去方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a pattern verifying method, used in a double patterning method in which after a first pattern is formed in a film to be processed, a second pattern is formed in the film to be process, verifying a pattern in consideration of a superposition error.例文帳に追加

被加工膜に第１のパターンを形成してから被加工膜に第２のパターンを形成するダブルパターニング法に用いられ、重ね合わせ誤差を考慮してパターンを検証することができるパターン検証方法を提供する。 - 特許庁

The method also includes measuring the accuracy of at least one property of the at least one location of the pattern on the substrate that has been determined as being prone to patterning errors, and adjusting the lithographic process according to the measuring.例文帳に追加

方法は、パターニングの誤差が発生しやすいとして決定された基板上のパターンの少なくとも１つの位置の少なくとも１つの特性の精度を測定し、測定に従ってリソグラフィプロセスを調整することも含む。 - 特許庁

To provide a resist pattern forming method capable of forming a satisfactory resist pattern, by a double patterning process using a positive type resist composition as a first resist composition, on a support formed with a reflection preventive film on its surface.例文帳に追加

表面に反射防止膜が形成された支持体上に、第一のレジスト組成物としてポジ型レジスト組成物を用いるダブルパターニングプロセスにより良好なレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The master disk 73 for optical disks is manufactured by a process (S21) of forming a chromium film 71 on a glass substrate 70 and processes (S22 to S26) of patterning the chromium film 71 to a prescribed shape corresponding to the track of the optical disk.例文帳に追加

ガラス基板７０上にクロム膜７１を形成する工程（Ｓ２１）と、光ディスクのトラックに対応する所定形状に前記クロム膜７１をパターニングする工程（Ｓ２２〜Ｓ２６）により、光ディスク用の原盤７３を製造である。 - 特許庁

In a device manufacturing method and a lithographic apparatus in which a pattern is transferred from a patterning device onto a substrate, a measurement target is provided on the substrate in a process, enabling execution of a substrate measurement by using radiation of a first wavelength.例文帳に追加

パターンがパターニングデバイスから基板上に転写されるデバイス製造方法およびリソグラフィ装置では、計測ターゲットが第１波長の放射を使用して基板計測の実行を可能にする工程で基板上に提供される。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device and a method for manufac turing the same which enable reduction in a cost and simplification of the process by forming a plurality of patterns on the same substrate and minimizing the number of masks required in the patterning.例文帳に追加

本発明は、複数のパターンを同一基板上に形成し、前記パターン時要求されるマスクの数を最小化してコスト減少及び工程を簡素化するための液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing process for the semiconductor has applying, after forming a resist pattern on an underlaying layer, the thickening material to the surface of the resist pattern to be thickened, and patterning the underlying layer by etching, the pattern as a mask.例文帳に追加

下地層上にレジストパターンを形成後、該パターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該パターンを厚肉化する工程と、該パターンをマスクとしてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

A first α-Si film is formed on the surface of a quartz substrate 11 for patterning, and then a second α-Si film is formed over it, which is crystalized in a thermal process with Ni as a catalyst for form a CGS film 16.例文帳に追加

石英基板１１表面に第１のα−Ｓｉ膜を形成してパターニングした後、その上に第２のα−Ｓｉ膜を形成し、Ｎｉを触媒として熱処理によって結晶化して、ＣＧＳ膜１６を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for preventing the deformation of a pattern in an STI region patterning process concerning a nonvolatile semiconductor integrated circuit device with a configuration where a plurality of transistor cells having a common gate are arranged like an array.例文帳に追加

共通ゲートを有する複数のトランジスタセルをアレー状に配置する構成を持つ不揮発性半導体集積回路装置において、ＳＴＩ領域のパターニング工程でのパターンの変形を防ぐ製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, since a plurality of the island-shaped patterns can be formed at the same time of wiring, the relief structure can be formed without especially increasing patterning processes only for forming the relief structure in a manufacturing process.例文帳に追加

さらに、複数の島状のパターンは、配線と同時に形成することができるので製造プロセス中において、凹凸構造を形成するためだけのパターニング工程を特に増やすことなく、凹凸構造を形成することができる。 - 特許庁

To provide a resist patterning method yielding finer resist patterns than resolution of an exposure apparatus and capable of processing, in a relatively short process, even a multilayer photoresist film (having a plurality of layers), and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

露光装置の解像度に比べて微細なレジストパターンが得られると共に、多層（複数層）のフォトレジスト膜を用いても比較的に短いプロセスで処理できるレジストパターニング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve corrosion resistance of Al or an Al alloy without complicating a process for patterning a semiconductor layer and a layered metal film comprising a high melting point metal film and a low resistance metal film made of Al or an Al alloy.例文帳に追加

半導体層及び高融点金属膜とＡｌまたはＡｌ合金からなる低抵抗金属膜との積層金属膜をパターン形成するに当たり、工程を複雑化することなく、ＡｌまたはＡｌ合金の耐腐食性を改善する。 - 特許庁

Adhesion between the color filters 201R, 201G, 201B and the transparent base film 220 is preferable and, even when the amount of pigment in the color filter increases, so that the color filter can be prevented from coming off in a patterning process of the color filter.例文帳に追加

カラーフィルタ２０１Ｒ、２０１Ｇ、２０１Ｂと透明下地膜２２０との接着は良好であり、カラーフィルタ中の顔料を多くしても、カラーフィルタのパターニング工程において、カラーフィルタが剥離する現象を防止することが出来る。 - 特許庁

To provide a deposition method and display material in a display material manufacturing process which realize accurate deposition of thin films of different characteristics by patterning on the same substrate and flat and uniform coating of liquid materials.例文帳に追加

特性の異なる薄膜を同一基板上に精度よくパターニング成膜することと、液体材料を平坦かつ均一に塗布させることを可能とする表示体製造プロセスにおける成膜方法および表示体を提供すること。 - 特許庁

To provide an intermediate layer material composition for a three- layer resist process soluble in an organic solvent, excellent in storage stability and free of a problem in trailing shape and line edge roughness in patterning of an upper layer resist and to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

有機溶剤に可溶であり、保存安定性に優れ、かつ上層レジストパターニング時に裾引き形状、ラインエッジラフネスに問題のない３層レジストプロセス用中間層材料組成物及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polymerizable monomer for use in a resist, suitable for microfabrication performed by dry exposure, immersion exposure or a double patterning process, and to provide a polymer of the same, a resist material using the same, and a pattern formation method.例文帳に追加

ドライ露光、液浸露光やダブルパターンニングプロセスで行われる微細加工に適するレジスト用重合性単量体およびそれら重合体の提供それらを使ったレジスト材料およびパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

An Al wiring is obtained by subjecting a multi-filmed Al layer made up of an Al film 2a of pure Al and an AlOx film 2b formed on the film 2a and made of Al containing oxygen elements to a photolithograpical patterning process.例文帳に追加

純粋なＡｌによって構成されるＡｌ膜２ａと、その上層に積層された酸素元素を含むＡｌによって構成されるＡｌＯ_x 膜２ｂとからなる多層Ａｌ層３をフォトリソグラフィーによってパターニングし、Ａｌ配線を得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectric capacitor of a semiconductor element where an electrode can be formed without performing a patterning of a capacitor electrode by etching, process is stabilized and a parasitic capacitance is suppressed.例文帳に追加

エッチングによるキャパシタ電極のパターニングを行わずに電極を形成することができ、かつ工程の安定性及び寄生キャパシタンスの抑制が可能である半導体素子の強誘電体キャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

In a process for performing the active patterning with respect to the Si layer 13, leg parts 13a are left in the groove h1 by allowing the Si layer 13 to be supported on the Si substrate 1 as it is even after the formation of the cavity part 25.例文帳に追加

Ｓｉ層１３に対してアクティブのパターニングを行う工程では、空洞部２５を形成した後もＳｉ層１３がＳｉ基板１上でそのまま支えられるようにその脚部１３ａを溝ｈ１内に残しておく。 - 特許庁

Furthermore, in fabricating the semitransmissive liquid crystal display, the fabricating method includes a step for forming a projecting and recessing structure without especially increasing the number of patterning steps only for the purpose of forming the projecting and recessing structure in the manufacturing process.例文帳に追加

さらに半透過型の液晶表示装置を作製するにあたり、その製造プロセス中において、凹凸構造を形成するためだけのパターニング工程を特に増やすことなく、凹凸構造を形成することを特徴とする。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a process of manufacturing a thickened resist pattern by forming a resist pattern on a base layer and then coating the resist pattern surface with the thickening material to thicken the resist pattern and a process of patterning the base layer by etching the base layer by using the thickened resist pattern.例文帳に追加

下地層上にレジストパターンを形成後、該レジストパターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該レジストパターンを厚肉化し厚肉化レジストパターンを製造する工程と、該厚肉化レジストパターンを用いてエッチングすることにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

This method of forming a carbon nanotube pattern contains patterning process in which a desired pattern is printed on the surface of the substrate with a carbon nanotube dispersion in which the carbon nanotube is dispersed in a dispersant and the dispersant is vaporized to form a pattern layer, and a pattern fixing process in which the pattern layer is fixed on the surface of the substrate.例文帳に追加

カーボンナノチューブが分散媒に分散したカーボンナノチューブ分散液にて基板表面に所望のパターンを印刷し、分散媒を蒸発させてパターン層を形成するパターニング工程と、パターン層を基板表面に固定するパターン固定工程とを含むことを特徴とするカーボンナノチューブパターンの形成方法。 - 特許庁

A method includes the steps of defining a lithography matter, designing a patterning device, deciding a first lighting structure and a radiation-sensitive material process which can print the positive tone of the lithographic features, and deciding a second lighting structure which can print the negative tone of the lithographic features by a radiation-sensitive material process.例文帳に追加

方法は、リソグラフィ問題を画定することと、パターニングデバイスを設計することと、リソグラフィフィーチャのポジのトーンを印刷できる第一照明構成および放射線感光材料プロセスを決定することと、放射線感光材料プロセスでリソグラフィフィーチャのネガのトーンを印刷できる第二照明構成を決定することとを含む。 - 特許庁

A stencil mask manufacturing process in the preceding back etching process includes forming gradations of a film thickness of a resist left in a pattern field, after developing by adjusting the amount of exposed light, and selectively thinning a masking substrate film in a minute pattern formation field, with an aspect ratio higher than that of the surrounding region, prior to patterning.例文帳に追加

先行バックエッチングプロセスのステンシルマスク製造工程において、現像後のパターン領域のレジスト残膜厚に露光量を調整することにより階調をつけ、周辺領域よりアスペクト比が高い微細パターン形成領域のマスク基板膜厚を選択的にパターニング以前に薄膜化することにより、ステンシルマスクを形成する。 - 特許庁