「patterning process」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

In the patterning process of the gate, a polycrystalline silicon film 16a which constitutes the floating gate 6 is left in the element formation area 12, and besides in condition that the element isolation film 14 is exposed, the etching is stopped once, and a groove is made in the surface of the element isolating and insulating film 14.例文帳に追加

ゲート部のパターニング工程では、浮遊ゲート６を構成する多結晶シリコン膜１６ａが素子形成領域１２に残され、且つ素子分離絶縁膜１４が露出した状態で一旦エッチングを止めて、素子分離絶縁膜１４の表面に溝２３を加工する。 - 特許庁

First, insulating films 10 and 11 between the electrodes and an insulating film 12 are formed between transfer electrode-shadowing films by patterning the insulating material layer at the identical process using a common mask on a substrate 1, and the mutual position of the transfer electrode 4 and a photodetecting receiver 3 is decided.例文帳に追加

まず、基板１上に電極間絶縁膜１０および１１と、転送電極−遮光膜間絶縁膜１２とを、共通のマスクを用いた同一工程で絶縁材料層をパターニングして形成し、転送電極部４と光電受光部３の相対位置を確定する。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition giving a high resolution with a suppressed LER deterioration caused by film-thinning at the time of forming a chemically amplified resist film with a film thickness of 10-100 nm in lithography, and also to provide a resist patterning process using the chemically amplified positive resist composition.例文帳に追加

本発明は、リソグラフィーにおいて、膜厚を１０〜１００ｎｍとした場合の化学増幅レジスト膜の薄膜化によるＬＥＲの悪化を抑制しつつ、高解像性を有する化学増幅ポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたレジストパターン形成方法を提供することもある。 - 特許庁

The manufacturing method of a laminated electronic component constituted by the laminate of a ceramic green sheet includes a process of patterning the external terminal electrode on the ceramic green sheet, and laminating and forming the same so as to provide unevenness along a boundary between a ceramic region of an electronic component and an external terminal electrode region .例文帳に追加

セラミックグリーンシートに外部端子電極をパターンニングして、電子部品のセラミック領域と外部端子電極領域との境界に凹凸を設けるように外部端子電極を形成するように積層する工程を含むことを特徴とする積層型電子部品の製造方法。 - 特許庁

To provide a negative resist material, in particular, a chemically amplified negative resist material that can exhibit higher resolution than conventional hydroxy styrene or novolac negative resist materials, that provides excellent pattern profiles after being exposed and that exhibits excellent etching resistance; and a patterning process that uses the resist material.例文帳に追加

従来のヒドロキシスチレン系、ノボラック系のネガ型レジスト材料を上回る高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すネガ型レジスト材料、特に化学増幅ネガ型レジスト材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Also, a contact hole 10 is formed in an interlayer insulating film 9, and the high melting point metal silicide is accumulated on the whole face, and the patterning of the high melting point metal silicide is carried out, without etching-back, and metallic wirings including the bit lines 12 are formed so that a manufacturing process can be shortened in time.例文帳に追加

また、層間絶縁膜９にコンタクト孔１０を形成し高融点金属シリサイドを全面に堆積させた後にエッチバックを行うことなく、そのまま高融点金属シリサイドのパタ−ニングを行い、ビット線１２を含む金属配線を形成しているので製造工程を短縮できる。 - 特許庁

The functions of a protective layer and the alignment layer can be simultaneously performed by patterning the pixel electrode on a source and a drain electrodes and then immediately vapor-depositing polyimide resin on the entire surface of the pattern from a stage for forming a substrate to a stage for forming the alignment layer in the manufacturing process of the liquid crystal display device.例文帳に追加

本発明によると、液晶表示装置の製造過程の中、基板から配向膜まで形成する段階でソース及びドレイン電極上に画素電極をパターンニングしてすぐポリイミド樹脂を全面蒸着することで保護層及び配向膜の機能を同時に遂行できるようになる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device suppressing process increase such as patterning, reducing an inter-wiring capacity, superior in adhesion and mechanical strength with a dispersion barrier film covering a wiring material and superior in manufacture of an insulating film, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

パターニングなどの工程増を抑制し、配線間容量を低減させるとともに、配線材料を被覆する拡散バリア膜との密着性や機械的強度にも優れ、絶縁膜の加工性にも優れた半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material of a multilayer resist film used in lithography for forming a resist underlayer that prevents wiggling in substrate etching and prevents a poisoning problem in forming an upper layer pattern using a chemically amplified resist, to provide a process for forming the resist underlayer film, and to provide a patterning process and a fullerene derivative.例文帳に追加

本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜、を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、及びパターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the bulkhead of the biochip 100 including the substrate 10 and the bulkhead 20 sectioning the surface of the substrate 10 includes: a process to form a first film on the substrate using a composition including a coloring agent (A), a polyfunctional monomer (c) having 3-6 polymerizable unsaturated bonds, and a radiation-sensitive polymerization initiator (D); and a process to perform patterning of the first film to form the bulkhead 20.例文帳に追加

基板１０とその表面を区画する隔壁２０とを備えるバイオチップ１００における隔壁製造方法で、着色剤（Ａ）、重合性不飽和結合を３つ以上且つ６つ以下有する多官能性単量体（ｃ）、感放射線性重合開始剤（Ｄ）を含む組成物を用いて基板上に第１膜を形成する工程と、第１膜をパターニングして隔壁２０を形成する工程を備える。 - 特許庁

This method includes the steps of forming a film 2 on a semiconductor substrate 1 and forming an interlayer insulating film 3 thereon, subjecting the film 3 through photolithography to a patterning process to form a hole 4, subjecting the film 3 to wet etching process with use of an etchant having a etching rate larger than that of the film 2 to the film 3, and observing the hole 4 from an open side thereof.例文帳に追加

半導体基板１上に膜２を形成し膜２の上に層間絶縁膜３を形成する工程と、層間絶縁膜３をフォトリソグラフィ法によりパターニングしてホール４を形成する工程と、層間絶縁膜３に対する膜２のエッチング速度の比が大きいエッチング液を使用して層間絶縁膜３をウェットエッチングする工程と、ホール４を開口側から観察する工程とを有する。 - 特許庁

A solder resist layer 42 is formed on the pad 31a and the distribution layer 31b to form a solder resist pattern 42a through patterning process and plating is effected on the pad 31a and the ball lands 31c to obtain a substrate 100 for semiconductor device having ball lands 51 and pad 52, on which a plating film is formed.例文帳に追加

パッド３１ａ及び配線層３１ｂ面にソルダーレジスト層４２を形成し、パターニング処理してソルダーレジストパターン４２ａを形成し、パッド３１ａ及びボールランド３１ｃ上にめっきを行い、めっき被膜が形成されたボールランド５１及びパッド５２を有する半導体装置用基板１００を得る。 - 特許庁

In addition, a manufacturing method of a display device includes a process to use the adhesive layer 4 as a color filter layer by applying patterning by carrying out exposure and development after transferring the phosphor layer 3 and the adhesive layer 4 to the inner surface of a display panel by using the thermally-sensitive transfer film F.例文帳に追加

また、この感熱性転写フィルムＦを用いて表示パネルの内面へ蛍光体層３および接着剤層４を転写した後、露光、現像を行ってパターニングを施すことにより接着剤層４をカラーフィルタ層として用いるようにする工程を含む表示装置の製造方法でもある。 - 特許庁

To provide a post-ashing treatment solution which prevents the corrosion of metallic wiring and reliably removes residue such as a degenerated photoresist film and a metallic deposition from a substrate subjected a ashing after dry etching under severer conditions in an ultrafine patterning process and a treatment method using the solution.例文帳に追加

超微細パターン化プロセスにおけるより過酷な条件のドライエッチング、続いてアッシングが施された基板において、金属配線に対する腐食を防止し、かつホトレジスト変質膜、金属デポジション等の残渣物を確実に除去し得るアッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法を提供する。 - 特許庁

The production process of an electromagnetic wave shielding material comprises a step for forming a substrate with a metal thin film using a metal thin film 4 and a resin substrate material 3 by a melting extrusion laminating method, and a step for patterning the metal thin film into mesh by etching and forming a meshed metal thin film.例文帳に追加

金属薄膜４及び樹脂基材原料３を用い、溶融押し出しラミネート法により金属薄膜付基材を形成する工程、該金属薄膜をエッチング法によりメッシュ状にパターニングし、メッシュ状金属薄膜を形成する工程、を有することを特徴とする電磁波遮蔽材およびその製造方法とする。 - 特許庁

To provide a resist pattern forming method which, in double patterning, can form a second resist pattern while retaining a first resist pattern without dissolving the first resist agent in the second resist agent, and which can suppress a line width variation of the first resist pattern and is suitably adopted even for a liquid immersion exposure process.例文帳に追加

ダブルパターニングにおいて、第二のレジスト剤に第一のレジスト剤が溶解することなく、第一のレジストパターンを保持したまま第二のレジストパターンを形成することができ、更には第一のレジストパターンの線幅変動を抑制することができ、液浸露光プロセスにも好適に採用されるレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a field effect transistor capable of suppressing damage of an active layer in a patterning process by etching, and the field effect transistor which diminishes the damage, in the field effect transistor which activates an oxide semiconductor mainly composed of magnesium (Mg) and (In) indium as the active layer.例文帳に追加

ＭｇとＩｎを主成分とする酸化物半導体を活性層とする電界効果型トランジスタにおいて、エッチングによりパターニングする工程における活性層のダメージを抑制することが可能な電界効果型トランジスタの製造方法、及び該ダメージが軽減された電界効果型トランジスタを提供すること。 - 特許庁

The production process for an embedded printed circuit substrate includes a step 1 for forming a circuit pattern region, in which a part of an insulation layer is etched by laser-patterning the insulation layer produced by laminating photosensitive substance layers; and a step 2 for forming a circuit pattern, by filling the circuit pattern region with a substance for plating.例文帳に追加

特に、感光物質層が積層された絶縁層をレーザーパターニングして絶縁層の一部がエッチングされる回路パターン領域を形成するステップ１と、前記回路パターン領域をメッキ物質で充填して回路パターンを形成するステップ２とを含む埋込型印刷回路基板の製造工程を特徴とする。 - 特許庁

Also, a contact hole 8 is formed in a first interlayer insulating film 4, and the high melting point metal silicide is accumulated on the whole face, and the patterning of the high melting point metal silicide is carried out without operating etching- back, and metallic wirings including the bit lines 12 are formed so that a manufacturing process can be shortened in time.例文帳に追加

また、第１層間絶縁膜４にコンタクト孔８を形成し高融点金属シリサイドを全面に堆積させた後にエッチバックを行うことなく、そのまま高融点金属シリサイドのパタ−ニングを行い、ビット線１０を含む金属配線を形成しているので製造工程を短縮できる。 - 特許庁

This method comprises a step for performing a surface reforming process to expose the underlayer film surface including the basic substance to the plasma of gas including carbon gas, a step for coating the chemically amplified resist film of the underlayer film, and a step for patterning the chemically amplified resist through the exposing and development processes thereof.例文帳に追加

塩基性物質を含む下地膜表面をカーボンガスを含むガスによるプラズマを晒す表面改質処理を行う工程と下地膜上に化学増幅型レジスト膜を塗布する工程と化学増幅型レジストに露光および現像処理を行って化学増幅型レジストをパターニングする工程とを備えるようにしたものである。 - 特許庁

To lessen dispersion in etched dimensions in a base barrier metal layer by completing with one patterning of a resist into an etching mask when an aluminum alloy wiring layer not less than 3 μm in thickness deposited on the base barrier metal layer is patterned as desired in a semiconductor device manufacturing process.例文帳に追加

半導体装置の製造プロセスにおいて、下地バリアメタル層の上に、３μｍ以上の厚さのアルミニウム合金層が積層された積層配線層を所望のパターンに成形するにあたり、エッチングマスクとなるレジストのパターニングを１回で済ませ、下地バリアメタル層のエッチング寸法のばらつきを小さくすること。 - 特許庁

To provide a polymer compound suitable as a base resin for a positive resist material, especially for a chemically amplified positive resist material, having a high sensitivity, a high degree of resolution, a good pattern configuration after exposure, and in addition an excellent etching resistance; a positive resist material using the polymer compound; and a patterning process.例文帳に追加

高感度および高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物、これを用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the electro-optical device, which includes a process of forming the metallic film on a glass substrate, the glass substrate having the metallic film formed thereon is subjected to heat treatment after formation of the metallic film on the glass substrate and before patterning processing of the metallic film, whereby bend of the glass substrate is relaxed.例文帳に追加

ガラス基板上に金属膜を形成する工程を含む電気光学装置の製造方法であって、ガラス基板上に金属膜を形成した後、当該金属膜に対してパターニング処理を行う前に、金属膜が形成されたガラス基板を加熱処理することにより、ガラス基板の反りを緩和することを特徴とする。 - 特許庁

To uniformly bring a pattern formed surface of a mold into pressure contact with the surface to be imprinted of a magnetic recording medium over the entire surfaces for forming a pattern shape which is uniform and has excellent reliability, in a process for performing patterning of a fine shape on a discrete track medium and a patterned medium using an imprint technique.例文帳に追加

インプリント技術を用いてディスクリートトラックメディアやパターンドメディアに微細な形状パターニングを行うプロセスにおいて、均一かつ信頼性に優れた形状パターンの形成を行うためには、モールドのパターン形成面と磁気記録媒体の被インプリント面とを全面に渡って均一に圧接することが必要である。 - 特許庁

The method for manufacturing the nozzle sheet used for an ink-jet head of an ink-jet printer adopts a process of exposing a first photosensitive resin sheet 20 on which a photosensitive liquid repelling film 21 is formed and patterning first nozzles 21a, 20a at the same time on the photosensitive liquid repelling film 21 and the first photosensitive resin sheet 20.例文帳に追加

インクジェットプリンタのインクジェットヘッドに用いられるノズルシートは、感光性撥液膜２１が形成された第１感光性樹脂シート２０に露光し、感光性撥液膜２１及び第１感光性樹脂シート２０に一度に第１ノズル２１ａ、２０ａのパターニングを行う工程を採り入れた製造方法とする。 - 特許庁

To suppress the characteristics variation of MOS transistors due to charging by a plasma to lessen the influence causing the characteristics deterioration of an analog circuit on both gate electrodes of the MOS transistors paired in the analog circuit of a MOS type semiconductor integrated circuit device in a process of patterning a metal wiring layer by plasma etching.例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体集積回路装置におけるアナログ回路の互いにペアとなるＭＯＳトランジスタ対の双方のゲート電極への金属配線層をプラズマ・エッチングによりパターニングする工程で、プラズマの帯電によるＭＯＳトランジスタの特性変動を抑制し、アナログ回路の特性の悪化の原因となる影響を軽減する。 - 特許庁

To provide a surface treatment agent for a freezing process, which can suppress variations in the line width of a first resist pattern and LWR (line width roughness) which may be caused by freezing treatment applied to the first resist pattern and the formation of a second resist pattern in a double patterning method, and to provide a resist pattern formation method using the surface treatment agent.例文帳に追加

ダブルパターニング法において、第一のレジストパターンに対して行うフリージング処理及び第二のレジストパターンの形成による、第一のレジストパターンの線幅並びにＬＷＲの変動を抑制することができるフリージングプロセス用の表面処理剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a polymer compound, having a high sensitivity, a high degree of resolution, a good pattern configuration after exposure, and in addition an excellent etching resistance, suitable as a base resin for a positive resist material, especially for a chemically amplified positive resist material; a positive resist material using the polymer compound; and a patterning process.例文帳に追加

高感度および高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物、これを用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In a process of manufacturing the diffraction optical element through full plate exposure and dry etching by means of an exposure device, an exposure wavelength used upon the patterning of the diffraction optical element is approximately equal to the wavelength used upon the usage of the finished diffraction optical element.例文帳に追加

回折光学素子を露光装置による一括露光とドライエッチングにより作製するプロセスにおいて、回折光学素子にパターンニングを行う際に使用される露光波長と、出来上がった回折光学素子を使用する際に用いられる波長とが、ほぼ同一であることを特徴とする回折光学素子の作製方法である。 - 特許庁

To provide a mask material for dry etching, which is suitable for fine patterning of thin magnetic films of about several nanometers such as NiFe and CoFe composing a TMR film, and furthermore, which can simplify a manufacturing process of a TMR element and reduce a manufacturing cost concerned with facilities and materials例文帳に追加

ＴＭＲ膜を構成するＮｉＦｅやＣｏＦｅのように数ｎｍ程度の薄い磁性膜の微細加工に適したドライエッチング用のマスク材、更に、このようなマスク材であって、なおかつ、ＴＭＲ素子の生産工程の簡略化、設備、材料に関わる製造コストの低減を図ることのできるドライエッチング用のマスク材を提供する。 - 特許庁

A laser beam radiated in the shape of a circular cross section from a laser oscillator 4 is shaped into almost a rectangle by placing, in the laser beam, a set of two cylindrical lenses 5a and 5b arranged orthogonally to each other, when the tin oxide film applied onto a glass substrate 9 is subjected to the electrode patterning process by the irradiation of the laser beam.例文帳に追加

ガラス基板９上に被覆された酸化錫膜にレーザービームの照射により電極パターニング加工をするとき、レーザー発振器４から出射したビームの断面円形状をシリンドリカルレンズを互いに直交方向に配置した２個のレンズ５ａ、５ｂを２個１組としてレーザービーム中に配置して略矩形に整形する。 - 特許庁

By utilizing a residue-film-thickness distribution (a pattern-ratio distribution for CMP) which is the assumed-value distribution of residue-film thicknesses after a CMP process; and by using a computer, there is extracted a first region A in a patterning mask, which corresponds to an region X having higher values for the residue-film-thickness distribution than a first threshold.例文帳に追加

ＣＭＰ工程後の残膜厚の推定に関する値の分布である残膜厚分布（ＣＭＰ用パターンレシオ）分布を利用して、コンピュータを用いて、この残膜厚分布の値のうち当該値が第１の閾値よりも高い領域Ｘに対応する、パターニング用マスク内における第１領域Ａを抽出する。 - 特許庁

To provide a fabric-fulling or tie-patterning method by which a fabric to be processed can efficiently be treated in processes for sticking the fabric to a thermally shrinkable film and then thermally shrinking the film to full and compact the fabric or draw a tie-pattern on the fabric, while omitting a process for drying an adhesive applied on the thermally shrinkable film and the fabric.例文帳に追加

熱収縮性フイルムを被加工布帛に貼り合わせて加熱収縮させて被加工布帛を縮絨緻密化し、或いは、被加工布帛に絞り模様を描出する過程において、熱収縮性フイルムと被加工布帛に塗着した接着剤の乾燥工程を省き、効率的に被加工布帛を処理する。 - 特許庁

The first electrode can be exactly formed almost into the tapered-shape by heightening accuracy of patterning by accurately controlling an etching line width by applying a lithography process at every layer with a different etching method and an etching speed from each other, after forming the adhesion layer 12A, the metal layer 12B, and the work function adjusting layer 12C on the substrate 11, successively.例文帳に追加

基板１１に、密着層１２Ａ，金属層１２Ｂおよび仕事関数調整層１２Ｃを順に形成したのち、エッチング方法およびエッチング速度が異なる層ごとにリソグラフィ工程を設けることにより、エッチング線幅を精確に制御してパターニング精度を高め、第１電極１２を確実に略順テーパ状に形成することができる。 - 特許庁

On a substrate used for a production process of a large liquid crystal display, a probe card capable of the simultaneous collective contact to the entire chips on a wafer in high accuracy and low cost is disposed by patterning the following components using photolithography technique or the like: a contact pad with wafer and required wiring; a correction capacity for frequency characteristic improvement; and a signal switching thin-film transistor, and the like.例文帳に追加

大型液晶ディスプレイの製造工程で採用されている基板上に、ウエハーとのコンタクトパッドと必要な配線、周波数特性改善用の補正容量、信号切り替え薄膜トランジスター等をフォトリソグラフ技術等でパターンニングすることにより、高精度且つ低コストのウエハー全チップ一括同時コンタクトが可能なプローブカードを作成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a transparent conductive laminate which improves pattern alignment accuracy of a plurality of transparent conductive films by suppressing a dimensional change due to heat applied during a post process by conducting crystallization of a transparent conductive layer in a short time and a heat contraction processing of a substrate prior to patterning and joining of the conductive layer.例文帳に追加

短時間で透明導電層を結晶化させること、及び、基板の熱収縮処理を行い、導電層のパターニング、貼り合せの前に、後工程で加えられる熱による寸法変化を抑制することで、複数の透明導電性フィルムのパターン位置合わせ精度を向上させる透明導電性積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a thin film transistor, which has the process of applying a precursor solution to form an oxide semiconductor thin film, forms the oxide semiconductor thin film by using a liquid jet apparatus for jetting charged droplets in patterning a precursor thin film formed by the application of the precursor solution.例文帳に追加

前駆体溶液を塗布して酸化物半導体の薄膜を形成する工程を有する薄膜トランジスタの製造方法において、 該前駆体溶液を塗布して形成される前駆体薄膜のパターニングに帯電させた液滴を吐出する液体吐出装置により酸化物半導体の薄膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

The mask blank having a thin film 12, 13 to form a pattern on a substrate 11 is to be subjected to a dry etching process applicable to the method of producing an exposure mask, the method including patterning the thin film by dry etching using an etching gas substantially containing no oxygen through a resist pattern 14a to be formed on the thin film as a mask.例文帳に追加

基板１１上にパターンを形成するための薄膜１２，１３を有するマスクブランクにおいて、前記薄膜上に形成されるレジストパターン１４ａをマスクにして、酸素を実質的に含まないエッチングガスを用いたドライエッチング処理により、前記薄膜をパターニングする露光用マスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクである。 - 特許庁

This method of manufacturing display device includes a step of patterning a resist layer 2 having a thickness excluding the thickness of the thickest resist film of a plurality of resist films having different film thicknesses in an area 13 other than a display area in a photoengraving process in which the plurality of resist films are provided for forming the pattern of the display device on the surface of a substrate 5.例文帳に追加

基板５表面上に表示装置のパターンを形成するために、複数のレジスト膜厚を設ける写真製版工程において、表示領域以外の領域１３に、前記複数のレジスト膜厚のうち、最も厚いレジスト以外の厚さを有するレジスト層２をパターン形成する工程を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 特許庁

In a process of patterning a wiring 210 on a metal plug 206, when a photoresist 218 is removed, impurity is added to oxygen plasma 220 with a ratio of oxygen to impurity at about 1:1 or with the amount of oxygen decreased with respect to that of impurity, and then the photoresist 218 is removed by an oxygen plasma and then a substrate 200 is wet-cleaned with an alkaline solution.例文帳に追加

金属プラグ上に配線をパターニングする工程において、フォトレジストを除去する時に、酸素プラズマ中に不純物を添加し、かつ酸素と不純物との比率を約１：１または酸素含有量が不純物含有量よりも小さくしてから、酸素プラズマによりフォトレジストを除去し、アルカリ性溶液で基板に対する湿式洗浄を行う。 - 特許庁

To provide a method for removing a silicon-containing two-layer resist comprising a first resist layer containing an organic high molecular compound and a photosensitive silicon-containing second resist layer for reworking after the patterning of the second resist layer while suppressing the occurrence of defects on a wafer in removal in a process for producing a device using the two-layer resist on a substrate.例文帳に追加

基板上に有機高分子化合物を含む第１レジスト層と感光性シリコン含有第２レジスト層からなるシリコン含有２層レジストを用いるデバイス製造工程において、第２レジスト層をパターニングした後で、リワーク等のために、レジスト剥離時のウェハ上の欠陥の発生を著しく低減しつつ、上記２層レジストを剥離する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist underlayer film of a multilayer resist film having at least three layers used in lithography, wherein the resist underlayer film reduces reflectance, has high etching resistance, high heat, and solvent resistances, and avoids wrinkling on a substrate particularly during the etching of the substrate, and also to provide a patterning process using the same.例文帳に追加

リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

When regions 6a and 6b, where the impurities of different concentration or the impurities of different types are partially implanted, exist in a polysilicon film 6 formed on a semiconductor substrate as shown in Fig. (b), the impurities of high etching rate are implanted (6c) in an etched region after a lithographic process for patterning a gate electrode, and the etching rate is made uniform.例文帳に追加

図３（ｂ）に示すように、半導体基板上に形成されたポリシリコン膜（６）に部分的に異なる濃度の不純物または異なる種類の不純物が注入された領域（６ａ及び６ｂ）がある場合に、図３（ｃ）に示すゲート電極をパターニングするためのリソグラフィー工程の後、エッチングする領域にエッチングレートの大きな不純物を注入し（６ｃ）、エッチングレートの均一化を図る。 - 特許庁

When balls such as solder balls are mounted on substrates 400 to be mounted, a cutting process of cutting a multiple patterning substrate 500 patterned with the plurality of substrates 400 to divide into the respective substrates 400 and electric inspection on the respective substrates 400 are performed in predetermined order, and balls are mounted only on substrates 400 determined as conforming articles through the electric inspection.例文帳に追加

搭載対象の基板４００に半田ボール等の球状体を搭載する際に、基板４００が複数面付けされた多面付け基板５００を切断して各基板４００に分割する切断処理、および各基板４００に対する電気的検査を所定の順序で実行し、電気的検査において良品と判別された基板４００にのみ球状体を搭載する。 - 特許庁

A first process for producing an electric circuit component comprises steps (a) for forming a nonconductive trench structure on a substrate, (b) for patterning solution containing an electroless plating medium in the trench on the substrate by ink jet technology, and (c) for depositing a conductive substance in the opening of the trench structure by electroless plating followed by or not followed by elctroplating.例文帳に追加

本発明の電気回路部品の第１の製造方法は、（ａ）基板上に非導電性の溝構造を形成する工程；（ｂ）インクジェット技術によって、該基板上の溝に無電解メッキ触媒含有溶液をパターニングする工程；および（ｃ）無電解メッキ法または無電解メッキ法に続く電解メッキ法により、該溝構造の開口部に導電性物質を析出させる工程を含む。 - 特許庁