「patterning process」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, in the subsequent process to the patterning process, the two-dimensional bar codes 21, 22 are imaged, the manufacturing conditions are read from the obtained image, and the manufacturing process is performed according to the read manufacturing conditions, so that a mistake in setting the manufacturing conditions by a worker is reduced.例文帳に追加

これにより、パターニング工程の後の工程では、二次元バーコード２１、２２を撮像し、得られた画像から製造条件を読み出し、読み出した製造条件に従って製造工程を実施することができ、作業者による製造条件の設定ミスを低減すること可能になる。 - 特許庁

To solve problems that gas is generated due to electric erosion reaction by developer and peeling of film is generated at a contact part in an organic insulation film patterning process for forming relief structure of a reflection film in an array process of a liquid crystal display.例文帳に追加

液晶表示装置のアレー工程において、反射膜の凹凸形状を形成するための有機絶縁膜パターニング工程で、現像液による電喰反応からガスが発生し、コンタクト部で膜はがれが発生する問題が生じる。 - 特許庁

This is a forming method of a transparent electrode comprising a process to form a transparent conductive film having ZnO added with Mg on a substrate and a process to form patterning of the transparent conductive film using an etching liquid containing HCl.例文帳に追加

基板上にＺｎＯにＭｇが添加された透明導電膜を形成する工程と、ＨＣｌを含むエッチング液を用いて上記透明導電膜をパターンニングする工程とを含む透明電極の形成方法により解決される。 - 特許庁

By using patterning sections corresponding to thin-film transistors and by using a mask corresponding to an aligning key in the amorphous silicon crystallizing process, only necessary parts are crystallized and a decrease is achieved in process time.例文帳に追加

本発明では薄膜トランジスタに対応するパターン部とアラインキーに対応するマスクを利用して非晶質シリコンを結晶化することによって、必要な部分だけを結晶化できて工程時間を短縮させることができる。 - 特許庁

To provide a processing method for a photosensitive ceramic sheet capable of adequately adhering with a support in a patterning process and easily peeling in a peeling process by reducing adhesiveness with the support.例文帳に追加

パターン加工工程においては支持体と充分密着した感光性セラミックスシートを、剥離工程においては基板との密着性を低くして容易に剥離することができる感光性セラミックスシートの加工方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a mask for conductive film patterning, by which the process can be shortened, appearance defects such as flaw, blot and spark mark can be prevented, productivity can be greatly improved, and accordingly, usability in the subsequent process and durability during use can be improved remarkably.例文帳に追加

工程を短かくでき、キズ、滲み、スパーク跡などの外観欠点がなく、生産性が著しく優れ、したがって後工程での使い易さや、使用時の耐久性を著しく改良した導電膜パターン化用マスクを提供する。 - 特許庁

By using the material subjected to spin-on processing to the hard mask, a process can be executed by using a single tool, and usage of a single curing step is enhance, which is not normally used in a patterning process of the conventional technique, in which a CVD hard mask is used.例文帳に追加

ハード・マスクにスピンオンされた材料を使用すると、プロセスが単一のツールで実施でき、ＣＶＤハード・マスクが使用される従来技術のパターニング・プロセスで通常使用されない単一の硬化ステップの使用が可能になる。 - 特許庁

To provide a fine patterning method capable of forming a sparse pattern while suppressing deformation and "tilting" by improving various tolerances of etching, and the like, utilizing the curing effect of vacuum UV-rays, and to provide a fabrication process of semiconductor device employing the fine patterning method.例文帳に追加

真空紫外線によるキュア効果を利用してエッチングなどの各種の耐性を改善し、変形や「倒れ」などを抑制できる疎なパターンを形成可能とした微細パターン形成方法及びこの微細パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high product yield in which patterning process accuracy variations by a photolithography is reduced in a method of manufacturing a semiconductor device, in which, after HMDS processing is performed in a semiconductor substrate in the middle of manufacturing, a photoresist is formed on the semiconductor substrate and patterning processing is performed.例文帳に追加

製造途中にある半導体基板をＨＭＤＳ処理した後、半導体基板上にフォトレジストを形成してパターニング加工を施す半導体装置の製造方法であって、フォトリソグラフィによるパターニング加工精度ばらつきを低減した、製品歩留まりの高い製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a patterning method in which a first drawing pattern and a second drawing pattern are aligned with high accuracy when patterns are drawn as overlapped to form a pattern by using a plurality of patterning steps by use of a photolithographic process on the same substrate.例文帳に追加

同一基板上にフォトリソグラフィー法を用いた複数のパターニング工程を用いてパターンを形成するために重ね合わせ描画する場合、１回目の描画パターンと２回目の描画パターンとが高い精度で位置合わせされて形成されるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the lower panel for the plasma display panel includes a process for preparing a base substrate, a process for forming a material layer for a barrier rib on the base substrate, a process for forming the barrier rib pattern by irradiating the X-ray on the material layer for the barrier rib, a process for developing and patterning the material layer for the barrier rib.例文帳に追加

基底基板を準備する工程と、基底基板上に隔壁用素材層を形成する工程と、隔壁用素材層上にＸ線を照射することによって隔壁パターンを形成する工程と、隔壁用素材層を現像してパターン化する工程と、を含むことを特徴とする、プラズマディスプレイパネル用下部パネルの製造方法が提供される。 - 特許庁

A system, method, and product for manufacturing a semiconductor device by a lithography which are accompanied by a lithography double patterning process for adding a coloring matter to a first or second lithography pattern are provided.例文帳に追加

第１または第２リソグラフィパターンに色素を付加するリソグラフィダブルパターニングプロセスを伴う、半導体デバイスをリソグラフィにより製造するシステムおよび方法、ならびに製造物が提供される。 - 特許庁

This order enables manufacture of the packages, without additional patterning process or additional substrate for adhering solder balls in the direction of the upper surface of the semiconductor chip.例文帳に追加

このような順序変更を通じて、半導体チップの上面方向にソルダーボールを付着するための別途のパターニング工程や別途の基板を利用せずにパッケージが製造できる。 - 特許庁

To provide a process to obtain broad range of feature detail in the same resist film with sufficiently uniform surface topography and without the need to perform significant post-patterning processing.例文帳に追加

同一レジスト膜に、実質的なパターニング後処理を行う必要がない十分に均一な表面トポグラフィを有する、広範囲のフィーチャのディテールを得ることが可能なプロセスの提供。 - 特許庁

To make high-grade microfabrication possible by a double-patterning process or the like by providing a pattern-freezable resist material and a pattern-forming method including a step of curing a resist film.例文帳に追加

パターン硬化可能なレジスト材料、レジスト膜を硬化させる工程を含むパターン形成方法を提供することにより、ダブルパターニングプロセス等により高度な微細加工を可能にする。 - 特許庁

To provide a negative resist composition in which a bridge hardly occurs, substrate dependence is low and a pattern with high resolution can be formed, and a patterning process using the same.例文帳に追加

ブリッジが発生しにくく、また、基板依存性が小さく、解像性に優れたパターンを形成することができるネガ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

When the polysilicon layer 13 is subjected to patterning through the same dry etching process, the impurity-doped region 131 is etched sooner than the non-doped region 132 due to an etching rate difference.例文帳に追加

このようなポリシリコン層１３を同一のドライエッチング工程でパターニングする場合、エッチングレートの違いから不純物のドープされた領域１３１の方が早くエッチングされてしまう。 - 特許庁

Consequently, the semiconductor device is provided which has extremely less breaking of the gate electrode, has improved resist patterning precision in a gate electrode forming process, and has small characteristic variance in a wafer surface.例文帳に追加

ゲート電極の断線が極めて少なく、ゲート電極形成工程におけるレジストパターニング精度が改善された、ウェハ面内の特性ばらつきの少ない半導体装置を実現している。 - 特許庁

Then an interlayer insulating film 3b is formed, and a contact hole 4 to connect the aforementioned signal wiring 2 and the reflection electrode to be formed in the succeeding process is formed by patterning.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜３ｂが形成され、上記信号配線２と後の工程で形成される反射電極との接続のためのコンタクトホール４が、パターニングにより形成される。 - 特許庁

To provide a wiring board manufacturing method which can remove catalyst particles on an insulator layer exposed through patterning given to a plating layer, without interfering with a subsequent plating process.例文帳に追加

めっき層をパターン加工して露出した絶縁物層上の触媒粒子を，後のめっき工程に支障を来すことなく除去する配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of forming a mask pattern, which prevents pattern collapse of the mask pattern by omitting an etching process of an antireflection film when forming the mask pattern by a Side Wall Patterning (SWP) method.例文帳に追加

ＳＷＰによりマスクパターンを形成する場合に、反射防止膜のエッチング工程を省略し、マスクパターンのパターン倒れを防止することができるマスクパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

In an adhesive layer patterning process 203, a part of the adhesive layer formed on the plate corresponding to the opening section is physically removed by an ultrasonic wave in a liquid.例文帳に追加

次に、接着層パターニング工程２０３で、プレート上に形成されている接着層における開口部上に対応した部分を、液中超音波にて物理的に除去する。 - 特許庁

In a metal gate electrode forming method, a selective oxidation process to silicon which is executed after gate electrode patterning is executed in a gas atmosphere containing gas which contains nitrogen atoms.例文帳に追加

金属ゲート電極形成方法において、ゲート電極パターニング後実施されるシリコンに対する選択的酸化工程を、窒素原子を含有するガスを含むガス雰囲気で実施する。 - 特許庁

A first patterning and an etching process are performed to the lower wiring material and the switching material to form a first structure 1102 having an upper surface area and a side area.例文帳に追加

下部配線材料及びスイッチング材料に対して第１パターニング及びエッチングプロセスを行い、上部表面領域及びサイド領域を有する第１構造１１０２を形成する。 - 特許庁

To provide a negative photosensitive resin composition which is excellent, when developing, in adhesion with the surfaces of substrates comprising inorganic substances not containing Si atoms and the element surfaces during the patterning process.例文帳に追加

パターン加工時において、Ｓｉ原子を有しない無機物で構成される基板表面や素子表面との現像時接着性に優れたネガ型感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide the manufacture of a multi-layered wiring board which can use the target of an internal layer material as the matching standard for the patterning of an external layer without requiring any extra process.例文帳に追加

余計な工程を要さずに内層材のターゲットを外層のパターン加工のための整合基準として用いることができる多層配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method of a metallic material layer has a process for forming a resist layer on a substrate, a process for forming a resist pattern by patterning the resist layer, a process for disposing an organic metallic solution on the substrate and on the resist pattern, a solvent removal process for removing solvent of the organic metallic solution, and a lift-off process for removing the resist pattern after the solvent removal process.例文帳に追加

本発明の一つの側面は、基板上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層をパターニングすることによってレジストパターンを形成する工程と、前記基板上及び前記レジストパターン上に有機金属溶液を配置する工程と、前記有機金属溶液の溶媒を除去する溶媒除去工程と、前記溶媒除去工程の後に前記レジストパターンを除去するリフトオフ工程とを有する金属材料層の製造方法にある。 - 特許庁

In a process before isolation of the gate electrodes 10n, 10p by patterning gate electrode material, thermal treatment of high temperature of at least 700°C is made not to perform, so that the interdiffusion of dopant in a process before gate electrode formation is prevented.例文帳に追加

また、ゲート電極材料をパターニングしてゲート電極１０ｎ、１０ｐを分離する以前の工程では、７００℃以上の高温の熱処理を行わないようにすることで、ゲート電極形成前の工程における不純物の相互拡散を防止する。 - 特許庁

To provide a pattern formation process of a semiconductor element for doubling a pattern density by double patterning technology in a partial region while forming a pattern having various widths simultaneously, and to provide a semiconductor element having a structure to which the process can be easily applied.例文帳に追加

多様な幅を有するパターンを同時に形成しつつ、一部領域ではダブルパターニング技術によりパターン密度を倍加させる半導体素子のパターン形成工程及び該工程を容易に適用可能な構造の半導体素子を提供する。 - 特許庁

In the inkjet recording method, an initial speed of discharged ink droplets is 3 m/sec to 16 m/sec in the case of patterning a building material 70 using an inkjet recorder 1, and a carrying process and an inkjet recording process are included.例文帳に追加

インクジェット記録装置１を用いて建築材７０を模様付けする場合において、吐出されたインク滴の初速が３ｍ／ｓｅｃ〜１６ｍ／ｓｅｃであるインクジェット記録方法であって、搬送工程と、インクジェット記録工程とを含む。 - 特許庁

Also, in the formation process of the protection film 31, the protection film 31 is formed so that the side face 27 of the pattern of the functional films 28 and 29 formed by the patterning process by wet etching can be covered with the formed protection film 31.例文帳に追加

また、保護膜３１の形成工程では、ウエットエッチングによるパターニング工程において、パターニングによって形成された機能膜２８，２９のパターンの側面２７が、形成した保護膜３１によって覆われるように、保護膜３１を形成する。 - 特許庁

A wet-etching process is carried out for the residual substances 80, such as a heavy compound generated when patterning a second structure layer made of resin by an O_2 etching process together with a removal layer 93 located above a first structure layer 51 serving as an actuator structure 33.例文帳に追加

Ｏ_2エッチングにより樹脂製の第２の構造層をパターニングした際に発生する重化合物などの残渣８０を、アクチュエータ構造３３となる第１の構造層５１の上方に位置する除去層９３と共にウェットエッチングする。 - 特許庁

There is provided a process method for easily manufacturing various forms of molds which have disadvantages in applying a nano imprint process by using nano imprint and a dry etching process by patterning a molding resin of a substrate having a metal pattern patterned thereon, and forming a nano-class pattern and a complicated three-dimensional micro pattern using a nano imprint process with the manufactured molds without executing a complicated process several times.例文帳に追加

金属パターンがパターニングされている基板のモールド用レジンをナノインプリントと乾式エッチング工程とを用いて、ナノインプリント工程を適用する上で難が多かった様々な形態のモールドを容易に製作し、複雑な工程を数回行うことなく、製作されたモールドでナノインプリント工程を用いてナノ級パターンや複雑な３次元形状の微細パターンの成形を可能にする工程方法を提供する。 - 特許庁

The production process of the artificial marble with a large-sized color pattern comprises heat curing a molding material containing a thermosetting resin, a filler, patterning materials and a curing agent, wherein the patterning materials having various color tones and shapes are previously inserted and fixed inside a mold for casting, and thereafter a resin compound for casting is injected/filled in the gap of the patterning materials and heat-cured.例文帳に追加

熱硬化性樹脂と充填材、柄材、硬化剤を含む成形材料を注型用金型内で加熱硬化させて人造大理石を製造するに当り、予め様々な色調と形状の柄材を注型用金型内に挟み込んで固定した後、柄材の隙間に注型用樹脂コンパウンドを注入・充填して加熱硬化させることにより、大柄の色柄模様を有する人造大理石を製造する。 - 特許庁

The manufacturing method of the display member comprises (A) a process of coating and drying photosensitive paste on a substrate with at least an electrode formed, and then exposing the coated film to light via a photomask, (B) a process of developing the coated film and patterning it, and (C) a process of forming a barrier-rib pattern by baking the pattern-formed coated film.例文帳に追加

少なくとも電極が形成された基板に下記の（Ａ）、（Ｂ）、および（Ｃ）の各工程を順次行って得られるディスプレイ部材の製造方法であって、該（Ａ）工程をｎ回（ｎは２以上の整数）実施した後に、（Ｂ）、（Ｃ）の工程を実施することを特徴とするディスプレイ部材の製造方法。 - 特許庁

The anode forming process includes a process of forming an insulating film 15 on the anode A after patterning the anode A in a predetermined shape, and further providing the insulating film 15 with an opening to expose the metal, and in the organic layer forming process, the organic layer 10 is formed to come into contact with the metal in the opening.例文帳に追加

又陽極形成工程は、陽極Ａを所定の形状にパターニングした後、陽極Ａ上に絶縁膜１５を形成し、更に絶縁膜１５に開口を設けて金属を露出させる処理を含み、有機層形成工程は、開口にて金属と接するように有機層１０を形成する。 - 特許庁

The method includes the process of placing the molded material 3 on the surface of the mat material 2 and pressin an object to be molded onto the surface of the patterning material 3 to mold the object, the process of hardening the molded material 3 after molded and the process of removing the hardened molded material 3 from the mat material 2.例文帳に追加

マット材２の表面に型取り材３を載置し、この型取り材３の表面に型取り対象を押し当てて、型取り対象の型を取る工程と、型を取った型取り材３を硬化させる工程と、硬化させた型取り材３をマット材２から取り外す工程とを含む型取り方法である。 - 特許庁

In a semiconductor production process, the method for patterning protein including a metal on a semiconductor substrate comprises a step for forming a thin film of a charged material on a photoresist, a step for patterning the charged material, and a step for adsorbing supermolecules of protein including a metal to the charged material.例文帳に追加

半導体製造プロセスにおいて、フォトレジスト上に電荷を帯びた材料の薄膜を形成する工程と、該電荷を帯びた材料をパターニングする工程と、金属内包タンパク質超分子を該電荷を帯びた材料に吸着させる工程とを含むことを特徴とする金属内包タンパク質を半導体基板上にパターニングする。 - 特許庁

After the first resist pattern is formed using the resist composition containing a thermal base generator as a chemically-amplified resist composition in the first patterning, a hard bake process is performed before the second patterning, for baking the first resist pattern under a bake condition that a base is generated from the thermal base generator.例文帳に追加

１回目のパターニングの際、化学増幅型レジスト組成物として、熱塩基発生剤を含有するレジスト組成物を使用して第一のレジストパターンを形成した後、２回目のパターニングを行う前に、第一のレジストパターンを、前記熱塩基発生剤から塩基が発生するベーク条件にてベークするハードベーク工程を行う。 - 特許庁

To provide a multiple patterning wiring board capable of cutting a matrix substrate by a dicing process at a boundary of wiring board regions with favorable workability while suppressing the occurrence of failures such as chipping, in the multiple patterning wiring board with the matrix substrate formed of a glass ceramic sintered body.例文帳に追加

ガラスセラミックス焼結体で母基板が形成された多数個取り配線基板であって、配線基板領域の境界において母基板をダイシング加工により、チッピング等の不具合の発生を抑制しながら、作業性を良好として切断することが可能な多数個取り配線基板を提供する。 - 特許庁

The production process of this resin molded article 10 having a marble grain pattern comprises a step of adding and dispersing patterning material particles 14 for forming a marble grain pattern into a matrix resin 12 consisting of a thermosetting resin, wherein, as the patterning material particles 14, colored particles of a thermoplastic polymer are used and the colored thermoplastic polymer particles 14 are added and dispersed into the matrix resin 12.例文帳に追加

石目調模様を形成するための模様材粒子１４を熱硬化性樹脂から成るマトリックス樹脂１２中に分散含有させて成る石目調樹脂成形品１０において、模様材粒子１４として熱可塑性ポリマーの着色粒子を用い、これをマトリックス樹脂１２中に分散含有させる。 - 特許庁

And also, since the male terminal side member 4 and the female terminal side members 2, 3 are formed with the use of a patterning process and a plating process of resist, a fine connector capable of corresponding to further downsizing of a portable equipment or the like, or wiring connection at an IC level can be obtained.例文帳に追加

また、雄端子側部材４と雌端子側部材２、３とをレジストのパターニング工程とめっき工程とを用いて作成したので、携帯機器などの更なる小型化やＩＣレベルでの配線接続に対応可能な微細なコネクタを得ることができる。 - 特許庁

To provide a film manufacturing method in which a bank can be formed by a simpler process without requiring a patterning process by a printing method or a lithography and minuteness of the patterns and reduction of the material usage can be achieved.例文帳に追加

本発明の目的は、印刷法またはフォトリソグラフィによるパターニング工程を要せずに、より簡単なプロセスでバンクを形成することができ、これによりパターンの微細化および材料使用量の低減化を図ることができる膜製造方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the TFT array substrate, deformations of the glass substrate generated in a heat treatment process, such as the thermal shrinkage or the thermal expansion, are estimated previously, a pattern size is magnified or reduced only for the deformation previously estimated before the heat treatment process, and exposure and the patterning are performed.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板の製造方法において、熱処理工程で生じるガラス基板の熱収縮または熱膨張等の変形を、熱処理工程の前に予め見積もった変形量だけパターン寸法を拡大または縮小して露光し、パターニングする。 - 特許庁

This manufacturing method includes a process of patterning a photoresist 2 by performing a developing process after coating the surface of a substrate 1 with the photoresist and performing proximity exposure of the photoresist 2 through a photomask 7, and then a process performing a heat treatment and a process of forming a reflecting film 3 on the heat-treated photoresist 2, and the proximity exposure is carried out under specified conditions.例文帳に追加

この製造方法では、基板１の表面上にフォトレジストを塗布し、フォトレジスト２にフォトマスク７を介してプロキシミティ露光を施した後、現像処理を行うことにより、フォトレジスト２をパターニングし、しかる後、熱処理を施す工程と、熱処理されたフォトレジスト２上に反射膜３を形成する工程と備え、プロキシミティ露光を所定の条件で実行する。 - 特許庁