「patterning process」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an intermediate layer composition for a multilayer resist process which is soluble in an organic solvent and is excellent in preservation stability and also in a trailing shape during upper layer patterning, line edge roughness and pattern peeling of an upper resist and to provide a a method for forming a pattern.例文帳に追加

有機溶剤に可溶であり、保存安定性に優れ、かつ上層レジストパターニング時の裾引き形状、ラインエッジラフネス、上層レジストのパターン剥れに優れた多層レジストプロセス用中間層組成物及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Then, a signal wiring layer 9 having the specific pattern is formed on the copper layer 1 by the photo process and etching, photo solder resist 10 is applied, patterning is made into a prescribed shape, and a via hole 11 for a soldering ball is formed by baking for curing.例文帳に追加

次に、他の銅層１にフォトプロセスとエッチングによって所定のパターンを有する信号配線層９を形成し、フォトソルダレジスト１０を塗布し、所定の形状にパターニングし、ベークを行って硬化させて半田ボール用のビア１１を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist underlayer film to form a resist underlayer film, having a lowered reflectance, a high etching resistance, and high heat and solvent resistances, in particular, without wiggling during substrate etching, and to provide a patterning process that uses the film.例文帳に追加

反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

This method can reduce the warp of the semiconductor wafer by the high fusing point metal, so this can reduce the faults in the subsequent patterning process for forming wiring, especially, in the exposure pattern by a stepper.例文帳に追加

本願の代表的な発明によれば、高融点金属膜による半導体ウエハの反りを低減できるので、以降の配線を形成するためのパターニング工程、特にステッパーによる露光工程においてフォーカスの不良を低減することができる。 - 特許庁

To provide a composition of an intermediate layer material for a three-layer resist process, which is soluble in an organic solvent, excellent in storage stability and free from problems of a tailing pattern during patterning the upper layer resist, peeling of the pattern and line edge roughness, and to provide a method for forming a pattern.例文帳に追加

有機溶剤に可溶であり、保存安定性に優れ、かつ上層レジストパターニング時に裾引き形状、パターン剥れ、ラインエッジラフネスに問題のない３層レジストプロセス用中間層材料組成物及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The process for fabricating the thin film transistor comprises steps of: coating the predetermined region on a substrate for forming the thin film transistor with liquid silicon material; and patterning the liquid silicon material thus applied into a desired pattern.例文帳に追加

本発明は、基板上の、薄膜トランジスタを形成する所定の領域に液体シリコン材料を塗布する工程と、塗布された前記液体シリコン材料を、所望の形状にパターニングする工程と、を含む、薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The transmission information printed at the lower part of the receipt 3 and to be displayed after release of the receipt is formed by skipping a printing process to a base material sheet 10 by patterning of an adhesive layer 7 to be used for pasting the receipt.例文帳に追加

本発明は、受領票３下部に記載された受領票剥離後に表示される伝達情報を、受領票貼り付けに使用する接着層７をパターニングすることにより、基材シート１０への印刷工程を省略して形成する。 - 特許庁

In producing processes for the electrode substrate including a patterning process for the transparent conductive film after etching treatment for a transparent conductive laminate, the transparent conductive film is crystallized after an etching treatment, instead of before the etching treatment.例文帳に追加

透明導電積層体をエッチング処理して該透明導電膜をパターニングする工程を含む電極基板の製造方法において、エッチング処理以前は透明導電膜を結晶化させず、エッチング処理後に透明導電膜を結晶化させる。 - 特許庁

Even if a defective part is generated at the first Schottky barrier electrode 30a when sputter film-forming or patterning Ti, Ti is so film-formed as to cover the defective part in the forming process of the second Schottky barrier electrode 30b.例文帳に追加

Ｔｉをスパッタ成膜したりパタニングしたりするときに第一のショットキー障壁電極３０ａに欠損部分が生じても、第二のショットキー障壁電極３０ｂの形成工程において、欠損部分をカバーするようにＴｉが成膜される。 - 特許庁

This photosensitive ceramic sheet processing method comprises the patterning process in which a pattern is formed on a support-provided sheet laminating a photosensitive ceramic sheet containing at least a support, a photosensitive organic component and an inorganic powder, and the peeling process in which the photosensitive ceramic sheet is peeled off from the support, and the peeling process comprises active ray irradiation or heat treatment.例文帳に追加

少なくとも支持体と、感光性有機成分と無機粉末とを含有する感光性セラミックスシートを積層した支持体付シートに、パターンを形成するパターン加工工程と、該支持体から該感光性セラミックスシートを剥離する剥離工程とを有する感光性セラミックスシートの加工方法であって、該剥離工程で、活性光線照射もしくは加熱処理することを特徴とする感光性セラミックスシートの加工方法。 - 特許庁

The patterning method includes a step of forming a pattern by using a plurality of patterning steps by use of a photolithographic process on the same substrate, and the method includes steps of preparing a substrate on which an alignment mark to be used for alignment is formed, drawing a first pattern by aligning using the above alignment mark, and drawing a second pattern by aligning using the above alignment mark.例文帳に追加

同一基板上にフォトリソグラフィー法を用いた複数のパターニング工程を用いてパターンを形成する工程を有するパターン形成方法において、位置合わせに用いるアライメントマークが形成された基板を準備する工程と、上記アライメントマークを用いて位置合わせを行い第１のパターンを描画する工程と、さらに上記アライメントマークを用いて位置合わせを行い第２のパターンを描画する工程とを含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the partition of the biochip 100 including a substrate 10 and the partition 20 for partitioning its surface includes a first film formation process for forming a first film on the substrate 10 by using the radiation-sensitive composition containing a color former (A), and a partition forming process for forming the partition 20 by patterning the first film by a lithography method.例文帳に追加

基板１０とその表面を区画する隔壁２０とを備えるバイオチップ１００における隔壁製造方法で、カラーフォーマー（Ａ）を含む感放射線性組成物を用いて基板１０上に第１膜を形成する第１膜形成工程と、第１膜をリソグラフィー法によりパターニングして隔壁２０を形成する隔壁形成工程と、を備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the substrate for microarray 100, equipped with a substrate 10, a bulkhead 20 partitioning surface of the substrate 10 and an area 30 partitioned by the bulkhead, includes the process to form the first film by using the composition containing compound (A) such as C.I. pigment red 254, and the process to form the bulkhead through patterning of the first film.例文帳に追加

基板１０とその表面を区画する隔壁２０と隔壁により区画された領域３０とを有するマイクロアレイ用基板１００の製造方法において、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド２５４等の化合物（Ａ）を含む組成物を用いて第１膜を形成する工程と、第１膜をパターニングして隔壁を形成する工程と、を備える。 - 特許庁

The process (a) of forming an electrode made of inorganic oxide as a continuous layer among the plurality of electroluminescent elements, and a process (b) of irradiating light on the electrode made of the inorganic oxide and making an electric resistance of all or a part of areas where light irradiation is carried out higher than before the irradiation and carrying out patterning.例文帳に追加

（ａ）該無機酸化物からなる電極を複数の電界発光素子間で連続した層として形成する工程 （ｂ）酸化性ガス雰囲気中で該無機酸化物からなる電極に対して光照射を行い、光照射を行った領域の全域又は一部の電気抵抗を光照射前に比して高くしたパターニングする工程 - 特許庁

To provide a surface treatment agent for a freezing process being applied to the first resist pattern in a double patterning method and satisfying the requirements for preventing line width and LWR of the first resist pattern from fluctuating owing to the freezing process and the formation of the second resist pattern, and also to provide a pattern formation method by use of it.例文帳に追加

ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの線幅とＬＷＲが変動しないという要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤およびそれおよびそれを用いたパターン形成方法を提供すること - 特許庁

The phosphor-powder application process of the light-emitting diode comprises the steps of providing a chip, forming a photoresist layer so as to cover the chip, exposing a phosphor powder application area on the chip by patterning the photoresist by the optical lithography process, and filling phosphor powder containing resin to the area.例文帳に追加

チップを提供するステップと、前記チップを覆うようにフォトレジストの層を形成するステップと、光リソグラフ処理によって、前記フォトレジストをパターン化して、前記チップ上に蛍光粉を塗布する区域を露出させるステップと、蛍光粉入り樹脂を前記区域に充填するステップと、を備える発光ダイオードの蛍光粉塗布工程を提供する。 - 特許庁

To provide a resist polymer which has high sensitivity and resolution and causes only a small number of defects and a small degree of line edge roughness upon development, when used for a resist composition in DUV excimer laser lithography or electron beam lithography, its manufacturing process, a resist composition containing the resist polymer and a patterning process using the resist composition.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィー等においてレジスト用組成物に用いた場合に、高感度、高解像度であり、現像時のディフェクトや、ラインエッジラフネスが小さいレジスト用重合体、その製造方法、レジスト用重合体を含むレジスト用組成物、および、このレジスト用組成物を用いたパターン製造方法を提供する。 - 特許庁

According to this constitution, the transparent conductive film 3 is irradiated with ultraviolet rays, the thin metal wire 7 in the transparent conductive film 3 is oxidized by the photocatalytic action of the photocatalyst particles 9 irradiated with the ultraviolet rays to form an insulator, and by selectively performing this process, the patterning process of the transparent conductive film 3 can be performed.例文帳に追加

この構成によれば、透明導電膜３上に紫外線が照射され、紫外線が照射された光触媒粒子９の光触媒作用により、透明導電膜３内の金属細線７を酸化して絶縁体とすることができ、これを選択的に行うことで、透明導電膜３のパターニング処理を行うことができる。 - 特許庁

The method for forming the element of an RFID tag 10 is provided with a process for patterning multiple parts where affinities with respect to functional liquid differ, and a process for selectively giving functional liquid to a part where affinity with respect to functional liquid is high in the multiple parts on an element forming substrate 11.例文帳に追加

ＲＦＩＤタグ１０などの素子を形成する方法であって、素子形成基板１１上に、機能性液体に対する親和性が互いに異なる複数の部分をパターニングする工程と、前記機能性液体を、前記複数の部分のうち前記機能性液体に対する親和性が高い部分に選択的に付与する工程と、を有する。 - 特許庁

The method includes coarsely patterning at least one thin-film material (720-740) on a flexible substrate (710) and forming a plurality of thin-film elements on the flexible substrate (710) with a automatic-aligning imprint lithography (SAIL) process.例文帳に追加

本発明の方法は、可撓性基板（710）上で少なくとも１つの薄膜材料（720〜740）を粗くパターン形成すること、及び自動位置合わせインプリントリソグラフ（SAIL）工程を利用して、可撓性基板（710）上に複数の薄膜素子を形成することからなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive composition used for patterning due to double exposure, suitably used for a liquid immersion exposure process, such as water, without requiring separate formation of an upper layer film, and which os suitably used for forming a first resist layer.例文帳に追加

二重露光によるパターンニングに用いられ、上層膜を別途形成する必要がなく、水等の液浸露光プロセスにも好適に用いられることが可能であり、第一のレジスト層を形成するために好適に用いられる感放射線性組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor element in which adverse effects due to damage occurring during polishing or dry etching in a manufacturing process are eliminated, and a problem of difficulty in patterning by wet etching is solved, consequently reliability is improved.例文帳に追加

製造工程における研磨またはドライエッチングの際に発生したダメージによる悪影響を解消すると共に、ウェットエッチングによるパターニングが難しいという問題を解決することができ、信頼性を向上させることができる半導体素子を提供する。 - 特許庁

The patterns 8 for process monitor are formed by ion milling processing with the same stage as the stage for previously forming the film having an ion milling rate higher than that of the MR elements 6 to a film thickness thicker than the film thickness of the MR elements 6 and patterning the MR elements 6.例文帳に追加

加工モニタ用パターン８は、磁気抵抗効果素子６よりもイオンミリングレートが大きな膜を磁気抵抗効果素子６の膜厚よりも厚く形成しておき、磁気抵抗効果素子６をパターン化する工程と同じ工程でイオンミリング処理によってパターン形成する。 - 特許庁

To provide a magnetic detector, in particular, capable of reducing properly damage on an integrated circuit caused by a thin film process in patterning formation for a magnetoresistance effect element, and capable of compactifying the magnetic detector, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

特に、磁気抵抗効果素子のパターニング形成の際の薄膜プロセスによる集積回路へのダメージを適切に軽減できるとともに、磁気検出装置の小型化を実現できる磁気検出装置及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

A new patterning method is employed, which is characterized in that at least a substrate and a dispersion system are used, a distribution of particle concentration is produced in a layer of the dispersion system formed on the substrate by a distribution of heat quantity given to the dispersion system, and then subjected to a curing process.例文帳に追加

少なくとも基板と、分散系を用い、該分散系に与えられた熱量の分布により、基板上に形成した該分散系層内に濃度分布を形成し、しかる後に硬化処理を行うことを特徴とする、新規のパターニング方法を採用する。 - 特許庁

In the TAB tape for semiconductor device, the inner lead 6 and a wiring pattern 5 are formed by patterning a conductor foil 11 by a wet-etching process using an etchant to which an inhibitor constituted of an organic compound or an inorganic compound is added.例文帳に追加

本発明の半導体装置用ＴＡＢテープでは、インナーリード６および配線パターン５が、有機化合物または無機化合物からなるインヒビタを添加したエッチャントを用いたウェットエッチングプロセスによって導体箔１１をパターン加工することにより形成されている。 - 特許庁

In an etching process in which an active layer 1a of the semiconductor device is formed on by patterning a polysilicon layer after depositing the polysilicon layers on the insulating substrate 10, front surface of the substrate 10 exposed by removing the polysilicon layer is also slightly etched.例文帳に追加

絶縁性の基板１０にポリシリコン層を堆積した後、当該ポリシリコン層をパターニングして半導体装置の能動層１ａに形成するエッチング工程において、当該ポリシリコン層の除去により露出した基板１０の表面も若干エッチングする。 - 特許庁

To provide a method for patterning a metal foil, which can form a pattern to have different thickness depending on parts with a simple process, and to provide an electric wiring substrate and a manufacturing method therefor, a semiconductor device and a manufacturing method therefor, and a circuit board and an electronic device.例文帳に追加

簡単な工程で、部分的に異なる厚みを有するように形成することができる金属箔のパターニング方法、配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。 - 特許庁

In the method, patterning is directly applied to the organic thin film formed on a substrate, based on a mask having micro apertures with a scale of micron to nanometer by a dry etching process or vacuum ultraviolet radiation.例文帳に追加

ミクロンからナノメータースケールの微細開口を有するマスクをもとに、基板上に形成された有機物薄膜をドライエッチングプロセスまたは真空紫外光照射により直接パターニングを行なうことを特徴とする有機薄膜の製造方法とそれによる有機薄膜。 - 特許庁

To provide a novel polyorganosiloxane compound excellent in heat resistance, transparency, low-dielectric property and solvent resistance and suitable for interlayer dielectric films on TFT substrates, a photosensitive resin composition and a heat curable resin composition comprising the same, and a patterning process.例文帳に追加

耐熱性、透明性、低誘電率特性、耐溶剤性に優れ、ＴＦＴ基板用層間絶縁膜として好適である新規なポリオルガノシロキサン化合物、これを含む感光性樹脂組成物および熱硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a charge transfer element to which alignment residual in patterning process at the time of formation does not lead to the variation in the photodetecting area of a photoelectric converter, and to provide its manufacturing method when configuring the image pick-up part of, for example, a solid state image sensor.例文帳に追加

例えば固体撮像素子の撮像部を構成した場合に、作製時のパターニング工程における位置合わせ誤差が光電変換部の受光領域の面積のばらつきにつながらない電荷転送素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A fabrication method of semiconductor device includes a process for pressing a mold 1 having a pattern formed thereon to a negative-type photoresist 2, a process for selectively irradiating an irradiated light 7 to the photoresist 2 by pressing the mold 1 to the photoresist 2 through the mold 1, and a process for patterning the photoresist 2 by removing an area of the photoresist 2 where the irradiated light 7 is not irradiated by developing the photoresist 2.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、パターンの形成されたモールド１をネガ型のフォトレジスト２に押し付ける工程と、モールド１をフォトレジスト２に押し付けた状態で、照射光７をモールド１を通じてフォトレジスト２に選択的に照射する工程と、フォトレジスト２を現像することによりフォトレジスト２の照射光７が照射されていない領域を除去してフォトレジスト２をパターニングする工程とを備えている。 - 特許庁

The manufacturing method of the group III-V nitride semiconductor layer has a process of forming a metal fluoride layer containing a bivalent or trivalent metal element as at least one part of an etching mask on a group III-V nitride semiconductor layer; a process of patterning the metal fluoride layer by wet etching; and a process of dry etching the group III-V nitride semiconductor layer using the patterned metal fluoride layer as a mask.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層上に、エッチングマスクの少なくとも一部として、２価または３価の金属元素を含む金属フッ化物層を形成する工程と、この金属フッ化物層をウェットエッチングによりパターンニングする工程と、パターニングされた金属フッ化物層をマスクとして、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層をドライエッチングする工程とを有することを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層のエッチング方法。 - 特許庁

The production process of an electromagnetic wave shielding material comprises a step for forming a substrate with a metal thin film by applying a molten resin substrate material onto the metal thin film, and a step for patterning the metal thin film into mesh by etching and forming a meshed metal thin film.例文帳に追加

金属薄膜上に溶融状態の樹脂基材原料を塗工することにより金属薄膜付基材を形成する工程、該金属薄膜をエッチング法によりメッシュ状にパターニングし、メッシュ状金属薄膜を形成する工程、を有する電磁波遮蔽材の製造方法とする。 - 特許庁

This process of using two exposures with diffusion light achieves the material use efficiency, costs, responses to various substrate sizes and high-definition electrode patterning that is not successful in the ink jet method, for instance, in manufacturing TFTs, which the traditional manufacturing method cannot achieve.例文帳に追加

拡散光を用いた２回露光プロセスによって、例えばＴＦＴ作成において従来の方法では解決できない材料使用効率、コスト、多様な基板サイズに対応という課題かつ、インクジェット方式では解決できない高精細パターニングを解決するものである。 - 特許庁

To enable reliable wiring patterning by eliminating or reducing linear thermal expansion coefficient between a transfer mold and a substrate, and thus by eliminating a problem of expansion difference between the transfer mold and the substrate when they are heated up to a predetermined temperature in an embossing process.例文帳に追加

転写金型と基板との間の線熱膨張係数の差をなくするか或いは減少して、エンボス加工の際に転写金型と基板とを所定温度まで加熱しても両者間の膨張差による問題を解消し、信頼性のある配線パターニングを可能にする。 - 特許庁

To provide a mask for patterning with which a preliminarily determined pattern such as a grating or circular pattern can be formed in a single film forming process using a single mask under conventional various mask use environments such as high temperature, low temperature, vacuum and gas atmospheres, and to provide a film forming device using the mask.例文帳に追加

従来の高温・低温・真空・ガス雰囲気中などの様々なマスク使用環境下で、格子状や環状などの所定のパターンの形成を、単独のマスクを用いて１回の成膜で行うことができるパターン形成用マスク、及び該マスクを用いた成膜装置の提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which dispenses with a patterning process of a lanthanum oxide film, relating to the semiconductor device in which a high-K gate insulating film is constituted by laminating a high-K dielectric film and a lanthanum oxide film, in an n-channel MOS transistor.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳトランジスタにおいてｈｉｇｈ−Ｋゲート絶縁膜をｈｉｇｈ−Ｋ誘電体膜と酸化ランタン膜の積層により構成した半導体装置において、酸化ランタン膜のパターニングプロセスを不要とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for patterning in microfabrication of a thin film formed of zinc oxide crystal without generating significant deterioration of conductive characteristics and visible light permeability by suppressing resolution of the thin film formed of the zinc oxide crystal in any process of development and photoresist peeling.例文帳に追加

酸化亜鉛系結晶からなる薄膜の微細加工において、現像及びホトレジスト剥離のいずれの処理においても酸化亜鉛系結晶からなる薄膜の溶解を抑制し、導電特性及び可視光透過性の大幅な劣化を生ずることなくパターニング可能な方法の提供すること。 - 特許庁

To provide a photomask and a method for manufacturing a photomask, which achieve patterning without requiring an additional investment even when a line-and-space pattern having a fine pitch width is to be formed on a process object, and to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device and a method for transferring a pattern.例文帳に追加

被加工体に微細なピッチ幅のライン・アンド・スペース・パターンを形成する場合であっても、追加投資を殆ど必要とせずにパターニングを行うことができるフォトマスク、フォトマスクの製造方法、液晶表示装置の作製方法及びパターン転写方法を提供することを目的の一とする。 - 特許庁

To provide a multi-layer film pattern which can fully prevent generation of an overhang part which overhangs from an end plane of a multi-layer film pattern, as well as generation of a failure caused by that overhang in the manufacturing method of a multi-layer film including a process of patterning the multi-layer film pattern in batch using one photomask.例文帳に追加

一つのフォトマスクを用いて、多層膜を一括してパターニングする工程を含む、多層膜パターンの製造方法において、多層膜パターンの端面から張り出すひさし部分（オーバーハング部）の生成、及びこれに起因する不良の発生を充分に防止することができるものを提供する。 - 特許庁

To provide a knitted jacket requiring not so much time for preparation for start of production or change in design, applicable to complicated patterning, highly flexible in design, reducing time and costs required for a cutting process, slightly causing cut loss, and excellent in wearing feeling: and to provide a method for producing the jacket.例文帳に追加

製造開始の準備やデザインの変更にそれほどの時間と労力とを要することがなく、複雑な柄出しが可能でデザイン上の自由度が高く、裁断工程に要する時間とコストを削減することができ、カットロスが少なく、着心地の良いニット上着及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To overcome the problem of a prior art such that the reaction product of the atom of a metal film and the gas of dry etching is generated for preventing the patterning of the insulating film in a termination process when the insulating film on the metal film is subjected to dry etching by a mask made of a photosensitive resin that is subjected to pattern formation.例文帳に追加

金属膜上の絶縁膜を、パターン形成された感光性樹脂のマスクでのドライエッチングを行うと、終端工程で、上記金属膜の原子と上記ドライエッチングのガスとの反応生成物が生成され、上記絶縁膜のパターン化の支障になる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor for realizing a heating process for improving the characteristics of a gate insulating film, such as reduction in the boundary surface level and reduction in the fixed charges, while preventing a problem of the alignment deviation in patterning due to expansion and contraction of glass.例文帳に追加

本発明は、ガラスの膨張、収縮がパターニングのアライメントずれの問題を引き起こさずに、界面準位低減、固定電荷低減といったゲート絶縁膜の特性向上を目的とした加熱処理を可能とする薄膜トランジスタの作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The method for preparing the oxide thin film transistor having a substrate, a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, a drain electrode, and a semiconductor thin film includes a step for patterning the gate insulating film or the semiconductor thin film through the helicon plasma dry etching process.例文帳に追加

基板とゲート電極とゲート絶縁膜とソース及びドレイン電極と半導体薄膜とを含む酸化物薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜又は半導体薄膜は、特定エッチングガスを使用するヘリコンプラズマ乾式工程を通じてパターン化されるステップを含んでいる。 - 特許庁