「planarization process」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Dissolution of copper is selectively accelerated in a part from which the inhibitor absorbed by the surface is removed by polishing, thereby preferentially removing wiring layers from a projection part, and accelerating the planarization in a process of electrolytic polishing.例文帳に追加

表面に吸着したインヒビタが研磨により除去された部分で選択的に銅の溶解が促進されるので、配線層は凸部から優先的に除去され、電解研磨の過程で平坦化が促進される。 - 特許庁

A cylinder type capacitor can thereby be manufactured in the cell region without generating any level difference between the cell region and the peripheral circuit, and an IMD being formed for the subsequent metallization process can be planarized easily as compared with prior art or the planarization process itself can be eliminated.例文帳に追加

これにより、セル領域と周辺回路間の段差を生ぜずにセル領域にシリンダ型キャパシタを製造でき、後続の金属配線工程のために形成するＩＭＤを従来の技術に比べて易しく平坦化できるか、または平坦化工程自体を省略できる。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing method capable of attaining high planarization as well as having high polishing speed even under a low pressure condition, in a chemical mechanical polishing (CMP) method for such as a film to be processed in the manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程における被加工膜等の化学的機械的研磨（ＣＭＰ）において、低圧条件下であっても、高い研磨速度を有し、且つ、高い平坦化を達成しうる化学的機械的研磨方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a wiring forming method and a wiring structure capable of preventing a conductive material buried in a recess from dropping in a planarization process even if the conductive material buried in the recess having an incomplete surface seed layer formed on the surface of an insulating layer.例文帳に追加

絶縁層表面に形成された不完全な表面シード層を持つ凹み内部に導電材料が埋込まれても、平坦化の過程における脱落を防止することができる配線の形成方法および配線構造を提供する。 - 特許庁

The polishing solution for metal used for chemical mechanical planarization in the production process of a substrate for semiconductor integrated circuit contains (A) an organic/inorganic composite particles, (B) quinoline carboxylic acid or its derivative, (C) an amino acid, and (D) an oxidizing agent.例文帳に追加

半導体集積回路用基板の製造工程における化学的機械的平坦化に用いられ、（Ａ）有機無機複合粒子、（Ｂ）キノリンカルボン酸又はその誘導体、（Ｃ）アミノ酸、及び（Ｄ）酸化剤を含有することを特徴とする金属用研磨液。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which planarity of an interconnection forming layer is ensured in planarization processing performed during an interconnection forming process, and circuit simulation can be performed with high precision by reducing capacitance between the interconnection and dummy wiring.例文帳に追加

配線形成工程で実行される平坦化処理の際の配線形成層の平坦性の確保と、配線とダミー配線との間の容量の低減化による回路シミュレーションの高精度化を図ることができるようにした半導体装置を提供する。 - 特許庁

To complete planarization of all insulation separation grooves formed on a substrate or steps generated at a wiring pattern formation, in a process for embedding an insulation material into the groove or wiring gap without using a CMP technology.例文帳に追加

基板上に形成された絶縁分離用溝もしくは配線パターン形成により生じた段差を、ＣＭＰ技術を用いることなく、溝もしくは配線間隙への絶縁材料埋め込み工程段階ですべて平坦化を完了させるようにする。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which polishing can be carried out in accordance with the material of higher polishing rate when films of different materials are polished simultaneously for planarization, and polishing of films of different materials can be ended simultaneously.例文帳に追加

平坦化するべく異なる材質の膜を同時に研磨したとしても、研磨速度の速い材質に合わせて研磨を行うことができるとともに、異なる材質の膜の研磨を同時に終了することができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

On the entire structure including the trench 105, a liner insulation film 107 comprising DCS-HTO having an etching rate in the level similar to that of a polysilazane (PSZ) film is formed, and the trench 105 is gap filled with the polysilazane film 108 thereon to perform a planarization process.例文帳に追加

トレンチ１０５を含む全体構造上にポリシラザン（ＰＳＺ）膜と類似した水準のエッチング率を有するＤＣＳ−ＨＴＯからなるライナ絶縁膜１０７を形成し、その上にポリシラザン膜１０８でトレンチ１０５を埋め込み平坦化工程を実施する。 - 特許庁

To provide a cleaning agent used for a cleaning process after a planarization polishing process in a semiconductor device manufacturing process, by which dopant existing on the surface of a semiconductor device, especially on the surface of the semiconductor device on which a copper wiring is applied is removed effectively, without causing corrosion and oxidization of the copper wiring, or deterioration of the surface texture of the device planarized.例文帳に追加

半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面に存在する不純物を、銅配線の腐蝕や酸化、或いは、平坦化されたデバイスの表面性状の悪化を引き起こすことなく、有効に除去することができる洗浄剤を提供する。 - 特許庁

This pad conditioner includes abrasive grains for pad polishing and grinding used in a semiconductor planarization CMP process, a bond layer holding the abrasive grains; and a bed to which the bond layer is fixed, wherein the abrasive grains or coating material coating the abrasive grains is a material having durability against CMP slurry.例文帳に追加

パッドコンディショナーは、半導体平坦化ＣＭＰプロセスに用いるパッド研磨研削用の砥粒と、この砥粒を保持するボンド層と、このボンド層を固着した台とよりなり、砥粒あるいは砥粒を被覆する被膜物質がＣＭＰスラリーに対して耐久性を持つ物質である。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition for a color filter which minimizes unnecessary parts occurring at the peripheral edge of a resist film spin-coated on a substrate in an LCD manufacturing process by a TFT and STN system, and which improves coating property and planarization.例文帳に追加

ＴＦＴ及びＳＴＮ方式のＬＣＤ製造工程において基板上に回転塗布されるレジスト膜の周縁部分で発生する不必要な部分を最小限に止め、コーティング性と平坦化を向上させたカラーフィルター用感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a SiC semiconductor substrate which can form a vertical semiconductor device, can be produced without a sticking process requiring the planarization of an intermediate interposing member such as a base substrate and a substrate surface, and can reduce the use amount of a high quality single crystal SiC.例文帳に追加

縦型の半導体素子の形成が可能で、かつ、ベース基板のような中間介在物や基板表面の平坦化が必要な貼り合せ工程を必要とせずに製造でき、高品質な単結晶ＳｉＣの使用量を減らすことが可能なＳｉＣ半導体基板を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing pad for polishing semiconductor wafer capable of meeting conflict requirement of uniformity of polishing degree all over the wafer and planarization characteristic of concavity and convexity of micro region in the polishing process for planarizing concavity and convexity of micro pattern formed on the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハ上に微細なパターンが形成されており、該パターンの微小な凹凸を平坦化する研磨工程に使われる研磨パッドにおいて、ウエハ全面内において研磨量の均一性と、微小領域での凹凸平坦化特性という相反する要求に応え、なおかつスクラッチの発生の少ない半導体ウエハ研磨用パッドを提供する。 - 特許庁

To provide a method of preparing chemical mechanical polishing aqueous dispersion capable of preventing a surface defect such as dishing, erosion, scratch or fang in a planarization process of a polishing object surface by chemical mechanical polishing, and to provide a chemical mechanical polishing aqueous dispersion preparing set excelling in long-term preservation stability, even in a condensed state.例文帳に追加

化学機械研磨による被研磨面の平坦化工程においてディッシング、エロージョン、スクラッチないしファング等の表面欠陥を抑制することができる化学機械研磨用水系分散体の調製方法、および濃縮状態においても長期保存安定性に優れる化学機械研磨用水系分散体調製用セットを提供することにある。 - 特許庁

The polishing liquid used for chemical mechanical polishing in a planarization process of a semiconductor integrated circuit contains a quaternary ammonium cation, an organic acid, an inorganic particle, and at least one of a compound expressed by general formula (I) and a polymer including a structure unit shown by the general formula (I), and has a pH of 1 to 7.例文帳に追加

半導体集積回路の平坦化工程において化学的機械的研磨に用いられる研磨液であって、四級アンモニウムカチオン、有機酸、無機粒子、並びに、下記一般式（Ｉ）で示される化合物及び下記一般式（Ｉ）で示される構造単位を含む高分子の少なくとも一方を含み、ｐＨが１〜７の範囲である研磨液である。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive resin composition which permits alkaline development generally used in a photoresist process, has a high adhesion during development and excellent development characteristics, such as high sensitivity, has photosensitive characteristics, such as excellent resolution, and excels in various characteristics as an insulating film, such as heat resistance, transparency, low dielectric constant, low water absorption, and high level difference planarization.例文帳に追加

フォトレジスト工程で一般的に用いられるアルカリ現像が可能であり、現像時の密着性が高く、高感度などの現像特性に優れ、かつ解像度に優れた感光特性を有し、しかも耐熱性、透明性、低誘電率、低吸水率、高段差平坦化性などの絶縁膜としての諸特性に優れるポジ型感光性樹脂組成物を提供することにある。 - 特許庁

In the manufacturing apparatus, the moving distance of the substrate during the process is reduced, while cleaning the surface, and performing planarization treatment.例文帳に追加

複数の基板を保持する基板保持部と、前記基板の表面を平坦化するプラズマ処理部と、前記基板の表面を絶縁膜を形成するスパッタ成膜処理部と、前記基板の表面と裏面を装置内で反転させる反転部と、基板と基板との表面を向かい合わせに貼り合わせ、一対の基板とする貼り合せ部と、前記一対の基板を熱処理する熱処理部と、を有する半導体基板の製造装置にて、表面清浄化、平坦化処理を行いつつ、工程中の基板移動距離を少なくする。 - 特許庁