「plasma etch」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a plasma reactor having multiple frequency control of etch parameters.例文帳に追加

エッチングパラメータの複数の周波数制御を有するプラズマリアクタを提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for enhancing the etch characteristics of a plasma formed in a remote plasma generator.例文帳に追加

遠隔プラズマ発生器内で生成したプラズマのエッチング特性を高める方法及び装置を提供する。 - 特許庁

Preferred underlying coating compositions can exhibit enhanced etch rates in plasma etchants.例文帳に追加

好ましい下層被覆組成物は、プラズマエッチ中で高められたエッチ速度を示すことができる。 - 特許庁

Operation of the etching processing in a stable plasma region enables use of a timed etch end point.例文帳に追加

安定プラズマ領域でエッチング処理を行うと、時限エッチング終了点を使用できる。 - 特許庁

The oxygen plasma strips the etch mask from the wafer and removes residual sidewall passivation.例文帳に追加

酸素プラズマは、エッチングマスクをウエハから剥離させ、残留側壁パッシベーションを除去する。 - 特許庁

The M plasma parameters are selected from a group including wafer voltage, ion density, etch rate, wafer current, etch selectivity, ion energy, and ion mass.例文帳に追加

Ｍ個のプラズマパラメータはウェハ電圧、イオン密度、エッチング速度、ウェハ電流、エッチング選択性、イオンエネルギー及びイオン質量を含む群から選択される。 - 特許庁

To provide a method of optimizing the etch resistance of a substrate material in a plasma processing system including a plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマ処理チャンバを含むプラズマ処理システムにおいて、基材のエッチングに対する耐性を最適化する方法を提供する。 - 特許庁

Then, plasma made of the fluorocarbon gas is generated and the resist film is used as a mask to etch the silicon oxide film with the plasma.例文帳に追加

次に、フルオロカーボンガスからなるプラズマを生成して、レジスト膜をマスクにしてシリコン酸化膜に対してプラズマエッチングを行なう。 - 特許庁

In this manufacture, Si3N4 2 is grown on an Si substrate 1, and a mask Si3N4 2 is left behind, so as to plasma-etch it.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉ_3Ｎ_4２を成長させ、マスクＳｉ_3Ｎ_4２を残し、プラズマエッチングする。 - 特許庁

To enable performing etching of an etching material hard to etch by using an ECR plasma etching apparatus.例文帳に追加

ＥＣＲプラズマエッチング装置を使用して難エッチング材料のエッチングを行えるようにする。 - 特許庁

To eliminate the need to use an organic masking layer solvent, and to etch a portion of an insulating layer after a plasma metal etching step, in a metal etch processing sequence.例文帳に追加

金属エッチング処理工程は、有機マスキング層溶媒を用いることを省き、プラズマ金属エッチング工程の後に絶縁層６８，８１の一部をエッチングする。 - 特許庁

When plasma light emission of Sif produced by the etch-back processing of the transparent film 14 is detected, it is determined that the etch-back processing has reached the end point.例文帳に追加

透明膜１４がエッチバック処理された際に生成されるＳｉＦのプラズマ発光が検出されたら、エッチバック処理が終点に達したと判定する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and plasma etching apparatus which can etch an SiC layer with high selectivity with respect to an SiOC layer.例文帳に追加

ＳｉＯＣ層に対して選択性高くＳｉＣ層をエッチングすることのできるプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The plasma etch cleaning of a substrate is carried out by using a plasma discharge device provided with an electron source cathode (5) and an anode device (7).例文帳に追加

電子源カソード（５）およびアノード機器（７）を備えたプラズマ放電機器を用いることによって、基板のプラズマエッチ洗浄が実行される。 - 特許庁

The processes used to etch the layers are plasma processes performed at a temperature between 200°C and 500°C.例文帳に追加

層のエッチングに用いられる工程は、２００℃と５００℃の間の温度で実施されるプラズマ工程である。 - 特許庁

First etching gas is supplied into the reaction chamber and plasma is generated by discharge from the plasma etching system in order to etch the antireflection film 2.例文帳に追加

反応室内に第１のエッチングガスを供給し、プラズマエッチング装置からの放電によりプラズマを生成して反射防止膜２をエッチングする。 - 特許庁

In addition, in plasma processing apparatus having a dual power control, at a given application of power to the plasma generation source, the stability of the plasma is extended by increasing the pressure in the etch process chamber.例文帳に追加

さらに、2重電力制御を有するプラズマ処理装置において、プラズマ発生源にある電力を適用するとき、エッチング処理チャンバの圧力を増すと、プラズマの安定性が拡大する。 - 特許庁

To provide a plasma device which can produce a plasma which is best suited to every plasma condition required for each of products and to uniformly etch a object to be processed.例文帳に追加

本発明は製品毎に要求されるプラズマ条件に対して個々に好適なプラズマを生成させて均一にエッチングすることができるプラズマ装置の提供を目的とする。 - 特許庁

A helicon-wave plasma etching apparatus 1 is provided with a processing chamber 2 to etch a wafer 50 by plasma, wherein a stage 3 is provided.例文帳に追加

ヘリコン波プラズマエッチング装置１では、ウェハ５０にプラズマエッチング処理を施すための処理室２が設けられ、その処理室２内にステージ部３が配設されている。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method and a plasma treatment system securing stabilized device performance even in a semiconductor device using a hard-to-etch material.例文帳に追加

難エッチング材を使用した半導体装置においても安定したデバイス性能を得ることのできるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The first plasma creates a pre-coat residual film on surfaces in the plasma processing chamber, and the etch resistance of the substrate material is substantially maintained.例文帳に追加

そして、プラズマ処理チャンバ内で、第一プラズマが表面にプレコート残留膜を形成し、基材のエッチング耐性を実質的に維持することを特徴とする。 - 特許庁

The compositions are particularly suitable for removing polymer residues from electronic devices following plasma etch processes.例文帳に追加

この組成物は、プラズマエッチ工程に続いて電子デバイスからポリマー残留物を除去するために特に好適である。 - 特許庁

A stripping gas, such as a mixture of oxygen and argon is provided to the etch chamber and is excited to form an oxygen plasma.例文帳に追加

酸素とアルゴンとの混合物等の剥離ガスが、エッチングチャンバに提供され、酸素プラズマを形成するために励起される。 - 特許庁

Further, the method comprises steps of generating plasma in the chamber by a plasma generating means by introducing gas for etching into the chamber, and increasing plasma density in the chamber by the high plasma density means to etch the Al thin film by the use of the density-increased plasma.例文帳に追加

更に、チャンバーにエッチング用ガスを導入しながら、プラズマ発生手段によってチャンバー内にプラズマを発生させ、プラズマ高密度化手段によって、チャンバー内のプラズマの密度を向上させることで、この密度が向上されたプラズマを用いてＡｌ薄膜をエッチングするようにした。 - 特許庁

MULTI-STEP DEP-ETCH-DEP (DEPOSITION-ETCHING-DEPOSITION) HIGH-DENSITY PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS FOR FILLING DIELECTRIC GAP例文帳に追加

誘電ギャップ充填用のマルチステップ堆積・エッチング・堆積（ＤＥＰ−ＥＴＣＨ−ＤＥＰ）高密度プラズマ化学気相堆積プロセス - 特許庁

In one embodiment of the method, a plasma is formed in a substrate processing chamber to etch a wafer in the chamber.例文帳に追加

本発明の方法の一実施形態は、基板処理チャンバ内でプラズマを形成して、チャンバ内に配置されたウェハをエッチングする。 - 特許庁

To provide a stripping and cleaning composition for removing a wide variety of both organic polymeric materials and plasma-etch residues without any reduction in a stripping rate of photoresist or any reduction in the effectiveness of removing plasma-etch residues.例文帳に追加

フォトレジストのストリッピング速度を減少することなく、またプラズマエッチ残留物を除去する能力を低下することのない、広範な種類の有機ポリマー物質およびプラズマ−エッチ残留物の双方を除去するストリッピングおよびクリーニング組成物を提供する。 - 特許庁

To etch silicon at a high etching rate when a processing gas containing a fluorine containing compound gas is changed into plasma and a part made of silicon of a substrate to be treated is subjected to etching by the plasma.例文帳に追加

フッ素含有化合物ガスを含む処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより被処理基板のシリコン部分をプラズマエッチングするにあたって、高いエッチングレートでシリコンをエッチングすること。 - 特許庁

The boundary between the inner and outer regions is taken as a portion where the level of consumption changes when the focus ring is incorporated in a plasma etcher to etch a substrate with plasma.例文帳に追加

内側領域と外側領域との境界は、フォーカスリングをプラズマエッチング装置に組み込み、基板に対してプラズマによりエッチングを行ったときに消耗の程度が変わる部位とする。 - 特許庁

An SF_6/C_4F_8 gas is introduced as an etching gas to generate a plasma gas and etch a part that is exposed from a resist mask 23 on the layer to be etched 22.例文帳に追加

エッチングガスとしてSF_6/C_4F_8ガスを導入してプラズマを発生させ、被エッチング層２２のレジストマスク２３から露呈する部分をエッチングする。 - 特許庁

To provide a plasma etching method which can etch a fluorine-added carbon film, having a proper shape without causing damages to the film.例文帳に追加

フッ素添加カーボン膜をダメージを生じさせずにかつ良好な加工形状でエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

On the other hand, a desired distribution of ions and neutral species in plasma is established using the ion/neutral species shield in order to etch the photomask.例文帳に追加

その一方、フォトマスクをエッチングするために、イオン・中性種シールドを用いてプラズマのイオンと中性種の所望の分布を確立する。 - 特許庁

Plasma of O_2 and CO is used in a chamber to etch the lower resist film, and the lower resist film is left on a part within the via hole.例文帳に追加

チャンバ内において、Ｏ_２とＣＯとのプラズマを用い、下層レジスト膜をエッチングするとともに、ビアホール内の一部には、下層レジスト膜を残す。 - 特許庁

The method further includes evacuating the lower process zone, generating a plasma in an external chamber from a polymer etch precursor gas, and introducing a by-product from the plasma into the lower process zone.例文帳に追加

本発明は更に下方処理ゾーンから排気し、重合体エッチング前駆体ガスから外部チャンバ内でプラズマを発生させ、プラズマからの副生成物を下方処理ゾーンへと導入することを含む。 - 特許庁

To suppress the attachment of foreign matters to a substrate to treat without deteriorating the etching properties in a plasma treatment to etch an organic film.例文帳に追加

有機膜をエッチングするプラズマ処理において、エッチング特性および加工形状を劣化させることなく、被処理基板への異物の付着を抑制可能とすること。 - 特許庁

To provide a process of manufacturing a semiconductor device including a post plasma clean process capable of sufficiently removing post etch residues associated with a hardmask.例文帳に追加

ハードマスクと関係するエッチ後残留物を充分に除去できるポストプラズマ洗浄プロセスを有する、半導体装置を製造するプロセスを提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning process for recovering an anodized aluminum part particularly useful when the part has been exposed to a fluorine-containing plasma in etch reactor.例文帳に追加

陽極酸化アルミニウムパーツを再生するためのクリーニングプロセスは、パーツが、エッチングリアクタにおいてフッ素含有プラズマに露出された時に特に有用である。 - 特許庁

Compositions of the invention also can serve effectively as a hard mask layer by exhibiting a sufficient plasma etch selectivity from an undercoated layer.例文帳に追加

また、本発明の組成物は、下塗りされた層との十分なプラズマエッチング選択性を示すことによって、ハードマスク層として効果的に機能することができる。 - 特許庁

The antenna 30 generates a plasma of a high density and low energy to etch an oxygen-contained layer provided on a non-oxygen-contained layer within the chamber with a high selectivity.例文帳に追加

アンテナ３０はチャンバ内に酸素非含有層上にある酸素含有層を高い選択度でエッチングするため高密度、低エネルギーのプラズマを発生する。 - 特許庁

During a polysilicon etch back, a controlled amount of oxygen (O2) is added to the plasma generation feed gases to reduce pitting of the etched back polysilicon surface.例文帳に追加

ポリシリコンのエッチバック中に、制御された量の酸素（Ｏ_2）がプラズマ発生供給ガスに添加され、エッチバックされたポリシリコン表面のピットが減少する。 - 特許庁

An ion sheath is formed on the inner wall of the reaction tube 14 through capacitive coupling and almost all ions in plasma move toward a sample 22 and etch the sample.例文帳に追加

反応管１４内壁には、容量結合によりイオンシース（ion sheath）が形成され、プラズマ中のイオンのほとんどは試料２２に向かい、それをエッチングする。 - 特許庁

To provide a method of plasma-processing a chalcogen compound semiconductor film containing chalcogen elements, not causing the side etch, in a phase change device manufacturing method.例文帳に追加

相変化デバイスの製造工程において、サイドエッチングを世紀させないカルコゲン元素を含んだカルコゲン化合物半導体膜のプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The etching is preferably performed in a plasma etch reactor having an HF biased pedestal electrode and a capacitively VHF biased showerhead.例文帳に追加

エッチングは、ＨＦバイアスされるペデスタル電極と、容量性ＶＨＦバイアスされるシャワーヘッドとを有するプラズマエッチングリアクタにおいて実行されるのが好ましい。 - 特許庁

In the case of making raw material gas into plasma to form a thin film, to etch, and the like, atomic beams are irradiated to the raw material gas made into plasma, and atomic radical density in plasma is measured from the difference of atomic beam intensity before and after penetrating plasma to control plasma.例文帳に追加

原料ガスをプラズマ化して被処理体に原料ガス成分の薄膜を成膜したり、被処理体をエッチング処理する際に、プラズマ化した原料ガスに対して原子光発生装置から原子光を照射し、プラズマ透過前の基準原子光の強度とプラズマを透過した原子光線の強度に基づいてプラズマ中における原子状ラジカル密度を測定する。 - 特許庁

A treating gas is made to flow into a flow path 15 in a plasma generating section 10 of a glass end treating apparatus 1 and plasma is generated in the flow path 15 to provide ability to etch or dissolve the glass plate 9 to the treating gas.例文帳に追加

ガラス端部処理装置１のプラズマ生成部１０の流路１５に処理ガスを流すとともに、流路１５内でプラズマを生成して、処理ガスにガラス板９に対するエッチング能又は溶解能を付与する。 - 特許庁