| 意味 | 例文 |
plating methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5154件
A manufacturing method includes a cleaning process, a sputtering process, an electroplating process, an etching process, and an electroless plating process.例文帳に追加
製造方法としては、洗浄工程Wと、スパッタリング工程Sと、電解メッキ工程EPと、エッチング工程Eと、無電解メッキ工程CPとからなる。 - 特許庁
When the wet etching is performed on the material to be etched, the etching mask is manufactured by using the film forming method deposited from solution like electrolytic plating.例文帳に追加
被エッチング材に対してウェットエッチングを行う際のエッチング用マスクを電解メッキのような溶液中から析出させる成膜方法を用いて作製する。 - 特許庁
To provide a method for forming a composite plating film in which fine diamond particles and fine fluororesin particles are uniformly dispersed and codeposited.例文帳に追加
本発明は、ダイヤモンド微粒子及びフッ素樹脂微粒子を均一に分散・共析させた複合めっき被膜の形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
A sputtering target comprises a target member and a backing plate, and a copper thin film is formed by a plating method on the surface of the backing plate of the sputtering target.例文帳に追加
ターゲット部材とバッキングプレートから成るスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットのバッキングプレート表面にメッキ法によって銅薄膜を形成する。 - 特許庁
To provide a tape carrier base material for semiconductor chip mounting which has no projection by polishing the surface of a copper layer formed by copper plating, and its manufacturing method.例文帳に追加
銅めっきによって形成した銅層表面を研磨することで、突起の無い半導体チップ搭載用テープキャリア基材とその製造方法を提供する。 - 特許庁
Thereafter, a bump 8 having the flat surface shape is formed on the seed layer 31 with the plating method by tracing the flat surface shape of the seed layer 31.例文帳に追加
その後、シード層31の平坦な表面形状をトレースして、シード層31上に平坦な表面形状を有するバンプ8をメッキ法により形成する。 - 特許庁
To provide a camera module and a manufacturing method thereof, and a printed circuit board for the camera module with a plating line in its the inner layer.例文帳に追加
カメラモジュールのプリント回路基板の内層にメッキラインを備えたカメラモジュール及びその製造方法並びにカメラモジュール用プリント回路基板を提供する。 - 特許庁
Wiring formed by a plating method is disposed parallel to and adjacent to the detection electrode pad or power wiring for supplying power to a heat generating resistor.例文帳に追加
発熱抵抗体に電力を供給する電力配線又は検査用電極パッドに隣接して、メッキ法により形成された配線を並列させる。 - 特許庁
The CrN film as the 1st layer is formed by a cathode arc ion plating method in which the pressure of gaseous nitrogen is controlled to 20 to 50 mTorr, and bias voltage is controlled to 0 V.例文帳に追加
第1層のCrN膜は、窒素ガス圧を20〜50mTorr、バイアス電圧を0Vとするカソードアークイオンプレーティング法によって形成される。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device having embedded wiring, wherein plating components deposited on the interlayer insulating film have been selectively removed.例文帳に追加
層間絶縁膜上に析出しためっき成分を選択的に除去した、埋め込み配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method and apparatus for ion plating whereby the evaporation surface of a vapor deposition material is almost uniformly decreased in a film formation process.例文帳に追加
蒸着材料の蒸発面を成膜過程において略均一に減少させることができるイオンプレーティング方法およびその装置を提供する。 - 特許庁
A barrier metal layer 4 consisting of TaN is formed all over the surface, and then a Cu layer 5 is made by electrolytic plating method, using the seed layer consisting of Cu.例文帳に追加
全面にTaNからなるバリアメタル層4を製膜した後、Cuからなるシード層を用いて電解めっき法によりCu層5を形成する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a multilayer film of copper-tin/copper alloy, which can form the multilayer film by electrolytic plating in one bath.例文帳に追加
一浴の電解めっき浴によって銅−錫銅合金積層皮膜を形成し得る銅−錫銅合金積層膜の製造方法を提供する。 - 特許庁
Otherwise, after the barrier film is formed with the electroless plating method, this barrier film is cleaned using an alkali chemical solution or weak acidic chemical solution including the chelating agent as the cleaning solution.例文帳に追加
あるいは、バリア膜を無電解メッキ法により成膜した後、キレート剤を含むアルカリ系薬液又は弱酸性の薬液を洗浄液として洗浄する。 - 特許庁
In the method for manufacturing the thin film for separating hydrogen, metal ions in plating liquid 10 stored in a reaction bath 1 are deposited on a work 18 to be plated.例文帳に追加
反応浴1に収容しためっき液10中の金属イオンを被めっき物18に析出させる水素分離用薄膜の製造方法であること。 - 特許庁
The electroplating method using such pretreating liquid includes a stage for depositing the plating metal preferentially to the recessed parts to planarize the recessed part surfaces.例文帳に追加
この前処理液を用いる電気めっき方法は、凹部に対して優先的にめっき金属を析出させ、該凹部表面を平坦化させる工程を含む。 - 特許庁
ELECTROLESS PLATING APPARATUS, SEMI-CONDUCTOR WAFER WITH BUMP, SEMICONDUCTOR CHIP WITH BUMP, MANUFACTURING METHOD THEREOF, SEMICONDUCTOR DEVICE, CIRCUIT SUBSTRATE, AND ELECTRONIC APPLIANCE例文帳に追加
無電解メッキ装置、バンプ付き半導体ウエハ及びバンプ付き半導体チップ並びにこれらの製造方法、半導体装置、回路基板並びに電子機器 - 特許庁
To provide a linear solenoid capable of improving productivity by eliminating nonmagnetic thick plating, and reducing the cost by eliminating the outside-diameter polishing, and to provide a manufacturing method for the solenoid.例文帳に追加
非磁性の厚メッキを廃止して生産性の向上と、外径研磨の廃止によるコストダウンが可能なリニアソレノイドおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
Subsequently, a metal is deposited in the opening by a plating method, and by removing the photoresist 2, a bump electrode with its top end sharpened is formed.例文帳に追加
その後、メッキ法によって開口部内に金属を析出させ、フォトレジスト2を除去することによって先端が尖った突起電極が形成される。 - 特許庁
To provide a method for producing a metal oxide thin film having highly uniform thickness and high denseness by using an organic solvent as a plating solution.例文帳に追加
有機溶媒をめっき溶液として用いて、厚みの均一性が高くかつ緻密性の高い金属酸化物薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁
To prevent the strength of adhesion between an electrode pad and a protruded electrode in a semiconductor device including the protruded electrode formed by an electroless plating method.例文帳に追加
無電解メッキ法によって突起電極を形成する半導体装置において、電極パッドと突起電極との密着強度の低下を防止する。 - 特許庁
To provide a pretreatment liquid for shortening an incubation time and reducing a cost, and to provide an electroless plating method.例文帳に追加
インキュベーションタイムを短縮させることができるとともにコストの低減を図ることができる無電解メッキ用前処理液及び無電解メッキ方法を提供する。 - 特許庁
ELECTROLESS GOLD-PLATING LIQUID FOR FORMING GOLD MICRO STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING GOLD MICRO STRUCTURE USING THE SAME, AND GOLD MICRO STRUCTURE USING THE SAME例文帳に追加
金微細構造体形成用無電解金めっき液およびこれを用いた金微細構造体形成方法ならびにこれを用いた金微細構造体 - 特許庁
The pretreatment method for electroless plating is comprised of a process making the surface of a plastic formed product 3 coarse by using an aqueous solution of a hydrogen carbonic acid compound and ozone.例文帳に追加
無電解めっきの前処理方法は、炭酸水素化合物水溶液とオゾンとを用いてプラスチック成形品3の表面を粗化処理する。 - 特許庁
After the resist is removed, the copper wiring layer 53 and a metal mask layer 54 disposed on the copper wiring layer 53 are formed, in an electroless plating method, while covering the seed layer 52.例文帳に追加
レジストを除去した後、シード層52を覆って無電解めっき法により銅配線層53と、銅配線層53上に位置するメタルマスク層54とを形成する。 - 特許庁
A barrier film having the copper diffusion preventing function is formed on a metal wiring including copper with the non-electrolytic plating method and a bonding pad is formed thereon.例文帳に追加
銅を含む金属配線上に、無電解メッキ法により銅拡散防止機能を有するバリア膜を形成し、その上にボンディングパッド部を形成する。 - 特許庁
To increase industrial productivity of a ferrite film formed by a ferrite plating method, and to obtain the ferrite film as the aggregate of homogeneous columnar crystals.例文帳に追加
フェライトメッキ法によって形成されたフェライト膜において、工業的な生産性を増し、均質な柱状結晶の集合体であるフェライト膜を得ること。 - 特許庁
To improve step coverage of a plating electrode and to improve an exposure margin degree of a photoresist layer for forming a bump electrode in a method for forming the bump electrode.例文帳に追加
バンプ電極の形成方法において、メッキ電極のステップカバレージを改善すると共に、バンプ電極形成用のフォトレジスト層の露光余裕度を改善する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a nickel plating electrode and having a low voltage drop, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加
ニッケルめっき電極を備え、低VFを兼ね備えた半導体装置の製造方法、および、半導体装置を提供することを目的としている。 - 特許庁
To improve the yield in plating by checking the remaining organic resin material on a laser-machined surface in a method for manufacturing a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板の製造方法において、レーザー加工面の有機樹脂材料の残渣を検査することにより、メッキ形成の歩留まりの向上を図る。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having electroless plating bumps of straight shape and a method for fabricating the semiconductor device while minimizing increase of labor.例文帳に追加
工数の増加を最小限に抑えつつストレート形状に富んだ無電解メッキバンプを備える半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for plating the surface of an accessory or a semiconductor with a thin film of an alloy with a metal(s) selected from platinum group metals, gold and silver.例文帳に追加
装身具、あるいは半導体の表面に、白金族金属、金、銀から選ばれる金属との合金の薄膜をメッキするための方法を提供する。 - 特許庁
To provide a low-pollution method for plating magnesium and its alloy, which can give the surface corrosion resistance and decoration characteristics having a metallic luster.例文帳に追加
表面に低公害で耐食性と金属光沢のある装飾性を付与することができるマグネシウム及びその合金のメッキ処理法を提供する。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for producing a semiconductor device, wherein the variation of the formation of a plating film on a plated semiconductor substrate is suppressed.例文帳に追加
めっき処理した半導体基板のめっき膜の形成ばらつきを抑えることができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁
To provide a double-sided wiring circuit substrate which prevents any defect of a plating layer sufficiently and can realize a wiring pattern of high density, and to provide a manufacturing method of the substrate.例文帳に追加
めっき層の欠陥を十分に防止し、高密度の配線パターンを実現可能な両面配線回路基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for efficiently discharging dross floating in a hot-dip plating bath and separating and recovering plated metal.例文帳に追加
溶融金属めっき浴の浮遊ドロスの排出及びめっき金属の分離回収処理を効率よく実施するための処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing printed wiring board capable of protecting a narrow thorough hole and preventing the corrosion of through-hole plating.例文帳に追加
小径のスルーホールを保護し、スルーホールめっきの腐食を防止することが可能なプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING HEAT-SEALABLE/NON-HEAT-SEALABLE BIAXIALLY ORIENTED POLYPROPYLENE FILMS APPLICABLE TO WATER BASE INK PRINTING AND METALLIZING TREATMENT SUCH AS VACUUM PLATING, AND PRODUCT PRODUCED THEREBY例文帳に追加
水性インキ印刷と真空めっきなどのメタライジング処理に適用されるヒートシール可/不可の二軸延伸ポリプロピレンフィルムの製法及びその製品 - 特許庁
To provide a method for producing a film carrier tape, and a plating system, in which a copper foil located at the end part of solder resist or adhesive is not scooped.例文帳に追加
ソルダーレジストや接着剤の端部に位置する銅箔にえぐれが生じることが無いフィルムキャリアテープの製造方法およびメッキ装置を提供する。 - 特許庁
HIGH-STRENGTH HOT DIP GALVANIZED STEEL SHEET AND HIGH-STRENGTH GALVANNEALED STEEL SHEET HAVING EXCELLENT PLATING PEELING RESISTANCE UPON HIGH WORKING, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加
高加工時の耐めっき剥離性に優れた高強度溶融亜鉛めっき鋼板、高強度合金化溶融亜鉛めっき鋼板、およびその製造方法 - 特許庁
PLATING BATH FOR FORMING THIN FILM RESISTANCE LAYER, THIN FILM RESISTANCE LAYER FORMING METHOD, CONDUCTIVE BASE MATERIAL WITH THIN FILM RESISTANCE LAYER, AND CIRCUIT BOARD MATERIAL WITH RESISTANCE LAYER例文帳に追加
薄膜抵抗層形成用めっき浴、薄膜抵抗層形成方法、薄膜抵抗層付き導電性基材及び抵抗層付き回路基板材料 - 特許庁
To provide a method for producing a two layer circuit board by a plating process in a type where both sides have electrically conductive layers in which rugged defects are reduced in the plated surfaces.例文帳に追加
めっき表面に凹凸欠陥が少ない両面に導電層を有するタイプのめっき法2層回路基材の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for producing a film-formed body using ion plating high in a coating rate and capable of forming a homogeneous thin film and to provide a device therefor.例文帳に追加
被覆速度が早く、均質な薄膜を生成できるイオンプレーティングを用いる成膜体の製造方法及び製造装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a conductive film deposition method which ensures excellent plating deposition while minimizing occurrence of deficiency of metal film.例文帳に追加
本発明は、めっき析出性に優れると共に、金属膜の欠損の発生が抑制された導電膜形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide an original sheet for high strength electroplating excellent in geomagnetic shielding properties and plating adhesion, to provide an electroplated steel sheet and to provide a method for producing the same.例文帳に追加
地磁気シールド性とめっき密着性に優れた高強度電気めっき用原板、及び電気めっき鋼板とその製造方法を提供する。 - 特許庁
The layer 13 nearest to the surface plating is formed by any one of a copper sulfate bath method, a copper borofluoride bath method, a brightener-containing copper cyanide bath method, a brightener-containing copper pyrophosphate bath method, and a brightener-containing electroless copper bath method in order to obtain a bright surface.例文帳に追加
最も表層めっきに近い層13には、光沢のある表面を得るために、硫酸銅浴法、ほうふっ化銅浴法、光沢剤を添加したシアン化銅浴法、光沢剤を添加したピロりん酸銅浴法及び光沢剤を添加した無電解銅浴法のうちのいずれかの方法を使用する。 - 特許庁
The method for manufacturing the electrode of the external electrode fluorescent lamp is provided, where the method includes: a step of performing the nickel electroless plating onto both ends of a glass tube; and a step of and then forming the electrode by dipping it into a liquid of an electrode material containing zinc and tin, or lead, after performing the nickel electroless plating.例文帳に追加
本発明の特徴は、ガラス管の両端をニッケル無電解メッキ処理する段階、前記ニッケル無電解メッキ処理した後に、亜鉛及び錫または鉛を含む電極材料の液に浸漬して電極を形成する段階を含む、外部電極蛍光ランプの電極製造方法を提供する。 - 特許庁
In the electroless plating method of an insulative wiring board on which a conductive metal pattern is formed, the method for manufacturing the insulative wiring board is characterized by performing electroless plating after previously bringing the surface of the insulative wiring board into contact with a solution of a soluble sulfur-containing organic compound.例文帳に追加
本発明に係る絶縁性配線基板の製造方法は、金属により導体パターンを形成した絶縁性配線基板への無電解めっき方法において、予め該絶縁性配線基板の表面を可溶性含イオウ有機化合物溶液に接触させた後、無電解めっきを行うことを特徴とするものである。 - 特許庁
To provide a plated article having a metal-plated film whose thickness is made thick by an electroless plating method without combining an electroplating method and which is prevented from being swollen or peeled off in an electroless plating bath even when the thickness of the metal-plated film is made thicker than conventional one.例文帳に追加
無電解めっき法により形成される金属めっき膜の厚みを従来よりも厚く設けても無電解めっき浴中で金属めっき膜が膨れ、或いは剥がれるのを防止することができ、電気めっき法を併用することなく無電解めっき法により厚膜化された金属めっき膜を有するめっき物を提供する。 - 特許庁
To provide a composite nanotube which is obtained by electroless plating using a template formed easily and stably and in which the template is not necessarily required to be removed after electroless plating, to provide a method for producing the same, and to provide a metal nanotube using the composite nanotube and a method for producing the metal nanotube.例文帳に追加
無電解めっきに用いる鋳型を容易かつ安定的に形成することができるとともに、無電解めっき後、鋳型を必ずしも除去する必要のないコンポジットナノチューブ、およびその製造方法、さらには、コンポジットナノチューブを利用した金属ナノチューブおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
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