「programming voltage」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

PROGRAMMING/ERASING VOLTAGE SUPPLY CIRCUIT OF FLASH MEMORY CELL例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のプログラム／消去電圧供給回路 - 特許庁

ANTI-FUSE PROGRAMMING CIRCUIT USING VARIABLE VOLTAGE GENERATOR例文帳に追加

可変電圧発生器を用いるアンチヒュ—ズのプログラミング回路 - 特許庁

In the stabilization step, a stabilization voltage having an electric field opposite to electric fields formed by the first and second programming voltages is applied to the memory cell after the programming step corresponding to the programming voltage of higher level out of the first programming voltage and second programming voltage.例文帳に追加

安定化ステップは、第１プログラミング電圧と第２プログラミング電圧のうち、高いレベルのプログラミング電圧に対応するプログラミングステップ以後に、第１及び第２プログラミング電圧による電界と反対の電界を持つ安定化電圧をメモリセルに印加する。 - 特許庁

In the correcting process, voltage programming and current programming are carried out consecutively, to detect a difference between a current flowing through the light-emitting element at voltage programming and a current flowing through the light-emitting element at current programming.例文帳に追加

その補正駆動は電圧プログラミングと電流プログラミングを連続して行い、電圧プログラミング時と電流プログラミング時とで発光素子に流れる電流の差を検出する。 - 特許庁

To provide an electric fuse which ensures programming by a single programming pulse of relatively low voltage.例文帳に追加

比較的低電圧で単一のプログラミングパルスにより確実にプログラミングできる電気ヒューズの提供。 - 特許庁

Programming voltage varies permanently the voltage leak function of the capacitive storing device.例文帳に追加

プログラミング電圧は容量記憶デバイスの電圧漏れ特性を永久変化させる。 - 特許庁

After that, increment of the programming voltage is set to second voltage until the threshold voltage reaches a target value.例文帳に追加

その後、閾値電圧が目標値に達するまで、プログラム電圧の増分は第２電圧に設定される。 - 特許庁

To provide a flash memory that variably controls the programming voltage, and to provide a method of programming the same.例文帳に追加

プログラム電圧を可変的に制御できるフラッシュメモリ装置及びそのプログラミング方法を提供する。 - 特許庁

A pixel circuit 210 is provided with a current programming circuit 240 and voltage programming transistors 251, 252.例文帳に追加

画素回路２１０は、電流プログラミング回路２４０と、電圧プログラミング用トランジスタ２５１，２５２とを備える。 - 特許庁

In addition, using the method, programming voltage, erasing voltage, and read voltage of the transistor are decreased with critical voltage being maintained within a predetermined range.例文帳に追加

また、限界電圧は所望の範囲を維持しつつ、トランジスタのプログラミング電圧、消去電圧、及び読出し電圧を下げる。 - 特許庁

When data is programmed in a nonvolatile memory cell, the programming voltage are applied to the memory cell plural times while increasing gradually the programming voltage.例文帳に追加

不揮発性のメモリセルにデータをプログラムするときに、プログラム電圧を徐々に増加させながらこのプログラム電圧がメモリセルに複数回印加される。 - 特許庁

PROGRAMMING METHOD FOR MULTI-LEVEL NON-VOLATILE MEMORY BY CONTROL OF GATE VOLTAGE例文帳に追加

ゲート電圧の制御よるマルチレベル不揮発性メモリのプログラミング方法 - 特許庁

Next, states of the first and second transistors 251 and 252 for voltage programming are changed, and voltage programming is performed by using a current signal Iout.例文帳に追加

次に、第１と第２の電圧プログラミング用トランジスタ２５１，２５２の状態を切換え、電流信号Ｉout を利用して電流プログラミングを行う。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR PROGRAMMING THRESHOLD VOLTAGE LEVEL AND SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE例文帳に追加

閾値電圧レベルのプログラミング方法及びシステムと半導体記憶装置 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device and a programming method thereof in which program inhibit voltage is changed during programming.例文帳に追加

プログラミングの間にプログラム禁止電圧が変化する不揮発性メモリ装置及びそれのプログラミング方法を提供する。 - 特許庁

According to the selection of the selected module, a programming voltage for passing a programming current to the predetermined fuses is impressed.例文帳に追加

選択モジュールの選択に応じて、プログラミング電流を所定のヒューズに流すためのプログラミング電圧が印加される。 - 特許庁

A programming circuit for the anti-fuse uses a bootstrap circuit for charging a capacitor to supply voltage during a non-programming period.例文帳に追加

アンチヒューズのためのプログラミング回路は、非プログラミング期間中にキャパシタを電源電圧に帯電するブート回路を利用する。 - 特許庁

Threshold voltage of the memory cell can be approximated to the target value with less number of times of programming by boosting the programming voltage without changing the increment.例文帳に追加

プログラム電圧をその増分を変えることなく上昇させることで、少ないプログラム回数で、メモリセルの閾値電圧を目標値に近づけることができる。 - 特許庁

A first program voltage is applied to the main cell, and the threshold voltage is measured by programming the main cell (step 104).例文帳に追加

メインセルに第１プログラム電圧を印加し、プログラムしてしきい値電圧を測定する（ステップ１０４）。 - 特許庁

At that time, increment of programming voltage is set to first voltage until threshold voltage of the all memory cells to be programmed reach the initial value.例文帳に追加

この際、プログラムする全てのメモリセルの閾値電圧が初期値に達するまで、プログラム電圧の増分は第１電圧に設定される。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory and its programming method in which margin between threshold voltage are kept constant after programming.例文帳に追加

プログラム以後しきい値電圧間のマージンを一定に維持させる不揮発性半導体メモリ装置およびそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR OPTIMIZING DESIGN OF VOLTAGE DRIVING/PROGRAMMING MULTITRANSISTOR PIXEL OF ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY例文帳に追加

有機発光ダイオードディスプレイの電圧駆動型マルチトランジスタ画素設計の最適化方法 - 特許庁

Then, programming processing is continued by the adjusted bit-line voltage (or other parameters).例文帳に追加

次いで、この調整されたビットライン電圧（または、他のパラメータ）でプログラミング処理が継続される。 - 特許庁

FLASH MEMORY DEVICE AND ITS PROGRAMMING METHOD BY WHICH PASS VOLTAGE WINDOW CAN BE IMPROVED例文帳に追加

パス電圧ウィンドウを向上させることができるフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法 - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND CONTROL METHOD FOR PROGRAMMING VOLTAGE OF NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

不揮発性半導体メモリおよび不揮発性半導体メモリのプログラム電圧制御方法 - 特許庁

Also, after the threshold voltage exceeds the initial value, an error for the target value of the threshold voltage can be minimized by setting the increment of the programming voltage to the second voltage.例文帳に追加

また、閾値電圧が初期値を超えた後、プログラム電圧の増分を第２電圧に設定することで、閾値電圧の目標値に対する誤差を最小限にできる。 - 特許庁

During the third period, program voltage corresponding to a luminance signal is supplied from the data line to perform voltage programming.例文帳に追加

そして第３の期間にデータ線から輝度信号に応じたプログラム電圧を供給して電圧プログラミングを行う。 - 特許庁

In the first programming step, a first bit of the 2-bit data is programmed in the memory cell by applying a first programming voltage to the memory cell.例文帳に追加

第１プログラミングステップは、メモリセルに第１プログラミング電圧を印加することによって、メモリセルにデータの２ビットのうち第１ビットをプログラミングする。 - 特許庁

In the second programming step, a second bit of the 2-bit data is programmed in the memory cell by applying a second programming voltage to the memory cell.例文帳に追加

第２プログラミングステップは、メモリセルに第２プログラミング電圧を印加することによって、メモリセルにデータの２ビットのうち第２ビットをプログラミングする。 - 特許庁

In the programming mode, a programming voltage Vpp is supplied across a main electric path such as a source-drain channel S-D.例文帳に追加

プログラミングモード中に、プログラミング電圧Ｖｐｐが、トランジスタ４の主導電路を挟んで、例えばソース−ドレイン・チャネルＳ−Ｄを挟んで、供給される。 - 特許庁

When setting a luminescence gradation of an organic EL device 220, the voltage programming is carried out using a voltage signal V_out by setting 1st and 2nd voltage programming transistors 251, 252 to OFF-state and ON-state, respectively.例文帳に追加

有機ＥＬ素子２２０の発光階調の設定時には、第１と第２の電圧プログラミング用トランジスタ２５１，２５２をオフ状態とオン状態にそれぞれ設定し、電圧信号Ｖout を利用して電圧プログラミングを行う。 - 特許庁

Threshold voltage in which a value is increased for a pre- programming pulse at the time of programming is applied to a gate terminal of each cell to be programmed, and an increment of threshold voltage of a cell to be programmed is made equal to an increment of gate voltage (ΔVcp).例文帳に追加

プログラミング時に前プログラミングパルスに対し値を増加した閾値電圧がプログラムされる各セルのゲート端子に加えられ、プログラムすべきセルの閾値電圧の増加は印加したゲート電圧増（ΔＶ_GP）分に等しくなる。 - 特許庁

A programming operation, using a second program voltage and a third program voltage, is performed on the peripheral cell and the threshold voltage of the peripheral cell is measured (step 108).例文帳に追加

周辺セルには第２プログラム電圧と第３プログラム電圧を利用したプログラム動作を実施し、周辺セルのしきい値電圧を測定する（ステップ１０８）。 - 特許庁

When a signal for programming an anti-fuse 90 is inputted, an output voltage of a variable voltage generation part 10 is raised to source voltage potential.例文帳に追加

アンチヒューズ９０をプログラミングするための信号が入力されると、可変電圧発生部１０の出力電圧が電源電圧電位に上昇させられる。 - 特許庁

To provide a programming method and a multilevel cell programming method of a nonvolatile memory device, which attain variable setting according to a programming state without fixing a program start voltage to a specific value.例文帳に追加

プログラム開始電圧を特定の値に固定させず、プログラムされる状態に応じて可変的に設定することが可能な不揮発性メモリ装置のプログラム方法およびマルチレベルセルプログラム方法を提供する。 - 特許庁

Since a pumping circuit is unnecessary due to the decreased programming voltage, a high voltage region is substantially unnecessary in a circuit.例文帳に追加

低くなったプログラミング電圧でポンピング回路が不要になるので、回路における高電圧領域の必要性が低下する。 - 特許庁

Thus, a coupling phenomenon and a programming speed reduction caused by differences in target programming threshold voltage and current between adjacent memory cells are improved.例文帳に追加

これにより、隣接するメモリセル間の異なる目標プログラムしきい電圧及び電流分差によるカップリング現象並びにプログラム速度低下を改善できる。 - 特許庁

To provide a programming method and a device for programming anti-fuse, by using comparatively high voltage without giving damages to other constituent parts for an integrated circuit.例文帳に追加

アンチヒューズを、集積回路の他の構成部品に損傷を与えずに比較的高い電圧を用いてプログラムする方法および装置を提供する。 - 特許庁

The method allows use of a smaller wordline voltage V_p1 during programming.例文帳に追加

本発明の方法によりプログラミング中により低いワード線電圧Ｖ_ｐ１を使用することができる。 - 特許庁

LOW VOLTAGE SINGLE TRANSISTOR FLASH EEPROM CELL USING FOWLER-NORDHEIM PROGRAMMING AND ERASE例文帳に追加

ファウラーノルドハイムプログラミング及び消去を利用する、低電圧単一トランジスタ型フラッシュＥＥＰＲＯＭセル - 特許庁

To perform a programming operation without controlling a voltage level of a counter electrode of an anti-fuse element.例文帳に追加

アンチヒューズ素子の対極の電圧レベルを制御することなく、プログラム動作を実行すること。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WHICH ADJUSTS PROGRAM VOLTAGE WITH THE NUMBER OF PROGRAM CELLS, AND PROGRAMMING METHOD THEREOF例文帳に追加

プログラムセルの数によってプログラム電圧を調節する半導体メモリ装置及びそのプログラム方法 - 特許庁

At the time of setting the emission gradation of an organic EL (electroluminescent) element 220, voltage programming is performed by utilizing a voltage signal Vout by setting respectively first and second transistors 251, 252 for voltage programming to be in an OFF state and an ON state.例文帳に追加

有機ＥＬ素子２２０の発光階調の設定時には、第１と第２の電圧プログラミング用トランジスタ２５１，２５２をオフ状態とオン状態にそれぞれ設定し、電圧信号Ｖout を利用して電圧プログラミングを行う。 - 特許庁

A method for minimizing the current consumption includes: programming a cell without having a direct current flowing from a positive supply to the ground through the array, programming a plurality of cells without discharging a global bit line carrying a programming voltage between programming pulses, and programming a cell with transient currents.例文帳に追加

電流消費量を最小にする方法は、正の電源からアレイ経由で接地電源へ直流を流すことなくセルのプログラムを行う方法、各プログラムパルス間のプログラム電圧を伝えるグローバルビット線を放電することなく複数のセルのプログラムを行う方法、及び過渡電流を用いてセルのプログラムを行う方法を含む。 - 特許庁

Subsequently, after a high voltage of a level required by the high voltage generating circuit 60 is generated, a bit line setup operation, a programming operation, and the programming process of a verification operation are performed repeatedly.例文帳に追加

その後、高電圧発生回路６０から要求されるレベルの高電圧が生成された後、ビットラインセットアップ動作、プログラム動作、そして検証動作のプログラミングプロセスが反復的に遂行される。 - 特許庁