「random potential」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A level detector 12 of a DRAM (dynamic random access memory) resets a flip-flop 27, 28, when the external reference voltage VR2 becomes lower than the threshold potential in the voltage test mode, to produce the internal power-supply potential VCCP according to the external reference potential VR2, and releases the voltage test mode.例文帳に追加

ＤＲＡＭのレベル検出器１２は、外部基準電位ＶＲ２に従って内部電源電位ＶＣＣＰを生成するための電圧テストモードにおいて、外部基準電位ＶＲ２がしきい値電位よりも低下したことに応じてフリップフロップ２７，２８をリセットし、電圧テストモードを解除する。 - 特許庁

SIMPLE PROCESSING METHOD FOR DISPLAYING RANDOM REENTRITED EXCITATION PROPAGATION AS HIGH-RESOLUTION ANIMATION IMAGE FROM SIMULTANEOUS RECORDING OF LOCAL POTENTIAL OF CARDIAC SURFACE BY SMALL NUMBER OF ELECTRODES例文帳に追加

少ない電極数による心表面の局所電位同時記録からランダムリエントリ性興奮伝播を高解像度の動画として表示する簡易な処理方法 - 特許庁

To solve the problem that when inspection wiring is disconnected due to corrosion or any external factor, the potential of the inspection wiring of a circuit part side is made unstable, therefore, the circuit part is influenced by the random external potential to cause a malfunction.例文帳に追加

検査用配線が腐蝕あるいは外的要因などによって断線すると、回路部分側の検査用配線の電位が不定となるため、通常の表示駆動時にその回路部分が外部からの飛び込み電位の影響を受けて誤動作を起こす。 - 特許庁

To provide an image pick-up apparatus and an image pick-up system constructed to prevent occurrence of line noise due to a random noise component produced in a power supply circuit that supplies a reference potential.例文帳に追加

基準電位を供給する電源回路で発生したランダムノイズ成分によるラインノイズの発生が防止された撮像装置および撮像システムを提供することを課題とする。 - 特許庁

This Random Homozygous Gene Perturbation (RUGP) technique is used to identify potential host targets for intervention for influenza, HIV and other viral infections.例文帳に追加

このランダムホモ接合性遺伝子摂動（ＲＵＧＰ）技術は、インフルエンザ、ＨＩＶ、及び他のウイルス感染についての介入のための潜在的な宿主標的を同定するために使用される。 - 特許庁

This electric potential treatment system is equipped with a voltage generating part (12), a voltage control parts (4, 8) which can vary voltage generated by the voltage generating part (12) at random, and an electric potential treatment electrode (17) to apply voltage from the voltage generating part (12) to the treatment subject.例文帳に追加

電圧発生部（１２）と、前記電圧発生部（１２）で発生させる電圧をランダムに変化させることのできる電圧制御部（４，８）と、治療対象に前記電圧発生部（１２）からの電位を印加するための電位治療導子（１７）とを備えた電位治療装置を提供する。 - 特許庁

A dummy memory cell 3 of this SPRAM (Static Random Access Memory) is formed by replacing P channel MOS transistors (TRs) 21 and 22 for loading a normal memory cell 2 with N channel MOS TRs 27 and 28, applying a power source potential VDD to a memory node N2 and applying the ground potential GND to the source of the MOS TR 27.例文帳に追加

このＳＲＡＭのダミーメモリセル３は、正規のメモリセル２の負荷用のＰチャネルＭＯＳトランジスタ２１，２２をＮチャネルＭＯＳトランジスタ２７，２８で置換し、記憶ノードＮ２に電源電位ＶＤＤを与え、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ２７のソースに接地電位ＧＮＤを与えたものである。 - 特許庁

When the convergence condition by Newton repetition is not satisfied (step S15), a random number is multiplied to the value of a node potential which is not convergent to set a new initial value (step S20), to recalculate the simultaneous equation.例文帳に追加

ニュートン反復による収束条件が満足されないと（ステップＳ１５）、収束しない節点電位の値に乱数を掛けて、新たな初期値を設定し（ステップＳ２０）、再度連立方程式を計算する。 - 特許庁

Many analytical chemistries can be applied to the random arrays, including SBH (sequencing by hybridization) chemistry or SBS (sequencing by synthesis) chemistry, SNP (single nucleotide polymorphism) detection chemistry, and the like, to greatly expand the scale and potential applications of such techniques.例文帳に追加

例えばSBH（sequencing by hybridization）ケミストリー、SBS（sequencing by synthesis）ケミストリー、SNP検出ケミストリーなど、多くの解析ケミストリーを本ランダムアレイに適用することにより、そのような技法の規模および潜在的用途を著しく拡大することができる。 - 特許庁

To provide a simple processing method capable of displaying random reentried excitation propagation high resolution as animation images from simultaneous recording of the local potential of the endocardium by basket catheters of a small number of electrodes by using personal computers.例文帳に追加

少ない電極数による心表面の局所電位同時記録から、パーソナルコンピュータを用いてランダムリエントリ性興奮伝播を高解像度の動画として表示する簡易な処理方法を提供する。 - 特許庁

This Random Homozygous Gene Perturbation (RUGP) technique is rapidly verifiable and is used to identify potential host targets for intervention for influenza, HIV and other viral infections.例文帳に追加

このランダムホモ接合性遺伝子摂動（ＲＵＧＰ）技術は、迅速に検証可能であり、インフルエンザ、ＨＩＶ、及び他のウイルス感染についての介入のための潜在的な宿主標的を同定するために使用される。 - 特許庁

Cut-off frequency of the low-pass filter is determined such that the noise effective value of the reference potential passed through the low-pass filter is not higher than 1/10 of the random noise effective value being generated in the pixel of the area sensor.例文帳に追加

さらに、低域通過フィルタのカットオフ周波数は、低域通過フィルタを透過した基準電位のノイズ実効値が、エリアセンサの画素で発生するランダムノイズ実効値の１／１０以下となるように決定されることを特徴とする。 - 特許庁

In this MRAM(magnetoresistive random access memory) structure, a word line or a gate line (WL) is low-ohm-coupled to a programming line (PRL), a potential of a source (S) of a selective transistor (T) can be made same as that of the programming line (PRL).例文帳に追加

本発明のＭＲＡＭ構造では、ワード線またはゲート線（ＷＬ）がプログラミング線（ＰＲＬ）と低オーム結合されており、選択トランジスタ（Ｔ）のソース（Ｓ）を、ゲート（Ｇ）またはプログラミング線（ＰＲＬ）と同様の電位とすることが可能となっている。 - 特許庁

If one of the transmit/receive units is assumed to be more powerful than any potential eavesdropper, the powerful transmit/receive unit broadcasts the public random stream, a weaker transmit/receive unit sends selected bit numbers to the powerful transmit/receive unit, and the powerful transmit/receive unit uses random numbers to produce a key created by the weaker transmit/receive unit.例文帳に追加

送受信ユニットの１つを任意の潜在的盗聴者よりも強力であると仮定すると、強力な送受信ユニットは公開ランダム・ストリームをブロードキャストし、より弱い送受信ユニットは、強力な送受信ユニットに選択したビット番号を送出し、強力な送受信ユニットは、乱数を使用し、より弱い送受信ユニットにより生成された鍵を作成する。 - 特許庁

An SRAM (Static Random Access Memory) includes a P-channel MOS transistor 1 having a comparatively high conduction resistance value which is connected between a one end of a memory cell power source wiring MVL and a line of power source potential VDD', the power source wiring MVL being provided for each row and connected to a power source node of corresponding row.例文帳に追加

このＳＲＡＭは、各行に対応して設けられて対応の行のメモリセル電源配線ＭＶＬの一方端と電源電位ＶＤＤ′のラインとの間に接続され、比較的高い導通抵抗値を有するＰチャネルＭＯＳトランジスタ１を備える。 - 特許庁

A cable error is detected by evaluating a potential rise in the case that controlled pump current is at least sometimes conducted through the pump cell to detect the cable error to find that the controlled pump current is loaded or in the case that the broadband random sensor (60) is continuously connected.例文帳に追加

ケーブルエラーを検出するために、少なくとも時々、ポンプセルを介して、制御されたポンプ電流を伝導し、制御されたポンプ電流が負荷された場合または前記広帯域ラムダセンサ（６０）が続いて接続された場合に電位上昇を評価することによってケーブルエラーを検出する。 - 特許庁

When the SEM observation is carried out under such a condition, secondary electrons emitted from the lower face of the sample support part 11 are pulled by the potential control part 14 in the optical axis direction of the electron beam, thus random emission of the secondary electrons is suppressed, and the high resolution of an obtained ISEC image can be achieved.例文帳に追加

このような条件でＳＥＭ観察を行なうと、電位制御部１４により、試料支持部１１の下面から出射された２次電子が電子線の光軸方向に引き寄せられるために２次電子のランダム放出が抑制され、得られるＩＳＥＣ画像の高分解能化を図ることができる。 - 特許庁

When triggered to hop to a next frequency, the hop-to-frequency can be the next frequency in the pseudo-random hop sequence known to both the transmitter and receiver or, in order to improve the reliability of communications, can be determined based on channel quality measurements on different potential hop-to-frequencies.例文帳に追加

次の周波数へのホッピングがトリガされたときには、ホッピング先周波数を、送信機および受信機の両方が知っている擬似ランダム・ホッピング・シーケンス内の次の周波数にすることができ、または、通信の信頼性を改善するために、可能な様々なホッピング先周波数でのチャネル品質測定値に基づいて決定することができる。 - 特許庁

There is provided the bulky polyamide fiber of multifilament formed of a polyamide resin mainly consist of nylon 11, wherein the filaments are bent in random directions or entangled with each other, have loops and sags, and have a potential percentage of crimp of 16 to 20%, an actual percentage of crimp of 2 to 5%, and a total percentage of crimp of 17 to 24%.例文帳に追加

ナイロン１１を主成分とするポリアミド樹脂からなるマルチフィラメントであって、各フィラメントがランダム方向に屈曲、あるいは互いに絡み合い、ループやタルミを有し、かつ潜在捲縮率が１６〜２０％、顕在捲縮率が２〜５％、全捲縮率が１７〜２４％であることを特徴とする嵩高性を有するポリアミド繊維。 - 特許庁

This magnetic random access memory is provided with a magneto resistance effect element MTJ and current source circuits I1, I2, I3 for giving bias current/voltage to the magneto resistance effect element MTJ when data of the magneto resistance effect element MTJ is read out, a value of the bias current/voltage does not depend on a power source potential, and is varied depending on temperature.例文帳に追加

本発明の例に関わる磁気ランダムアクセスメモリは、磁気抵抗効果素子ＭＴＪと、磁気抵抗効果素子ＭＴＪのデータを読み出すときに、磁気抵抗効果素子ＭＴＪにバイアス電流／電圧を与えるための電流源回路Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３とを備え、バイアス電流／電圧の値は、電源電位に依存せず、温度に依存して変化する。 - 特許庁