「reverse conducting」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Predetermined movement is applied to a vessel 14, and while the components 10 to be plated and conducting media 19 in the vessel 14 are repeatedly subjected to forward flowing of flowing to one direction and reverse flowing of flowing to the reverse direction, an electrode 17 for a cathode is energized to perform plating.例文帳に追加

容器１４に所定の運動を与え、容器１４内の被めっき部品１０および通電用メディア１９に、一方向に流動する正方向流動と、逆方向に流動する逆方向流動を繰り返して行わせつつ、陰極用電極１７に通電することによりめっきを行う。 - 特許庁

The card type zero-magnetic field generator comprises a pair of coil-like conducting circuits 2, 3 having a reverse winding directions and print-patterned to generate the magnetic fields likewise to cancel to each other when a current flows at corresponding positions on front and rear surfaces of a printed wiring board 1.例文帳に追加

プリント配線基板１の表裏面の対応位置に、電流が流されると互いに打ち消し合うような磁場を発生する、巻回方向が互いに逆の一対のコイル状導電回路２、３をプリントパターン化して設ける。 - 特許庁

To provide a reverse-conducting insulated gate bipolar transistor which can be operated in the same active portion by integrating an IGBT portion and an FWD portion on a semiconductor substrate and can reduce the chip cost by ≥30%.例文帳に追加

半導体基板上でＩＧＢＴ部とＦＷＤ部とを一体化して、同一の活性部で動作させることができ、チップコストを３０％以上低減することができる逆導通形絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの提供。 - 特許庁

A space required for wire bonding is eliminated by providing a connection hole in a supporting layer side of an SOI board, and by connecting a terminal part of an active layer to a land on the circuit board from a reverse face using a bump or an anisotropic conducting film.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の支持層側に接続穴を設け、バンプや異方性導電膜を用いて、裏面から活性層の端子部と回路基板上のランドを接続することにより、ワイヤーボンディングに要するスペースを不要とする。 - 特許庁

This inductance element 10 comprises: a wiring 4 conducting a terminal 7 formed on the surface of a semiconductor chip 100 with a terminal 9 formed on the reverse surface of the semiconductor chip 100; a wiring 23 conducting terminals 24, 25 formed on the surface of a printed board 200 with each other; and a wiring 30 used for the wire bonding connecting the terminals 7, 25 with each other.例文帳に追加

半導体チップ１００の表面に形成される端子７と裏面に形成される端子９とを導通する配線４と、プリント基板２００の表面に形成される端子２４と２５とを導通する配線２３と、端子７と２５とを接続するワイヤボンディングに用いられる配線３０とにより、インダクタンス素子を形成する。 - 特許庁

In this case, in a region where the flyback diode 24 of the reverse conducting semiconductor device 10 is formed, a body contact region 34 operates as an anode, a drift contact region 40 operates as a cathode, and a current 106 flows from the anode to the cathode.例文帳に追加

この場合、逆導通半導体装置１０の還流ダイオード２４が形成されている領域では、ボディコンタクト領域３４がアノードとして作動し、ドリフトコンタクト領域４０がカソードとして作動し、アノードからカソードへと電流１０６が流れる。 - 特許庁

According to one embodiment, an insulated gate type bipolar transistor of reverse conducting type comprises: a second base layer of type N; a buffer layer of type N; a first collector layer of type N; a second collector layer of type P; a third collector layer of type P; and a collector electrode.例文帳に追加

一つの実施形態によれば、逆通電型の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは、Ｎ型の第二のベース層と、Ｎ型のバッファ層、Ｎ型の第一のコレクタ層、Ｐ型の第二のコレクタ層、Ｐ型の第三のコレクタ層、及びコレクタ電極が設けられる。 - 特許庁

A time base data is generated and output by conducting a reverse Fourier transform of a frequency axis data of an OFDM signal by an OFDM signal generating portion 10 and an analog signal passed through a delay portion 12 and a D/A conversion portion 13 is amplified by the output amplifier 17.例文帳に追加

ＯＦＤＭ信号発生部１０でＯＦＤＭ信号の周波数軸データを逆フーリエ変換して時間軸データを生成出力し、遅延部１２、Ｄ／Ａ変換部１３を経たアナログ信号を出力アンプ１７で増幅する。 - 特許庁

An improvement of the viewing angle characteristics is realized by conducting rubbing processing in a first direction and in a direction reverse to the first direction with the same strength and obtaining the alignment film with a small tilt angle in reference to rubbing treatment directions to be applied to the alignment layer of a liquid crystal display element substrate.例文帳に追加

液晶表示素子の基板の配向膜に施すラビング処理の方向を、第１の方向と前記第１の方向とは反対の方向に等しい強度でラビングすることで、ティルト角の小さい配向膜を得ることで視角特性の改善を実現する。 - 特許庁

A method for producing the polymer film has at least a process for conducting roughening treatment of the surface of the polymer film by a sandblasting procedure, wherein the roughening treatment is conducted in such a state that a reverse surface to a roughened surface of the polymer film is adhered to a support.例文帳に追加

前記高分子フィルムは、少なくともサンドブラスト法により前記高分子フィルムの表面を粗化処理する工程を有し、前記粗化処理は、前記高分子フィルムの粗化される面の裏面を支持体に密着させた状態で行うことにより製造する。 - 特許庁

In the manufacturing method, after performing film forming of the gate insulation film, by conducting hydrogen plasma treatment or reverse sputtering by hydrogen ion, the hydrogenation reduction is conducted to the surface layer of the gate insulating film, and the gate conductive film is formed on the surface layer.例文帳に追加

製造方法においては、ゲート絶縁膜を成膜した後、水素プラズマ処理、又は水素イオンによる逆スパッタリングを行うことによって、ゲート絶縁膜の表面層に対して水素化還元を行い、その表面層上に前記ゲート導電膜を形成する。 - 特許庁

An inverter circuit 4 is equipped with at least one semiconductor switch 16, capable of conducting in reverse, until the magnetron 7 is made to be in an oscillation condition, and changed to have an electric current flow only in one direction, when it is in the oscillation-enabled condition.例文帳に追加

インバータ回路４に少なくとも１つの半導体スイッチ１６を備え、半導体スイッチ素子１６はマグネトロン７が発振可能状態になるまでは逆導通可能であり発振可能状態になると単一の方向にのみ電流を流すようにしたものである。 - 特許庁

Further, if a large current flows due to a short-circuit failure of the inductive load 3 and the ammeter 300 detects a current value not less than a predetermined value, the control circuit 200 turns off all the reverse-conducting semiconductor switches SW1-SW4 to interrupt the current.例文帳に追加

また、誘導性負荷３が短絡故障する等して大電流が流れ、電流計３００が検出する電流値が所定の値以上になると、制御回路２００は全ての逆導通型半導体スイッチＳＷ１乃至ＳＷ４をオフにして電流を遮断する。 - 特許庁

The control circuit 200 switches four reverse conducting semiconductor switches SW1-SW4 configuring the full-bridge MERS 100, thereby converting the power outputted from the DC power supply 2 to AC power and supplying the converted AC power to the inductive load 3.例文帳に追加

制御回路２００は、フルブリッジ型ＭＥＲＳ１００を構成する４つの逆導通型半導体スイッチＳＷ１乃至ＳＷ４を切り替えることによって、直流電流源２から出力される電力を交流電力に変換して誘導性負荷３に供給する。 - 特許庁

In the front light equipped with a light source and the light guide plate emitting light from the light emitting surface which is situated at the reverse side against an observation side surface by conducting light from the light source, the reflection preventive patterns comprising the minute unevennesses 30 for prevention of reflection are formed on the light emitting surface.例文帳に追加

光源と、前記光源からの光を導いて観察側の面と反対側に位置する光出射面から光を出射する導光板とを備えたフロントライトにおいて、前記光出射面に反射防止用の微細凹凸３０からなる反射防止用パターンを形成する。 - 特許庁

When the reverse rotation is started, the selection circuit 12 selectively outputs the position detection signal of the magnetic sensor 7, and the control circuit 14 controls the switching circuit 13 and starts the DC motor so that the teeth 4a, 4b are directed in the conducting direction of the motor coil 6 relative to the magnetic pole of the magnet rotor 2 to generate an attraction force.例文帳に追加

逆回転の起動時には、選択回路１２は、磁気センサ７の位置検出信号を選択して出力し、制御回路１４は、マグネットロータ２の磁極に対してティース４ａ，４ｂが引力を生むモータコイル６の通電方向となるようにスイッチング回路１３を制御して起動する。 - 特許庁

To allow the printing mechanism of a printing device to exhibit its maximum capacity so as to print efficiently in perfecting print in a printing control apparatus such as a host computer that permits a printing device for conducting print every page unit and capable of printing on both the obverse and reverse surfaces of a sheet-like printing medium to print.例文帳に追加

ページ単位で印刷を行いシート状印刷媒体の表裏両面に印刷可能な印刷装置に印刷を行わせるホストコンピュータ等の印刷制御装置において、両面印刷で印刷装置の印刷機構の性能を最大限発揮させ、効率良く印刷できるようにする。 - 特許庁

To provide an apparatus for surely and safely detoxifying ammonia which is capable of conducting the neutralization by carbon dioxide that is safe in storing and maintenance and is inexpensive with a fast absorption reaction of ammonia and prevents the reaction of the reverse direction to generate ammonia upon decomposition of ammonium carbonate resulting in the neutralization.例文帳に追加

アンモニアの吸収反応が速く、保管、管理が安全でコストも低い炭酸ガスによる中和を行うことができ、しかも中和により生じる炭酸アンモニウムが分解してアンモニアを生じる逆方向の反応を防止できて確実で安全なアンモニアの無害化を行うことができる装置を提供する。 - 特許庁

A control circuit 20, which outputs switching signals S1-S4 for controlling each gate G1-G4 of each reverse conducting semiconductor switch 11-14, is adapted to perform ON/OFF control of the magnetic energy regeneration circuit 10 at a frequency synchronized to an AC power source 30 or an inductive load 40.例文帳に追加

制御回路２０は、各逆導通半導体スイッチ１１〜１４の各ゲートＧ１〜Ｇ４を制御するためのスイッチング信号Ｓ１〜Ｓ４を出力するものであって、磁気エネルギー回生回路１０を交流電源３０もしくは誘導性の負荷４０に同期する周波数でオンオフ制御を行うように構成されている。 - 特許庁

The probe head comprises a base section, a flexible substrate, a porous elastic body gripped between the base section and the flexible substrate, and the conducting wire that is formed on a second surface on the reverse side of a first surface abutting against the porous elastic body of the flexible substrate and of which tip contacts with the electrode of the specimen.例文帳に追加

基部と、可撓性基板と、前記基部と前記可撓性基板との間に挟持される多孔質弾性体と、前記可撓性基板の前記多孔質弾性体に当接する第一面の裏側の第二面上に形成され先端部が検体の電極に接触する導線と、を備えることを特徴とするプローブヘッド。 - 特許庁

To reduce a packaging area of a liquid crystal display device by arranging a liquid crystal driver on one side of a liquid crystal panel and at the same time, to obtain high picture quality by conducting reverse driving for every column and to reduce the circuit scale of a power supply circuit by incorporating the circuit which alternates a reference voltage for liquid crystal driving, into the liquid crystal driver.例文帳に追加

液晶表示装置において、液晶ドライバを液晶パネルの片側に配置し実装面積を縮小しかつ列毎反転駆動を行うことにより高画質表示を可能とすることを目的とし、また、液晶駆動の基準電圧の交流化回路を液晶ドライバに内蔵することで電源回路の回路規模を縮小するを目的とする。 - 特許庁

When introducing p-type impurities, a p-n junction diode is formed from this p+ impurity region 13 and n- impurity region 6, so that even if the p-n bonding diode is made conducting by reverse bias and even if a transistor is conducted by applying voltage to a gate electrode 5, no current will flow from a bit line 19 to the source line 17a.例文帳に追加

ｐ型の不純物が導入される場合、このｐ＋不純物領域１３とｎ−不純物領域６とによってｐｎ接合ダイオードが形成されるので、ゲート電極５に電圧を与えてトランジスタを導通させてもこのｐｎ接合ダイオードが逆バイアスされて導通せず、ビット線１９からソース線１７ａへ電流が流れない。 - 特許庁

In a reverse conducting type semiconductor device B1 having IGBT element regions J1 and diode element regions J2 mixed with each other in a single semiconductor substrate 2, a length whereby each second trench gate electrode TG2 of each diode element region J2 protrudes from its anode layer 50 is longer than a length whereby each first trench gate electrode TG1 of each IGBT element region J1 protrudes from its body layer 30.例文帳に追加

同一半導体基板２にＩＧＢＴ素子領域Ｊ１とダイオード素子領域Ｊ２が混在している逆導通型の半導体装置Ｂ１において、ダイオード素子領域Ｊ２の第２トレンチゲート電極ＴＧ２がアノード層５０から突出している長さが、ＩＧＢＴ素子領域Ｊ１の第１トレンチゲート電極ＴＧ１がボディ層３０から突出している長さよりも長い。 - 特許庁

This microarray treatment device is the device for conducting efficiently the hybridization and washing treatment having the structure held with the polymer gel immobilized with the probe, in the plurality of hole parts penetrated through from the surface to the reverse face, includes a plurality of sections storing the plurality of respective DNA microarrays, and sealed individually, and includes a plate for the hybridization/washing formed with a slot in the each section.例文帳に追加

プローブが固定化された高分子ゲルが、表裏を貫通する複数の孔部に保持された構造を有するＤＮＡマイクロアレイのハイブリダイゼーション及び洗浄処理を行う装置であって、 複数枚のＤＮＡマイクロアレイの各々が収容される、個別に密閉可能な複数の区画を含み、それら区画内にはスロットが形成されているハイブリダイゼーション・洗浄用プレートを含むＤＮＡマイクロアレイ処理装置。 - 特許庁