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second layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 21457件
The substrate 110 has a first surface 110a, a second surface 110b, a first patterned metal layer 112 on the first surface and a second patterned metal layer 114 on the second surface, and is sandwiched between an upper mold chase 210 and a lower mold chase 220 of a package mold 200.例文帳に追加
基板110は、第1表面110a、第2表面110b、第1表面上の第1のパターン化金属層112、及び第2表面上の第2のパターン化金属層114を有し、パッケージモールド200の上側モールドチェイス210と下側モールドチェイス220の間に挟まれている。 - 特許庁
This semiconductor light-emitting apparatus 1A includes: a base material 2 having a first main face M1 and a second main face M2 opposing to the first main face M1; a first light-emitting layer 3 formed on the first main face M1; and a second light-emitting layer 4 formed on the second main face M2.例文帳に追加
半導体発光装置1Aにおいて、第1主面M1及び第1主面M1に対向する第2主面M2を有する基材2と、第1主面M1上に設けられた第1発光層3と、第2主面M2上に設けられた第2発光層4とを備える。 - 特許庁
The first substrate layer 10 and the second substrate layer 30 of the liquid crystal lens 1 are provided with a first substrate 11 and a second substrate 31 forming flat-plate-shaped fixed lens regions, respectively, wherein concretely, the first substrate 11 and the second substrate 31 are constituted of refractive index distribution lenses.例文帳に追加
液晶レンズ1の第1基板層10及び第2基板層30は、それぞれ平板状の固定レンズ領域を形成する第1基板11及び第2基板31を備え、第1基板11及び第2基板31は、例えば、具体的には、屈折率分布レンズから構成される。 - 特許庁
The semiconductor substrate is constituted so that a first MOS transistor TR1 having a first gate electrode 24 and a first source layer 26, is formed on a top surface of the semiconductor substrate 10, and a second MOS transistor TR2 having a second gate electrode 34 and a second source layer 36, is formed on its reverse surface.例文帳に追加
半導体基板10の表面に、第1のゲート電極24及び第1のソース層26を有する第1のMOSトランジスタTR1が形成され、その裏面には、第2のゲート電極34及び第2のソース層36を有する第2のMOSトランジスタTR2が形成されている。 - 特許庁
The thermal printer 10 comprises a first thermal head 40 which touches one heat-sensitive layer 13 of the thermal paper 11, a first platen roller 30, a first urging means 42, a second thermal head 60 which touches the other heat-sensitive layer 14 of the thermal paper 11, a second platen roller 50, a second urging means 63, etc.例文帳に追加
サーマルプリンタ10は、サーマル用紙11の一方の感熱層13に接する第1サーマルヘッド40、第1プラテンローラ30、第1付勢手段42、サーマル用紙11の他方の感熱層14に接する第2サーマルヘッド60、第2プラテンローラ50、及び第2付勢手段63などを備えている。 - 特許庁
The second ends Y1b, Y2b, Y3b... Ynb of the conductive strips of the second conductive layer can also be connected to the scan sensing circuit via the scanning lines to allow the scan sensing circuit to repeatedly and sequentially perform scanning operation over both ends of each conductive strip of the second conductive layer.例文帳に追加
第2導電層のそれぞれの帯状導電体の第2端Y1b、Y2b、Y3b...Ynbは走査線を介して走査検知回路に接続され、該走査検知回路によって第2導電層のそれぞれの帯状導電体の両端を繰り返して循環走査することもできる。 - 特許庁
The memory stack has a first layer 126 of a thermal insulating material in contact with the first electrode, and a second layer 128 of a thermal insulating material in contact with the second electrode, and a phase change material 130 between the first and the second layers.例文帳に追加
上記メモリスタックは、上記第1の電極に接触している、熱的絶縁材の第1の層126と、上記第2の電極に接触している、熱的絶縁材の第2の層128と、上記第1および上記第2の各層間の相変化材料130とを有している。 - 特許庁
Alternatively, each of a first and second 2S1P substructures is bonded directly to each of a first and second opposed layers of a LCP dielectric bonding layer without an extrinsic adhesive material that bonds the LCP dielectric bonding layer to either of the first and second 2S1P substructures.例文帳に追加
第2実施形態では、第1および第2 2S1P副構造がそれぞれ、LCP誘電体結合層を第1または第2 2S1P副構造のいずれかに結合する外因性接着材料なしで、LCP誘電体結合層の第1および第2対向面に直接結合される。 - 特許庁
The first surface layer 13 and the second surface layer are configured so that the interval therebetween is narrowed toward the end of the first member in a second direction y, at both ends in the second direction y perpendicular to a first direction x.例文帳に追加
第1の表層13及び第2の表層は、第1の方向xに垂直な第2の方向yの両端部のそれぞれにおいて第1の表層13と第2の表層との間の間隔が第2の方向yに沿って第1の部材の端に向かって狭くなるように構成されている。 - 特許庁
A first metal 35 and a second metal 36 are sputtered so that a first metal scattering region 37 where the first metal 35 scatters and a second metal scattering region 38 where the second metal 36 scatters may be overlapped, thereby forming a metal thin layer 2 on a base insulating layer 1.例文帳に追加
ベース絶縁層1の表面に、第1金属35が飛散する第1金属飛散領域37と、第2金属36が飛散する第2金属飛散領域38とが重複するように、第1金属35および第2金属36をスパッタリングすることにより、金属薄層2を形成する。 - 特許庁
A first sub input open stab 13 and a first sub output open stab 16 are disposed proximately within a second conductor layer while confronting side surfaces, and a second sub input open stab 14 and a second sub output open stab 17 are disposed proximately within a third conductor layer while confronting side surfaces.例文帳に追加
第2導体層に側面を対向させて近接配置された第1サブ入力オープンスタブ13及び第1サブ出力オープンスタブ16を配置し、第3導体層に側面を対向させて近接配置された第2サブ入力オープンスタブ14及び第2サブ出力オープンスタブ17を配置した。 - 特許庁
Or, the core body is extruded from the first extrusion molding machine to be molded by a first mold die to be allowed to run through a second mold die and the intermediate adhesive layer comprising a soft synthetic resin from a second extrusion molding machine and the protective coating layer from a third extrusion molding machine are successively fused and laminated to the core body in the second mold die.例文帳に追加
また、芯体を第1押出し成形機より第1金型ダイスで成形し、その後第2金型ダイス内を走行中に中間接着層の軟質合成樹脂の第2押出し成形機と、第3押出し成形機の保護被膜層を順次融着積層した成形方法である。 - 特許庁
The thermal printer 10 comprises a first thermal head 40 which touches one heat-sensitive layer 13 of the thermal paper 11, a first platen roller 30, a first urging means 42, a second thermal head 60 which touches the other heat-sensitive layer 14 of the thermal paper 11, a second platen roller 50, a second urging means 63, etc.例文帳に追加
サーマルプリンタ10は、サーマル用紙11の一方感熱層13に接する第1サーマルヘッド40、第1プラテンローラ30、第1付勢手段42、サーマル用紙11の他方の感熱層14に接する第2サーマルヘッド60、第2プラテンローラ50、及び第2付勢手段63などを備えている。 - 特許庁
A solid-state imaging device 100 is configured to include: a substrate 101; a photoelectric conversion part 10; a first impurity layer 51 having a carrier polarity of a second conductive type; a charge voltage conversion part; an amplifying part; and a second impurity layer 52 having a carrier polarity of a second conductive type.例文帳に追加
固体撮像装置100を、基板101と、光電変換部10と、キャリア極性が第2の導電型である第1不純物層51と、電荷電圧変換部と、増幅部と、キャリア極性が第2の導電型である第2不純物層52とを備える構成とする。 - 特許庁
In a laminate 110 of this laminated inductor, a first layer of first ferrite sheets 115 having a high permeability, a second layer of second ferrite sheets 116 having permeability lower than that of the first ferrite sheets 115, and a non magnetic third sheet 117 interposed between the first and second layers are laminated integrally with each other.例文帳に追加
積層体110は、強透磁率の第1フェライトシート115と、該シート115より低い透磁率の第2フェライトシート116と、第1フェライトシート115と第2フェライトシート116の間に配置した非磁性の第3フェライトシート117とを一体に積層してなる。 - 特許庁
The catalyst structure 3 for cleaning exhaust comprises a first catalyst layer 4 comprising an aggregate of a first catalyst material 41 comprising a first catalyst component 43, and a second catalyst layer 5 comprising an aggregate of a second catalyst material 51 comprising a second catalyst component 53.例文帳に追加
排ガス浄化用の触媒構造体3は、第1触媒成分43を含む第1触媒材料41を凝集してなる第1触媒層4と、第2触媒成分53を含む第2触媒材料51を凝集してなる第2触媒層5とを有している。 - 特許庁
While a process residue of a previous process remains on an electronic part surface, a laser beam is projected to a rear surface side of a second substrate to selectively heat an adhesive resin layer on the second substrate, and the adhesive resin layer is cured o that an element to be transferred is bonded to the second substrate.例文帳に追加
電子部品表面に前工程の加工残渣が残存する状態で、第2の基板の裏面側からレーザ光を照射して第2の基板上の接着樹脂層を選択的に加熱し、当該接着樹脂層を硬化することにより転写対象となる素子を第2の基板に接着する。 - 特許庁
A cell precursor with the first and second pastes formed on the solid electrolyte calcined body 14, is housed in a hot press mold subjected to a thermal treatment while pressing from above by a punch, whereby the first electrode layer 18 and the second electrode layer 20 are formed from the first and second pastes.例文帳に追加
そして、固体電解質焼成体14に第1ペースト及び第2ペーストが形成された電池前駆体を、ホットプレス用金型に収容し、上方からパンチで加圧しながら金型ごと熱処理して、第1ペースト及び第2ペーストを第1電極層18及び第2電極層20とする。 - 特許庁
First surface side bus-bars 12 of a first wiring layer 13, formed on a first surface 11a of an insulating board 11, and second surface side bus-bars 14 of a second wiring layer 15, formed on a second surface 11b of the insulating board 11, are connected electrically to each other via through-holes 20 formed in the insulating board 11.例文帳に追加
絶縁基板11の第1面11aに形成した第1配線層13の第1面側バスバー12と、第2面11bに形成した第2配線層15の第2面側バスバー14とを、絶縁基板11に設けた貫通孔20を介して電気的に導通させる。 - 特許庁
A second packaging terminal comprises a second terminal electrode connected electrically with a second internal electrode layer and formed to have an outside diameter substantially identical to that of a second via conductor by projecting a part of the second via conductor provided along the laying direction above the outermost surface, and a second solder ball formed on the second terminal electrode.例文帳に追加
第2の実装端子は、第2の内部電極層に電気的に接続され、前記積層方向に沿って設けられた第2のビア導体の一部を、前記最外面上に突出させることにより、前記第2のビア導体とほぼ同一の外径を有するように形成された第2の端子電極と、前記第2の端子電極上に形成された第2の半田ボールとを備える。 - 特許庁
A method of producing an inductor with high inductance includes: forming a removable polymer layer on a temporary carrier; forming a structure including a first coil, a second coil, and a dielectric layer on the removable polymer layer; forming a first magnetic glue layer on the removable polymer layer and the structure; removing the temporary carrier; and forming a second magnetic glue layer under the structure and the first magnetic glue layer.例文帳に追加
高インダクタンスを持つインダクタを製造するための方法であり、前記方法は:一時的キャリア上に除去可能なポリマー層を形成し;前記ポリマー層上に、第1のコイル、第2のコイル及び誘電層を含む構造を形成し;前記除去可能なポリマー層及び前記構造上に第1の磁性接着層を形成し;前記一時的キャリアを除去し;及び前記構造及び前記第1の磁性接着層の下に第2の磁性接着層を形成する、ことを含む。 - 特許庁
A bonding layer material flowout preventing layer 21a is formed on first and second wiring conductors 9a for connection to power-feeding first and second wiring conductors 7a to which the block-like electrode 11a is bonded, and the block-like electrode 11a is press-heated to the electrode bonding layer 13 for bonding to the power-feeding first and second wiring conductors 7a.例文帳に追加
ブロック状電極11aが接合される給電用第1、第2配線導体7aに接続する接続用第1、第2配線導体9aに接合層材料流出抑制層21aを形成した後、ブロック状電極11aを給電用第1、第2配線導体7aに電極接合層13に押し当て加熱して接合する。 - 特許庁
A plasma processing method includes a step of performing first plasma processing for a first layer A1 adsorbed on a substrate W under a first pressure P1 and a step of performing second plasma processing for a second layer A2 adsorbed on the first layer L1 for which the first plasma processing was performed under a second pressure P2 lower than the first pressure P2.例文帳に追加
本実施形態のプラズマ処理方法は、基板W上に吸着された第1層A1に対して、第1圧力P1下で第1プラズマ処理を施す工程と、第1プラズマ処理を施された第1層L1上に吸着された第2層A2に対して、第1圧力P1より低い第2圧力P2下で第2プラズマ処理を施す工程とを含む。 - 特許庁
In the method of manufacturing hologram ribbon, a hologram layer is formed on a second base sheet having a rigidity higher than the rigidity of a first base sheet and then the first base sheet is laminated onto the hologram layer, and after that, the second base sheet is peeled and removed to transfer and form the hologram layer from the second base sheet to the first base sheet, thereby, manufacturing a hologram ribbon.例文帳に追加
本発明は、第1基体シートよりも剛性の高い第2基体シート上にホログラム層を形成し、次に当該ホログラム層上に前記第1基体シートを積層させた後、前記第2基体シートを剥離除去することにより前記ホログラム層を第2基体シート上から第1基体シート上に転写形成させることによりホログラムリボンを製造する。 - 特許庁
The storage device with a variable resistance memory element includes: a first memory element that includes a first variable resistance layer 3 and a first electrode 4; and a second memory element that includes a second variable resistance layer 2 whose thickness is different from that of the first variable resistance layer 3, and a second electrode 4.例文帳に追加
抵抗変化型のメモリ素子を有して構成された記憶装置を、第1の抵抗変化層3及び第1の電極4を含む第1のメモリ素子と、第2の抵抗変化層2及び第2の電極4を含み、第2の抵抗変化層2の厚さが第1の抵抗変化層3とは異なる、第2のメモリ素子とを含んで構成する。 - 特許庁
The light emitting element has a layer containing an organic matter between a first electrode and a second electrode, and furthermore has a layer containing a metal oxide between the second electrode and the layer containing the organic matter, and these electrodes and layers are laminated so that the second electrode may be formed later than the first electrode.例文帳に追加
本発明の発光素子は、第1の電極と第2の電極との間に有機物を含む層を有し、前記第2の電極と前記有機物を含む層との間には、さらに金属酸化物を含む層を有し、これらの電極および層は、第1の電極よりも第2の電極の方が後に形成されるように積層されていることを特徴としている。 - 特許庁
The organic electroluminescent display element, having a luminous layer between first and second electrodes, comprises first and second hole-injecting layers between the first electrode and the luminous layer, and a charge-generating layer doped with a p-type dopant between the first and second hole-injecting layers.例文帳に追加
第1電極及び第2電極間に発光層を有する有機発光表示素子において、該第1電極と発光層との間に第1正孔注入層及び第2正孔注入層を備え、該第1正孔注入層と第2正孔注入層との間にP型ドーパントでドーピングされている電荷発生層を具備した有機発光表示素子である。 - 特許庁
The device for spin polarization comprises an electric field application electrode 106 which is formed on a third semiconductor layer 105 and applies an electric field to a second semiconductor layer 104; and a first ohmic electrode 107 and a second ohmic electrode 108 which are arranged in a plane direction of the substrate 101, interleaving the electric field application electrode 106 and connected to the second semiconductor layer 104.例文帳に追加
第3半導体層105の上に形成されて第2半導体層104に電界を印加する電界印加電極106と、基板101の平面方向に電界印加電極106を挟んで配置されて第2半導体層104に接続する第1オーミック電極107および第2オーミック電極108とを備える。 - 特許庁
A first blind hole is formed in the dielectric layer from the side of first surface of the dielectric layer, and a second blind hole is formed in the dielectric layer from the side of second surface opposite to the side of the first surface; and the blind end of the first blind hole and the blind end of the second blind hole are connected.例文帳に追加
誘電体層の第1表面の側からこの誘電体層中に第1のブラインド孔を形成し、この第1表面の側とは反対側の対向する第2表面の側からこの誘電体層中に第2のブラインド孔を形成し、第1のブラインド孔のブラインド端部を第2のブラインド孔のブラインド端部に連結させる。 - 特許庁
A semiconductor device comprises: a first semiconductor layer of a first conductivity type; and a second semiconductor layer that is stacked on a primary surface of the first semiconductor layer and includes first semiconductor regions of the first conductivity type and second semiconductor regions of a second conductivity type that are alternately and periodically provided in a direction along the primary surface.例文帳に追加
実施形態に係る半導体装置は、第1導電形の第1半導体層と、前記第1半導体層の主面上に積層され、前記主面に沿った方向に交互に周期的に設けられた第1導電形の第1半導体領域および第2導電形の第2半導体領域を含む第2半導体層と、を有する。 - 特許庁
An MOSFET type semiconductor device includes a semiconductor substrate of a first conductive type, an epitaxial layer of the first conductive type, a first semiconductor region of a second conductive type and a second semiconductor region of the first conductive type formed in the epitaxial layer, and a trench formed from a surface of the epitaxial layer through the second semiconductor region and the first semiconductor region.例文帳に追加
MOSFET型半導体装置が、第1導電型の半導体基板、第1導電型のエピタキシャル層、エピタキシャル層に形成された第2導電型の第1半導体領域と第1導電型の第2半導体領域、エピタキシャル層の表面から第2半導体領域と第1半導体領域を貫いて形成されたトレンチとを有する。 - 特許庁
The device further includes a plurality of pixels 10, each of the plurality of pixels 10 including a vertically oriented liquid crystal layer 3 provided between the first substrate 1 and the second substrate 2, a first electrode 4 provided on the liquid crystal layer 3 side of the first substrate 1 and a second electrode 5 provided on the liquid crystal layer 3 side of the second substrate 2.例文帳に追加
また、複数の画素10が配置し、複数の画素10のそれぞれは、第1基板1と第2基板2との間に設けられた垂直配向型の液晶層3と、第1基板1の液晶層3側に設けられた第1電極4および第2基板2の液晶層3側に設けられた第2電極5を有する。 - 特許庁
A nitride semiconductor element 40 includes a low-temperature deposition buffer layer 42 containing AlN on a substrate 41, a first nitride semiconductor single-crystal layer 43 containing the AlN with a first AlN molar fraction, and a second nitride semiconductor single-crystal layer 44 which contains the AlN with a second AlN molar fraction, and the second molar fraction is larger than the first one.例文帳に追加
本発明の窒化物半導素子(40)は、基板(41)上にAlNを含む低温堆積緩衝層(42)と第一のAlNモル分率でAlNを含む第一の窒化物半導体単結晶層(43)と第二のAlNモル分率でAlNを含む第二の窒化物半導体単結晶層(44)とを含み、第二のAlNモル分率が第一のAlNモル分率より大きい。 - 特許庁
The light emitting module is manufactured by laminating at least a solar cell part 1, a first adhesive layer 16, a second translucent insulating substrate (transparent PET) 17, a second metal layer (circuit pattern) 18, a light emitting part 2 consisting of a light emitting element (chip LED) 19, a second adhesive layer 20, and a third translucent insulating substrate 21 sequentially.例文帳に追加
発光モジュールは少なくとも、太陽電池部1と、第1の接着層16と、第2の透光性絶縁基板(透明PET)17と、第2の金属層(回路パターン)18と、発光素子(チップLED)19からなる発光部2と、第2の接着層20と、第3の透光性絶縁基板21とが、順次積層されてなる。 - 特許庁
A linear motor cools the coil body by a cooling liquid and is provided with a first layer 141 that has a first coil body 143, a second layer 142 that has a second coil body 144, and a cooling layer 150 that has a channel 151, installed between the first/second layers 141, 142 so as to allow the cooling liquid to flow.例文帳に追加
コイル体を冷却液によって冷却するリニアモータであって、第1のコイル体143を有する第1層141と、第2のコイル体144を有する第2層142と、上記第1層141と第2層142との間に設置されるとともに上記冷却液が流れる流路151を有する冷却層150とを備える。 - 特許庁
The multilayer label 10 includes: a laminated film 16 obtained by laminating a first resin film 14 and a second resin film 15; a first design printing layer 17 formed on the surface of the first resin film; and a second design printing layer 18 formed on the surface of the second resin film 15 and shielded by the first design printing layer 17.例文帳に追加
多層ラベル10は、第一樹脂フィルム14と第二樹脂フィルム15とが積層される積層フィルム16と、第一樹脂フィルムの表面に形成される第一デザイン印刷層17と、第二樹脂フィルム15の表面に形成され、第一デザイン印刷層17によって隠蔽されている第二デザイン印刷層18とを有している。 - 特許庁
The upper insulation layer 48 is composed of a first insulation part 48a arranged on a first phosphor layer 42 and a second insulation part 48b formed so as to cover a second phosphor layer 44, and the first insulation part 48a and the second insulation part 48b are arranged so as to overlap with each other at an area R between the pixels.例文帳に追加
また、上部絶縁体層48は、第1蛍光体層42上に設けられた第1絶縁部48aと、第2蛍光体層44を覆うように形成された第2絶縁部48bとから成っており、それらの第1絶縁部48a及び第2絶縁部48bは画素間の領域Rで重なり合うように設けられている。 - 特許庁
An insulation reinforced layer 25, which is higher in insulation resistance than that of the piezoelectric ceramic layer 2, is formed along a boundary 315 between first internal electrodes 311 and 411 and first reserved portions 321 and 421 and/or boundaries 315 and 415, between a second internal electrode and a second reserved portion, in first adjacent electrode layers 35 and 45 and/or the second adjacent electrode layer.例文帳に追加
第1隣接電極層35、45及び/又は第2隣接電極層には、第1内部電極部311、411と第1控え部321、421との境界部315及び/又は第2内部電極部と第2控え部との境界部315、415に沿って、圧電セラミック層2よりも絶縁抵抗の高い絶縁強化層25が形成されている。 - 特許庁
The first liquid-repellent region 22a specifies a forming region of the positive hole injection layer 14, and the second liquid-repellent region 22c specifies the forming region of the light-emitting layer 15.例文帳に追加
第1撥液領域22aは、正孔注入層14の形成領域を規定し、第2撥液領域22cは、発光層15の形成領域を規定する。 - 特許庁
A first insulating layer 31 and a second insulating layer 32 are laminated in order on a glass substrate 21, and a main through hole 34 which penetrates vertically respective insulating layers 31, 32 is formed.例文帳に追加
ガラス基板21の上に第1絶縁層31及び第2絶縁層32を順に積層し、各絶縁層31,32を上下に貫通する主スルーホール34を形成する。 - 特許庁
The first (lower) magnetic pole layer 10 and the second (upper) magnetic pole layer 26 are magnetically connected and have a fourth lower magnetic pole part 10d and a first upper magnetic pole part 26a, respectively.例文帳に追加
下部磁極層10と上部磁極層26とは、磁気的に連結され、それぞれ第4下部磁極部10dと、第1上部磁極部26aとを有している。 - 特許庁
Since the heat generated at a time of blown-out of the fuse is radiated to a substrate 1 side as well via the first semiconductor layer 2 and second semiconductor layer 3, the conductive layers 41 are hardly soluble.例文帳に追加
フューズ溶断時の発熱が、第1半導体層2と第2半導体層3によって基板1側にも放熱されるため、導電層41が溶融し難くなる。 - 特許庁
The package 2 is equipped with a packaging material 4, a fusion-bonding layer 6, a fastener 8, a spool 10, the fishing line 12, a first seal 14, a second seal 16, an adhesive layer 18 and a release paper 20.例文帳に追加
パッケージ2は、包装材4、融着層6、ファスナー8、スプール10、釣り糸12、第一シール14、第二シール16、粘着層18及び離型紙20を備えている。 - 特許庁
A content of the water repellent resin contained in the first layer 9A is 20 to 40 wt.%, and that contained in the second layer 9B is 5 to 10 wt.%.例文帳に追加
第1層9A中に含まれる撥水性樹脂は、20〜40重量%であり、第2層9B中に含まれる撥水性樹脂は、5〜10重量%である。 - 特許庁
In another embodiment, a second layer is arranged for generating one or a plurality of MAC frames on the basis of one or the plurality of MAC layer PDUs.例文帳に追加
別の態様では、該1個または複数のMAC層PDUに基づいて1つまたは複数のMACフレームを生成するために第2の層が配備されている。 - 特許庁
The first metallic layer 43 and the second metallic layer 45 are continuously evaporated on a substrate in the thin-film transistor, and also a photosensitive film 47 with a prescribed width W1 is also formed ((a) in Fig.5).例文帳に追加
基板上に第1金属層43と第2金属層45を連続して蒸着し、さらに所定幅(W1)を持つ感光膜47を形成する(図5(a))。 - 特許庁
The base section 40 is a three-layer structure in which a resin layer 43 intervenes between a first metal plate 41 of a front side, and a second metal plate 42 of a back side.例文帳に追加
ベース部40は、表側の第1金属板41と裏側の第2金属板42との間に樹脂層43が介在してなる3層構造となっている。 - 特許庁
Since the peel strength between the first thin layer 2 and the second thin layer 3 is about 20-30 g/20 mm, the boundary surface A between both layers can be easily peeled.例文帳に追加
第1の薄層2と第2の薄層3との間の剥離強度は、約20g〜約30g/20mm以下なので、層間の境界面Aを容易に剥離することができる。 - 特許庁
A low resistance layer for providing electrical connection to the first shading film is formed on a part of the second shading film, and a shading contact hole is formed on the upper part of the low resistance layer.例文帳に追加
第1遮光膜と電気的接続をするための低抵抗層を第2遮光膜の一部に設け、低抵抗層の上部に遮光コンタクトホールを設ける。 - 特許庁
An inner wall surface of the through-hole 3, a bottom face of the through-hole 3 blocked by the active layer 4, and a second main surface 2b of the semiconductor substrate 2 are covered by an insulating layer 5.例文帳に追加
貫通孔3の内壁面、活性層4で塞がれた貫通孔3の底面、および半導体基板2の第2の主面2bは絶縁層5で覆われている。 - 特許庁
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