「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(183ページ目) - Weblio英語例文検索

The first charge storage capability of one portion 31 of the gate charge storage layer 22b' is smaller than the second charge storage capability in a remaining section 32 of the gate charge storage layer 22b'.例文帳に追加

前記ゲート電荷蓄積層（２２ｂ’）の一部（３１）の第１の電荷蓄積能力は、前記ゲート電荷蓄積層（２２ｂ’）の残部（３２）の第２の電荷蓄積能力より低い。 - 特許庁

A first gas passage assembly 21 is laminated on a surface of the gas diffusion layer 19, and a second gas passage assembly 22 is laminated on a surface of the gas diffusion layer 20.例文帳に追加

前記ガス拡散層１９の表面に第１ガス流路形成体２１を積層し、ガス拡散層２０の表面に第２ガス流路形成体２２を積層する。 - 特許庁

A method for fabricating a cellular trench MOSFET includes depositing a first photoresist atop a first epitaxial (epi) layer to pattern a trench area, depositing a second photoresist atop a first gate conductor layer to pattern a mesa area, etching away part of the first gate conductor layer in the mesa area to form a second gate conductor layer with a hump, and titanizing crystally the second gate conductor layer to form a Ti-gate conductor layer.例文帳に追加

多孔質のＭＯＳＦＥＴの製造方法は、トレンチ領域をパターニングするために第１のエピタキシャル（エピ）層の上に第１のフォトレジストを堆積する段階と、メサ領域をパターニングするために第１のゲート導体層の上に第２のフォトレジストを堆積する段階と、ハンプを有する第２のゲート導体層を形成するために前記メサ領域の前記第１のゲート導体層の部分をエッチング除去する段階と、Ｔｉゲート導体層を形成するために前記第２のゲート導体層を結晶的にチタン化する段階と、を含む。 - 特許庁

The feeding coil is spaced and wound around a first layer substrate 144 of a multilayer substrate 116, and further spaced and wound around a second layer substrate 146 as well.例文帳に追加

給電コイルは、多層基板１１６の第１層基板１４４にスペースを設けつつ巻回され、更に、第２層基板１４６にもスペースを設けつつ巻回される。 - 特許庁

Also, apart from the electrode portion 160, a second insulating layer 152 is provided on the first insulating layer 150 in the periphery of the electrode portion 160.例文帳に追加

また、電極部１６０から離間して、電極部１６０の周囲において第１の絶縁層１５０の上に設けられた第２の絶縁層１５２が形成されている。 - 特許庁

The SiC semiconductor device includes an SiC substrate 101, a first semiconductor layer, a base region 105, a second semiconductor layer, a gate region 109, and a source region 113.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体装置は、ＳｉＣ基板１０１、第１半導体層、ベース領域１０５、第２半導体層、ゲート領域１０９およびソース領域１１３を備えている。 - 特許庁

The intermediate layer 120 has a high dielectric layer 122 sandwiched between the first liquid crystal cell 110 and the second liquid crystal cell 130, and an electrode 121 having an opening.例文帳に追加

中間層１２０は、第１の液晶セル１１０と第２の液晶セルと１３０に挟まれた高誘電率層１２２と、開口部を有する電極１２１とを有する。 - 特許庁

The optical device 10 comprises a substrate 20, the core 14 formed on the substrate 20, and a first clad layer 12 and a second clad layer 16 formed around the core 14.例文帳に追加

光デバイス１０は、基板２０と、基板２０上に設けられたコア１４と、コア１４の周囲に形成された第一のクラッド層１２および第二のクラッド層１６とを含む。 - 特許庁

The semiconductor optical element 11 is provided with a first conductive III-V compound semiconductor layer 13, a second conductive III-V compound semiconductor layer 15 and an active region 17.例文帳に追加

半導体光素子１１は、第１導電型III−Ｖ化合物半導体層１３と、第２導電型III−Ｖ化合物半導体層１５と、活性領域１７とを備える。 - 特許庁

The impurity region IM1 is arranged beneath the back gate region BG with the epitaxial layer EP sandwiched, forms p-n junction with the epitaxial layer EP, and is the second conductivity type one.例文帳に追加

不純物領域ＩＭ１はエピタキシャル層ＥＰを挟んでバックゲート領域ＢＧの下に位置し、かつエピタキシャル層ＥＰとｐｎ接合を構成し、第２導電型である。 - 特許庁

In the high-voltage device for the electrostatic discharge protection circuit, a silicon layer is arranged on a substrate, and first- and second-type wells are arranged in the silicon layer.例文帳に追加

静電気放電保護回路用高電圧デバイスを提供するもので、シリコン層を基板上に配置し、第１タイプウエルと第２タイプウエルを前記シリコン層内に配置する。 - 特許庁

The first Au based layer 10a and the second Au based layer 10b are stuck tightly each other and then pasted by heat treating at a temperature of 180-360°C.例文帳に追加

そして、それら第一Ａｕ系層１０ａと第二Ａｕ系層１０ｂとを密着させ、１８０℃よりも高温かつ３６０℃以下で熱処理することにより貼り合わせる。 - 特許庁

Thereby, it is possible to form the thick film layer while successively reducing the strain existing in the thick film layer, formed in each first process, in each second process.例文帳に追加

これにより、それぞれの第１の工程において厚膜層に内在する歪を第２の工程で逐次に緩和させつつ厚膜層を形成することができる。 - 特許庁

Next, a GaAs layer 30 is formed on the Ge layer in such a way that the spontaneous polarization direction of the second region is the reverse of that of the first region.例文帳に追加

次に、Ｇｅ層上に、第２領域の自発分極の方向が、第１領域の自発分極の方向に対して反転するように、ＧａＡｓ層３０を形成する。 - 特許庁

First manufacturing equipment 10 of the manufacturing device system is fixed onto the upper layer rigid floor structure 52, and second manufacturing equipment 11 of the manufacturing device system is fixed onto the lower layer rigid floor structure 51.例文帳に追加

製造装置系の第１製造機器(10)は、上層の剛性床組(52)上に固定され、製造装置系の第２製造機器(11)は、下層の剛性床組(51)上に固定される。 - 特許庁

The first base layer is formed uniformly in the base opening region having a wide width, and the second base layer is formed in a plug shape by embedding in the base opening region having the narrow width.例文帳に追加

第１のベース層は、幅の広いベース開口領域内に均一に形成され、第２のベース層は、幅の狭いベース開口領域内を埋め、プラグ状に形成されている。 - 特許庁

On a skin layer 13, a first part 11a wherein a shock absorbing layer 14 exists on a back surface, and a second part 11b wherein the shock absorbing 14 does not exist are provided.例文帳に追加

表皮層１３に、その裏面に緩衝層１４が存在する第１の部分１１ａと、緩衝層１４が存在しない第２の部分１１ｂとを設ける。 - 特許庁

A lower laminate for composing a magnetic yoke 5 has structure, where a non-magnetic layer 5Y is sandwiched by a first ferromagnetic layer 5X and a second one 5Z in a thickness direction.例文帳に追加

磁気ヨーク５を構成する下部の積層膜は、非磁性層５Ｙを第１の強磁性層５Ｘ及び第２の強磁性層５Ｚで厚み方向に挟んだ構造を有する。 - 特許庁

The polishing cloth 10 is formed with a first pattern 141 for retaining slurry in addition to a second pattern 142 for monitoring a thickness of the polishing layer, in the uppermost polishing layer 14.例文帳に追加

研磨布１０は、最上層の研磨層１４において、スラリー保持のための第１パターン１４１に加え、研磨層厚みモニタ用の第２パターン１４２が形成されている。 - 特許庁

The first layer 15 contains at least one of V, Ti, Mo and Mn as a main constituent, and is improved in wettability, and the second layer 16 is formed of a wax material containing Au and Ni.例文帳に追加

第１層１５は、Ｖ，ｔｉ，Ｍｏ，Ｍｍのうちの少なくとも１つを主成分とし、濡れ性を向上し、第２層１６はＡｕ，Ｎｉを主成分とするロウ材である。 - 特許庁

Then, the surface layer 111 and a front edge 113 by the first raw material 41 and the rear layer 112 by the second raw material 42 are formed to the front cavity 21.例文帳に追加

そして，フロントキャビティ２１には，第１原料４１による表層部１１１及び前縁部１１３と，第２原料４２による裏層部１１２とを形成する。 - 特許庁

The semiconductor device for electric power includes a trench 34 disposed inside a first base layer 31 of first conductive type at a position spaced out from a collector layer 33 of second conductive type.例文帳に追加

電力用半導体装置は、第２導電型のコレクタ層３３から離間した位置で第１導電型の第１ベース層３１内に配設されたトレンチ３４を含む。 - 特許庁

In an embodiment, an N^- type second semiconductor layer 12 of a first conductivity type is formed on an N^++ type first semiconductor layer 11 in a semiconductor device 10.例文帳に追加

一実施形態によれば、半導体装置１０は、Ｎ^＋＋型の第１半導体層１０上にＮ^−型の第１導電型の第２半導体層１２が形成されている。 - 特許庁

First and second liquid drop receiving grooves 12, 15 are formed penetrating an outer layer 6 up to an intermediate part of an intermediate layer 7 around a portion that holds recording paper P.例文帳に追加

記録用紙Ｐを保持する部分の周囲に、外層６を貫通し、中間層７の途中まで第１および第２の液滴受け溝１２，１５を形成する。 - 特許庁

A differential image between a corresponding tile image in a third layer image 36b and an image obtained by enlarging a tile image of the second layer image 34b 2×2 times is compressed (S26).例文帳に追加

第３階層画像３６ｂのうち対応するタイル画像と、第２階層画像３４ｂのタイル画像を２×２倍に拡大した画像との差分画像を圧縮する（Ｓ２６）。 - 特許庁

The difference between the hydroxy group content in the polyvinyl acetal resin in the first layer 2 and the hydroxy group content in the polyvinyl acetal resin in the second layer 3 is ≤9.2 mol%.例文帳に追加

第１の層２中のポリビニルアセタール樹脂の水酸基の含有率と第２の層３中のポリビニルアセタール樹脂の水酸基の含有率との差は、９．２モル％以下である。 - 特許庁

The cap includes a first member A composing the internal layer and sealed band of the cap body, and a second member B composing the external layer and lid of the cap body.例文帳に追加

上記キャップ本体の内層及び封緘帯を構成する第１部材Ａと、キャップ本体の外層及び蓋体を構成する第２部材Ｂとから形成した。 - 特許庁

A second insulation film 9, a semiconductor substrate 1, a first insulation film 2, and a passivation film 4 are sequentially etched and removed by using a resist layer and a protection layer 20 as a mask.例文帳に追加

レジスト層や保護層２０をマスクとして第２の絶縁膜９，半導体基板１，第１の絶縁膜２，及びパッシベーション膜４を順にエッチングして除去する。 - 特許庁

A portion from a top of the electrode slot 31 to the first slot 34 in the first power generation layer 11 and the second power generation layer 21 has resistance higher than predetermined resistance.例文帳に追加

第１発電層１１及び第２発電層２１における電極溝３１上から第１溝３４までの部分は、所定の抵抗よりも高い抵抗を有する。 - 特許庁

A conductive filler 13, electrically connected to electrodes 6a provided at the circuit layer 6, is mixed with a region of each recessed part 12 of the second sealing layer 9 to provide anisotropic conductivity to the region.例文帳に追加

第二の封止層９の凹部１２の領域には回路層６に設けた電極６ａに導通する導電性フィラー１３を混入し異方導電性を付与した。 - 特許庁

This tower 104 has a first layer 501 and a second layer 701 having respectively a matrix material and a plurality of reinforced fibers 401 arranged in the matrix material.例文帳に追加

タワー（１０４）は、各々がマトリックス材料と、該マトリックス材料内に配置された複数の強化用繊維（４０１）を有する第１層（５０１）および第２層（７０１）を備える。 - 特許庁

A thermal transfer ink ribbon comprises a colorless first heat meltable ink layer containing a low melting point component, and a second heat meltable ink layer containing a coloring agent on a sheet-like support.例文帳に追加

シート状支持材上に低融点成分を含有する無色の第１の熱溶融性インク層と、着色剤を含有する第２の熱溶融性インク層とを有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing warpage and separation regardless of the flat shape and area of an SOI layer (second semiconductor layer).例文帳に追加

ＳＯＩ層（第２半導体層）の平面的形状や広さによらずに、その反りや剥がれを防止できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A second barrier layer 19 is formed on the rear of the semiconductor substrate 10, and in a via hole 18 extending to the first barrier layer 12 from the rear of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０の裏面、及び半導体基板１０の裏面から第１のバリア層１２に到達するビアホール１８内に、第２のバリア層１９が形成されている。 - 特許庁

Thus, the use of the overcoat layer 30 to which surface silicon oxide grains 31 are exposed, improves the adhesion between the overcoat layer 30 and the second electrode 450.例文帳に追加

このように、酸化ケイ素粒３１が露出したオーバーコート層３０を用いることにより、オーバーコート層３０と第２電極４５０との密着性が向上する。 - 特許庁

In a semiconductor region 19, an active layer 25 in a light-emitting layer 13, and a first cladding region 21 and a second cladding region 23 are provided above a primary surface 17a.例文帳に追加

半導体領域１９では、発光層１３の活性層２５、第１のクラッド領域２１及び第２のクラッド領域２３は主面１７ａ上に設けられる。 - 特許庁

A signal through hole H0 and ground through holes H1 and H2 are formed penetrating a first conductor layer 2, the base insulating film 1 and a second conductor layer 3.例文帳に追加

第１の導体層２、ベース絶縁層１および第２の導体層３を貫通するように信号用スルーホールＨ０およびグランド用スルーホールＨ１，Ｈ２が形成される。 - 特許庁

The first conductive layer used for the gate line and the second conductive layer constituting the gate electrode G are electrically connected in each pixel through a contact GCN.例文帳に追加

ゲート配線に使用される第一の導電層と、ゲート電極Ｇになる第二の導電層とが、各画素内で互いにコンタクトＧＣＮを介して電気的に接続されている。 - 特許庁

A ceramic porous body-containing layer or a glass electrolyte powder-containing layer (a second reinforcement) is arranged on both surfaces of a PTFE expanded porous membrane (a first reinforcement).例文帳に追加

ＰＴＦＥ延伸多孔質膜（第１の補強材）１の両面に、セラミックス多孔体含有層またはガラス電解質粉体含有層（第２の強化材）２を配置する。 - 特許庁

The first conductive layer used for the gate wiring and the second conductive layer being as the gate electrode G are electrically connected in each pixel through a contact GCN each other.例文帳に追加

ゲート配線に使用される第一の導電層とゲート電極Ｇになる第二の導電層とが、コンタクトＧＣＮを介して各画素内で互いに電気的に接続されている。 - 特許庁

The styrenic resin of the first layer preferably has a glass transition temperature of 120°C or above and the glass transition temperature of the acrylic resin composition of the second layer is usually 120°C or below.例文帳に追加

第１層のスチレン系樹脂は、好ましくはガラス転位温度が１２０℃以上であり、第２層のアクリル系樹脂組成物は、ガラス転位温度が通常１２０℃以下である。 - 特許庁

The one side surface of the second pulp layer 13 is brought to a film layer 14 made up of a plastic film and prevents meat from getting dry and contact oxygen in air.例文帳に追加

第２パルプ層１３の片側表面は、プラスチックフィルムで構成されるフィルム層１４とし、食肉等の乾燥および空気中の酸素との接触を防止する。 - 特許庁

The cushioning material 1 has a structure in which a first layer 3 formed of a gel-like resin material and a second layer 5 formed of polyethylene terephthalate are laminated on each other.例文帳に追加

緩衝材１は、ゲル状樹脂材料によって形成された第１層３と、ポリエチレンテレフタレートによって形成された第２層５とを積層した構造となっている。 - 特許庁

The electric wire has a conductor 10, and a first covering layer and a second covering layer which are disposed outside the conductor adjacently to each other, and are composed of crosslinkable materials.例文帳に追加

導体10と、導体の外方に互いに隣接して配されると共に架橋可能な材料で形成される第一被覆層と第二被覆層とを有する電線である。 - 特許庁

Because the first capturing layer 7c and the second capturing layer 8c have the lithium occluding and emitting abilities, equipment of such layers does not cause a deterioration in energy density.例文帳に追加

第一捕捉層７ｃおよび第二捕捉層８ｃはリチウム吸蔵・放出能力を持つため、これらの捕捉層を具備することによるエネルギー密度の劣化がない。 - 特許庁