「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(311ページ目) - Weblio英語例文検索

A second conductive film 19 is formed on a part of the first conductive film 18 from which the dielectric layer 20 positioned on the upside is removed in the removal process.例文帳に追加

第１の導電膜１８のうちの、除去工程において上部に位置していた誘電体層２０が除去された部分の上に、第２の導電膜１９を形成する。 - 特許庁

In the n-type DBR layer 12, a plurality of pairs of n-type InP layers 12a (second semiconductor layers) and n-type InGaAsP layers 12b (first semiconductor layers) are alternately laminated.例文帳に追加

ｎ型ＤＢＲ層１２は、ｎ型ＩｎＰ層１２ａ（第２半導体層）とｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層１２ｂ（第１半導体層）を交互に複数ペア積層したものである。 - 特許庁

In the manufacturing method for a porous layer-containing laminated body 1 wherein two layers or more of porous layers containing first and second porous layers 5, 6 are laminated on a base material 2.例文帳に追加

本発明は、基材２上に、第１，第２の多孔質層５，６を含む２層以上の多孔質層が積層された多孔質層含有積層体１の製造方法である。 - 特許庁

Out of the precoat film, the coating film 21 in the outermost layer comprises a first water-repellent coating film, and the side end face of the substrate 10 is covered with a second water-repellent coating film 3.例文帳に追加

プレコート塗膜のうち、最外層の塗膜２１は第１の撥水性塗膜よりなり、基板１０の側端面は、第２の撥水性塗膜３により覆われている。 - 特許庁

The second conductor pattern PE2 is electrically connected to the first conductor pattern PE1 or a conduction portion below the first layer L1 by a contact plug CP1.例文帳に追加

第２導体パターンＰＥ２は、第１導体パターンＰＥ１または第１の層Ｌ１より下層の導電部と、コンタクトプラグＣＰ１によって電気的に接続されている。 - 特許庁

The liquid crystal display device 2 has at least one display region and includes a first substrate 21, a second substrate 22 and a liquid crystal layer 23.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置２は、少なくとも一つの表示領域を有し、前記液晶表示装置２は、第一基板２１、第二基板２２及び液晶層２３を備える。 - 特許庁

The liquid crystal display device has a first substrate, a second substrate, a liquid crystal layer provided between them and has a plurality of picture-element regions for providing display.例文帳に追加

第１基板と、第２基板と、これらの間に設けられた液晶層とを有し、表示を行うための複数の絵素領域を有する液晶表示装置である。 - 特許庁

The second coating layer 4 is composed of a material containing M (wherein M is at least one kind selected from Ti, Pt, Pd, and Rh) and Ir.例文帳に追加

第２の被膜４は、Ｍ（ただし、Ｍは、Ｔｉ、Ｐｔ、ＰｄおよびＲｈから選択される１種または２種以上）と、Ｉｒとを含む材料で構成されたものである。 - 特許庁

The second material functions as a reflective layer for preventing the substantially whole light in the fired ceramic element from arriving at the neighboring fired ceramic element.例文帳に追加

第二の物質は、焼成後、焼成セラミック素子内の実質的にすべての光が隣接する焼成セラミック素子に到達するのを防ぐ反射層として機能する。 - 特許庁

A second or outer layer comprising a comb-type anti-thrombotic conjugate may be applied over the inner drug-containing layers using a dip coating or spray coating process.例文帳に追加

櫛状抗血栓剤複合体を含む第２の層または外層は、浸漬被覆法または吹付け被覆法を使用して、薬剤含有内層の上に塗布されることができる。 - 特許庁

An impure reflection preventing film 230 formed on a metal layer 220 includes a laminate structure comprising a Ti film of a first reflection preventing film and a TiN film of a second reflection preventing film.例文帳に追加

金属層２２０上に形成するインピュアー反射防止膜２３０を第１反射防止膜のＴｉ膜と第２反射防止膜のＴｉＮ膜の積層構造とする。 - 特許庁

The active layer of NTFT is formed of a channel forming region 102, first impurity region 103, second impurity region 104, and third impurity region 105.例文帳に追加

ＮＴＦＴの活性層をチャネル形成領域１０２、第１不純物領域１０３、第２不純物領域１０４及び第３不純物領域１０５で形成する。 - 特許庁

Furthermore, the reflection coefficient of the second layer for a vertical incident radio wave in the frequency band of 100 MHz-10 GHz preferably has an absolute value of 0.6 or less.例文帳に追加

また、周波数帯域１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの垂直入射電波に対する第２の層の反射係数の絶対値は０．６以下であることが好ましい。 - 特許庁

At the continuous hole forming process S4, a portion of the second layer 20 located on the hollow portion 11 is partly opened to form a plurality of continuous holes 40a.例文帳に追加

連通孔形成工程Ｓ４では、第２層２０において空洞部分１１の上に位置する部分の一部が開口されて、複数の連通孔４０ａ，・・・が形成される。 - 特許庁

The second thin layer is held between the first and the third thin layers in a sandwich state, and the respective thin layers are set to peelable peel strength.例文帳に追加

第２の薄層は、第１の薄層と第３の薄層とによって、サンドイッチ状に挟み付けられていると共に、各薄層間は剥離可能な剥離強度とされている。 - 特許庁

A ligneous portion which can be nailed is provided at a position corresponding to each of the first and the second non-conductive regions 80, 81 of the flat heater 2 in the heat insulating layer.例文帳に追加

前記断熱材層には、面状発熱体２の第１、第２の各非導電領域８０，８１が対応する位置に、釘打ちが可能な木質部が設けられている。 - 特許庁

The winding of one phase has two turn parts 33b1, 33b2 positioned adjacent radially to the turn part 33a1 of the same layer to connect the second/third layers.例文帳に追加

１相の巻線は、同層のターン部３３ａ１の径方向に隣接して位置し、第２層と第３層とをつなぐタ−ン部３３ｂ１、３３ｂ２を２つ有している。 - 特許庁

Thus, irregularities in filling the liquid thermal curing resin 706 in the opening 709 of the second mask 704 can be reduced and the thickness of the sealing layer can be made uniform.例文帳に追加

これにより、第二のマスク７０４の開口部７０９における液状熱硬化樹脂７０６の充填むらが低減され、封止層の厚みの均一化を実現できる。 - 特許庁

On the other hand, rugged shapes are formed on one surface of the light transparent film 14 and the second optical recording layer 13 is formed on this rugged shape forming surface.例文帳に追加

一方、光透過性フイルム１４の一方の面に凹凸形状を形成し、当該凹凸形状形成面上に第２光学記録層１３を形成する。 - 特許庁

A second thermal process is carried out at a temperature lower than the first thermal process for a short period to cause the source/drain diffusion layer 131 to be activated.例文帳に追加

そして第１の熱処理工程よりも低い温度或いは短い時間で第２の熱処理工程を行い浅いソース−ドレイン拡散層１３１を活性化させる。 - 特許庁

The gallium nitride based semiconductor lamination 15a includes: a first gallium nitride based semiconductor region 21a, a second gallium nitride based semiconductor region 23a, and an active layer 25a.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体積層１５ａは、第１の窒化ガリウム系半導体領域２１ａ、第２の窒化ガリウム系半導体領域２３ａ、及び活性層２５ａを含む。 - 特許庁

An electric double-layer capacitor 14b accumulates electric energy by a second DC voltage, and the electric energy thus accumulated is output as a third DC voltage.例文帳に追加

電気二重層キャパシタ１４ｂは、第２の直流電圧により電気エネルギを蓄積し、この蓄積した電気エネルギを第３の直流電圧として出力する。 - 特許庁

The organic electroluminescent element 15 is a laminated body 17 formed on a substrate 16 composed of at least a first electrode 19b, a light- emitting layer and a second electrode 23.例文帳に追加

有機電界発光素子１５は、少なくとも第一電極１９ｂと、発光層と、第二電極２３とを有する積層体１７を基板１６に形成したものである。 - 特許庁

Similarly, an InGaN barrier layer 23 includes: a first portion 23a which is located on the facet side 19b; and a second portion 23b which is located on the first field 19a.例文帳に追加

同様に、ＩｎＧａＮ障壁層２３は、ファセット面１９ｂ上に位置する第１の部分２３ａと、第１の面１９ａ上に位置する第２の部分２３ｂとを含む。 - 特許庁

The second ink printing layer 15 is formed by printing ink on the peelable holding face 3a of the peelable sheet 3 so as to surround the transfer pattern printing region 21.例文帳に追加

第２のインク印刷層１５は、転写パターン印刷領域２１を囲むように剥離シート３の離型性保有面３ａ上にインクを印刷することにより形成される。 - 特許庁

A buffer layer 2 is provided with the structure of alternately laminating a plurality of first layers 8 composed of Al and second layers 9 composed of GaN on a wafer 1 composed of silicon.例文帳に追加

シリコンから成る基板１の上にＡｌＮから成る第１の層８とＧａＮから成る第２の層９とを交互に複数積層した構造のバッファ層２を設ける。 - 特許庁

The positive electrode 1 comprises a positive electrode active material layer 12 composed of an unsintered body containing a first active material powder, a second active material powder, and a conduction assistant powder.例文帳に追加

正極１は、第一活物質粉末と第二活物質粉末と導電助剤粉末とを含む非焼結体からなる正極活物質層１２を備える。 - 特許庁

The second resonator has a conductor layer 22 for the resonator arranged on the outside surface of the laminated body 20 and functioning as an inductor connected to the output terminal 3.例文帳に追加

第２の共振器は、積層体２０の外面上に配置され、出力端子３に接続されたインダクタとして機能する共振器用導体層２２を有している。 - 特許庁

The second light absorption layer 34 allows the writing light to permeate it, and has the light shading performance of an absorbance of 1 or larger for all wavelength regions of 300-550 nm.例文帳に追加

この第２の光吸収層３４は、書込光を透過し、且つ３００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の全波長領域について吸光度１以上の遮光性能を示す。 - 特許庁

The tunnel junction structures 50 can be used for VCSEL which has an active layer 60 between a first mirror 12 and a second mirror 14 constituted together from n type semiconductor layers.例文帳に追加

本発明のトンネル接合構造(50)は、共にｎ型半導体層から構成される第1のミラー(12)と第2のミラー(14)との間に活性層(60)を有するVCSELに使用され得る。 - 特許庁

A first dope 45 forming a diffusion layer and containing particles and a second dope 46 forming a substrate and containing no particle are casted to be overlapped with the same width.例文帳に追加

拡散層を形成し粒子を含む第１ドープ４５と、支持体を形成し粒子を非含有とする第２ドープ４６とが同一幅で重なるように流延する。 - 特許庁

In the vicinity of the resonance surfaces (20), a plurality of recessed portions (110) are formed in the second conductivity-type semiconductor layer (210) separated from the waveguide region (10).例文帳に追加

共振面（２０）に近接する領域において、導波路領域（１０）から離間して、第２導電型の半導体層（２１０）に複数の凹部（１１０）が形成されている。 - 特許庁

The second unit 10b has a light emitting element 25 irradiating the recording medium P with the UV rays to cure the ink layer transferred on the recording medium P.例文帳に追加

第２ユニット１０ｂは、記録媒体Ｐに紫外光を照射する発光素子２５を有し、記録媒体Ｐに転写されたインク層が硬化されるようになっている。 - 特許庁

A first conductivity type base region 5 and an outer base region 6 are provided in the epitaxial layer 2 and a second conductivity type emitter region 7 is provided in the base region 5.例文帳に追加

エピタキシャル層２中に第１導電型のベース領域５および外部ベース領域６を設け、ベース領域５中に第２導電型のエミッタ領域７を設ける。 - 特許庁

The liquid crystal panel is provided with a backlight part for emitting a polarized light, an optical compensation layer, a first polarizer, a liquid crystal cell, and a second polarizer, from the side of the backlight in this order.例文帳に追加

本発明の液晶パネルは、偏光を発するバックライト部、光学補償層、第１の偏光子、液晶セル、および第２の偏光子をバックライト側からこの順に備える。 - 特許庁

Then, after performing heating to a high temperature (b), a buffer layer 4 and a second film 5 whose thermal expansion coefficient is higher than that of the substrate 2 are formed on the surface 2a of the substrate 2 (c).例文帳に追加

次に、高温まで加熱した後に（ｂ）、基板２の表面２ａ上に、基板２よりも熱膨張率が高いバッファ層４及び第２の膜５を成膜する（ｃ）。 - 特許庁

After this, a via hole for a through-hole electrode is formed until the via hole penetrates at least the semiconductor silicon layer and the first contact pad, and reaches the second contact pad.例文帳に追加

この後、貫通電極用のビアホールを、少なくとも半導体シリコン層および第１コンタクトパッドを貫通して第２コンタクトパッドに到達するまで形成する。 - 特許庁

The second dielectric portion 42 has a dielectric constant higher than that of the first dielectric portion 41 and it is provided in layer in the first dielectric portion 41.例文帳に追加

第２の誘電体部分４２は、第１の誘電体部分４１よりも高い比誘電率を持ち、第１の誘電体部分４１の内部に層状に備えられている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor composite device which bonds a high-quality nitride single-crystal layer having improved planarity onto a second substrate, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

平坦性のよい高品質な窒化物単結晶層を第２の基板上に接合した半導体複合装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electromagnetic shield material which is bonded to a front surface of a panel and only need to connect an earth wire to a part protruded in the outside direction of a second conductor layer.例文帳に追加

パネルの前面に貼り合わせ、第２の導電体層の外方向に食み出した部分にアース線を接続するだけでよい電磁波シールド材を提供する。 - 特許庁

The light emitting device 21 uses an organic EL element 26 formed by arranging an organic EL layer 24 between a first electrode 23 and a second electrode 25 as the light emitting part 27.例文帳に追加

発光装置２１は、第１電極２３と第２電極２５との間に有機ＥＬ層２４が設けられた有機ＥＬ素子２６を発光部２７としている。 - 特許庁

The first electrode plate 3 and the second electrode plate 4 are put one over the other at a position closer to a case opening 7 than to the capacitor element 2 with an insulating layer 21 interposed therebetween.例文帳に追加

また、上記第１電極板３と第２電極板４とは、コンデンサ素子２よりもケース開口部７側の位置で、絶縁層２１を介して重ね合わされている。 - 特許庁

The method also comprises the steps of developing the layer 38 and forming a resist pattern, in which openings 40 are alternately formed at the openings of the first mask 33 and the openings of the second mask 34.例文帳に追加

そしてフォトレジスト層３８を現像して第一マスク３３の開口と第二マスク３４の開口で交互に開口部４０…を形成したレジストパターンを形成する。 - 特許庁

Because of the negative charges, current is less apt to flow in the fluorine region 50A, which makes it possible to suppress the current flowing inside the second nitride semiconductor layer 2.例文帳に追加

この負の電荷によりフッ素領域５０Ａ内では、電流が流れにくくなり、上記第２の窒化物半導体層２内部を通る電流を抑制することが可能となる。 - 特許庁

The method also comprises the step of exposing the region 12, and the layer 11 only at the mirror with the first and second resists 1 and 2 as masks in Fig. (d).例文帳に追加

（ｄ）において、第一のレジスト１と第二のレジスト２とをマスクにして、コーナーミラー部でのみ活性層領域１２とｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１１が露出させる。 - 特許庁