「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(309ページ目) - Weblio英語例文検索

A process forming dielectric layer 13 comprised a first laminate step laminating a first green sheet 110 in a closed room 103 of reduced pressure atmosphere, a second laminate step laminating a second green sheet 120, and a burning step burning the second green sheet 120.例文帳に追加

誘電体層１３を形成する工程は、減圧雰囲気にした密閉室１０３内で第１グリーンシート１１０をラミネートする第１ラミネートステップ、第２グリーンシート１２０をラミネートする第２ラミネートステップ及びラミネートされた第１グリーンシート１１０及び第２グリーンシート１２０を焼成する焼成ステップからなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a display panel, having a display layer held between a first substrate and a flexible second substrate by which the prescribed portion of the second substrate can be removed efficiently and the damage of the first substrate can be suppressed at the time of removing the prescribed portion of the second substrate.例文帳に追加

第１基板と可撓性第２基板の間に表示層が挟持された表示パネルの製造方法であって、第２基板の所定部分を効率良く除去することができるとともに、第２基板の所定部分を除去するときの第１基板の傷つきを抑制できる表示パネルの製造方法を提供する。 - 特許庁

The memory cell array layer includes: first lamination part 410 and 410B having first insulation layers and first conductive layers alternately laminated therein; and second lamination parts provided on either the top or bottom surfaces of the respective first lamination parts and laminated so as to form second conductive layers between second insulation layers.例文帳に追加

メモリセルアレイ層は、第１絶縁層及び第１導電層が交互に積層された第１積層部４１０，４１０Ｂと、第１積層部の上面或いは下面に設けられ且つ第２絶縁層間に第２導電層が形成されるように積層された第２積層部４２０Ａ，４２０Ｂとを備える。 - 特許庁

The alkali zinc storage battery includes a separator 3 having at least a first film 31 facing to a positive electrode 2 and a second film 32 facing to a negative electrode 1, wherein the first film 31 is an alkaline resistive micro-porous film, the second film 32 is a polyvinyl alcohol film, and the first film 31 has a nickel coating layer 31a on its surface on the side of the second film 32.例文帳に追加

正極２に対向する第１膜３１と負極１に対向する第２膜３２とを少なくとも有するセパレータ３を備えており、第１膜３１は耐アルカリ性微孔膜であり、第２膜３２はポリビニルアルコール膜であり、第１膜３１は第２膜３２側の面にニッケル被覆層３１ａを有している。 - 特許庁

A wiring layer 20 is formed by delivering a dispersing liquid including conductive fine particles so that it may include a first portion 22 which overlaps with the first lead 12 without contact through the insulating film 16, a second portion 24 coming into contact with the second lead 14, and a connecting portion 26 of the first and the second portions 22, 24.例文帳に追加

絶縁層１６を介して第１のリード１２に非接触で重なる第１の部分２２と、第２のリード１４に接触する第２の部分２４と、第１及び第２の部分２２，２４の接続部２６と、を有するように、導電性微粒子を含む分散液を吐出して、配線層２０を形成する。 - 特許庁

In the first separator element, the second-class reaction gas passage is formed between the first separator element and the first electrode layer of the first unit cell, and also, the second surface is arranged to be in contact with a conductive path structuring member structuring a conductive path connecting the first-class reaction gas passage and the second-class reaction gas passage.例文帳に追加

第１のセパレータ要素は、第１のセパレータ要素と第１の単セルの第１の電極層との間に第２種の反応ガス通路が形成され、かつ、第２の面が第１種の反応ガス通路と第２種の反応ガス通路とを接続する連通路を構成する連通路構成部材と接するように、配置されている。 - 特許庁

The second detection terminal 16A of a gyro vibration piece 1 stored in a cavity of the package container 150 is connected to the second detection signal input pad 106A connected to the charge amplifier of an IC 100, via an IC connection terminal 126A provided on the second layer substrate 120 by a bonding wire 99.例文帳に追加

パッケージ容器１５０のキャビティ内に収容されたジャイロ振動片１の第２の検出端子１６Ａと、ＩＣ１００のチャージアンプと接続される第２の検出信号入力パッド１０６Ａとは、第二層基板１２０上に設けられたＩＣ接続端子１２６Ａを介してボンディングワイヤ９９により接続されている。 - 特許庁

First wiring 4 supplied with a first DC voltage included in a signal component and second wiring 5 supplied with a second DC voltage included in a signal component are arranged close to each other in the same interconnect layer 7 where a substrate 6 between the first wiring 4 and the second wiring 5 serves as a dielectric material.例文帳に追加

同一配線層７内に、信号成分に含まれる第１直流電圧が供給される第１配線４と、信号成分に含まれる第２直流電圧が供給される第２配線５とを、近接して配置しており、第１配線４と第２配線５との間の基板６を誘電体とする。 - 特許庁

The transmission line 1 includes: first and second dielectric layers 11, 12; a third dielectric layer 13 layered so as to be sandwiched between the first and second dielectric layers 11, 12; and a plurality of first through-holes 21 and a plurality of second through-holes 22 penetrated through the first to third dielectric layers 11 to 13.例文帳に追加

伝送線路１は、第１および第２の誘電体層１１，１２と、第１および第２の誘電体層１１，１２に挟まれるように積層された第３の誘電体層１３と、第１〜第３の誘電体層１１〜１３を貫通する複数の第１のスルーホール２１および複数の第２のスルーホール２２とを備える。 - 特許庁

A plurality of the pressure sensing electrodes, a plurality of the row wiring electrodes 221 which are respectively connected with the pressure sensing electrodes, a plurality of the second wiring electrodes which are respectively connected with the row wiring electrodes 221, and an insulating layer which covers the row wiring electrodes 221 and the second wiring electrodes, are formed on the second sheet member 41.例文帳に追加

第２シート部材４１上には、複数の感圧電極と、感圧電極とそれぞれ接続された複数の列配線電極２２１と、列配線電極２２１とそれぞれ接続された複数の第２配線電極と、複数の列配線電極２２１及び第２配線電極を覆う絶縁層とが形成されている。 - 特許庁

The semiconductor layer 54 has an n-type first semiconductor region 24 in contact with the first main electrode 20, a p-type second semiconductor region 58 in contact with the second main electrode 2, and an n-type third semiconductor region 12 provided between the first and second semiconductor regions 24 and 58.例文帳に追加

半導体層５４は、第１主電極２０に接触しているｎ型の第１半導体領域２４と、第２主電極２に接触しているｐ型の第２半導体領域５８と、第１半導体領域２４と第２半導体領域５８の間に設けられているｎ型の第３半導体領域１２を有している。 - 特許庁

This fuel cell (100) includes an electrolyte membrane (12) of a solid polymer type having proton conductivity, a cathode catalyst layer (14) and an anode catalyst layer (16) to pinch the electrolyte membrane, a first gas diffusion layer (30) which is installed on the opposite side of the electrolyte membrane of the anode catalyst layer and equipped with a second gas diffusion layer (35) composed of carbon paper cloth.例文帳に追加

本発明に係る燃料電池（１００）は、プロトン伝導性を有する固体高分子型の電解質膜（１２）と、電解質膜を挟持するカソード触媒層（１４）およびアノード触媒層（１６）と、カソード触媒層の電解質膜と反対側に設けられ、カーボンペーパーからなる第１ガス拡散層（３０）と、アノード触媒層の電解質膜と反対側に設けられ、カーボンクロスからなる第２ガス拡散層（３５）と、を備えることを特徴とするものである。 - 特許庁

The semiconductor apparatus 10 has the semiconductor substrate 12 having an element formation region 14 around which a scribe region 34 is arranged, at least one wiring layer formed on the semiconductor substrate 12 via the insulating layer, a seal ring 36 formed so as to surround the element formation region 14, a rewiring 48 connected with a pad consisting of the top-layer wiring layer, and a second resin layer 32 covering the rewiring 48.例文帳に追加

半導体装置１０は、スクライブ領域３４が周囲に配置される素子形成領域１４を有する半導体基板１２と、絶縁層を介して半導体基板１２上に形成される少なくとも１層の配線層と、素子形成領域１４を囲むように形成されるシールリング３６と、最上層の配線層から成るパッドと接続された再配線４８と、再配線４８を被覆する第２樹脂層３２とを備えている。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor layer includes the processes of: fabricating a precursor layer by coating a surface of a substrate with a solution for semiconductor layer formation including a metal element, a chalcogen element-containing organic compound, a first Lewis-base organic compound, and a second Lewis-base organic compound having a different structure from the first Lewis-base organic compound; and fabricating the semiconductor layer 3 by heat-treating the precursor layer.例文帳に追加

半導体層の製造方法は、金属元素と、カルコゲン元素含有有機化合物と、第１のルイス塩基性有機化合物と、前記第１のルイス塩基性有機化合物とは異なる構造の第２のルイス塩基性有機化合物と、を具備する半導体層形成用溶液を基板の表面に塗布して前駆体層を作製する工程と、前記前駆体層を熱処理して半導体層３を作製する工程と、を具備する。 - 特許庁

The nonaqueous secondary battery includes: a pair of electrodes including a positive electrode and a negative electrode; and a separator interposed between the positive electrode and the negative electrode, wherein the separator is a laminate in which a metal layer, a first resin layer, and a second resin layer with a smaller thermal shrinkage ratio than that of the first resin layer are laminated in this order, and the metal layer faces any one of the pair of electrodes.例文帳に追加

正極と負極とからなる一対の電極と、前記正極と前記負極との間に介在するセパレータとを備え、前記セパレータが、金属層と、第１樹脂層と、前記第１樹脂層の熱収縮率より小さな熱収縮率を示す第２樹脂層とのこの順での積層体であり、前記金属層が、前記一対の電極のいずれか一方と対向することを特徴とする非水系二次電池により上記課題を解決する。 - 特許庁

The method includes the steps of raising the silicon single crystal rod which doped a nitrogen by a Czochralski method at least, after slicing this silicon single crystal rod and processing it into a silicon single crystal wafer, forming a first epitaxial layer in the surface part of this silicon single crystal wafer, and then forming a second epitaxial layer to the surface layer part of the first layer epitaxial layer.例文帳に追加

多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、少なくともチョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工した後、該シリコン単結晶ウェーハの表層部に一層目のエピタキシャル層を形成し、その後、少なくとも、該一層目のエピタキシャル層の表層部に二層目のエピタキシャル層を形成する多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the electrochromic display element provided with an electrochromic layer 107 and an electrolyte layer 106 between first and second electrodes 102 and 104 includes: a process for forming the electrochromic layer 107 on the first electrode 107 by an electro-spinning method; and a process for forming the electrolyte layer 106 coming in contact with the electrochromic layer 107.例文帳に追加

本発明に係るエレクトロクロミック表示素子の製造方法は、第１の電極１０２と第２の電極１０４との間にエレクトロクロミック層１０７と電解質層１０６とを備えるエレクトロクロミック表示素子の製造方法であって、第１の電極１０２上にエレクトロスピニング法によりエレクトロクロミック層１０７を形成する工程と、エレクトロクロミック層１０７に接する電解質層１０６を形成する工程とを含むことを特徴とするものである。 - 特許庁

The method for producing a plastic container with a barrier coating includes the steps (a) applying at least one coating layer of a first polyvinyl acetal on at least a portion of the plastic container; (b) applying at least one coating layer of polyvinyl alcohol on the first polyvinyl acetal layer; (c) applying at least one top coating layer of a second polyvinyl acetal on the polyvinyl alcohol layer.例文帳に追加

上記課題は、バリアコーティングを有するプラスチック容器の製造方法であって、ａ） 第一のポリビニルアセタールの少なくとも１つのコーティング層を、プラスチック容器の少なくとも一部の上に適用する段階； ｂ） ポリビニルアルコールの少なくとも１つのコーティング層を、該第一のポリビニルアセタール層上に適用する段階； ｃ） 第二のポリビニルアセタールの少なくとも１つのトップコーティング層を、該ポリビニルアルコール層上に適用する段階を含む方法によって解決される。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor substrate having the gallium arsenide layer comprises a step wherein a first substrate 10 having a separating layer 12 made of germanium and a gallium arsenide layer 13 on the separating layer is manufactured, a step wherein the first substrate 10 is bonded to a second substrate 20 to manufacture a bonded substrate 30 and a step wherein the bonded substrate is divided at the separating layer 12.例文帳に追加

ガリウム砒素層を有する半導体基板の製造方法であって、ゲルマニウムからなる分離層１２を有し、前記分離層の上にガリウム砒素層１３を有する第１基板１０を作製する工程と、前記第１基板１０と第２基板２０とを結合させて結合基板３０を作製する工程と、前記結合基板を前記分離層１２の部分で分割する工程と、を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with: a groove-embedded layer in which a second conductivity-type semiconductor material indicating conductivity type opposite to a first conductivity type is embedded and formed by epitaxial growth in grooves each formed on a first conductivity-type semiconductor layer at a predetermined spaced distance; a repetitive PN structure on the semiconductor layer by the groove-embedded layer; and a gap in the groove-embedded layer.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、第1導電型の半導体層に所定の離間間隔を有して形成した溝に、前記第1導電型と反対の導電型を示す第２導電型の半導体材料をエピタキシャル成長によって埋設形成した溝埋設層を有しており、該溝埋設層によって前記半導体層に繰返しＰＮ構造を備えており、前記溝埋設層内に、間隙を有することを特徴とする。 - 特許庁

A method for manufacturing a p-type gallium nitride compound semiconductor comprises a first step of manufacturing a gallium nitride compound semiconductor layer 3 in which a p-type impurity is added, a second step of manufacturing a catalytic layer 7 made of a metal or the like on the layer 3, and a third step of heat treating the layer 3 in a state in which the layer 7 is attached.例文帳に追加

この発明のｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の作製方法では、ｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体層３を作製する第１の工程と、その窒化ガリウム系化合物半導体層３上に金属等からなる触媒層７を作製する第２の工程と、その触媒層７を付けた状態での窒化ガリウム系化合物半導体層３を熱処理する第３の工程とを含む、ことを特徴とする - 特許庁

To provide a hydrophilic composite sheet which can prevent hydrophobic matters from adhering to the surface of a first hydrophilic layer and preferably retaining hydrophilicity of the surface of the first hydrophilic layer when it is stored in a roll shape or laminated single plate on an opposite surface of the first hydrophilic layer functioning as the hydrophilic layer by providing the second hydrophilic layer according to various kinds of applications, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

各種用途に応じた、親水性層として機能する第１の親水性層の反対面に、第２の親水性層を設けることにより、ロール状あるいは積み重ねられた単板状にて保管された場合に第１の親水性層表面への疎水性物質の付着を防ぐことができ、該第１の親水性層表面の親水性を好ましく保持することができる親水性複合シートとその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A plate polysilicon layer 104 is formed additionally between a bond pad metal layer formed by bonding a first metal layer 108 and a second metal layer 112 directly and an underlying first insulation film 102 so that an external thermal/mechanical stress is absorbed thus increasing durability against a tensile force in the vertical direction and enhancing adhesion by preventing slip between the bond pad metal layer and the first insulation film 102.例文帳に追加

第１メタル層１０８と第２メタル層１１２とが直接接着された形のボンドパッドメタル層とその下部に位置する第１絶縁膜１０２との間にプレートポリシリコン層１０４を追加で形成し、外部から加わる熱的／機械的ストレスを吸収するようにして、垂直方向の引張力に対する耐久性を増大させ、ボンドパッドメタル層と第１絶縁膜１０２との滑りを防止して接着性を改善できる。 - 特許庁

When a laminated structure made of a group III nitride semiconductor crystal is formed on a substrate made of Si signal crystal via a buffer layer, the buffer layer is constituted by a first buffer layer, formed on the substrate and made of III-V compound semiconductor which includes at least one of arsenic or phosphorus and boron and a second buffer layer formed on the first buffer layer and made of III-V nitride semiconductor.例文帳に追加

珪素（Ｓｉ）単結晶からなる基板上に、緩衝層を介して、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶からなる積層構造を形成する際に、緩衝層を、基板上に接して形成された砒素（Ａｓ）またはリン（Ｐ）の少なくとも一方と硼素（Ｂ）とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１の緩衝層と、第１の緩衝層上に形成されたＩＩＩ族窒化物半導体からなる第２の緩衝層とから構成する。 - 特許庁

Moreover, a second aperture 16 is formed to the SiC substrate 11 to expose part of the lower surface of the AlN layer 12 at the location opposed to the first aperture 15.例文帳に追加

また、第１の開口１５と対向する位置に、ＡｌＮ層１２の下面の一部を露出するように、ＳｉＣ基板１１に第２の開口１６が形成されている。 - 特許庁

This optical waveguide sensor is constructed so that first and second core layers 2 and 3 having larger flexibility than the substrate 1 has and serving as optical waveguides, are disposed on a surface of a substrate 1 functioning as a cladding layer.例文帳に追加

クラッド層として機能する基板１の表面に、屈折率が基板１より大きく光導波路となる第１のコア層２および第２のコア層３を配置する。 - 特許庁

The corner pad 1 is formed of a sheet of a corrugated fiberboard 4, and the bottom face 5 and first and second side faces 6 and 7 are respectively made into three-layer structures.例文帳に追加

コーナーパッド１は、１枚の段ボール４を用いて形成されており、底面５ならびに第１および第２の側面６，７のそれぞれが３層構造となっている。 - 特許庁

The second filter layer 11 is stored in a cartridge 10 where a plurality of through holes and the cartridge 10 are removably attached to the casing 1.例文帳に追加

第２フィルタ層１１は、複数の透孔が形成されたカートリッジ１０に収納されており、このカートリッジ１０は、筐体１に対して着脱自在に取り付けられる。 - 特許庁

The insulation layer 22 is provided with a first opening 23 at a position to be a display pixel and a second opening 26 at a region 31 further outside of an anode wiring at an tip end.例文帳に追加

絶縁膜２２には、表示画素となる位置に第一の開口部２３を設け、一番端の陽極配線より外側の領域３１に第二の開口部２６を設ける。 - 特許庁

The mask pattern data for representing the shapes of the signal input terminal and the signal output terminal of the spare cell is made to be the mask pattern data of a second or a further wiring layer.例文帳に追加

スペアセルの信号入力端子および信号出力端子の形状を表現するマスクパターンデータを、第2配線層以上の配線層のマスクパターンデータとする。 - 特許庁

Between the intermediate layer 13 and the periodic structure of the first and second substrates 11A, 11B, there take place reflection and interference of light, with coupling and separation of light efficiently performed.例文帳に追加

中間層１３と第１および第２の基板１１Ａ，１１Ｂの周期構造との間で、光の反射と干渉が起こり、光の結合分離が効率的に行われる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can release electric field concentration in corner portions of the surface of a second semiconductor layer positioned on the peripheral edge of a first trench.例文帳に追加

第１溝の周縁に位置する第２半導体層表面の角部での電界集中を緩和できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes a first substrate, a second substrate and a liquid crystal layer arranged between these substrates, and also includes a plurality of pixel regions for display.例文帳に追加

本発明による液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、これらの間に設けられた液晶層とを有し、表示を行うための複数の絵素領域を有する。 - 特許庁

In a second active region 102, silicide layers 115 are formed on the top surfaces of a logic gate electrode 112 and of a logic transistor impurity-diffused layer 114.例文帳に追加

第２の活性領域１０２においては、ロジックゲート電極１１２の上面及びロジックトランジスタの不純物拡散層１１４の上面にシリサイド層１１５が形成されている。 - 特許庁

To provide an organic EL device capable of preventing an organic light-emitting layer from being exposed outside of a second electrode in a dual-panel organic EL device, thereby prolonging its lifetime.例文帳に追加

第２電極の外側に有機発光層が露出されないようにする有機電界発光素子を提供して寿命を向上させることを目的とする。 - 特許庁

The recessed tongue working section 40 is formed in a plywood 10 under a state in which the whole uppermost section (a deck 11) of plywood 10 and the parts of second layer (an intermediate board 12) are left.例文帳に追加

凹状の実加工部４０を、合板１０の最上層（甲板１１）の全部と２層目の層（中板１２）の一部を残した状態で当該合板１０に形成する。 - 特許庁

The semiconductor laser is provided with an active region, having a first refractive index and at least one confining layer, having a second refractive index smaller than the first refractive index.例文帳に追加

このレーザは、第一の屈折率を持つ活性領域、および第一の屈折率より低い第二の屈折率を持つ少なくとも一つの閉じ込め層を備える。 - 特許庁

The electronic device 14 is transferred to an adhesion layer 22 on a surface of a second substrate 21, and then a fragment of a support body 13B attached to the electronic device 14 is removed by etching.例文帳に追加

第２基板２１の表面の粘着層２２に電子デバイス１４を転写させたのち、電子デバイス１４に付属する支持体１３Ｂの破片をエッチングにより除去する。 - 特許庁

The first conductive member 304, which is made of a conductive base, supports the insulating layer 308, the semiconductor devices 300 and 302, and the second conductive member 306.例文帳に追加

第１導電部材３０４は、絶縁層３０８、半導体素子３００、３０２、および第２導電部材３０６を支持する導電性ベースから形成されている。 - 特許庁

The second board 6 is fixed to the first board 5 over its whole rear surface, while the heat sensitive printing layer 3 is arranged partially on the surface of the first board 5.例文帳に追加

また、前記第２基板６は、前記第１基板５の裏面全体にわたって固定され、前記感熱印刷層３は、前記第１基板５の表面に部分的に配置された。 - 特許庁

The first and second conductors 13, 14 sandwich the resonance tunnel diode 11 and the resistive layer 12, thus constituting a resistive region 17.例文帳に追加

さらに、前記共鳴トンネルダイオード１１と前記抵抗層１２とを前記第１の導体１３と前記第２の導体１４とで挟み構成される抵抗領域１７がある。 - 特許庁

The non-capacitive layers 212 to 214 are laminated on the capacitive layer 211 on one-side of the capacitive layers 212 to 214 including the second capacitive electrodes 202 and an outer side of the capacitive layers 212 to 214 has an earth electrode 205.例文帳に追加

非キャパシタ層２１２〜２１４は、一面が、第２のキャパシタ電極２０２のある側において、キャパシタ層２１１に積層され、外面にアース電極２０５を有する。 - 特許庁

Alternatively, the method has a first process of polishing the surface to be coated, a second process of forming a coating film and a third process of forming an information nucleic acid containing layer on the coated film to form a repair coating film.例文帳に追加

被塗装面を研ぐ工程と塗膜を形成する工程と該塗膜に情報化核酸含有層を形成する工程と、を行い補修塗膜を形成する。 - 特許庁

The parallelism detection part detects the parallelism of the light reflected by the reflection layer and the control part controls the second light generation part based on the detected parallelism.例文帳に追加

平行度検出部は、反射層により反射した光の平行度を検出し、制御部は検出した平行度に基づいて第２の光発生部を制御する。 - 特許庁

The second electrolytic capacitor 8 is provided with the electric double layer capacitor 6 in parallel, and charges the output of the half-negative cycle of the dynamo 2 obtained through the full-wave rectifying circuit 5.例文帳に追加

第２電解コンデンサ８は、電気２重層コンデンサ６と並列に設けられ、全波整流回路５を介して得られたダイナモの負の半周期の出力を充電する。 - 特許庁