| 意味 | 例文 |
second layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 21457件
An organic electroluminescent (organic EL) element 24 constructing the backlight 13 is equipped with an organic EL layer 25, a first electrode 26 having light-transmitting property arranged on a side opposite to a substrate 2 at the organic EL layer 25, and a second electrode 27 arranged on a side of the substrate 23 at the organic EL layer 25.例文帳に追加
バックライト13を構成する有機エレクトロルミネッセンス(有機EL)素子24は、有機EL層25と、該有機EL層25に対して基板23と反対側に配置された光透過性を有する第1電極26と、有機EL層25に対して基板23側に配置された第2電極27とを備えている。 - 特許庁
A mask 31 includes a membrane layer 37 made of a first material, scattering regions 39 made of a second material which forms a pattern and scatters charged particles more strongly than the membrane layer 37, and a plurality of linear support column groups 37, which are arranged at intervals and support the membrane layer 37 together with the scattering regions 39.例文帳に追加
マスク31は、第1の材料から構成されるメンブレン層37と、パターンを形成し、メンブレン層37よりも荷電粒子を強く散乱させる第2の材料から構成される散乱領域39と、互いに間隔を空けて配置され、散乱領域39とともにメンブレン層37を支持する、複数の直線状に延びる支持支柱群33とを含む。 - 特許庁
The manufacturing method of a semiconductor substrate includes the steps of: forming a first SiGe layer with a thickness of 10 to 200nm; applying anneal processing to the substrate at a temperature of 900°C; and forming a second SiGe layer with a thickness of 10 to 300nm on the first SiGe layer.例文帳に追加
シリコン基板上に、第1のSiGe層を厚さ10〜200nmで形成する工程と、前記基板を900℃以上でアニール処理する工程と、前記第1のSiGe層上に、第2のSiGe層を厚さ10〜300nmで形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体基板の製造方法を用いる。 - 特許庁
Therefore, when the incident light PL impinges, the light control layer 3 allows the incident light PL to rectilinearly travel through the first portion 3L and the second portion 3R toward a light reflecting layer 2 without diffusing, and the light reflecting layer 2 can reflect the incident light at a desired angle.例文帳に追加
これにより、光制御層3は、第1部分3Lと第2部分3Rとにおいて、入射光PLの入射時に入射光PLを拡散させることなく直進透過させて光反射層2に向かわせることができ、光反射層2は、入射した光を所望の角度で反射させることが可能となる。 - 特許庁
A precursor thin film 20 in which a first layer 21 containing In, a second layer 22 containing Cu and Ga and a third layer 23 containing Cu are laminated successively is formed on a substrate 10 by using a sputtering method, and a Cu (In, Ga) Se2 thin film is formed by thermally treating the precursor thin film 20 in an atmosphere comprising Se.例文帳に追加
スパッタリング法を用いて、Inを含む第1層21と、CuおよびGaを含む第2層22と、Cuを含む第3層23とが順次積層してなる前駆体薄膜20を基板10上に形成した後、Seを含む雰囲気中で前記前駆体薄膜20を熱処理して、Cu(In,Ga)Se_2薄膜を形成する。 - 特許庁
The organic waveguide type optical modulator with the superior reliability can be provided which has constitution, capable of reducing curvature of a first substrate etc., by sandwiching a core layer where light is propagated, a cladding layer covering the core layer, and an electrode group to which a signal is applied for modulating the light between the first substrate and a second substrate.例文帳に追加
光が伝搬するコア層、コア層を覆うクラッド層、および光を変調するための信号が印加される電極群を第一の基板および第二の基板で挟むことにより、第一の基板のそりなどが低減できる構成となり、信頼性に優れた有機導波路型光変調器を提供することができる。 - 特許庁
The vicinity of the interface of a first and a second nitride semiconductor layers is constituted such that it may possess p-type conductivity comprising the first p-type nitride semiconductor layer obtained with crystal growth on the substrate, and p-type nitride semiconductor layer 2 consisting of another crystal growth on the first nitride semiconductor layer.例文帳に追加
基板上に結晶成長で得られる第1のp型窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層上に別の結晶成長からなるp型窒化物半導体層2とを有しており、第1と第2の窒化物半導体層の界面近傍がp型の導電性を有するようにする。 - 特許庁
With the donor substrate 3 and the film-formed substrate 5 while being superposed on each other, radiant rays are irradiated from a donor substrate 3 side and an organic donor layer 13 is transferred in sublimation on the first electrode 17 of the film-formed substrate 5 to form an organic layer 25, and afterwards, a second electrode 29 is formed on the organic layer 25 to obtain the organic electroluminescent element 1.例文帳に追加
ドナー基板3と被成膜基板5とを重ねた状態で、ドナー基板3側から輻射線を照射して有機ドナー層13を被成膜基板5の第一電極17上に昇華転写して有機層25を形成した後、有機層25上に第二電極29を形成して有機電界発光素子1を得る。 - 特許庁
The manufacturing method has a first process to form a clad layer 12 possessing a projected part whose side surface is inclined on a surface on a base plate 10, a second process to form a reflection film 13 on the side surface of the projected part of the clad layer 12 and a third process to form the optical waveguide 14 on the projected part of the clad layer 12.例文帳に追加
この製造方法は、側面が傾斜した凸部を、表面に有するクラッド層12を基板10上に形成する第1の工程と、クラッド層12の凸部の側面上に、反射膜13を形成する第2の工程と、クラッド層12の凸部の上に、光導波路14を形成する第3の工程とを有する。 - 特許庁
The magnetic free layer 11-1 of the first magneto-resistance effect element MTJ1 makes magnetization vibrations at a frequency depending upon magnetization directions of residual magnetization of the magnetic free layer 11-2 and magnetic pinned layer 12-2 of the second magneto-resistance effect element MTJ2, when the larger current than the vibration threshold current is caused to flow to the first magneto-resistance effect element MTJ1.例文帳に追加
第一磁気抵抗効果素子MTJ1の磁気フリー層11−1は、第一磁気抵抗効果素子MTJ1に発振閾値電流よりも大きい電流を流したときに、第二磁気抵抗効果素子MTJ2の磁気フリー層11−2と磁気ピンド層12−2との残留磁化の磁化方向に依存した周波数で磁化振動する。 - 特許庁
The gas barrier film comprises: a base material comprising a resin; a first inorganic layer being the vapor deposition film and formed on the base material; and a second inorganic layer being a film formed on the first inorganic layer and formed of ultrafine particles.例文帳に追加
本発明は、樹脂からなる基材と、上記基材上に形成され、蒸着膜である第1無機層と、上記第1無機層上に形成され、超微粒子で形成された膜である第2無機層とを有することを特徴とするガスバリアフィルムを提供することにより、上記目的を達成するものである。 - 特許庁
Especially, the retardation layer is provided at a position corresponding to the reflection display region between the liquid crystal layer and a second polarizing plate on the CF substrate side and the spacer for regulating the interval between the element substrate and the CF substrate is provided in a region which is not two-dimensionally superposed on the soft retardation layer of the CF substrate.例文帳に追加
特に、位相差層は、液晶層とCF基板側の第2の偏光板との間において、反射表示領域に対応する位置に設けられ、CF基板であって、材質的に柔らかな位相差層と平面的に重ならない領域には、素子基板とCF基板の間隔を規定するためのスペーサが設けられている。 - 特許庁
The multilayered polyester laminated paper is obtained by arranging a first layer consisting of polyethylene terephthalate with a density of 1.35 g/cm^3 or more or a resin based on polyethylene terephthalate on a paper base material, and arranging a second layer consisting of a polyethylene terephthalate copolymer resin with a density of <1.35 g/cm^3 on the first layer.例文帳に追加
紙基材上に、密度が1.35g/cm^3 以上のポリエチレンテレフタレート又はポリエチレンテレフタレートを主成分とする樹脂からなる第1層を配し、該第1層の上に密度が1.35g/cm^3 未満のポリエチレンテレフタレート共重合樹脂からなる第2層を配したことを特徴とする多層ポリエステル系ラミネート紙。 - 特許庁
And, the extension portion 20 comprises: a first epitaxially-grown layer 21, which is formed on the semiconductor substrate 1, having an inclined plane 21a at gate electrode 12 side; and a second epitaxially-grown layer 22, which is formed on the first epitaxially-grown layer 21, having an end surface 22a steeper than the inclined plane 21a at gate electrode side.例文帳に追加
エクステンション部20は、半導体基板1上に形成され、ゲート電極12側に傾斜面21aをもつ第1エピタキシャル成長層21と、第1エピタキシャル成長層21上に形成され、傾斜面21aよりも急峻な端面22aをゲート電極側にもつ第2エピタキシャル成長層22とを有する。 - 特許庁
A power trench MOS gate device is provided with a heavily- doped semiconductor substrate 201, a deep trench gate 213 separated by an insulating layer 212 in an upper layer composed of an N-epitaxial layer 202, doped to a first conductivity-type and well layers 215 doped to a second conductivity-type, and a strongly conductive drain region 211 below the trench gate 213.例文帳に追加
重くドープした半導体基体201と、この基体上に第1導電型にドープしたN−エピタキシャル層202と第2導電型にドープしたウエル層215からなる上側層内に、絶縁層212で分離された深いトレンチゲート213とを設け、トレンチゲート213の下に強導電性ドレイン領域211を設ける。 - 特許庁
A first colored transparent pressure-sensitive adhesive layer 2 and a colorless transparent resin film layer 3 are successively laminated on one surface of a multilayered film body 1 comprising a large number of films in a laminar state while a perspective second pressure-adhesive layer 4 and a release film 5 are successively laminated to the other surface of the multilayered film body 1.例文帳に追加
積層状の多数枚のフィルムからなる多層構造フィルム体1の一面側に、着色透明の第一粘着層2と無着色透明の樹脂フィルム層3とを順次積層すると共に、多層構造フィルム体1の他面側に透視性のある第二粘着層4と剥離フィルム5とを順次積層したものである。 - 特許庁
In the heater, the softening point of the first glass protection layer is lower than that of the second glass protection layer and that of the heat generator layer.例文帳に追加
絶縁基板上の発熱体層を覆うように前記絶縁基板上に形成された第—のガラス保護層と、前記第一のガラス保護層に積層して形成された第二のガラス保護層と、を有するヒータにおいて、第一のガラス保護層の軟化点を、前記第二のガラス保護層の軟化点、及び、前記発熱体層の軟化点よりも低くする。 - 特許庁
The method for manufacturing the semiconductor junction layer comprises a step of coating semiconductor crystalline grain boundaries, which are exposed on the surface of a first conductive type semiconductor substrate and form the semiconductor substrate with a dopant diffusion barrier layer, and a step of forming the semiconductor junction layer of a second type dopant diffused on the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加
第1導電型半導体基板表面に露出した該半導体基板を構成する半導体の結晶粒界を、ドーパント拡散バリア層で被覆し、前記基板表面に第2導電型ドーパントを拡散させて接合層を形成することを特徴とする半導体接合層の製造方法。 - 特許庁
A semiconductor layer containing a first crystal region and a second crystal region growing towards the film-forming direction of a film is formed between an impurity semiconductor layer doped with one conductivity type impurity element and an impurity semiconductor layer doped with a conductivity type impurity element reverse to one conductivity type.例文帳に追加
一導電型の不純物元素が添加された不純物半導体層と、一導電型とは逆の導電型の不純物元素が添加された不純物半導体層との間に、被膜の成膜方向に向かって成長する第1の結晶領域と第2の結晶領域とを含む半導体層を有する。 - 特許庁
The sintered friction member 10 containing iron or its alloy as a main component comprises: a first layer 11 formed by sintering material powder superior in friction characteristics; a second layer 12 formed by sintering material powder superior in adhesive characteristics, and a third layer 13 formed by sintering material powder superior in reinforcing characteristics.例文帳に追加
鉄又は鉄合金を主成分とした焼結摩擦部材10,10は、摩擦特性に優れた材料粉末が焼結されてなる第1層11と、接着特性に優れた材料粉末が焼結されてなる第2層12と、補強特性に優れた材料粉末が焼結されてなる第3層13とを含む。 - 特許庁
A plug electrode extending from a semiconductor substrate to the upper surface of an interlayer insulation film is divided into a first plug electrode 5 and a second plug electrode 13 which are then connected by an LI layer 7a, and an LI layer 7b is laid under an alignment mark 15 and used as an etching stopper layer.例文帳に追加
半導体基板から層間絶縁膜の上面に至るプラグ電極を第1プラグ電極5と第2プラグ電極13とに分け、第1プラグ電極5と第2プラグ電極13とをLI層7aで繋ぐと共に、LI層7bを合わせマーク15の下に敷いてエッチングストッパ層として使用する。 - 特許庁
The surface of the metallic base material (2) is provided with a first ceramic layer (4) for preventing the reaction with metal, a second ceramic layer (5) for preventing the infiltration of a corrosion product from outside and a metallic intermediate layer (3) for improving the adhesion property to the metallic base materials 2 to these ceramic layers (4 and 5).例文帳に追加
金属基材(2)の表面に、金属との反応を防止するための第1のセラミック層(4)と、外部からの腐食生成物の侵入を防ぐための第2のセラミック層(5)と、前記金属基材(2)とこれらセラミック層(4,5)との密着性を向上させるための金属中間層(3)と、を設けた。 - 特許庁
A semiconductor device 15, having an optical control part 15x where a first conductivity-type clad layer, an optical waveguide layer and a second conductivity-type clad layer are sequentially stacked and a diode part 15y connected in series to the optical control part 15x, so that a forward direction becomes opposite to the optical control part 15x is prepared.例文帳に追加
第1導電型クラッド層、光導波層および第2導電型クラッド層を順に積層した光制御部15xと、順方向が光制御部15xと逆向きとなるように光制御部15xに直列に接続されたダイオード部15yとを有する半導体装置15を用意する。 - 特許庁
The insulating sheet 5 of the insulating sheet 1 with the metal foil 2 is formed of at least two kinds of plural resin layers, which contain a first layer 3 which is formed directly adjoining to a rough surface of the metal foil 2, and a second layer 4 which is formed on a side which is opposite to the metal foil 2 when viewed from the first layer 3.例文帳に追加
金属箔付き絶縁シート1の絶縁シート5が、金属箔2の粗面と直接隣接して形成される第一層3と、第一層3に対して金属箔2とは反対側に形成される第二層4とを含む少なくとも2種以上の複数の樹脂層から形成される。 - 特許庁
This LED array comprises an active layer (24) of the first conductivity type, inside of which a front face of each second conductivity-type region exists, and cladding layers (23 or 25) of the first conductivity type stacked by sandwiching the active layer (24) have energy gaps larger than that of the active layer (24), and have high impurity concentrations (carrier concentrations).例文帳に追加
第2導電型の領域のフロント面がその内部に存在する第1導電型の活性層(24)と、上記活性層(24)に積層され、第1導電型で、上記活性層(24)よりもエネルギーバンドギャップが大きく、かつ不純物濃度(キャリア濃度)が高いクラッド層(23又は25)とを備える。 - 特許庁
In the photosensor, a first double-gate photosensor PSA becoming a light receiving part of the uppermost layer, a second double-gate photosensor PSB becoming a light receiver of an intermediate layer, and a third double-gate photosensor PSC becoming a light receiving part of the lowermost layer, are laminated and formed on one face side of a transparent insulating substrate SUB.例文帳に追加
フォトセンサは、透明な絶縁性基板SUBの一面側に、最上層の受光部となる第1のダブルゲート型フォトセンサPSAと、中間層の受光部となる第2のダブルゲート型フォトセンサPSBと、最下層の受光部となる第3のダブルゲート型フォトセンサPSCと、が積層形成された構成を有している。 - 特許庁
With respect to an arbitrary projection surface, the first region of the projection where the projected lower spin state variable layer 102 is projected on the normal line direction of the flat surface of the spin state fixed layer 104, does not coincide with the second region of the projection where the upper spin state variable layer 106 is projected to the above surface of projection.例文帳に追加
任意の投影面に対し、下部スピン状態可変層102をスピン状態固定層104の平面の法線方向に投影した射影である第1領域と、同様に上記投影面に対して上部スピン状態可変層106を投影した射影である第2領域とが一致していない。 - 特許庁
The side of the transparent substrate of the light-emitting diode having a first side substantially vertical to the light-emitting surface of the light-emitting layer at the side near the light-emitting layer and a second side sloped to the light-emitting surface at the side distant from the light-emitting layer forms a third electrode on the backside of the transparent substrate.例文帳に追加
透明基板の側面は、発光層に近い側では発光層の発光面に対して略垂直である第1の側面と、発光層に遠い側では発光面に対して傾斜している第2の側面を有している発光ダイオードに対し、第3の電極を透明基板裏面に形成する。 - 特許庁
The catalyst 1 for cleaning exhaust gas comprises a noble metal particle 3 for causing a catalytic reaction while being in contact with exhaust gas, a first covering layer 5 for covering the periphery of the noble metal particle 3, a second covering layer 7 for covering the noble metal particle 3 and the first covering layer 5, and a base material on which the noble metal particle 3 is deposited.例文帳に追加
排気ガスに接触して触媒反応を起こす貴金属粒子3と、該貴金属粒子3の周囲を覆う第1の被覆層5と、前記貴金属粒子3及び第1の被覆層5を覆う第2の被覆層7と、貴金属粒子3を担持する基材とを含んでなる排気ガス浄化用触媒1である。 - 特許庁
The press forming die 16 for the glass material 14 is manufactured through a first step for forming an organic compound layer on the press forming surfaces 46, 48 of the die 16 and a second step for converting the organic compound layer formed in the first step to the releasing layer by heating to a temperature equal to or above the thermal decomposition temperature of the organic compound.例文帳に追加
ガラス材料14のプレス成形用金型16は、有機化合物の層を前記金型16のプレス成形面46、48に形成する第1工程と、この第1工程により形成された有機化合物の層をその熱分解温度以上に加熱して、離型層に変換する第2工程と、を経て作製される。 - 特許庁
In a semiconductor device 1, an underlaying insulating film 250, an interlayer insulating film 220, and an upper layer insulating film 260 are almost constant in the film thickness, and in a first wiring layer 210, a film thickness d11 at an intersection part 280 with a second wiring layer 230 is thinner than a film thickness d12 of its peripheral part.例文帳に追加
半導体装置1において、下地絶縁膜250、層間絶縁膜220、および上層絶縁膜260は、その膜厚が略一定であるが、第1の配線層210は、第2の配線層230との交差部分280での膜厚d11がその周辺部分の膜厚d12よりも薄い。 - 特許庁
The device is provided with a base plate 1, a transparent first electrode 2 formed on the surface of the base plate 1, a luminous layer 3 laminated on the first electrode 2, and a second electrode 4 laminated on the luminous layer 3, with a concave part 6 formed at a part where light emitted from the luminous layer 3 is transmitted.例文帳に追加
基板1と、該基板1の表面に形成された透明な第1電極2と、該第1電極2に積層された発光層3と、該発光層3に積層された第2電極4とを備え、基板1の表面の、発光層3から発した光が透過する部分に凹部6が形成されているものである。 - 特許庁
The network connection method comprises: a first step for canceling the transmission of a position registration request for a layer 3 after establishing the connection of a layer 2; a second step for executing an authentication sequence according to an authentication information request from a base station and a third step for transmitting the position registration request of the layer after ending the authentication sequence.例文帳に追加
レイヤ2コネクションの確立後、レイヤ3について位置登録要求を送信しない第1のステップと、基地局からの認証情報要求に応じて、認証シーケンスを実行する第2のステップと、認証シーケンスの終了後、レイヤ3について位置登録要求を送信する第3のステップとを有する。 - 特許庁
The hopping pattern set by the control part 209 is configured by a two-layer hopping pattern, where a hopping pattern of an LB base different for every cell is defined in a first layer in order to randomize intercell interference, and a hopping pattern different in every mobile station is defined in a second layer in order to randomize intracell interference.例文帳に追加
制御部209に設定されるホッピングパターンは2階層のホッピングパターンで構成され、1階層目には、インターセル干渉をランダム化するために、セル毎に異なるLBベースのホッピングパターンが定義され、2階層目には、イントラセル干渉をランダム化するために、移動局毎に異なるホッピングパターンが定義される。 - 特許庁
On the substrate of a semiconductor memory device, there are formed in succession extendedly from its drain region to its source region a first polysilicon layer 61 containing crystal grains having a smallest average size, a second polysilicon layer 62 containing crystal grains having a large average size, and a third polysilicon layer 63 containing crystal grains having still larger average size.例文帳に追加
基板上に、ドレイン領域からソース領域に向かって、平均的なサイズが最も小さい結晶粒を含む第1ポリシリコン層61と、平均的に大きな結晶粒を含む第2ポリシリコン層62と、さらに平均的に大きな結晶粒を含む第3ポリシリコン層63とを順に形成する。 - 特許庁
A resin tube 10 for fuel is equipped with an inner layer 20 which is formed from the high density polyethylene and consisting of the first resin material including an electric conduction material for giving the electric conductivity to the high density polyethylene, and an outer layer 22 which is laminated on the inner layer 20 and formed from the second resin material having the high density polyethylene.例文帳に追加
燃料用樹脂チューブ10は、高密度ポリエチレンから形成され該高密度ポリエチレンに導電性を付与するための導電材料を含有した第1樹脂材料からなる内層20と、内層20上に積層され、高密度ポリエチレンを有する第2樹脂材料から形成された外層22と、を備えている。 - 特許庁
Next, the sintered sheet is cut in a prescribed direction to make a strip thermistor element assembly 13, and the first and second glass pastes are printed sequentially on the cut surfaces of both sides of the thermistor element assembly and dried and then burned to form a glass layer having a lower glass layer and an upper glass layer.例文帳に追加
次に上記焼結シートを所定の方向に切断して短冊状サーミスタ素体13を作り、このサーミスタ素体の両側の切断面に上記と同一の第1及び第2ガラスペーストを順次印刷して乾燥した後に焼成して下ガラス層及び上ガラス層を有するガラス層を形成する。 - 特許庁
This optical disk 1 has a resin material layer 31 which is provided between the metallization layer 12 of a first substrate 11 and the thin layer 22 through which light having a prescribed wavelength of a second substrate 21 can pass and in which different composition are given to a side near an opening 1a and a position distant from the opening.例文帳に追加
この発明の光ディスク1は、第1の基板11の金属層12と第2の基板21の所定の波長の光が透過可能な材料の薄層22との間に設けられ、開孔1aの近傍の側と開孔から離れた位置で、異なる組成が与えられている樹脂材料層31を有する。 - 特許庁
Then, as shown in Figure 2 (a), P-type impurity ions are implanted with an accelerating energy using the same photoresist layer 116 as a mask so as to penetrate through the first polysilicon layer 115b and the first oxide film 113 but not to penetrate through the second oxide film 114, by which a P-type resistive layer 118 of prescribed resistance is formed.例文帳に追加
次に、図2(a)に示すように、同一のホトレジスト層116をマスクとして、第1のポリシリコン層115b及び第1の酸化膜113を貫通し、第2の酸化膜114を貫通しないような加速エネルギーで、p型不純物をイオン注入し、所望の抵抗値のP型抵抗層118を形成する。 - 特許庁
A first capacity detector circuit layer 20 and a second capacity detector circuit layer 30 provided with individual elements 29, 38 for detecting the capacitances between the object to be measured 60 and individual electrodes 28, 37, are laminated, and each electrode 28, 37 of each element 29, 38 is extended up to a protection layer 50 by each trench 26, 35.例文帳に追加
被測定体60と各電極28、37との間の静電容量を検出するための各素子29、38が設けられた第1容量検出回路層20および第2容量検出回路層30を積層にし、各素子29、38の各電極28、37を各トレンチ26、35によって保護膜50まで引き伸ばす。 - 特許庁
The coating component is provided with: a base metal having an abutment against a member made of glass; a coating first layer formed at least on the surface of the abutment and essentially consisting of cordierite and/or zircon; and a coating second layer formed on the coating first layer and essentially consisting of zirconium oxide and/or aluminum oxide.例文帳に追加
ガラス製部材との当接部を有する母材と、少なくとも当接部の表面に形成されたコージェライトおよび/またはジルコンを主成分とする被覆第一層と、この被覆第1層の上に形成された酸化ジルコニウムおよび/または酸化アルミニウムを主成分とする被覆第二層とを備える。 - 特許庁
A first groundwork layer is formed on the surface of an aluminum plate by groundwork, and an organic resin paint containing an electromagnetic wave absorbing material is applied to the groundwork layer and is hardened, to form a second electromagnetic wave absorbing layer composed of a film of 5-300 μm.例文帳に追加
アルミニウム板の表面に、下地処理によって、第1層としての下地処理層を形成すると共に、該下地処理層の上に、電磁波吸収物質を含有せしめた有機樹脂系塗料を塗布して、硬化させることにより、5〜300μmの厚さの塗膜からなる電磁波吸収層を、第2層として形成せしめた。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a multilayer insulating film, in which voids hardly develop within a board upon lamination of a multilayer insulating film on a circuit board, surface flatness is fully ensured and the thickness of the first layer of the multilayer insulating film can be kept uniform and the first layer and the second layer hardly separate from each other.例文帳に追加
回路基板上に、多層絶縁フィルムを積層する場合に、基板内部にボイドが生じにくく、表面平坦性が充分に確保され、多層絶縁フィルムの第1層の厚みを均一に保つことができ、第1層と第2層が剥離し難い多層絶縁フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁
On the one surface of the substrate 15, coating members 25 are disposed covering the cut portions 24, and each coating member 25 has a first layer 26 made of a thermoplastic resin to face the cut portion 24 and a second layer 27 made of a thermosetting resin laminated on one surface of the first layer 26.例文帳に追加
しかも、基板15の一方の面には、各切欠き部24を覆うように被覆部材25が配置されており、各被覆部材25は、切欠き部24に臨む熱可塑性樹脂製の第1の層26、及び第1の層26の一方の面に積層された熱硬化性樹脂製の第2の層27を有している。 - 特許庁
In a manufacturing method of a printed wiring board having a blind via 5 in which a first conductive layer 2 and a second conductive layer 4 sandwiching an insulation layer 3 are connected by a conductor 7, the blind via 5 is energized under an energization condition where a non-standard blind via is disconnected and a standard blind via is not disconnected.例文帳に追加
絶縁層3を間に挟む第1導電層2と第2導電層4とを導電体7により接続したブラインドビア5を有するプリント配線板の製造方法であって、規格外ブラインドビアが断線し、かつ規格内ブラインドビアが断線しない通電条件で、ブラインドビア5を通電する。 - 特許庁
A lower electrode S1b formed of a first polysilicon layer is formed on an element isolation insulating film 2b, a dielectric film 6 is formed on the lower electrode S1b, an upper electrode S2b formed of a second polysilicon layer, whose sheet resistance is higher than that of the first polysilicon layer, is formed on the dielectric film 6 and a capacitance Y1 is formed.例文帳に追加
素子分離用絶縁膜2bの上に第1のポリシリコン層からなる下部電極S1bが形成され、下部電極S1bの上に誘電膜6が形成され、誘電膜6の上に第1のポリシリコン層よりシート抵抗の高い第2のポリシリコン層からなる上部電極S2bが形成され、容量Y1が形成される。 - 特許庁
A first magnetic layer 101 for recording information, a second magnetic layer 102 for adjusting an exchange coupling force and a third magnetic layer 103 for moving a magnetic wall of a recording mark to reproduce the information are laminated on a transparent substrate at least and magnetic hyper resolution technology is used to improve a recording density in a line recording direction.例文帳に追加
透明基板上に、少なくとも情報を記録する第1の磁性層101、交換結合力調整用の第2の磁性層102、記録マークの磁壁を移動させて情報を再生するための第3の磁性層103を積層し、磁気超解像度技術を使うことにより、線記録方向の記録密度を上げる。 - 特許庁
In manufacturing an organic electroluminescent element by forming a first electrode on a substrate, forming at least one organic layer on the first electrode, and forming a second electrode on the organic layer, an energy line is irradiated on the surface of the organic layer after it is formed.例文帳に追加
基板上に第1電極を形成し、第1電極上に少なくとも1層の有機層を形成し、有機層上に第2電極を形成して有機電界発光素子を製造するにあたり、有機層を形成した後、有機層の表面にエネルギー線を照射することにより、上記の課題を解決する。 - 特許庁
The second row or third row lands 4a, 4b and the outermost peripheral row land 4 of the lower layer are conductively connected through via holes 5 so that the position of the land 4 in the lower layer exists in the range of the inner peripheral side from the outermost peripheral row land 4 of the upper layer and the outer peripheral side from the third row lands 4, 4b.例文帳に追加
下層における最外周列ランド4の位置が、上層における最外周列ランド4より内周側且つ第3列目ランド4,4bより外周側の範囲に存在するように上層での第2列目又は第3列目ランド4a,4bと下層の最外周列ランド4とがビアホール5により導電接続される。 - 特許庁
The core cord 18S is manufactured by forming a first coating layer 186 by reacting and fixing a mixture of an epoxy compound and latex to the outside of a raw yarn 184 prepared by twisting a filament 182 of PBO fiber, and further forming a second coating layer 187 by reacting and fixing RFL to the outside of the first coating layer 186.例文帳に追加
PBO繊維であるフィラメント182を撚り合せた原糸184の外側に、エポキシ化合物とラテックスとの混合物を反応固着させてなる第1コート層186を設け、さらにその外側にRFLを反応固着させてなる第2コート層187を設けて、心線コード18Sを得る。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|