「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(312ページ目) - Weblio英語例文検索

Subsequently, a resist pattern 24 of pressure chambers 4, ink supply paths 5 and reservoirs 6 is formed and followed by formation of a second electroforming layer 25 of 80 μm thick.例文帳に追加

その後圧力室４、インク供給路５およびリザーバー６のレジストパターン２４を形成し、電鋳処理によって厚さ８０ミクロンの第二の電鋳層２５を形成する。 - 特許庁

The anisotropic conductive adhesive is then hot pressed and cured, and a built-up layer is formed of the hardened anisotropic conductive adhesive and a second conductive pattern obtained by etching the metal foil.例文帳に追加

異方導電接着剤を加圧及び加熱し、硬化させた異方導電接着剤と、金属泊をエッチングした第２導電パターンからビルドアップ層を形成する。 - 特許庁

The retainer 28 includes a plurality of second opening portions 32 joined to the surface sheet 22 on the seam 25 for transmitting noise energy through the retainer 28 to the noise attenuation layer 20.例文帳に追加

リテーナ２８はシーム２５上の表面シート２２に接合され、かつリテーナ２８を通して騒音減衰層２０へ騒音エネルギを伝達する複数の第２開口部３２を含む。 - 特許庁

The second conductivity- type diffused layer 3e which is selectively formed on one face of the substrate 2c is constituted so that it is not electrically connected to other elements.例文帳に追加

基板２ｃの一主面に選択的に形成された第２導電型の拡散層３ｅは、電気的に他の素子と接続されていないように構成されている。 - 特許庁

The liquid crystal display device (100) includes a first electrode (122) having a surface (122a), a first substrate (120), a second substrate (140), and a liquid crystal layer (160).例文帳に追加

本発明による液晶表示装置（１００）は、表面（１２２ｓ）を有する第１電極（１２２）と、第１基板（１２０）と、第２基板（１４０）と、液晶層（１６０）とを備える。 - 特許庁

In the carbon-based composite material 2, cracks are formed between the crystal grains having the anisotropy in thermal expansion in a cooling process after the second coating layer 10 has been formed.例文帳に追加

この炭素系材料２によれば、第２の被覆層１０の製膜後の冷却過程において、熱膨張異方性結晶粒子間にクラックが形成される。 - 特許庁

The capacitance insulating film has laminated films in which a first metal oxide film and a second metal oxide film are alternatively laminated so that the first metal oxide film contacts with the adhesive layer.例文帳に追加

容量絶縁膜は、第１の金属酸化膜が密着層に接するように、第１の金属酸化膜と第２の金属酸化膜を交互に積層した構造を備える。 - 特許庁

A bottom section of the first projecting section is positioned below the bottom surface of the core layer 17 and a bottom section of the second projecting section is positioned higher than the bottom section of the first projecting section.例文帳に追加

第１の突起部の底部は、コア層１７の下面よりも下方に位置し、第２の突起部の底部は、第１の突起部の底部よりも上方に位置する。 - 特許庁

To suppress connection between an air gap and a via even if there occurs a positinal shift between the via and an interconnect when a connection hole as the via is formed in a second insulating layer.例文帳に追加

第２絶縁層にビアとなる接続孔を形成するときにビアと配線の間に位置ずれが生じても、エアギャップとビアが繋がることを抑制できるようにする。 - 特許庁

Thickness of the field insulation film 4 can be set regardless of the thickness of the base layer 10 and the width of an intrinsic base, i.e., the width of the second opening, can be reduced.例文帳に追加

フィールド絶縁膜４の厚みはベース層１０の厚みに関係なく設定でき、また、真性ベースの幅、即ち第２の開口の幅を縮小することができる。 - 特許庁

Then the end parts of the first shield box 85 and the second shield box 86 are connected to a GND (ground) layer 89 of the circuit board 81 loaded with the chip device 83.例文帳に追加

そして、第１のシールドボックス８５及び第２のシールドボックス８６の端部を、チップデバイス８３が搭載されている回路基板８１のＧＮＤ（グランド）層８９に接続する。 - 特許庁

To suppress the interlayer interference to be small by a simple medium constitution, in a multi-layer optical information recording medium having a first and a second recording layers on one side.例文帳に追加

片面に第１と第２の記録層を有する多層型光学的情報記録媒体において、簡単な媒体構成で層間の干渉を小さく抑える。 - 特許庁

The check symbol of the second layer is generated in accordance with the contents of other pages in the memory written before the page including the code word in response to reception of the data.例文帳に追加

第２の層のチェック・シンボルは、データの受信に応じて、更にコードワードを含むページよりも前に書き込まれたメモリにおける他のページの内容に応じて発生させる。 - 特許庁

Naturally emitted light includes many divergent components, so the light is reflected and scattered by a second oxide layer 42 to suppress its propagation to the side of the semiconductor optical detecting element 1.例文帳に追加

自然放出光は発散成分が多いので、第２酸化層４２によって反射散乱されて、半導体光検出素子１側への伝播が抑えられる。 - 特許庁

In the p-type clad layer 25 or p-type buried region 13, the concentration of the p-type dopant of the second part is lower than the concentration of the p-type dopant of the first part.例文帳に追加

ｐ型クラッド層２５及びｐ型埋め込み領域１３の一方において、第２部分のｐ型ドーパントの濃度が第１部分のｐ型ドーパントの濃度より低い。 - 特許庁

An etching stopper film 14 covering the fuse layer 12 is formed on the first insulating film 13, and a second insulating film 16 covering the etching stopper film 14 is formed.例文帳に追加

第１の絶縁膜１３上にはヒューズ層１２を覆うエッチングストッパー膜１４を形成し、エッチングストッパー膜１４を覆う第２の絶縁膜１６を形成する。 - 特許庁

A second low dielectric constant film LOWK2c, a third low dielectric constant film LOWK3c, and a film serving as a mask layer are laminated on a diffusion prevention film ADF in this order.例文帳に追加

拡散防止膜ＡＤＦ上に、第２の低誘電率膜ＬＯＷＫ２ｃ、第３の低誘電率膜ＬＯＷＫ３ｃ、マスク層となるべき膜がこの順に積層される。 - 特許庁

The cathode conductive layer 111 is formed to become thicker in thickness from a first end part 112 side toward a second end part 113 side opposite to the first end part 112.例文帳に追加

正極導電性層１１１は第１端部１１２側からそれとは反対側の第２端部１１３側にかけて厚みが厚くなるように形成している。 - 特許庁

The control gate 9a and the dummy gate 9b are patterned from the same second layer polysilicon film, and the insulation films 10a and 10b are patterned from the same ONO film.例文帳に追加

制御ゲート９ａ及びダミーゲート９ｂは、同じ２層目のポリシリコン膜からパターニングされ、各絶縁膜１０ａ，１０ｂは同じＯＮＯ膜からパターニングされたものである。 - 特許庁

In a second step, a chemical treatment by ion exchange is performed to the glass substrate 1 to form a compressive stress layer 20 on an upper side and a backside of a bottom of the cutting groove 5.例文帳に追加

第２のステップでは、ガラス基板１に対してイオン交換による化学的処理を行い、切断溝５の底部の表側と裏側に圧縮応力層２０を形成する。 - 特許庁

First and second conductor paths 1 and 2 are supported by a dielectric base body 3 and face each other through a dielectric layer 30 of the dielectric base body 3.例文帳に追加

第１及び第２の導体線路１，２は、誘電体基体３によって支持され、誘電体基体３による誘電体層３０を介して互いに対向する。 - 特許庁

A first source line and power supply wiring are formed in an uppermost layer of a semiconductor substrate, and are arranged from the first sense amplifier of a pad column side to the second sense amplifier.例文帳に追加

第１のソース線及び電源配線は、半導体基板の最上層に形成され、パッド列側の第１のセンスアンプから第２のセンスアンプ側に配置されている。 - 特許庁

A buffer layer 2, having a laminated structure composed of first AlN layers 8 and second GaN layers 9 which are alternately laminated in some layers, is formed on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコンから成る基板１の上にＡｌＮから成る第１の層８とＧａＮから成る第２の層９とを交互に複数積層した構造のバッファ層２を設ける。 - 特許庁

A second base region 116 is formed on a surface layer of a deep well 112 and positioned between a first base region 114 and a sinker 110 in a plan view.例文帳に追加

第２のベース領域１１６は、ディープウェル１１２の表層に形成されており、平面視において第１のベース領域１１４とシンカー１１０との間に位置している。 - 特許庁

The second molten resin P2 is solidified in the gap 20 after cooled to a temperature, which forms a fusion layer with respect to the cover 8b of the electric wire 8, or below to form a holding part 21.例文帳に追加

第二溶融樹脂Ｐ２は、電線８の外被８ｂとの間に融着層を生成する温度以下に冷却された後、隙間２０で固化して保持部２１を形成する。 - 特許庁

A cured layer M is obtained by irradiating a light beam L to the whole of a second stage 20b and part of an overlapping region 20v and curing a powder material P (first shaping step).例文帳に追加

第２ステージ２０ｂの全体とオーバーラップ領域２０ｖの一部に光ビームＬを照射し、粉末材料Ｐを硬化させて硬化層Ｍを得る（第１形成工程）。 - 特許庁

A slit portion 515a is formed in the auxiliary wiring 515 above the scanning line (Lscan) of a second wiring layer L2, then, a parasitic capacity (Cscan) is reduced, and the wiring delay is reduced.例文帳に追加

第２配線層Ｌ２の走査線Ｌscan上の補助配線５１５にスリット部５１５ａを形成することで、寄生容量Ｃscanを軽減して配線遅延を緩和する。 - 特許庁

Wedge parts 130 interposed between wedge-shaped reflecting faces 122 are filled with a light-transmissive resin having a lower refractive index than the second lens layer 120.例文帳に追加

さらに、クサビ状反射面１２２によって挟まれたクサビ部１３０には、第２のレンズ層１２０よりも屈折率が小さい光透過性樹脂が充填されている。 - 特許庁

Thus, a layer of the second refrigerant small in the specific heat is formed at the cylinder head 4 side of a high heat load, and the heat loss to the refrigerant is suppressed, and the warm-up is promoted.例文帳に追加

これにより、熱負荷の高いシリンダヘッド４側には、比熱の小さい第２冷媒の層が形成され、冷媒への熱損失が抑制され、暖機が促進される。 - 特許庁

In the Sn-Cu-Ag film of the second layer, it is desirable that the content of Ag to Sn-Cu is ≥3 mass% and <30 mass%.例文帳に追加

第２層のＳｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜において、Ｓｎ−Ｃｕに対するＡｇの含有量が、３質量％以上、３０質量％未満であることが望ましい。 - 特許庁

Since the developing treatment S12 is performed after the damage layer is removed by the pretreatment S11, it is possible to smoothly and evenly perform the second time developing treatment S12.例文帳に追加

前処理Ｓ１１によりダメージ層を除去した後で現像処理Ｓ１２を行うので、２回目の現像処理Ｓ１２をスムーズに均一性良く行うことができる。 - 特許庁

Thus, when the optical disk is loaded in an optical disk recording device, the optical disk is held in the projected second area and the discoloration layer can be arranged at a higher position.例文帳に追加

従い、光ディスクを光ディスク記録装置に取り付けたときに、突出した第２の領域で光ディスクが保持され、変色層をより高い位置に配置することができる。 - 特許庁

A second insulating layer 236 has a two-layered structure of an insulating film 236A having a relatively low coefficient of thermal expansion and an insulating film 236B having a relatively high coefficient of thermal expansion.例文帳に追加

第２絶縁層２３６は、熱膨張率の相対的に低い絶縁膜２３６Ａと、熱膨張率の相対的に高い絶縁膜２３６Ｂとの２層構造からなる。 - 特許庁

The anode activator layer 22B has such a liquid-absorbing property that a contact angle of propylene carbonate at 0.1 second after dropping 5 μl of propylene carbonate becomes 14 degrees or less at 23°C.例文帳に追加

また、負極活物質層２２Ｂは、２３℃において炭酸プロピレン５μｌを滴下した際に、０．１秒後の接触角が１４度以下となる吸液特性を有している。 - 特許庁

The interposer 10 is successively placed on each antenna 22 of the antenna formed sheet 20 equipped with a second non-conductive layer 21 and a plurality of antennas 22, and extended in a belt shape.例文帳に追加

第２非導電層２１と、複数のアンテナ２２とを有し、帯状に延びるアンテナ形成済シート２０の各アンテナ２２上にインターポーザー１０を順次載置する。 - 特許庁

By draining the liquid water amount by purge treatment, the water amount maintained by the gas diffusion layer 5 is suppressed to not more than a second water amount.例文帳に追加

そして、この排水液水量をパージ処理により排水することにより、ガス拡散層５によって保持される液水量を第２の液水量以下に抑制する。 - 特許庁

The first sealing resin 12 covers the edge part of the phosphor layer 112, and the second sealing resin 13 covers the connection part of the terminal part 2a of the flexible circuit board 2.例文帳に追加

第１の封止樹脂１２は、蛍光体層１１２の端部を被覆し、第２の封止樹脂１３は、フレキシブル回路基板２の端子部２ａの接続部を被覆する。 - 特許庁

A prescribed amount of pressurized gas is charged into the core layer resin 28 by a pressurized gas injection port 24 formed in the nozzle part 13a of a second injection unit 13.例文帳に追加

第２射出ユニット１３のノズル部１３ａに設けられた加圧気体注入口２４により所定量の加圧気体をコア層樹脂２８内に圧入、介在させる。 - 特許庁

A mode field of the light transmitted through the waveguide of the first core is transformed adiabatically and the transformed mode field is transmitted to the waveguide of the second core through the third core being an intermediate layer.例文帳に追加

第１のコアの導波路を伝搬した光のモードフィールドが断熱的に変換されて、中間層となる第３のコアを介して、第２のコアの導波路に伝搬する。 - 特許庁

The main wavelength of the fluorescent light emitted from the second fluorescent material is longer than the main wavelength of the fluorescent light emitted from the first fluorescent material contained in the fluorescent material containing resin layer 105.例文帳に追加

第二の蛍光体が放射する蛍光の主波長は、蛍光体含有樹脂層１０５に含まれる第一の蛍光体が放射する蛍光の主波長より長い。 - 特許庁

The electrode pad includes: a first region having connections with the rewiring layer; and a second region on which a test probe is abutted in an inspection process of the semiconductor substrate.例文帳に追加

電極パッドは再配線層との接続部を有する第１領域と、半導体基板の検査工程で検査プローブが当接される第２領域とからなる。 - 特許庁

The dielectric layer substantially covers the one or more sidewalls of the mounting pad and has an uppermost surface that is substantially coplanar with the second surface of the mounting pad.例文帳に追加

誘電体層は、実装パッドの１つまたは複数の側壁を実質的に覆い、実装パッドの第２の表面と実質的に同一平面である最上表面を持つ。 - 特許庁

A source/drain electrode 15 is formed on one main surface of a second substrate 11, and a semiconductor thin-film layer 17 made of an organic material is formed while covering them.例文帳に追加

第２基板１１の一主面上にソース／ドレイン電極１５を形成し、これらを覆う状態で有機材料からなる半導体薄膜層１７を形成する。 - 特許庁

A thermal recording layer 12 comprises cyan, magenta and yellow thermal color developing layers 21, 22 and 23 successively in this order from a substrate 11 side through the first and second intermediate layers 26 and 27.例文帳に追加

感熱記録層１２は第１または第２中間層２６，２７を介して、支持体１１側より順にシアン、マゼンタ、イエローの感熱発色層２１，２２，２３とされる。 - 特許庁

At a connecting portion, the second contact surface 16b is steeper relative to an upper face of the first nitride semiconductor layer 13 than the first contact surface 16a.例文帳に追加

接続箇所において、第２のコンタクト面１６ｂは、第１のコンタクト面１６ａよりも第１の窒化物半導体層１３の上面に対して急峻である。 - 特許庁