「semi conductor layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A shield layer 17 is fixed to a metal layer 33 in the other-side main face of the semi-conductor substrate 23 by a conductive joining layer 35.例文帳に追加

半導体基体２３の他方の主面の金属層３３に対して導電性接合材層３５によってシ−ルド層１７を固着する。 - 特許庁

To provide a semi-conductor wafer plating tool which can form a plated layer having an uniform thickness on a surface of a semi-conductor wafer and prevent generation of burns of a contact part of an outer circumferential part of the surface.例文帳に追加

半導体ウェハーの表面に対して均一な厚みのメッキ層を形成することができ、表面の外周部分の接点部分の焼けの発生を防ぐ半導体ウェハー用メッキ治具を提供する。 - 特許庁

The conductor wire (3) has a semi-conductive layer which is formed by directly coating a semi-conductive paint in which a conductive substance such as carbon black powder is kneaded in an insulating paint, on the outer surface of a conductor, and baking it; and an insulating wire (5) which has formed an insulating layer on the outer surface of this conductor wire.例文帳に追加

カーボンブラック粉末のような導電性物質を絶縁塗料中に混練した半導電性塗料を導体の外表面に直接塗布焼付して形成した半導電層を有する導体線（３）、及び、この導体線の外表面に絶縁層を形成した絶縁電線（５）。 - 特許庁

This light emitter having a light-emitting layer comprising a nitride semi-conductor layer excited by the irradiation of electron beams or UV light to emit light is characterized in that the supper lattice structure of the nitride semi-conductor layer has regions having low defect concentrations and regions having high defect concentrations.例文帳に追加

電子線又は紫外線照射により励起されて発光する窒化物半導体層からなる発光層を含む発光体であって、該窒化物半導体層の超格子構造が、欠陥濃度の低い領域と欠陥濃度の高い領域を有する。 - 特許庁

The cable has a semi-conductive layer formed at least either between the inner conductor 10 and the insulation layer 30 and between the insulation layer it 30 and the outer conductor 50.例文帳に追加

このケーブルは、内部導体10と絶縁層30との間および絶縁層30と外部導体50との間の少なくとも一方に形成される半導電層を有する。 - 特許庁

SEED LAYER FORMING METHOD FOR DAMASCENE COPPER WIRE, AND SEMI-CONDUCTOR WAFER FORMING DAMASCENE COPPER WIRE USING THE METHOD例文帳に追加

ダマシン銅配線用シード層形成方法、及びこの方法を用いてダマシン銅配線を形成した半導体ウェハー - 特許庁

This device is intended for the use in manufacturing the thin film by the ALE method for the structure and a display unit of a semi-conductor layer.例文帳に追加

本装置は、半導体層の構造およびディスプレイユニットのためのＡＬＥ方法による薄膜の製造における使用に意図される。 - 特許庁

The photosensitized solar cell is provided with a semi-conductor electrode carrying colorant and carboxylic acid compound on its surface, a facing substrate installed facing a semiconductor electrode with space in between and provided with a conductor layer on its surface and an electrolyte layer, sandwitched in between the semi-conductor electrode and the conductor layer and consisting of iodine molecules and molten salt of iodide.例文帳に追加

表面に色素及びカルボン酸化合物が担持された半導体電極と、半導体電極に離間対向して配置され、表面に導電層を有する対向基板と、半導体電極と導電層とに挟持され、ヨウ素分子と、ヨウ化物の溶融塩とからなる電解質層とを具備することを特徴とする光増感型太陽電池を提供する。 - 特許庁

This high voltage fire-resistant cable C is formed by providing the fire-resistant layer, the insulator 4, a semi-conducting layer 5, a metal shielding layer 6, and a sheath 7 on a conductor 1 one by one.例文帳に追加

高圧耐火ケーブルＣは、導体１上に、耐火層、絶縁体４、半導電層５、金属遮へい層６およびシース７を順次設けることで構成されている。 - 特許庁

A power cable has a conductor 1, an inner semi-conductive layer 2b, and an insulator 3b, and the inner semi-conductive layer 2b is made of high molecular weight ethylene-vinyl acetate copolymer and semi-conductive carbon black, and the insulator 3b is made of heat resisting straight-chain polyethylene formed by polymerizing ethylene, propylene, and butene-1.例文帳に追加

導体、内部半導電層、絶縁体を有する電力ケーブルにおいて、内部半導電層を高分子量のエチレン−酢酸ビニル共重合体及び半導電性カーボンブラック等で構成し、絶縁体をエチレン、プロピレン及びブテン−１をモノマとして重合させて得られる耐熱性直鎖状ポリエチレンで構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reliably secure mutual bonding intensity at a contact interface between an insulating layer and a wire buried into the insulating layer, and also a method for manufacturing the semi conductor device.例文帳に追加

絶縁層とその絶縁層への埋め込み配線とが接触する界面における相互の密着強度を確実に確保することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The insulating resin layer 50 is formed by putting the insulating resin board 50 wherein a semi-hardened adhesive layer 40 is formed on the conductor 3 and the dendrite 3 and thereafter laminating and bonding them by pressurization and temperature rise.例文帳に追加

そして、絶縁樹脂層５０は、予め半硬化状態の接着剤層４０が形成された絶縁樹脂板５０を、導体部３及びデンドライト３上に重ねた後、加圧・昇温することにより積層接着させて形成する。 - 特許庁

To secure connection reliability between a lower-layer conductor circuit and an upper-layer conductor circuit as a whole in a multilayered wiring board, even when connection defects occur in some of a plurality of via holes by collectively forming the via holes at formation of via holes through the interlayer insulating layer, on which the upper-layer conductor circuit is formed by a semi-aditive method.例文帳に追加

セミアディティブ法により上層導体回路が形成された層間絶縁層にバイアホールを形成するに際して複数のバイアホールを集合して形成することにより、複数のバイアホールの内いくつかに接続不良が発生した場合においても、配線板全体として下層導体回路と上層導体回路との接続信頼性を確実に保持することが可能な多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

As the working treatment of irradiating a substrate with a laser beam, there is a solar panel manufacture in which a metal layer, a semi-conductor layer and a transparent electrode layer are successively formed on a glass substrate, and each layer is machined in a strip shape by using the laser beam in each process after forming each layer to produce a solar panel.例文帳に追加

基板にレーザ光を照射する加工処理としては、ガラス基板上に金属層、半導体層、透明電極層を順次形成し、形成後の各工程で各層をレーザ光を用いて短冊状に加工してソーラパネルを作成するソーラパネル製造などが該当する。 - 特許庁

Next, a dielectric layer 70 is embedded in an electrode part 66 of each movable Z electrode 62 from the surface of the semi-conductor substrate 2 to a midway part in the thickness direction of the cavity 10.例文帳に追加

そして、各Ｚ可動電極６２の電極部６６において、半導体基板２の表面から空洞１０へ向かう厚さ方向途中部まで、誘電層７０を埋め込む。 - 特許庁

The emission of the fluorescent light is caused by the incidence of the electrons into the quantum well structure of the nitride semi-conductor layer 14 and by the rebinding of the produced electrons to the positive hole pairs, and the speed of response is an order of μsec or higher.例文帳に追加

この蛍光は、窒化物半導体層１４の量子井戸構造への電子の入射と、これにより生成された電子と正孔の対の再結合に起因するものであり、その応答速度はμｓｅｃオーダー以下である。 - 特許庁

Powder coating constituted by having conductor added to ultraviolet curing resin powder is electrostatically applied on a surface of the elastic resin base material such as a semi-conductive elastic layer 3.例文帳に追加

紫外線硬化樹脂粉末に導電剤を添加してなる粉末塗料を、半導電性弾性層３などの弾性樹脂基材の表面に静電塗装する。 - 特許庁

To provide a piping member made of a multi-layer coated propylene resin suitable to use as a piping member related to a semi-conductor such as piping in an apparatus for producing secondary pure water or a semiconductor device or the like.例文帳に追加

２次純水製造装置や半導体製造装置内配管などの半導体関連の配管部材に用いて好適な多層被覆プロピレン樹脂配管部材を提供する。 - 特許庁

A back part of the connection terminal 11 of the shielded cable 10, an exposed part of a conductor 16, and an exposed part of a shield layer 13 are covered by a heat-shrinkable tube 18 made of semi-conducting resin, respectively.例文帳に追加

シールドケーブル１０端末の接続端子１１の後部から導体１６の露出部及びシールド層１３の露出部をそれぞれ半導電性樹脂製熱収縮チューブ１８によって被覆する。 - 特許庁

This ultra-violet ray cured film is formed by irradiating an ultra-violet ray having a maximum radiation wave length of not greater than 315 nm on a cured layer material comprising a silicone alkoxide compound and a photo-catalyzing semi-conductor compound.例文帳に追加

シリコンアルコキシド系化合物および光触媒性半導体化合物を含んでなる硬化層原料に、最大放射波長が３１５ｎｍ以下のＵＶを照射することにより形成される紫外線硬化層。 - 特許庁

At the same time, the composition covers the outer circumferential surface of the conductor 1 to form a semi-conductive layer 3.例文帳に追加

撚り合わせ導体１の上に半導電水密組成物を押出被覆し、導体１素線間の空隙に充填して水密層２を形成すると同時に導体１外周面にも被覆し半導電層３を形成する。 - 特許庁

Sensitizing pigment 13 included in the ethanol solution at 0.0003 moll/l of pigment concentration is applied on the semi-conductor particulate layer 12 by the extrusion coater, and after drying it with hot air, wet- washing is performed in acetonitrile solution.例文帳に追加

６０℃まで二酸化チタンの膜を冷却した後、Ｒ−１の色素（増感色素）を色素濃度0.0003モル／リットルのエタノール溶液とし、エクストルージョン型コータにより２０cc／m^2に塗布した後、１００℃の熱風乾燥を１分施した。 - 特許庁

To provide a semi-rigid type coaxial cable in which the rigidity on the surface of a porous insulating layer is increased, a sound metal plating outer conductor layer is formed on the surface of the porous insulating layer, and terminal workability is excellent, and provide its working method.例文帳に追加

多孔質絶縁層表面の剛性が高められ、また多孔質絶縁層の表面に健全な金属めっき外部導体層が形成され、更に端末加工性に優れたセミリジッド型同軸ケーブル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semi-transparent mirror transmissivity variable element is provided with a half mirror layer 4 on at least one of the substrate sides of a transparent element 3 having a dimming layer 2 where a light transmission quantity is varied by application of voltage and two light-transmissive conductor substrates 1 and 1' arranged on both of the sides of the dimming layer.例文帳に追加

電圧の印加により光の透過量が変化する調光層２と該調光層の両側に配置された２枚の光透過性導電基板１，１’を有する透過性素子３の少なくとも一方の該基板側にハーフミラー層４を具備してなる半透鏡性透過率可変素子を提供する。 - 特許庁

The insulated wire consists of a central conductor and an insulator formed around the periphery of the central conductor with polytetrafluoroethylene resin as a main ingredient, and the insulator has an inner layer in a baked state, an intermediate layer in a non-baked state or a semi-baked state and an outer layer in a baked state.例文帳に追加

中心導体と、該中心導体の周上に形成されたポリテトラフルオロエチレン樹脂を主成分とした絶縁体とからなる絶縁電線において、上記絶縁体は、内層が焼成状態、中間層が未焼成状態又は半焼成状態、外層が焼成状態であることを特徴とする絶縁電線と、該絶縁電線を使用した同軸ケーブル。 - 特許庁

In this semi-rigid cable, a brass wire 1 having a silver-plated layer 2 formed by plating silver high conductivity, a dielectric 3 made of a fluorine resin, a polymer film 4 with a film 5 of a good conductor (inner external conductor) stuck by a deposition method, and a metal pipe 6 of an outer external conductor having a small thermal conductivity are respectively coaxially formed.例文帳に追加

本発明に係るセミリジッドケーブルは、高い導電性を有する銀のメッキにより形成された銀メッキ層２をもつ真鍮製ワイヤ１と、フッ素樹脂で作製される誘電体３と、蒸着法により良導体の膜（内側の外部導体）５を付着させた高分子フィルム４と、外側の外部導体である熱伝導率の低い金属パイプ６と、をそれぞれ同軸に設けている。 - 特許庁

The total element concentration of sodium and potassium remaining on the nickel plating layer 5 and an interface between the nickel plating layer 5 and the aluminum electrode 3 of the semi-conductor apparatus thus manufactured is ≤3.20×10^14 atoms/cm^2.例文帳に追加

このように作製された半導体装置１の、ニッケルめっき層５およびニッケルめっき層５とアルミニウム電極３との界面に残留するナトリウムおよびカリウムの合計の元素濃度は３．２０×１０^14ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2以下である。 - 特許庁

To provide an electroless plating method capable of obtaining a thick plating layer on a surface of an insulating body or a semi-conductor by the electroless plating in a short time by using a supercritical fluid or a subcritical fluid and using the induction eutectoid phenomenon.例文帳に追加

絶縁体又は半導体の表面に、超臨界流体又は亜臨界流体を使用するとともに誘導共析現象を利用して短時間で厚いめっき層を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。 - 特許庁

A semi-conductor wafer in which a plurality of pads are formed on its surface and a plurality of structural bodies exposed to a pad forming surface side are formed, and a sheet on which a plurality of protective caps to protect the structural bodies are separately fixed while the pads are exposed on one surface of a support substrate via a heat-peelable layer are prepared.例文帳に追加

表面にパッドが複数形成され、パッド形成面側に露出する構造体が複数形成された半導体ウェハと、熱剥離層を介して、支持基板の一面上にパッドを露出させつつ構造体を保護するための保護キャップが互いに離間して複数固定されたシートを準備する。 - 特許庁

To carry out simultaneously a short circuit revision of TFT (Thin Film Transistor) semi conductor layer by simultaneously etching a short circuit position with the semiconductor in etching a protective film, which is set an outer surface of a pixel electrode in preparing an array substrate for a liq. crystal display device, and to dispense a special process for restoring a short circuit.例文帳に追加

液晶表示装置用のアレイ基板の製造に当たり、保護膜を画素電極の外側に設け、この保護膜のエッチング時に、半導体との短絡箇所も同時にエッチングすることにより、ＴＦＴ半導体層の短絡修正を同時に実施し、短絡修復のための特別な工程を不要にする。 - 特許庁

When a nitride semi-conductor layer 14 formed on one side 12a of a substrate 12 is subjected to the incidence of electrons to emit fluorescent light in the illuminant 10, the fluorescent light outgoes from the other side of the substrate 12.例文帳に追加

本発明に係る発光体１０においては、基板１２の一方の面１２ａに形成された窒化物半導体層１４が電子の入射により蛍光を発すると、少なくともこの蛍光の一部は基板１２を透過し、基板１２の他方の面１２ｂから蛍光を出射する。 - 特許庁

To provide a liquid carrying device which is capable of increasing the copper vapor deposition speed, and realizing the reproducibility when a copper layer is vapor deposited by a metal-organic chemical phase vapor deposition method using a raw liquid copper in the manufacturing process of a semi- conductor element.例文帳に追加

半導体素子の製造工程中、銅液体原料を用いて金属−有機化学気相蒸着法で銅層を蒸着する時、銅の蒸着速度を増大させるとともに、再現性を具現することのできる液体運送装置を提供すること。 - 特許庁

The semi-conductive member for image formation is an apparatus member like a contact charging member of the electrophotographic image forming apparatus, and materials constituting its outermost layer contain an inorganic filler having at least a crosslinked fluoride resin and a tabular structure, and conductive particles , and a flame retarder when desired, and the member may contain an electron conductor and a polymer matrix bearing ion conductor as a conductive material.例文帳に追加

電子写真方式画像形成装置の接触帯電部材等の装置用部材であって、その最外層を構成する材料に、少なくとも架橋フッ素樹脂及び板状構造を有する無機充填剤、導電性粒子、及び所望により難燃剤を含有し、また該導電剤として電子伝導剤及び高分子マトリクス担持イオン伝導剤を含有していてもよい画像形成用半導電性部材。 - 特許庁

The control method of an electrode 3 in a semi-conductor manufacturing apparatus having the electrode 3 with a degraded layer being formed on its surface by plasma comprises a step of measuring the thickness of the degraded layer on the surface of the electrode 3, and a step of determining the timing of changing the electrode when the measured thickness of the degraded layer reaches the reference value.例文帳に追加

プラズマによって表面に変質層が形成される電極３を有する半導体製造装置における電極３の管理方法において、前記電極３表面の変質層の厚みを測定する工程と、前記測定した変質層の厚みが基準値に達したら、電極の交換時期と判断する工程とを有することを特徴とする電極の管理方法。 - 特許庁

Rewiring is further executed to a member composed by forming a third insulation layer (in a semi-cured state) covering the insulation layer 44, thereafter superposing a first structure with a conductor to be connected to the projecting parts 43b through the rewiring formed therein on a second structure manufactured through a process similar to that of it, and thermally curing the third insulation layer to be integrated.例文帳に追加

さらに、絶縁層４４を覆う第３の絶縁層（半硬化状態）を形成後、上記再配線を介して突起部４３ｂに接続される導体が形成された第１の構造体と、これと同様の工程を経て作製された第２の構造体とを重ね合わせ、第３の絶縁層を熱硬化させて一体化したものに対し、さらに再配線を行う。 - 特許庁

A conductive surface side of a conductive support 11 of the conductive glass is coated with titanium dioxide dispersed solution by an extrusion coater, and dried so as to form a semi-conductor particulate layer 12 of a titanium dioxide layer.例文帳に追加

フッ素をドープした酸化スズをコーティングした導電性ガラスを２０mm×２０mmの大きさに切断加工したもの（導電性支持体）の導電面側に二酸化チタン分散液をエクストルージョン型コータにより塗布した後、赤外線乾燥装置で４５０℃まで膜面を加熱し、乾燥膜厚１０μm の二酸化チタン層（半導体微粒子層）を形成した。 - 特許庁

To obtain a unit cell structure suited to a highly integrated device and a high speed operation in a semi-customized conductor integrated circuit device wherein the degree of freedom about the substrate design of transistors is improved and the wiring layer conversion for processing input/output signals of unit cells which would obstruct the layout of other wiring layers is possibly reduced.例文帳に追加

セミカスタム半導体集積回路装置において、トランジスタの下地の設計に関する自由度を向上させ、更に、他の配線層敷設の妨げとなるような、ユニットセルの入出力信号を処理するための配線層変換を極力低減した、設計自由度が高く、高集積化および高速動作に適したユニットセルの構造を実現する。 - 特許庁