「sputter deposition method」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

APPARATUS FOR MAGNETRON SPUTTER FILM DEPOSITION, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マグネトロンスパッタ成膜装置、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

METHOD OF DC PULSE SPUTTER DEPOSITION AND FILM FORMING DEVICE THEREFOR例文帳に追加

パルス状直流スパッタ成膜方法及び該方法のための成膜装置 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE, AND MAGNETRON SOURCE AND SPUTTER DEPOSITION CHAMBER例文帳に追加

基板を製造する方法、マグネトロン源、およびスパッタリング成膜チャンバ - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR FORMING BASE COATING AND THIN FILM LAYER BY CONSECUTIVE SPUTTER DEPOSITION例文帳に追加

連続的なスパッタ堆積によってベースコートおよび薄膜層を形成するシステムおよび方法 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus, and a film deposition method having the high rate of film deposition on a surface of an object for film deposition by the reaction of sputter particles or evaporation particles.例文帳に追加

スパッタ粒子または蒸発粒子を反応させることによる成膜対象物表面の成膜の成膜速度が速い成膜装置および成膜方法の提供。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR MEASURING DISTRIBUTION OF SPUTTER DEPOSITION RATE FOR SIMULATION CALCULATION, METHOD FOR PROCESSING MEASURED DATA, AND METHOD FOR ESTIMATING GENERAL DISTRIBUTION CHARACTERISTICS例文帳に追加

シミュレーション計算のためのスパッタ堆積速度分布測定装置及び方法、測定データの処理方法、総合分布特性の予測方法 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING TRANSPORT FACTOR OF SPUTTER PARTICLE, FILM DEPOSITION METHOD, TARGET, SPUTTERING SYSTEM, AND FILM THICKNESS SIMULATION METHOD例文帳に追加

スパッタ粒子の到達率計測方法、成膜方法、ターゲット、スパッタ装置及び膜厚シミュレーション方法 - 特許庁

To provide a low-temperature film deposition method of a transparent conductive oxide film having lower electric resistivity by using a DC sputter method.例文帳に追加

直流スパッタ法を用いて、従来よりも低い電気抵抗率を有する酸化物透明導電膜の低温成膜を行う。 - 特許庁

A desiccant membrane 54 is formed on a flat plate 52 by a deposition method or a sputter method to manufacture the EL element sealing plate 100.例文帳に追加

蒸着法、又はスパッタ法で、平板５２に乾燥剤膜５４を成膜してＥＬ素子封止板１００を製造する。 - 特許庁

To provide a method and control system for depositing a layer in a sputter-deposition system having a target cathode.例文帳に追加

ターゲット陰極を有するスパッタ堆積システム内で層を堆積させるための方法および制御システムを提供する。 - 特許庁

METHOD AND SPUTTER-DEPOSITION SYSTEM FOR DEPOSITING LAYER COMPOSED OF MIXTURE OF MATERIAL AND HAVING PREDETERMINED REFRACTIVE INDEX例文帳に追加

複数の材料の混合物から構成され、かつ、予め決められた屈折率を有する層を堆積させるための方法およびスパッタ堆積システム - 特許庁

To surely form a thin film of stable deposition speed and high adhesive strength using an ECR sputter method.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ法を用いて、堆積速度が安定して密着強度が大きい薄膜を確実に形成できるようにする。 - 特許庁

After a wetting layer is formed on topography by the ion metal plasma deposition method, nearly the entire portion of a bulk metal layer is formed on the wetting layer, in a single deposition chamber by the sputter deposition method.例文帳に追加

トポグラフィ上にウェッティング層をイオン金属プラズマ蒸着法によって形成した後、単一のディポジション・チャンバ内で該ウェッティング層上にバルク金属層のほぼ全体をスパッタ蒸着法により形成する。 - 特許庁

Because the gas flow sputtering method does not require high vacuum exhausting, it is conducted by using the low cost equipment, and further because high speed sputter deposition is feasible, the electrochromic element is manufactured at a low cost due to reduction of a cost of equipment and shortening of sputter deposition time by adopting the gas flow sputtering method.例文帳に追加

ガスフロースパッタリング法は、高真空排気が不要であるため安価な設備で実施でき、しかも高速成膜が可能であることから、ガスフロースパッタリング法を採用することによる設備費の低減、成膜時間の短縮により、エレクトロクロミック素子を安価に製造することが可能となる。 - 特許庁

The structure part and/or the electrode layers and the buffer part are consecutively formed by a sputter method, a vapor deposition method, an aerosol deposition method, an ion plating method, an ion cluster method, a laser beam abrasion method, etc.例文帳に追加

緻密構造部及び／又は電極層と上記バッファ部とを、スパッタ法、蒸着法、エアロゾルデポジション法、イオンプレーティング法、イオンクラスタ法及びレーザービームアブレーション法などによって連続して形成する。 - 特許庁

To provide a sputter film deposition machine which minimizes the space required to be exhausted, realizes uniform simultaneous two-side film deposition, and performs multilayer film deposition consisting of a plurality of materials without opening a chamber, and to provide a sputtering film deposition method using the same.例文帳に追加

スパッタ成膜機及び当該成膜機を用いたスパッタリング成膜方法に関し、排気の必要な空間を最小限とし、均一な両面同時成膜を可能にすると共に、チャンバーを開くことなく複数材料の多層成膜を可能にする。 - 特許庁

To provide a sputter deposition system having shields which catch inclined sputtering targets and particles having the possibility of being fallen from the targets on the way and prevent the deposition of the particles on a workpiece and to provide a method therefor.例文帳に追加

傾斜したスパッタリングターゲットとターゲットから落下する可能性のある粒子を途中捕捉して該粒子がワークピースに堆積しないようにするシールドとを有するスパッタ堆積装置および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of making a substrate have a photo-induced hydrophilic surface by forming a photo-induced hydrophilic coating on the substrate by spray pyrolysis, chemical vapor deposition or magnetron sputter vacuum deposition, and to provide an article obtained thereby.例文帳に追加

基体上に、噴霧熱分解、化学蒸着、又はマグネトロンスパッター真空蒸着により光誘導親水性被覆を形成することにより、基体に光誘導親水性表面を与える方法及び物品を提供する。 - 特許庁

The optical waveguide is manufactured by a self-cloning method, in which the ratio of the deposition to that of the etching is optimized, when the core or a part of the core formed with a dielectric multilayer type photonic crystal is sputter etched simultaneously or alternately sputter deposited.例文帳に追加

誘電体多層膜型のフォトニック結晶で構成されるコアあるいはコアの一部を、スパッタデポジションと同時あるいは交互にスパッタエッチングを行う際、デポジションとエッチングの比率を適正化する自己クローニング法により作製する。 - 特許庁

In a method of forming a conductive thin film on a substrate using a sputtering phenomenon, at least one of deposition parameters including sputter electric power, sputter gas, and reactive gas is shifted to two values and its time division ratio is controlled during the thin film deposition.例文帳に追加

スパッタ現象を利用して基板上に導電性薄膜を形成する方法であって、薄膜形成中に、スパッタ電力、スパッタガス、および反応性ガスを含む成膜パラメータの少なくとも１つを２つの値に変動させ、その時間分割比を制御することを特徴とする導電性薄膜の形成方法である。 - 特許庁

With regard to a method of producing an SiGe semiconductor thin film by sputter deposition, a high frequency coil is installed around plasma generated on a target, and a current is made to flow to generate high-quality plasma, thereby producing a thin film having excellent semiconductor characteristics after sputter deposition.例文帳に追加

ＳｉＧｅ半導体薄膜を、スパッタ蒸着方法により作製する方法であって、ターゲット上に発生するプラズマの周辺に、高周波コイルを設置し、電流を流すことで、良質のプラズマを発生させて、スパッタ蒸着後の半導体特性が優れている薄膜を作製することからなるＳｉＧｅ半導体薄膜の作製方法、及びＳｉＧｅ薄膜。 - 特許庁

As coating work having the plasma etching resistance, there is alumite work (aluminizing) for instance and Al coating is by a thermal spray method or a sputter vapor deposition method.例文帳に追加

プラズマエッチング耐性を有する被膜加工としては例えばアルマイト加工（アルミナイズ）であり、溶射法やスパッタ蒸着法によるＡｌコーティングとしている。 - 特許庁

BACKING PLATE, SPUTTERING TARGET-BACKING PLATE ASSEMBLY, METHOD FOR JOINING SPUTTERING TARGET AND BACKING PLATE, AND METHOD OF SPUTTER FILM DEPOSITION例文帳に追加

バッキングプレート、スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体、スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合方法及びスパッタリング成膜方法 - 特許庁

Further, since the group XIII nitride is grown by a pulse sputter deposition method, semiconductor devices can be manufactured even on a substrate with a large area of ≥12 inch at high throughput.例文帳に追加

さらに、パルススパッタ堆積法によって１３族窒化物を成長させるので、例えば１２インチ以上の大面積の基板においても製造することができ、高いスループットで製造することができる。 - 特許庁

One conductivity silicon region and its electrode are formed by combination of a low temperature sputter epitaxial deposition method and a shielding mask, and then, the another conductivity silicon region and its electrode are formed by self-aligning technique.例文帳に追加

低温スパッタエピタキシャル堆積法と遮蔽マスクの組み合わせによって一導電型シリコン領域およびその電極を形成し、続いて自己整合的にもう一方の導電型シリコン領域とその電極を形成する。 - 特許庁

To provide a long-life organic LED element having equal or higher luminous efficiency as compared with the case of forming an opposing electrode by resistance heating deposition method, by completely preventing a sputter damage.例文帳に追加

スパッタダメージを完全に防止して、抵抗加熱蒸着法で対向電極を形成した場合と比べて、同等以上の高発光効率を有し、かつ長寿命な有機ＬＥＤ素子を提供することを課題とする。 - 特許庁

Preferably, by a low energy sputtering method under a sputter voltage of -50 to -300 V, film deposition is performed in such a manner that the film thickness of the metallic thin film (2) is controlled to 1 to 50 nm, and the film thickness of the ceramic thin films (3 and 4) is controlled to 10 to 500 nm.例文帳に追加

好ましくは、スパッタ電圧−５０〜−３００Ｖの低エネルギースパッタ法により、金属薄膜（２）は膜厚１〜５０ｎｍに、セラミック薄膜（３，４）は膜厚１０〜５００ｎｍに成膜する。 - 特許庁

The method has first and second thin film forming processes by sputter deposition and a simultaneous etching process for the first and second thin films and manufactures the thin films under the conditions to make the reflectivity of the second thin film higher than the reflectivity of the first thin film and to lower the resistance.例文帳に追加

スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。 - 特許庁

To provide a method and sputter-deposition system for depositing a layer composed of a mixture of a plurality of materials and having a predetermined refractive index.例文帳に追加

複数の材料の混合物から構成され、かつ、予め決められた屈折率を有する層を堆積させるための方法およびスパッタ堆積システムを提供する。 - 特許庁

This modifying method is characterized by forming a mixed film of copper and boron nitride on the surface of the inner wall of the vacuum vessel through simultaneous sputter deposition of copper and boron nitride with the use of a target made from a mixture of copper and boron nitride.例文帳に追加

銅と窒化ホウ素の混合体をターゲットとし、真空容器の内壁表面に銅と窒化ホウ素を同時にスパッタ蒸着して銅と窒化ホウ素の混合膜を真空容器内壁表面に形成させる。 - 特許庁

To provide a production method and device of an optical information record ing medium with excellent quality stability to eliminate an ignition defective phenome non for example in the DC sputter deposition of an AgInSbTe base recording films those main components are Sb and Te.例文帳に追加

Ｓｂ及びＴｅを主成分とする、例えばＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録膜のＤＣスパッタ成膜における着火不良現象をなくし、品質安定性に優れた光情報記録媒体を製造する方法及び装置を提供。 - 特許庁

To provide an indium metal target capable of improving productivity by increasing a deposition rate (sputter rate) of sputtering in a deposition process of a light-absorbing layer of a thin film solar cell using a compound semiconductor, and a method for manufacturing the target.例文帳に追加

化合物半導体による薄膜太陽電池の光吸収層の成膜工程において、スパッタリングの成膜速度（スパッタ速度）を上げ、生産性を向上させることができるインジウムメタルターゲット及び同ターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

There are provided an ITO electrode including a plurality of ITO films laminated and formed on a semiconductor layer using GaN as a main material by a vacuum deposition method and a sputter method, its manufacturing method, and a nitride semiconductor light-emitting element having the ITO electrode.例文帳に追加

ＧａＮを主原料とする半導体層上に積層され、真空蒸着法及びスパッタ法により形成された複層のＩＴＯ膜を含むＩＴＯ電極及びその作製方法、並びにＩＴＯ電極を有する窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁

To obtain a backing plate an assembly of sputtering target and backing plate, a method for joining the sputtering target and the backing plate, and a method of sputter film deposition capable of preventing warping and cracking and hardly causing the melting of a brazing filler metal for bonding even if applied electric power is increased.例文帳に追加

反り、割れを防止し、かつ投入電力を上げてもボンディング鑞材の溶け出しが生じにくいバッキングプレート、スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体、スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合方法及びスパッタリング成膜方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

In the deposition of the transparent conductive film, the transparent conductive film is deposited using a manufacturing condition of the sputtering where the magnetic force of the outside magnetic pole in the magnetic circuit part of the sputter cathode is higher than the magnetic force of the center magnetic pole to form a non-equilibrium state even in the non-heat or low temperature method.例文帳に追加

透明導電膜の成膜時、無加熱、又は低温法であって、スパッタカソードの磁気回路部の外部磁極の磁力が中心磁極の磁力より大きく非平衡としたスパッタリングの製造条件を用いて透明導電膜を形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。 - 特許庁

In order to especially form an organic light emitting diode, in a method for forming the ITO layer on the substrate, a part of a thickness of the ITO layer is firstly given by a sputter-deposition at a controlled temperature profile in such a mode that formation of a crystal nucleus may be prevented.例文帳に追加

特に有機発光ダイオードを生成するために、基板上にＩＴＯ層を生成するための方法において、ＩＴＯ層の厚さの一部を最初に、制御された温度プロフィールで、結晶化核の形成が防がれるような態様で、スパッタ堆積によって与える。 - 特許庁

To provide a method and system for depositing a metal oxide, in which deposition is performed with good film characteristics on an organic layer while making effective use of the excellent features of the film structure by ordinary sputtering by reducing the kinetic energy possessed by the sputter particles (thin film-constituting atoms) in sputtering and a method and apparatus for manufacturing an organic EL element.例文帳に追加

スパッタリングにおけるスパッタ粒子（薄膜構成原子）の持つ運動エネルギーを軽減することにより、通常のスパッタリングによる優れた膜構造の特徴を活かしつつ有機層上に特性の良い成膜を可能にする、金属酸化物の成膜方法および成膜装置、有機ＥＬ素子の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

This method for producing a spinel ferrite thin film with (100) the preferred orientation on a substrate includes: a sputter deposition step of forming a spinel ferrite thin film or a thin film serving as a precursor thereof on the substrate by means of a sputtering method; and a vacuum heating step of heating the substrate in a vacuum.例文帳に追加

基板上に（１００）優先配向のスピネルフェライト薄膜を製造する方法であって、前記製造方法は、スパッタリング法でスピネルフェライト薄膜もしくはその前駆体となる薄膜を基板上に形成するスパッタ成膜ステップと、その基板を真空中で加熱する真空加熱ステップとを有することを特徴とするスピネルフェライト薄膜の製造方法。 - 特許庁

To improve plasma density and to increase a film forming speed by preventing the plasma radial direction diffusion generated in the space formed with facing electrodes having a cusp shape magnetic field arranged near the outer peripheral part of a discharge space in a sputter deposition apparatus to form a film on a substrate by a sputtering method.例文帳に追加

基板面上にスパッタリング法により成膜するスパッタデポジション装置において、放電空間の外周部近傍に設けたカスプ状磁場によって、対向した電極で形成される空間内に生成させるプラズマの径方向拡散を防止して、プラズマ密度の向上と成膜速度の向上を目的とする。 - 特許庁

In the method for simultaneously forming the contact holes on a gate electrode on the Si active layer and via an insulating SiO_2 film, oxide films that are left in the irregularities of the Si active layer are removed effectively, by subsequently performing sputter etching by Ar gas with a sputtering device and continuously performing sputtering deposition after performing reactive ion etching by a fluorine gas system and wet etching by a buffered hydrofluoric acid.例文帳に追加

Ｓｉ活性層上、及び絶縁ＳｉＯ_２膜を介してゲート電極上にコンタクト孔を同時に形成する方法において、フッ素ガス系による反応性イオンエッチング及びバッファードフッ酸によるウェットエッチングの後に、引き続いてスパッタ装置によりＡｒガスによるスパッタエッチング、及びスパッタ成膜を連続して行うことにより、Ｓｉ活性層の凹凸部に残留する酸化膜を効果的に除去する。 - 特許庁