「sputtering process」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

After that, a co-sputtering process that uses the copper target and the silicon oxide target or a sputtering process that uses the composite target is performed to deposit a compound film on a surface of the substrate.例文帳に追加

その後、銅ターゲットおよびシリコン酸化物ターゲットを使用して同時スパッタリングプロセスを行うか、あるいは、複合ターゲットを使用してスパッタリングプロセスを行って、基板の表面に混合膜を沈積させる。 - 特許庁

To provide a sputtering wiring process for forming wiring by sputtering, which pinches an outer periphery of a substrate between a heater and a clamp ring in a sputtering device to hold the substrate, which prevents the substrate from getting chipped.例文帳に追加

配線部をスパッタリングにより形成するスパッタ配線工程において、基板の外周部を、スパッタ装置内のヒーターとクランプリングとにより挟み込み、基板を保持することによる、基板の欠けの発生を抑制する。 - 特許庁

The sputtering method has a sub-process area 23 set at a position in the vicinity of a main process area 22 set according to a region to have the circuit corrected and the sub-process area 23 is sputtered before the main process area 22.例文帳に追加

回路修正を行う範囲に対応して設定されるメイン加工エリア２２の近傍位置にサブ加工エリア２３を設定し、メイン加工エリア２２に先立ってサブ加工エリア２３を事前にスパッタする。 - 特許庁

A large amount of plasma energy is applied in a process (2) where a ZnO thin film is deposited by sputtering.例文帳に追加

スパッタリングによりＺｎＯ薄膜堆積を行う工程（２）では、大きなプラズマ・エネルギーが加えられている。 - 特許庁

A DC magnetron reactive sputtering process is provided by utilizing a reactive carrier gas mixture.例文帳に追加

本発明は、反応性キャリアガス混合物を利用して、ＤＣマグネトロン反応性スパッタリングプロセスを提供する。 - 特許庁

To directly form a BiFeO_3 film of high quality on a silicon substrate using a sputtering process.例文帳に追加

スパッタ法を用いて、良質なＢｉＦｅＯ_3膜を直接シリコン基板の上に形成できるようにする。 - 特許庁

The method for sputtering includes a first process (S02) to form a film having high resistivity by sputtering on a shield member disposed near the target, a second process (S03) to dispose a substrate to face the target and a third process (S04) to form, using the target, a dielectric film on the substrate by sputtering.例文帳に追加

このスパッタリング方法は、スパッタリングでターゲットの近傍に配置されたシールド部材に高比抵抗膜を形成する第１の工程（Ｓ０２）と、基体をターゲットに対向させて配置する第２の工程（Ｓ０３）と、スパッタリングでターゲットにより基体上に誘電体膜を形成する第３の工程（Ｓ０４）とを含む。 - 特許庁

When depositing the colossal magneto-resistive material thin film which has epitaxially grown after crystal orientation on a base electrode by sputtering using facing targets, a sputtering process having at least two steps are used, a deposition rate is relatively slowed down in the sputtering process in a first step, and the deposition rate is relatively accelerated in the sputtering process in later steps to form the thin film.例文帳に追加

対向ターゲットを用いたスパタッリングによって下地電極上の結晶方位に倣ってエピタキシャル成長した巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜する際に、少なくとも２段階のスパッタリング工程を用い、第１段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に遅くし、その後の段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に速くして薄膜を形成する。 - 特許庁

The sputtering method and the PLD method are used to deposit the fluorescent film fabricating a target of such as a sputtering process using a substance in which a fluorescent material is mixed with SiO2 or SiO.例文帳に追加

スパッタリング法やPLD法はSiO2またはSiOに蛍光体が混ざり合った物質を使用してスパッタリング工程などのターゲットを作って蛍光膜を蒸着するのに使用する。 - 特許庁

To provide a film deposition method which forms a high-quality film in a low-temperature process and which can freely control a nature of the film in a sputtering method and a sputtering apparatus.例文帳に追加

スパッタリング方法および装置において、低温プロセスで高品質な膜を形成するとともに、膜の性質を自由に制御可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface treatment device where the application of bias voltage upon sputtering treatment to the substrate to be treated and power supply upon etching treatment by a sputtering process can be satisfactorily performed.例文帳に追加

被処理基板へのスパッタ処理の際のバイアス電圧の印加や、スパッタ法によるエッチング処理の際の給電を良好に行える表面処理装置を提供する。 - 特許庁

A vacuum chamber is partitioned symmetrically into a sputtering chamber 11a capable of performing a sputtering process and a chemical film deposition chamber 11b capable of performing a chemical film deposition process, and a substrate transport means 3 for freely transporting a substrate S to be treated is positioned between respective film deposition positions in the sputtering chamber 11a and the chemical film deposition chamber 11b.例文帳に追加

真空チャンバを、スパッタリング法を実施できるスパッタ室１１ａと、化学的成膜法を実施できる化学的成膜室１１ｂとに左右に区画し、スパッタ室内及び化学的成膜室の各成膜位置の間で処理基板Ｓを移動自在とする基板搬送手段３を設ける。 - 特許庁

To provide a ceramic sputtering target by which cracking in a sintered body occurring during a manufacturing process (particularly bonding step) of the ceramic sputtering target and when attaching the target to a film deposition system and using it for sputtering can be reduced with higher certainty.例文帳に追加

セラミクス材ターゲットの製造工程（特にボンディング工程）やターゲットを成膜装置に取り付けスパッタリングに供した時に発生する焼結体の割れをより確実に低減できるセラミクス材スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a film with a sputtering process, which can further improve the crystallinity of an LaB_6 film, and also does not cause the peeling of the LaB_6 film.例文帳に追加

ＬａＢ_６膜の結晶性を更に改善でき、剥離も少ないスパッタ形成方法を提供する。 - 特許庁

(1) In the sputtering process, a surface resistance of a metal coating film to be formed is controlled within 0.1-1.0 Ω/sq.例文帳に追加

（１）前記スパッタリング工程において、形成する金属被膜の表面抵抗を、０．１〜１．０Ω／□に制御する。 - 特許庁

The amorphous Al_2O_3 film can be deposited using a chemical vapor deposition, atomic layer deposition or sputtering process.例文帳に追加

上記アモルファスＡｌ_２Ｏ_３膜は、化学気相堆積法、原子層堆積法又はスパッタ法を用いて、堆積される。 - 特許庁

Thus, the electrode for sputtering can be protected from the plasma atmosphere formed by the process of the plasma polymerization.例文帳に追加

これにより、スパッタリング用電極をプラズマ重合のプロセスで生成したプラズマ雰囲気から保護することができる。 - 特許庁

After formation of the gate insulating film, the substrate is subjected to a sputtering process to form a barrier metal film of TiN and then to the CVD process to form a tungsten film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜を形成した後、スパッタ法によってＴｉＮからなるバリアメタル膜を形成し、ＣＶＤ法によってタングステン膜を形成する。 - 特許庁

The hard film is formed by repeating a stage where a film is formed by a cathode discharge type arc ion plating process and a stage where a film is formed by a sputtering process.例文帳に追加

カソード放電型アークイオンプレーティング法で皮膜を形成する工程とスパッタリング法で皮膜を形成する工程を繰り返して形成する。 - 特許庁

As the forming method, an Al film is formed with the sputtering process from aluminum (Al) as an electrode material and this film is changed to an electrode pattern with the dry etching process.例文帳に追加

形成方法は、電極材料であるＡｌをスパッタ処理によりＡｌ膜を形成し、リソグラフィ、ドライエッチング処理により電極パターンにする。 - 特許庁

A thin film is deposited by sputtering by spatially separating film deposition process zones 20 and 40 and a reaction process zone 60 from each other in a vacuum tank 11.例文帳に追加

真空槽１１内に成膜プロセスゾーン２０，４０と反応プロセスゾーン６０とを互いに空間的に分離させてスパッタにより薄膜を形成させる。 - 特許庁

In the sputtering process of the manufacturing method, sputtering is carried out within a substrate temperature range of 5-450°C, and within a range of 0.5-50 atom% of a scandium content rate.例文帳に追加

本発明に係る製造方法におけるスパッタリング工程では、基板温度を５〜４５０℃の範囲で、スカンジウムの含有率が０．５〜５０原子％の範囲となるようにスパッタリングする。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is composed of chromium or chromium alloy hardly causing splashes in a sputtering process, e.g. for forming an electrode material or a TFT-LCD.例文帳に追加

ＴＦＴ型ＬＣＤの電極材料の形成等におけるスパッタリング工程において、スプラッシュの発生が起こり難いクロムまたはクロム合金からなるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a winding device separately winding an unnecessary portion and a necessary portion of a long material when winding the long material, and suitable for, for example, winding a long resin film of small film thickness when the film is subjected to sputtering by a sputtering process having multi-stage sputtering steps.例文帳に追加

長尺材を巻き取る際に不要な部分と必要な部分とを分けて巻き取ることができ、例えば多段のスパッタ工程を有し、且つ膜厚の薄い長尺樹脂ファイルムにスパッタリングするときの巻き取りに好適な巻取装置を提供する。 - 特許庁

To provide an optical recording medium which can be manufactured without using a vacuum process which uses a sputtering device or the like.例文帳に追加

スパッタリング装置などを用いた真空プロセスを使用することなく製造可能な光記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering method forming a metallic thin film having a wide process window and also having resistance value lower than that of the conventional one.例文帳に追加

広いプロセスウインドウを有し、かつ従来より低い抵抗値を持つ金属薄膜を形成するスパッタリング法の提供。 - 特許庁

To decrease a necessity of performing maintenance in a state of opening a sputtering apparatus in the air and stabilize a film-forming process.例文帳に追加

スパッタ装置を大気に解放してメンテナンスを行う必要性を少なくするとともに、成膜プロセスを安定化させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a display device, for forming a conductive film on a glass substrate without using a sputtering process.例文帳に追加

スパッタリング法を使用することなく、ガラス基板に導電膜を設ける表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the second process, an optical shield film 9 is formed by sputtering on the conductive film 3 around the cylinder 7.例文帳に追加

第２工程では、スパッタリングにより導電膜３上であって円柱７の周囲に光学遮蔽膜９を形成する。 - 特許庁

Afterwards, the dielectric film 139 is subjected to a metal sputtering process to form a conductive material layer 180 thereon.例文帳に追加

その後、誘電体フィルム１３０に金属スパッタリングプロセスを施してその上に導電性物質層１８０を形成する。 - 特許庁

In the process shown in Fig. 1 (b), an SiO_2 film wherein dot bodies 104 are buried is deposited on a substrate by a sputtering method.例文帳に追加

図１（ｂ）に示す工程では、スパッタ法により、基板上にドット体１０４を埋めるＳｉＯ_2膜を堆積する。 - 特許庁

ARTICLE COATED WITH TITANIUM COMPOUND FILM, ITS MANUFACTURING PROCESS AND SPUTTERING TARGET USED FOR APPLYING THE FILM例文帳に追加

チタン化合物膜が被覆された物品、その物品の製造方法及びその膜を被覆するために用いるスパッタリングターゲット - 特許庁

To provide a boron nitride film which has satisfactory adhesion, comprises c-BN at a high ratio and has extremely excellent practicality even in the case a PVD process such as a sputtering process and an arc ion plating process is used.例文帳に追加

スパッタリング法やアークイオンプレーティング法等のＰＶＤ法を用いた場合でも密着性が良好でｃ−ＢＮを高い割合で有する極めて実用性に秀れた窒化ホウ素膜の提供。 - 特許庁

To suppress variability in film thickness in a process of depositing e.g. an antireflection coating by stabilizing film deposition rate from the initial stage of the use of a target to the end of its life in a sputtering deposition process using an Nb sputtering target.例文帳に追加

Ｎｂスパッタリングターゲットを用いたスパッタ成膜工程において、ターゲットの使用初期からライフエンドまで成膜速度を安定化させることによって、例えば反射防止膜の形成工程における膜厚のばらつきの発生を抑制する。 - 特許庁

The light shielding film 2 is composed of a metal-containing thin film deposited by a vacuum deposition process, a sputtering process, or a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) which hold the treatment temperature of ≤150°C.例文帳に追加

遮光膜２は１５０℃以下の処理温度を維持できる真空蒸着法、スパッタ法又はプラズマＣＶＤ法にて成膜された金属を含む薄膜からなる。 - 特許庁

To provide a target which suppresses generation of nodules when a transparent conductive oxide is formed by a sputtering process and can stably perform sputtering, to provide the transparent conductive oxide formed from the target, and to provide a method for producing the sputtering target.例文帳に追加

スパッタリング法により透明導電性酸化物を成膜する際のノジュールの発生を抑制し、安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、このようなターゲットからなる透明導電性酸化物、およびこのようなターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system where, when depositing a film by sputtering, the need of performing maintenance of a vacuum tank under release to the air can be reduced, and stabilization of a film deposition process can be attained.例文帳に追加

スパッタリングにより成膜するに際し、大気に解放してメンテナンスを行う必要性を少なくすることができ、成膜プロセスの安定化を図ることが可能となるスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a Cu sputtering target which can maintain self-maintenance discharge for a long time in such a manner that the state of plasma is made stable in the case a self ion sputtering process of Cu is applied.例文帳に追加

Ｃｕのセルフイオンスパッタ法を適用する場合において、プラズマ状態を安定させて長時間にわたって自己維持放電を持続させることを可能にしたＣｕスパッタリングターゲットが求められている。 - 特許庁

Using the sputtering target, a fluorescent film can be obtained in the coexistence of gaseous H_2S by a sputtering process, and the fluorescent film is suitable for forming an inorganic EL luminescent layer of an inorganic EL element.例文帳に追加

該スパッタリングターゲットを用いて、Ｈ_2Ｓガス共存下でスパッタリング法により蛍光体膜が得られ、該蛍光体膜は無機ＥＬ素子の無機ＥＬ発光体発光層を形成するのに好適である。 - 特許庁

To provide a sputtering target made of copper and a copper alloy in which the periods of carrying and preservation are prolonged, and which is usable in a highly clean atmosphere in a sputtering process.例文帳に追加

銅又は銅合金製スパッタリングターゲットの運搬や保管の期間を延ばすと共に、スパッタリングプロセスの高度な清浄雰囲気において使用可能な銅および銅合金製スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for forming a copper layer on a substrate preferably by using a sputtering process.例文帳に追加

本発明は、好ましくはスパッタリングプロセスを用いて、基板上に銅の層を形成するための方法および装置を提供する。 - 特許庁

The silicon oxide film is deposited with the plasma using a process that has simultaneous deposition and sputtering components.例文帳に追加

酸化シリコン膜は、同時堆積成分とスパッタリング成分を有するプロセスを用いてプラズマにより酸化シリコン膜が堆積される。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate holder capable of enhancing a manufacturing yield in a sputtering process of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板のスパッタリング処理における歩留まりを向上させることができる半導体基板保持装置を提供する。 - 特許庁

Thereafter, external electrodes 140, 142 are formed on both sides of the sintered structure by a low temperature process such as by sputtering or by plating.例文帳に追加

その後、焼結体の表裏面に、外部電極１４０，１４２が、スパッタリング法やメッキ法などの低温プロセスで形成される。 - 特許庁

DC-SPUTTERING PROCESS FOR MANUFACTURING THIN-FILM FERROELECTRIC CAPACITOR HAVING SMOOTHING ELECTRODE AND IMPROVED MEMORY RETENTIVITY例文帳に追加

平滑電極および向上されたメモリ保持性を有する薄膜強誘電体キャパシタを製造するためのＤＣスパッタリングプロセス - 特許庁