「sputtering process」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In this sputtering process, the flow rate of gaseous oxygen is set to be smaller than the upper limit at which a state where metal Ti is exposed to the surface of the target is regularly held.例文帳に追加

このスパッタ法において、酸素ガスの流量は、ターゲットの表面に金属Ｔｉが露出した状態が定常的に保持される上限の流量よりも少ない流量とすればよい。 - 特許庁

A film formed on the glass substrate or a silicon wafer using the wiring material through sputtering process shows a sufficiently low electric resistance and a strong adhesion strength to the substrate.例文帳に追加

このような構成の配線材料をスパッタ法によってガラス基板やシリコンウェハ上に成膜したところ、電気抵抗が十分に低く、かつ、基板との強い密着強度が観察された。 - 特許庁

To provide a Cu alloy film for reducing resistance in a process temperature region of a wiring film of a flat display device or the like, and a sputtering target material for forming the Cu alloy film.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるＣｕ合金膜とそのＣｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

The multilayer film mirror formed by the sputtering method is characterized in that a multilayer film of the multilayer film mirror contains <0.005 atm% sputter (process) gas.例文帳に追加

スパッタ法で形成した多層膜ミラーであって、前記多層膜ミラーの多層膜中に含まれるスパッタ(プロセス)ガスの含有量が0.005atm％未満であることを特徴とする多層膜ミラー。 - 特許庁

The photocatalyst comprises coating the substrate side with titanium dioxide and the surface thereof with an amorphous denseness calcium phosphate thin film on the surface of the substrate using a sputtering process.例文帳に追加

基材表面上にスパッタリング法を用いて、基材側に二酸化チタン、その表面にアモルファス緻密リン酸カルシウム薄膜がコーティングされていることを特徴とする光触媒。 - 特許庁

A nitrogen-substituted titanium oxide thin film is produced by RF magnetron sputtering process with a target as titanium oxide under the conditions in a nitrogen-containing inert gas atmosphere and at a substrate temperature of 400°C or higher.例文帳に追加

窒素含有不活性ガス雰囲気および基板温度４００℃以上の条件下、ターゲットを酸化チタンとするＲＦマグネトロンスパッタ法により窒素置換型酸化チタン薄膜を製造する。 - 特許庁

Thereafter, an Al layer is continuously formed (by performing sputtering without using the oxygen gas) to reform the surface of the target (the surface of the target is reformed each time the film-forming process is performed).例文帳に追加

その後、連続してＡｌ層を成膜する（酸素ガスを使用しないスパッタリングを行う）ことで、ターゲット表面が改質される（成膜処理の度に、ターゲット表面が改質される）。 - 特許庁

A planar target having rings which are annular step regions of the thickness increased prositionally corresponding to target raceway regions in which erosion grooves are caused in the process of sputtering is provided.例文帳に追加

スパッタリング中侵食溝が生じるターゲットレースウエイ領域に位置的に対応して増大された厚さの環状段領域であるリングを有する平面状ターゲットが提供される。 - 特許庁

To provide a nano crystal grain dispersion solution for providing the quality equal to that of an electronic device using the conventional sputtering process, vacuum deposition, and the like even in application or a dry technique.例文帳に追加

塗布、乾燥手法によっても、従来のスパッタリング法、蒸着法等を用いた電子デバイスと同様な品質を有することが可能なナノ結晶粒子の分散液を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the optical information recording medium comprises a process for forming an intermediate layer 6d thicker than the depth of the track guide grooves 3 of a track guide layer 4 on the substrate 2 on which the track guide layer 4 is formed and further alternately and continuously depositing the recording layers and the intermediate layers thereon by a vacuum deposition process or a sputtering process.例文帳に追加

トラックガイド層４を形成した基板２上に、前記トラックガイド層４のトラックガイド溝３の深さより厚い中間層６ｄを形成し、さらに記録層と中間層を真空蒸着プロセス、またはスパッタリングプロセスにより交互に連続形成する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In a process of forming the conductive paths by forming the first conductive film by a simple process of hardening the paste without using sputtering, chemical vapor deposition, and vacuum evaporation methods, the substrate is not exposed to vacuum and high temperature.例文帳に追加

第１導電膜を、スパッタリング法、化学気相成長法および真空蒸着法を用いないで、ペーストを塗布して硬化させるという簡単な工程によって、形成することによって導電路を形成する工程で、基板を真空および高温に曝すことがない。 - 特許庁

While the thermoplastic resin sheet is mounted on a plinth 11 whose rigidity is greater than that of the sheet, the sheet is subjected continuously to a press molding process for transferring a minute uneven pattern and a surface treatment process for carrying out sputtering film making, application forming, etc.例文帳に追加

熱可塑性プラスチックシートよりも剛性の大きい台座１１に熱可塑性プラスチックシートを載せた状態で、微細凹凸パターンの転写を行うプレス成型工程と、その後のスパッタリング成膜や塗布形成などの表面処理工程とを連続的に行う。 - 特許庁

A method of forming silicon(Si) target tiles in the fabrication of a silicon film for an integrated circuit(IC) deposited by sputtering comprises a process of forming silicon tiles, and a process of beveling the edges of the silicon tiles to minimize the generation of impurity particles.例文帳に追加

集積回路（ＩＣ）用のスパッタリング堆積されたシリコン膜の製造におけるシリコン（Ｓｉ）ターゲットタイルを形成する方法は、シリコンタイルを成形する工程と、不純物粒子の生成を最小にするためにシリコンタイルの辺を処理する工程とを包含する。 - 特許庁

The LaB_6 film having superior crystallinity can be obtained by an operation of sputtering an LaB_6 target in such an atmosphere that 0.01-5 vol.% of nitrogen gas is added to argon, when the LaB_6 film is formed on a substrate formed from tungsten or molybdenum and a material containing an oxide of a rare-earth element, with the sputtering process.例文帳に追加

タングステン又はモリブデンと、希土類元素の酸化物を含む材料からなる基体にスパッタリングによってＬａＢ_６膜を成膜する際、アルゴンに窒素ガスを０．０１〜５体積％添加した雰囲気でＬａＢ_６ターゲットのスパッタリングを行うことにより、結晶性の優れたＬａＢ_６膜が得られる。 - 特許庁

Using a high frequency reaction sputtering process in which an Al_2O_3 target is used and discharge is performed in a gaseous mixture of Ar and N_2 by a high frequency power source, and by adjusting relationship between the bias voltage to be applied at the sputtering and the temperature of a metal base material, the hard protective film is formed so as to have a plastic deformation hardness of ≥30 GPa.例文帳に追加

Al_2O_3ターゲットを用いて高周波電源によってAr及びN_2の混合ガス中で放電させる高周波反応スパッタ法を用い、その際に印加するバイアス電圧と金属母材の温度との関係を調整することによって、硬質保護膜を30GPa以上の塑性変形硬さに形成する。 - 特許庁

By the method of forming a transparent electrode film on an organic thin film without causing charge-up and with sputtering damage restrained, an improvement in characteristics (driving, life or the like) is expected for the transparent organic electroluminescent element and a top-emission organic electroluminescent element with a final film-forming process applied in the sputtering method.例文帳に追加

有機薄膜上への透明電極成膜をチャージアップを起こさず、かつスパッタリングダメージを抑制させながら行う方法であって、最終成膜プロセスがスパッタリング法である透明有機電界発光素子やトップエミッション型有機電界発光素子においては特性（駆動、寿命等）向上が期待できる。 - 特許庁

The method comprising the steps for providing a substrate 11 having a surface and a backside; depositing a film 15 composed of tantalum nitride (TaN) on the surface of the substrate by means of ion beam sputtering, in order to absorb EUV light used in a photolithography process; and depositing an electrically conductive film 16 on the backside of the substrate by means of ion beam sputtering.例文帳に追加

表面と裏面を有する基板１１を設ける工程と、フォトリソグラフィープロセスに使用されるＥＵＶ光を吸収するために、基板の表面にイオンビームスパッタリングにより窒化タンタル（ＴａＮ）からなる膜１５を沈積する工程と、基板の裏面にイオンビームスパッタリングにより導電膜１６を沈積する工程とを有する。 - 特許庁

Then, during the sputter etching process in the barrier layer 340, sputtering particles in the barrier layer 340 are laminated in a sidewall part 344 of the opening part while sputter etching is performed with respect to the barrier layer 340 of the plane part 342.例文帳に追加

次いで、バリア層３４０のスパッタエッチング工程は、平面部３４２のバリア層３４０をスパッタエッチングしながらバリア層３４０のスパッタ粒子を開口部の側壁部３４４に堆積させる。 - 特許庁

The rear surface of a wafer 1 is subjected to grinding after a barrier metal 4 is formed through sputtering or the like, thereafter a bump resist 5 with an opening located on the semiconductor electrode 2 is formed, and a bump 6 is formed through a plating process.例文帳に追加

バリアメタル４をスパッタリング等で形成後にウェハ１のバックグラインドを実施し、その後、半導体電極２上を開口したバンプレジスト５を形成し、めっき工程でバンプ６を形成する。 - 特許庁

To provide a light-shielding film to form a black matrix to be deposited in the process of manufacturing a color panel of a liquid crystal display or the like and to provide a sputtering target to form the light-shielding film.例文帳に追加

液晶ディスプレーなどのカラーパネルを作製する工程で積層させるブラックマトリックスを形成するための遮光膜およびそのを遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a vapor depositing target free from the generation of abnormal dischrge (arcing) in the process of sputtering film formation and imparting good film characteristics and to provide a method for efficiently producing a vapor depositing target.例文帳に追加

スパッタリング成膜中に異常放電（アーキング）が発生せず、良好な膜特性を付与する蒸着ターゲットを提供すること及び該蒸着ターゲットを効率的に製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an effective production method for a sputtering target large in scale and also having a fully homogenous fine structure, without a conventional process requiring long term and high-load energy.例文帳に追加

長時間かつエネルギー高負荷的な従来の圧延工程を要せずして、大型でかつ良好な均一微細組織を有するスパッタリングターゲットを製造するための効率的な方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for stably manufacturing a high-density Mg- containing ITO sputtering target at a low cost by which cracking during a manufacturing process can be suppressed and high yield can be attained.例文帳に追加

製造工程中にクラックが発生するのを抑制し高い歩留まりを達成することができ、安定的に低コストで高密度なＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットを製造する方法を提供する。 - 特許庁

The surface-treated product is characterized in that the surface of an object 3 to be treated such as a bolt and a nut is covered with a thin film composed of a corrosion resistant substance or a sacrificial substance by a sputtering process.例文帳に追加

本発明に係る表面処理物は、スパッタリング法によってボルトやナット等の被処理体３の表面に耐食性物質又は犠牲物質からなる薄膜が被覆されたことを特徴とする。 - 特許庁

Subsequently, a second copper thin film having sufficient thickness is formed through sputtering on the film 5 in a short time, and then flattened on its surface by a CMP process to form a copper wiring.例文帳に追加

続いてスパッタ法により第１銅薄膜５上に短時間で十分な膜厚の第２銅薄膜６を形成した後、ＣＭＰ法により表面を平坦化して銅配線７を形成する。 - 特許庁

In the process of forming the reflective conductive film, a direction in which the current of the semiconductor layer 12 flows is made different from a transport direction of the translucent substrate 1 by the inline sputtering device 80.例文帳に追加

そして、反射性導電膜を形成する工程において、半導体層１２の電流が流れる方向とインラインスパッタリング装置８０での透光性基板１の搬送方向を異ならせる。 - 特許庁

To provide a sputtering system in which the change command of power source control is transmitted synchronously with the timing of a process treatment change to eliminate an error by the delay of a serial communication, and which has high precision and high reproducibility.例文帳に追加

プロセス処理変更のタイミングに同期させて電源制御の変更コマンドを送信することで、シリアル通信の遅れによる誤差をなくし、高精度且つ再現性のよいスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system improved in a film thickness distribution by arranging a gas jet tube is arranged around a cathode case housing a cathode, thereby spreading a process gas uniformly near the center of a substrate.例文帳に追加

カソードを収容するカソードケースの周囲にガス噴出管を配置し、プロセスガスを基板中央付近まで均一に行き渡るようにして膜厚分布を改善したスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

In the first process, a conductive film 3 is formed by sputtering on a substrate 1 and an electron ray e is applied on the conductive film 3 to form a cylinder 7 having a microscopic diameter and mainly composed of carbon.例文帳に追加

第１工程では、基板１上にスパッタリングにより導電膜３を形成し、続いて導電膜３上に電子線ｅを照射して炭素を主成分とする微小径の円柱７を形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a high-purity Ta material for semiconductor devices, which can enhance in-plane uniformity of thickness of a TaN film formed by a reactive sputtering process.例文帳に追加

ＴａＮ膜を反応性スパッタ法で形成する際に、その膜厚の面内均一性をより一層高めることを可能にした半導体デバイス用高純度Ｔａ材の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a target which enables to deposit a thin film of a metal oxide comprising bismuth and titanium such as Bi_4Ti_3O_12 at a higher speed by a sputtering process in a state where the generation of dust is suppressed.例文帳に追加

ダストの発生などが抑制された状態で、より早い速度でスパッタ法によりＢｉ_4Ｔｉ_3Ｏ_12などのビスマスとチタンとを含む金属酸化物の薄膜形成を可能とするターゲットを提供する。 - 特許庁

To significantly upgrade the adhesive strength of a metal and a plastic film in forming a metallic film on the plastic film while curbing an increase in a manufacturing cost to a maximum possible extent by a gas phase process for sputtering or vapor deposition.例文帳に追加

スパッタや蒸着等の気相法によりコストアップを極力抑えながらプラスチックフィルム上に金属薄膜を形成するに当たり、金属とプラスチックフィルムの密着強度の大幅な向上を図る。 - 特許庁

An oxide film is formed by electron beam type ion plating or sputtering in 1-10 μm thickness on a nitride film formed by cathode arc type ion plating and a silicon oxide film of ≤5 μm thickness is further formed by a sol-gel process on the oxide film.例文帳に追加

また、カソードアーク式イオンプレーティング法で形成した窒化膜上に、酸化膜を１〜１０μｍ形成し、更にその上にゾル・ゲル法で５μｍ以下の酸化珪素膜を形成した膜構造。 - 特許庁

To provide a sputtering system by which damage given to a film in the process of film formation is reduced, a thin film uniform in film characteristics and film thickness can be formed at a high speed, and the material of a target can effectively be utilized.例文帳に追加

成膜中に膜に与えるダメージが小さく、膜特性および膜厚が均一な薄膜を高速で形成でき、さらにターゲットの材料を有効利用できるスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a zinc oxide based target with a low resistance satisfying ≤10^-3Ωcm usable for producing a zinc oxide based thin film with a high resistance satisfying ≥10^7Ωcm using a DC sputtering process.例文帳に追加

直流スパッタリング法を用いて、１０^７Ωｃｍ以上の高抵抗の酸化亜鉛系薄膜を作製するために使用できる１０^−３Ωｃｍ以下の低抵抗の酸化亜鉛系ターゲットを得る。 - 特許庁

The method for manufacturing optical thin film in which an ion beam 116 is applied to a target 115 and an optical thin film made of multilayer film is formed on a body 119 to be treated by sputtering has the following process.例文帳に追加

イオンビーム１１６をターゲット１１５に照射し、スパッタリングによって被処理物１１９に多層膜による光学薄膜を成膜する光学薄膜の製造方法を、つぎのように構成する。 - 特許庁

This anisotropic conductive adhesive composition contains an adhesive binder and conductive particles obtained by covering the metal particles with a metal selected from a group composed of gold, platinum, silver and copper through a sputtering process.例文帳に追加

接着性バインダーと、スパッタリング法により金属粒子に、金、白金、銀及び銅からなる群から選択される金属を被覆した導電性粒子と、を含む異方導電性接着剤組成物。 - 特許庁

Using this apparatus, by a sputtering process, rare gas and nitrogen gas are fed to produce the solid electrolyte thin film, and the thin film solid lithium ion secondary battery having the obtained solid electrolyte thin film is produced.例文帳に追加

この装置を用いて、スパッタリング法により、希ガス及び窒素ガスを供給して、固体電解質薄膜を製造し、得られた固体電解質薄膜を有する薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する。 - 特許庁

To provide a novel casting process for forming cast ferromagnetic alloys with desirable microstructures, and improved chemical homogeneity and ductility, for use as high PTF (pass-through flux) sputtering targets.例文帳に追加

望ましいミクロ組織、改善された化学的均質性及び延性を有する高ＰＴＦスパッタリングターゲットとして用いるための鋳造強磁性合金のための新規な鋳造法を提供する。 - 特許庁

To enhance mass production efficiency, improve productivity and considerably widen the selection range of a multilayer film reflective mirror material by providing the manufacturing process of a multilayer film reflective mirror using a sputtering device.例文帳に追加

スパッタリング装置を用いる多層膜反射鏡の製造プロセスを提供することで、量産効率を高め、生産性を向上させ、且つ多層膜反射鏡材料の選択範囲を大幅に広げること。 - 特許庁

The anisotropy forming layer 92 is, for example, a thin film made by sputtering a chrome niobium alloy target with a process gas containing nitrogen, and exposed to an oxygen gas with about 0.5-10 Pa after forming this film.例文帳に追加

異方性付与層９２は、例えばクロムニオブ合金製ターゲットを窒素を含むプロセスガスによってスパッタして作成した薄膜であり、成膜後に０．５〜１０Ｐａ程度の圧力の酸素ガスに晒す。 - 特許庁

When the umbrella-shaped part 30a of the inner mask 30 is heated in a process of sputtering, the heat is transmitted to the bottom of the heat pipe 31, and the evaporated working fluid moves to the upper end due to a differential pressure to be condensed.例文帳に追加

スパッタリングの過程で、内周マスク３０の傘状部３０ａが加熱されると、ヒートパイプ３１の下端に伝熱し、蒸発した作動液が圧力差によって上端に移動して凝縮する。 - 特許庁

To provide a combinatorial method for forming a film, which precisely controls various film-forming conditions in a sputtering process, and efficiently produces a coating film in different film-forming conditions, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

スパッタ法などにおける様々な成膜条件を精確に制御し、成膜条件の異なるコーティング膜を効率的に製造することができるコンビナトリアル成膜方法とその装置を提供する。 - 特許庁

This method comprises: a previous process where a chromium layer is deposited on the basis material in a magnetron sputtering system; and an after process where the temperature of the basis material is held at 100-200°C and a CrN layer is deposited on the above Cr layer in an arc discharge ion plating system.例文帳に追加

本発明は、マグネトロンスパッタ装置において基材上にクロム層を形成する前行程と、アーク式イオンプレーティング装置において基材の温度を１００〜２００℃に保持して前記Ｃｒ層の上にＣｒＮ層を形成する後行程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

This manufacturing method includes a sputtering process for forming a metal coating film on a surface of a polyimide film and an electroplating process for forming a metal conductor on the acquired metal coating film by using a continuous plating device, and satisfies following requirements of (1) and (2).例文帳に追加

ポリイミドフィルムの表面に金属被膜を形成するスパッタリング工程、及び得られた金属被膜上に、連続めっき装置を用いて、金属導電体を形成する電気めっき工程を含む製造方法であって、 下記の（１）及び（２）の要件を満足することを特徴とする。 - 特許庁