「sputtering process」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Furthermore, the sputter particles or the sputter film produced in a sputtering process is prevented from infiltrating into a contact part 12, by employing such a structure as the root part of the eaves part 11 is lower by one stage than the forward end part thereof, thus preventing adhesion of a clamp ring 1 and a wafer 2 at the contact part 12.例文帳に追加

また、ひさし部分１１の根元部分を先端部分よりも１段低くした構造とすることにより、スパッタリング工程で生じるスパッタ粒子やスパッタ膜が接触部分１２に回り込むことを阻止し、接触部分１２におけるクランプリング１とウェハ２との癒着を防止する。 - 特許庁

When reactive sputtering is performed by using a base material 1 composed of silicon and having a (111)-oriented surface 1a for film deposition, a target formed from Ta, and a process gas comprising Ar and N_2, at least a (100)-oriented tantalum nitride film is formed on the surface 1a for film deposition of the base material 1.例文帳に追加

被成膜面１ａが（１１１）配向したシリコンからなる基材１と、Ｔａからなるターゲットと、Ａｒ及びＮ２からなるプロセスガスとを用いて反応性スパッタリングを行うと、基材１の前記被成膜面１ａ上に、少なくとも（１００）配向した窒化タンタル膜が形成される。 - 特許庁

Peeling of the electrode of a metal layer formed on a nickel silicide in the post-process is suppressed by forming a layer containing titanium and nickel on an SiC semiconductor, forming a nickel silicide layer containing titanium carbide by heating, and then removing a carbon layer deposited by reverse sputtering.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体上へチタン及びニッケルを含む層を形成して、加熱によりチタンカーバイドを含むニッケルシリサイド層を形成させ、析出した炭素層を逆スパッタにより除去することにより、後工程でニッケルシリサイド上に形成される金属層の電極が剥離することを抑制する。 - 特許庁

The method for producing a film comprises: a stage where a substrate having first and second regions in which at least either is made of oxide, and also, which are made of mutually different materials is prepared; and a stage where a film is selectively deposited on either the first region or the second region by a bias sputtering process.例文帳に追加

少なくとも一方が酸化物であり、且つ互いに異なる材料からなる第１及び第２の領域を有する基板を用意する工程、及びバイアススパッタリング法により、該第１及び第２の領域のいずれか一方に選択的に成膜する工程を有する膜の製造方法。 - 特許庁

The film deposition method by a sputtering process using a target composed of a material having a specific resistance of ≥1×10^3 Ω cm and applying negative voltage to the target is characterized in that the method is implemented while feeding electrons to the surface of the target with the use of an electron gun.例文帳に追加

比抵抗１×１０^３Ω・ｃｍ以上の材料からなるターゲットを用い、該ターゲットに負電圧を印加して行なうスパッタリング法による成膜方法であって、電子銃を用いて該ターゲット表面に電子を供給しつつ行なうことを特徴とする成膜方法。 - 特許庁

When only a thermal process in an oxidizing atmosphere is performed with a film which is formed by sputtering a ferroelectrics film, the magnetic field applied to a target is set to 270 Gausses or higher, and when thermal process in an inert atmosphere and that in the oxidizing atmosphere are performed with the formed film, the magnetic field applied to the target is set to 349 Gausses or lower.例文帳に追加

強誘電体膜をスパッタリングにより形成する際に、形成された膜に対して酸化雰囲気中での熱処理のみを行なう場合には、ターゲットに印加される磁場を２７０Ｇａｕｓｓ以上に設定し、一方形成された膜に対して不活性雰囲気中での熱処理と酸化雰囲気中での熱処理を行なう場合には、ターゲットに印加される磁場を３４９Ｇａｕｓｓ以下に設定する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a vertical magnetic recording medium that forms a plurality of layers on a disk substrate 110 by sputtering, at least two consecutive layers among the plurality of layers are formed in the same chamber using the same target in a single process time while varying sputter conditions.例文帳に追加

ディスク基体１１０上に複数の層をスパッタリングによって成膜する垂直磁気記録媒体の製造方法において、複数の層のうち、少なくとも２つの連続する層を、同一チャンバーにおいて同一のターゲットを用いて１つのプロセスタイム内でスパッタ条件を異ならせて成膜することを特徴とする。 - 特許庁

The process for producing the sputtering target comprises the steps of: forming a molded object comprising a mixed powder composed of an NaF powder and a Cu-Ga powder or a mixed powder composed of an NaF powder, a Cu-Ga powder and a Cu powder; and sintering the molded object in a vacuum atmosphere, an inert gas atmosphere or a reductive atmosphere.例文帳に追加

また、このスパッタリングターゲットを作製する方法は、ＮａＦ粉末とＣｕ−Ｇａ粉末との混合粉末、又はＮａＦ粉末とＣｕ−Ｇａ粉末とＣｕ粉末との混合粉末からなる成形体を形成し、その後、真空、不活性ガスまたは還元雰囲気中で焼結する工程を有している。 - 特許庁

To provide a glass substrate regenerating apparatus for efficiently regenerating a color filter without using acid treatment for transparent electrode treatment in a regenerating process of a glass substrate which is produced in the manufacturing step of a color filter substrate but does not meet quality standards or a dummy substrate of a sputtering device, and to provide a regenerating method using the regenerating apparatus.例文帳に追加

カラーフィルタ基板の製造工程で発生した品質基準を満足しないガラス基板、あるいはスパッタリング装置のダミー基板の再生プロセスにおいて、透明電極処理に酸処理を用いずに、カラーフィルタを効率的に再生処理するガラス基板の再生装置及びこれを用いた再生方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus for preventing warping of a tray to hold a substrate to be treated or heat radiation from the substrate to the tray and ensuring the temperature uniformity on the substrate in a process for sputtering a ferroelectric film or the like while maintaining the heat uniformity of 600°C±5°C.例文帳に追加

６００℃±５℃の均熱性を保持しながら強誘電体膜などをスパッタリングするプロセスにおいて、被処理基板を保持するトレーの反りや被処理基板からトレーへの放熱を防止し、処理被処理基板上での温度均一性を確保することが可能な成膜装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The film deposition method by a sputtering process using a target composed of a material having a specific resistance of ≥1×10^3 Ω cm and intermittently applying negative voltage to the target is characterized in that the application of negative voltage is performed at the frequency of <1 MHz while feeding electrons to the surface of the target.例文帳に追加

比抵抗１×１０^３Ω・ｃｍ以上の材料からなるターゲットを用い、該ターゲットに負電圧を間欠的に印加して行なうスパッタリング法による成膜方法であって、該ターゲット表面に電子を供給しつつ、負電圧の印加を１ＭＨｚ未満の周波数で行なうことを特徴とする成膜方法。 - 特許庁

Since a dense film with low absorption and tight adhesion cannot be obtained in the case the object 9 to be treated lies under no-heating or low temperature, the object 9 to be treated in the process of the film deposition is irradiated with neutral grains and negative ions generated by magnetron sputtering in which high frequency is applied on a target 4 as assists.例文帳に追加

被処理物９が無加熱あるいは低温であると、低吸収かつ緻密で密着性の良い膜を得ることができないため、ターゲット４に高周波を印加するマグネトロンスパッタリングによって発生した中性粒子および負イオンをアシストとして成膜中の被処理物９に照射する。 - 特許庁

The method of manufacturing the vertical recording medium including a deposition process by using sputtering equipment places an ejection hole of material gas near a target in a chamber during deposition so as to achieve an almost homogeneous distribution of the material gas in the vicinity of the target or more favorably within a radius of 20 mm from the target position.例文帳に追加

スパッタリング装置を用いた成膜工程を含む垂直磁気記録媒体の製造方法であって、成膜時にチャンバー内のターゲット近傍、好ましくはターゲット位置から２０ｍｍ以内の範囲にほぼ均一な材料ガス分布が存在するように、材料ガスの噴出口を前記ターゲットの近傍に配置した。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for forming an insulating film becoming a gate insulating film on a semiconductor substrate, and a step for forming a metal film becoming a metal gate electrode on the insulating film wherein the metal film is formed by sputtering a metal target composed of the same metal as that of the metal film in an atmosphere containing carbon elements.例文帳に追加

半導体基板上にゲート絶縁膜となる絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に金属ゲート電極となる金属膜を形成する工程とを備え、金属膜は、炭素元素を含有した雰囲気中で金属膜と同じ金属からなる金属ターゲットをスパッタすることにより形成する。 - 特許庁

In the bumped electronic part mounting method by which an electronic part having gold bumps is mounted on a substrate 1 with use of conductive paste, a gold film 3 is formed on surfaces of electrodes 2 of the substrate 1 by flush plating, and then contaminated layers 3a on the surfaces of the gold film 3 are subjected to a plasma process to be removed by reverse sputtering.例文帳に追加

金のバンプが形成されたバンプ付き電子部品を導電性ペーストによって基板１に実装するバンプ付電子部品の実装方法において、基板１の電極２表面にフラッシュメッキにより金膜３を形成し、次いで金膜３表面の汚染物層３ａをプラズマ処理して逆スパッタリングにより除去する。 - 特許庁

Metal particles 4 having catalyst activity and additive particles 3 for improving the catalyst activity of the metal particles are deposited and supported on a surface of conductive powder 2 by physical deposition, for instance, sputtering; and the metal particles 4 and the additive particles 3 are gradually deposited and supported by another process.例文帳に追加

導電性粉体２の表面に、触媒活性を有する金属粒子４と、この金属粒子の触媒活性を向上させる添加物粒子３とを、物理蒸着例えばスパッタリングによって析出担持させ、金属粒子４と添加物粒子３とを別工程によって段階的に析出担持させる。 - 特許庁

A process of manufacturing heat absorbing substrate wherein a large number of holes can be produced employing gas phase etching medium in equal proportion of O2, Ar and CCl2F2, and exposing the medium to the substrate, the substrate is placed near the sputterable component, and …effect sputtering, and complete etching are conducted. 例文帳に追加

多数の空孔を生成するように、ガス状エッチング媒体として等比率のO2、Ar、及びCCl2F2を使用し、該ガス状エッチング媒体に基板をさらすことからなる基板の製造方法において、基板をスパッタ可能な組成の近くに置きスパッタをさせ、エッチングすることを特徴とする熱吸収基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of efficiently removing the cobalt, chromium, copper, iron, nickel, silicon, etc., included into scrap, such as mills end, swarf and grinding chips, produced in production process steps, etc., for platinum and platinum-containing targets for sputtering and recovering the high-purity platinum and palladium recyclable to the palladium and platinum-containing targets at a low cost.例文帳に追加

スパッタリング用白金及び白金含有ターゲットの製造工程等に発生する端材、切削屑、平研屑等のスクラップに混入するコバルト、クロム、銅、鉄、ニッケル、シリコン等を効率良く除去し、白金及び白金含有ターゲットに再使用できる高純度白金、パラジウムを低コストで回収する方法を提供する。 - 特許庁

The method is a low-temperature process for manufacturing the thin film of alumina crystalline and particularly for manufacturing the thin film of α phase alumina, which is the most stable and has the most superior characteristic in alumina crystalline phases, includes forming a thin film of chromium oxide crystalline on a substrate or a base material by a sputtering method beforehand and forming an alumina thin film on it.例文帳に追加

スパッタ法により酸化クロム結晶質薄膜をあらかじめ基板や母材に形成し、その上にアルミナ薄膜を形成するアルミナ結晶質薄膜の低温製法であって、特にアルミナ結晶相の中で、最も安定で、且つ特性の最も優れたα相アルミナ薄膜の低温製法である。 - 特許庁

To provide a high purity nickel or nickel alloy sputtering target in which the advantages of nickel silicide (NiSi) by a salicide process are made the most of, and simultaneously, the cause of its phase transition into an NiSi_2 phase is investigated, and the phase transition can effectively be suppressed, and which is particularly useful as a gate electrode material, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

ゲート電極材料としてサリサイドプロセスによるニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）の利点を生かすと同時に、ＮｉＳｉ_２相に相転移させる原因を究明し、これを効果的に抑制できる、特にゲート電極材料として有用な高純度ニッケル又はニッケル合金スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

On a transparent insulating substrate 1, a titanium film as a lower layer 2a, an aluminum film as a middle layer 2b and a nitrogen containing titanium film as an upper layer 2c are laminated by a sputtering process by 30 nm, 100 nm, 50 nm respectively in this order and a gate electrode and gate signal line 2 are formed by a photolithography-dry etching technique.例文帳に追加

透明絶縁性基板１上にスバッタ法を用いて下層２ａにチタニウム膜、中間層２ｂにアルミニウム膜、上層２ｃに窒素を含有したチタニウム膜を順にそれぞれ３０ｎｍ、１００ｍｍ、５０ｎｍ積層し、フォトリソ・ドライエッチ技術を用いて、ゲート電極及びゲート信号線２を形成した。 - 特許庁

The method of depositing a film by a sputtering method or the like where raw material particles are flown onto a substrate to deposit a film is provided with, in particular, a means of controlling/managing a film thickness in the process of film deposition, and a means of stopping the working so that the working is ended when the controlled deposition film obtains a prescribed objective film thickness.例文帳に追加

本発明は、基板上に原料粒子を飛翔させて膜を製造する、スパッタリング法などによる膜の製造方法に関し、特に、成膜中の膜厚を制御・管理する手段と、その制御された堆積膜を所定の目標膜厚で正確に加工終了させるように停止させる手段に関する。 - 特許庁

To provide an improved process for the production of sputtering targets comprising sub-stoichiometric TiO_2 which does not involve the hot-pressing and sintering route and which can be used to produce such targets which have a high enough electrical conductivity to be used as large size targets with complex shapes at high power levels.例文帳に追加

ホットプレスと焼結操作が不用で、そして高電力レベルでも複雑な形状を有する大型のターゲットとして使用可能となるように高い導電性を有するターゲットの製造に適用可能な、半化学量論的ＴｉＯ_２からなるスパッタリングターゲットの改良された製造方法を提供する。 - 特許庁

To efficiently produce a sintered compact target of high density which has reduced occurrence of nodules in a sputtering process where a transparent electrode film is formed while maintaining the high transparency of visible light and high electrical conductivity, and to obtain a target which can suppress the reduction of productivity and the reduction of quality caused by the occurrence of nodules.例文帳に追加

良好な可視光の透過率と高導電性を維持しながら、透明電極膜を形成するスパッタリングプロセスにおいて、高密度でノジュール発生が少ない焼結体ターゲットを効率的に製造し、ノジュールの発生に伴う生産性の低下や品質の低下を抑制できるターゲットを得る。 - 特許庁

The surfaces of the smooth electrodes (412, 422) manufactured by the DC magnetron reactive sputtering process enables relatively strong polarization and less fatigue and less imprint with aging, in ferroelectric thin-film capacitors (400, 500) used for electronic memories (600, 700, 800).例文帳に追加

本発明のＤＣマグネトロン反応性スパッタリングプロセスによって製造された平滑電極（４１２、４２２）の表面は、電子メモリ（６００、７００、８００）に使用される強誘電体薄膜キャパシタ（４００、５００）において、エージングするにつれ、比較的強力な分極、より小さい疲労およびより小さいインプリントを、可能にする。 - 特許庁

The manufacturing method of ferroelectric film in which the ferroelectric film is formed on a substrate disposed on an anode by using a target made from a ferroelectric substance disposed on a cathode according to an RF magnetron sputtering method comprises: a substrate heating process for heating the substrate; and a charged particle neutralizing process for neutralizing charged particles of the ferroelectric substance which fly and deposit on the substrate.例文帳に追加

ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、カソードに設けた強誘電体を原料とするターゲットを用いて、アノードに設けた基板の上に強誘電体膜を形成する強誘電体膜の製造方法において、前記基板を加熱するための基板加熱工程と、前記強誘電体膜となる、前記基板に飛来し堆積する前記強誘電体の帯電した粒子を中和するための帯電粒子中和工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a film deposition method and a film deposition system where, when a metal fluoride such as MgF_2 is used as a target, and film deposition is performed by a sputtering process, a thin film free from light absorption and also having sufficient mechanical strength can be produced with high film thickness reproducibility even if an erosion shape is changed by the repeated use of a target material.例文帳に追加

ＭｇＦ_２等の金属フッ化物をターゲットとしスパッタリング法で成膜するにあたり、光吸収がなくかつ十分な機械的強度を有する薄膜を、ターゲット材料を繰り返し使用することによりエロージョン形状が変化しても、膜厚再現性良く作製可能にする成膜方法および成膜装置を提供する。 - 特許庁

The method for forming a polysilicon (p-Si) film in a process for manufacturing an integrated circuit(IC) comprises a step for sputtering an amorphous silicon (a-Si) material on a substrate, a step for supplying mixture gas containing hydrogen by about 4 vol.% during gas supply, and a step for forming an amorphous silicon film containing hydrogen.例文帳に追加

集積回路（ＩＣ）製造プロセスにおける多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）膜を形成する方法は、基板上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）材料をスパッタリングする工程と、ガス供給中に水素含有量が４体積％程度のガス混合気を供給する工程と、水素を含有するアモルファスシリコン膜を形成する工程とを包含する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an indium tin oxide (ITO) sintered compact by which a high purity high density ITO sintered compact is made again from a high density ITO sintered compact recovered from a spent sputtering target or a high density ITO sintered compact or the like discharged from a manufacturing process as a defective with the low cost method without incorporating impurities .例文帳に追加

使用済みのスパッタリングターゲットから回収された高密度ＩＴＯ焼結体や製造工程で不良品となった高密度ＩＴＯ焼結体等を原料として、不純物の混入が無く、安価な方法で、再び、高純度・高密度のＩＴＯ焼結体を作製することが可能なＩＴＯ焼結体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transit-type inline vacuum processing apparatus, such as a sputtering apparatus, which has a mechanism capable of uniforming the distance between adjacent substrates and can control the mechanism, since the distance between substrates (between a preceding substrate and a succeeding substrate) that are continuous and adjacent to each other when depositing, has the effect on the conductance and also the gas pressure in a process chamber.例文帳に追加

通過型であるインライン型のスパッタリング等の真空処理装置において、連続する基板に成膜する際に隣り合う基板間（先行する基板とその後方の基板の間）の距離はコンダクタンスに影響し、処理チャンバ内のガス圧に影響するため、隣り合う基板間の距離が均一になるような機構を具備し、その制御を可能にする真空処理装置を提供することにある。 - 特許庁

To solve the problems, in a method where a mask is provided on a substrate, and a transparent conductive film is pattern-formed on the substrate by a sputtering process, that, since the energy of particles made incident on the substrate is the extremely high one of about 600 eV, the particles infiltrate into the substrate, and the atoms composing the substrate are beaten out or defects are occurred in the substrate.例文帳に追加

基板上にマスクを設け、スパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成する透明導電膜形成方法において、基板に入射する粒子のエネルギーは６００ｅＶ程度と非常に高く、粒子が基板内に入り込んだり、基板を構成する原子が叩き出されたり、あるいは基板に欠陥を発生させるといった問題が発生する。 - 特許庁

The manufacturing method of the electrode for a lithium secondary cell is provided with a process forming a positive electrode active material layer including Li-Co-O layer on a collector 8 under an atmosphere including an Ar element being cation, using a sputtering method in a condition of a voltage impressed on the collector 8 using an RF power source 7 so that a potential of the collector 8 is to be practically negative.例文帳に追加

このリチウム二次電池用電極の製造方法は、集電体８の電位が実質的に負電位になるように、ＲＦ電源７を用いて集電体８に電圧を印加した状態で、スパッタリング法を用いて、正イオンになるＡｒ元素を含む雰囲気下で、集電体８上に、Ｌｉ−Ｃｏ−Ｏ層を含む正極活物質層を形成する工程を備える。 - 特許庁

The method for depositing a conductive thin film having the texture structure further includes a step of depositing the conductive thin film formed of Ag containing aluminum oxide by using a vacuum film deposition process such as sputtering and vacuum vapor deposition, and a step of laminating a plurality of conductive thin films of different composition, and the mean surface roughness and the shape of the texture structure can be controlled.例文帳に追加

スパッタまたは真空蒸着などの真空成膜プロセスを使用して、酸化アルミニウムを含有したＡｇからなる導電性薄膜を形成すること、および異なる組成の導電性薄膜を複数積層する工程をさらに含み、テクスチャー構造の平均表面粗さおよび形状を制御することを特徴とするテクスチャー構造を有する導電性薄膜の形成方法。 - 特許庁

The manufacturing method for a cathode electrode comprises a cathode electrode formation process of forming a cathode layer by forming a cathode active material on a cathode collector at a forming rate of a range of 0.4-2.0 Å/sec by using a sputtering method and forming the cathode electrode made of the cathode collector and the cathode layer.例文帳に追加

本発明は、スパッタリング法を用いて、正極活物質を、０．４〜２．０Å／ｓｅｃの範囲内の成膜レートで、正極集電体上に成膜して正極層を形成し、上記正極集電体と上記正極層とからなる正極電極体を形成する正極電極体形成工程を有することを特徴とする正極電極体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

In the etching process, the specimen 21 is heated to a temperature not lower than the point where the surface mobility of deposit begins to grow large, which is a reaction product between plasma 40 and the specimen 21 or the product resulting from the sputtering of the resist pattern 30 by plasma 40, and lower than the point where the deposit is firmly fixed on the surface of the specimen 21.例文帳に追加

該エッチング工程は試料２１を加熱し、試料２１の加熱温度は、プラズマ４０と試料２１とが反応してなる反応生成物又はレジストパターン３０がプラズマ４０によりスパッタされてなる生成物が試料２１の表面上に堆積物として堆積する際の堆積物の表面移動度が大きくなり始める温度以上で、且つ堆積物が試料の表面に固着する温度よりも低い温度に設定する。 - 特許庁

Wiring of a semiconductor device is formed by forming a thin film 5 of Al or Al alloy (hereinafter, Al base metal) by sputtering on the surface of an insulating film 2 comprising a recess 3 formed on a substrate, and then applying high-temperature and high-pressure process so that the Al base metal is packed in the recess.例文帳に追加

基板上に形成された凹部３を有する絶縁膜２の表面に、ＡｌまたはＡｌ合金（以下「Ａｌ系金属」という）よりなる薄膜５をスパッタリング法で形成した後、高温高圧処理を施して該Ａｌ系金属を上記凹部内に充填して半導体装置の配線を形成する方法であって、上記スパッタリングを下記条件で行なうことを特徴とする半導体装置の配線形成方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a halftone phase shift mask includes steps of forming the MoSi halftone phase shift film having a film thickness giving the phase difference of ≤135° on the quartz glass substrate by reactive sputtering and etching the quartz glass substrate using a chromium film as a mask by dry etching by magnetic neutral line discharge plasma with addition of a gas having an effect of protecting a side wall to the process gas.例文帳に追加

また、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造法は、石英ガラス基板上に、反応性スパッタリング法によりＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を位相差が１３５°以下となるような膜厚に成膜し、続いてクロム膜をマスクとして、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングによりプロセスガスに側壁保護効果をもつガスを添加して、石英ガラス基板をエッチング処理することから成る。 - 特許庁

In the method for manufacturing the group III nitride semiconductor layer, a substrate and a target containing a group III element are arranged in a chamber, and a gas for forming a plasma is introduced into the chamber, for forming the group III nitride semiconductor layer in which Si is added as a dopant on the substrate, by a reactive sputtering process, wherein a silicon hydride is added into the gas for forming the plasma.例文帳に追加

チャンバ内に基板及びＩＩＩ族元素を含有するターゲットを配置すると共に、プラズマ形成用のガスを前記チャンバ内に導入し、反応性スパッタ法によって前記基板上に、ドーパントとしてＳｉが添加されたＩＩＩ族窒化物半導体層を製造する方法であって、前記プラズマ形成用のガス中に、Ｓｉ水素化物を添加させることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法。 - 特許庁