「sputtering process」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

In the process of forming the contact plug, the substrate is held via a chuck on a stage in a chamber of a sputtering apparatus and en ESC voltage applied to the chuck is increased in three steps: a first voltage, a second voltage and a three voltage, in this order.例文帳に追加

コンタクトプラグを形成する工程では、スパッタ装置のチャンバー内のステージ上に、チャックを介して基板を保持し、チャックに印加するＥＳＣ電圧を第一の電圧、第二の電圧、第三の電圧と、この順に３段階のステップ状に増加させる。 - 特許庁

To avoid a problem of needing a process for brazing a target pipe with a sputtering material, by connecting a locking-device and/or a tube end cover with a target body through the materials or the shapes.例文帳に追加

固定装置及び／又は管端部カバーが、材料接続的又は形状接続的に支持体ボディと結合されていることによって、さもなければ必要なスパッタ材料と支持体管との間のろう接過程を生ぜしめる問題を回避する。 - 特許庁

The conductive circuit formation method is a sputtering method where metal atoms sputtered from a target 2 provided in a cathode electrode 1 are deposited on the surface of a substrate 3, relating to the conductive circuit formation method having a process for forming a conductive film 4 to form a circuit on the substrate 3.例文帳に追加

カソード電極１に設けたターゲット２からスパッタさせた金属原子を基板３の表面に堆積させるスパッタリング法で、基板３に回路形成用の導体膜４を形成する工程を有する導電性回路形成方法に関する。 - 特許庁

To provide a high purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering which can make better the uniformity of film thickness and the ignition properties of plasma even in a production process using a 300 mm wafer, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

３００ｍｍウエハを用いた製造プロセスにおいても、膜のユニフォーミティ（膜厚の均一性）とプラズマのイグニッション（点弧）性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for depositing a thin film while monitoring film thickness and various spectral characteristics in real time when depositing an optical film of laminated structure in a film deposition process by means of sputtering and vapor deposition of various kinds.例文帳に追加

スパッタリングおよび各種蒸着による成膜プロセスにおいて、回転楕円体基盤表面へ積層構造の光学膜を形成する際にその膜厚と各種分光特性をリアルタイムでモニターしながら薄膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

In this method in which a magnet 6 is moved, and magnetron sputtering is executed, in the process of the movement of the magnet, it is moved to the direction vertical to the surface in accordance with the increase and decrease of the voltage of magnetron discharge, and the voltage of the discharge is retained to the approximately certain one.例文帳に追加

マグネット６を移動させてマグネトロンスパッタリングする方法に於いて、該マグネットをその移動中にマグネトロン放電の電圧の増減に応じて該表面と垂直方向へ移動させてその放電の電圧をほぼ一定に維持する。 - 特許庁

The electric circuit monitors the self-vias voltage of the upper electrode, and moves the plurality of magnets to a target plane in such a manner that a fixed magnetic field is retained on the surface of the target member receiving erosion with the lapse of time by a sputtering process.例文帳に追加

電気回路は、上部電極の自己バイアス電圧をモニタし、複数のマグネットを、スパッタプロセスによる時間の経過に伴ってエロージョンを受けるターゲット部材の表面上で一定磁界を維持するようターゲット平面に垂直に移動させる。 - 特許庁

In the reflection film forming step, the reflection film is formed under ≥0.5 kw and <2 kw throwing power in a sputtering process so that the ratio of the thickness of the substrate to the thickness of the reflection film lies in a range of 500 to 30,000.例文帳に追加

ここで、反射膜形成工程は、スパッタリング処理において０．５ｋｗ以上２ｋｗ未満の投下電力で、基板の厚さの反射膜の厚さに対する比が５００から３００００の範囲に収まるように反射膜を形成する。 - 特許庁

In a step of forming a recording layer, a movable electrode 45 is brought into contact with an end face 11a of the insulating substrate in the state of the insulating substrate supported when the under layer is formed and the recording layer is formed by a sputtering process while a bias voltage is applied.例文帳に追加

次いで、記録層の形成工程において、下地層を形成した際の支持状態で可動電極４５を絶縁性基板の端面１１ａに接触させ、スパッタ法によりバイアス電圧を供給して記録層を形成する。 - 特許庁

A manufacturing method of a sputtering target comprises a pressure bonding process of pressure bonding powder 2 consisting of a forming material of a transparent oxide conductor to at least one side of a plate body 21 formed of a conductor by performing the rolling between rolling rollers 4A, 4B, and a sintering process of sintering the powder 2 pressure bonded to the plate body.例文帳に追加

圧延ローラ４Ａ，４Ｂ間において圧延処理することによって導電体からなる板状体２１の少なくとも一方の面に透明酸化物導電体の形成材料からなる粉末２を圧着させる圧着工程と、上記板状体に圧着された上記粉末２を焼結させる焼結工程とを有する。 - 特許庁

The forming method of the multi-layered mirror for the manufacture of a micro-cavity of a light emitting device comprises a process of forming the buffer layer on a transparent base plate of the light emitting device, and a process of forming the multi-layered mirror by sputtering a plurality of thin films having different refractive index from each other on the buffer layer.例文帳に追加

発光装置のマイクロキャビティ構造用の多層ミラーの形成方法であって、発光装置の透明基板上にバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に異なる屈折率の複数の薄膜をスパッタリングし、多層ミラーとする工程とからなることを特徴とする上記方法、及びマイクロキャビティ構造用の多層ミラー。 - 特許庁

The manufacturing method of the secondary lithium battery comprises a process of forming the activator layer on a current collector 42a, using a sputtering method, and a process of keeping an electrode (negative electrode) 42, which comprises the current collector having the activator layer formed thereon, at least either in an inactive atmosphere or in a vacuum atmosphere until the battery is manufactured.例文帳に追加

このリチウム二次電池の製造方法は、集電体４２ａ上に、スパッタ法を用いて活物質層を形成する工程と、活物質層が形成された集電体からなる電極（負極）４２を、電池を作製するまでの間、不活性雰囲気下および真空雰囲気下の少なくともいずれかで保持する工程とを備えている。 - 特許庁

To provide inkjet ink for forming a transparent conductive tin oxide film suitable for inkjet process in which it is possible to form a pattern of a transparent conductive tin oxide film by a method that is less costly and timesaving without using expensive vacuum devices such as sputtering and requiring neither complicated process such as photolithography nor plates for screen printing.例文帳に追加

スパッタ等の高価な真空装置を用いることなく、さらにフォトリソグラフィー法のような煩雑な工程や、スクリーン印刷用の版を要せずに、より安価で手間のかからない方法で透明導電性酸化すず膜のパターンを形成できる、インクジェット法に適した、透明導電性酸化すず膜形成用インクジェットインクを提供する。 - 特許庁

A reflective mirror 3 of the rear projection television (RPTV) includes a float glass plate (glass substrate) 1 formed to have a plate thickness of 3 mm by a float process, and a reflection enhancing film 2 constituted of aluminum (Al) formed on one surface 1a of the glass substrate 1 by a sputtering method.例文帳に追加

リアプロジェクションテレビ（ＲＰＴＶ）の反射ミラー３は、フロート製法により板厚が３ｍｍに形成されたフロートガラス板（ガラス基板）１と、ガラス基板１の一方の表面１ａに、スパッタ法により形成されたアルミニウム（Ａｌ）から成る増反射膜２とを備える。 - 特許庁

The coater for coating the large-area substrate by means of cathode sputtering has a coating chamber and, on the inner part, a cathode assembly 2 where material to be sputtered is rotated during a coating process and is arranged above a target 4 having a curved surface is disposed.例文帳に追加

大面積の基板を陰極スパッタによってコーティングするためのコーターであって、コーティングチャンバを有し、その内部に、スパッタされる材料がコーティングプロセス中に回転するとともに湾曲面を有するターゲット４上に配置されている陰極アセンブリ２を備える。 - 特許庁

The recessed structure 310 consists of a first metal film 309 formed on the silicon substrate 310 using a sputtering, deposition method, and CVD method or the like; and of a second metal film 308 having a space at the center thereof and formed on the first metal film 309 using a plating process.例文帳に追加

凹型構造体310は、シリコン基板310上にスパッタリング、蒸着法、ＣＶＤ法等を用いて成膜した第１の金属膜309と、第１の金属膜309の上にめっき法を用いて成形した中央に空間を有する第２の金属膜308とから構成されている。 - 特許庁

To manufacture a photocatalyst by modifying nitrogen doped titanium oxide with a platinum compound or carrying the platinum compound on the nitrogen doped titanium oxide at a relatively low temperature without using a large-scaled expensive apparatus such as a sputtering apparatus or the like and a complicated process such as hydrogen reduction, ultraviolet irradiation or the like.例文帳に追加

スパッタリング装置など大規模で高価な装置を用いず、また、水素還元や紫外線照射など煩雑な工程を経ずに、比較的低温で窒素ドープ型酸化チタンに白金化合物を修飾もしくは担持した光触媒体を製造する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-purity nickel target for magnetron sputtering which gives the film satisfactory thickness uniformity and plasma a satisfactory ignition property, even in a manufacturing process for a 300 mm wafer, and to provide a high-purity nickel target.例文帳に追加

３００ｍｍウエハを用いた製造プロセスにおいても、膜のユニフォーミティ（膜厚の均一性）とプラズマのイグニッション（点弧）性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケルターゲットの製造方法及び同高純度ニッケルターゲットを提供する。 - 特許庁

On the faces of the transparent substrates 2 and 3, which are in contact with the liquid crystal layer 4, transparent electrodes for driving the liquid crystal are formed by, for example, a sputtering method such that an orientation process is performed in the direction of the arrow A so that the liquid crystal includes a pre-tilt angle.例文帳に追加

透明基板２及び３の液晶層４に接する面には、液晶を駆動するための透明電極がスパッタ等の方法で形成され、液晶が所定のプレチルト角をもつように矢印Ａで示す方向に配向処理が施されている。 - 特許庁

The TCO layer consists at least of a first layer of high conductivity and a second layer of low conductivity, with the second layer generated by DC sputtering of at least one target (4), which contains zinc oxide and additionally aluminum, and the process atmosphere contains oxygen.例文帳に追加

ＴＣＯ層は、少なくとも高導電性の第一層と低導電性の第二層からなり、第二層が、酸化亜鉛と更にアルミニウムを含有する、少なくとも一つのターゲット（４）のＤＣスパッタリングによって生成され、プロセス雰囲気は酸素を含有する。 - 特許庁

Next, after the large size substrate 11A where both front and rear surfaces are coated with protection layers 23, 24 is fixed on a supporting board 25 and a primary slit 26 is formed to the large size substrate 11A with the dicing process, an end surface electrode 19 is formed within the primary slit 26 with the sputtering method.例文帳に追加

次に、表裏両面に保護層２３，２４を塗布した大判基板１１Ａを支持台２５上に固定し、ダイシングにより大判基板１１Ａに一次スリット２６を形成した後、スパッタにより一次スリット２６内に端面電極１９を形成する。 - 特許庁

To provide a target of high-purity nickel or a nickel alloy for magnetron sputtering, which gives excellent uniformity (uniformity of film thickness) to a film and facilitates the ignition (ignition) of plasma even in a manufacturing process with the use of a wafer of 300 mm, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

３００ｍｍウエハを用いた製造プロセスにおいても、膜のユニフォーミティ（膜厚の均一性）とプラズマのイグニッション（点弧）性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A conductive film is thereafter formed at about 50 nm on the master disk formed with such fine rugged patterns by electroless nickel plating or nickel sputtering, etc., without undergoing a developing process and the stamper is so manufactured by nickel electroplating as to attain a thickness of about 300 μm.例文帳に追加

その後、現像過程を経ずに、この微細凹凸パターンが形成された原盤上に、無電解ニッケルメッキまたはニッケルスパッタリング等により導電膜を約５０ｎｍ形成し、電柱ニッケルメッキにて約３００μｍの厚みになるようにスタンパを作製する。 - 特許庁

The method for producing the two-layer film includes a process for forming the first metal film containing nickel of 60-100 wt.% by a vacuum evaporation method, an ion plating method or a sputtering method under an atmosphere containing nitrogen gas on the polymer film; and a process for forming the second metal film having copper as the main component on the first metal film.例文帳に追加

高分子フィルム上に、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法によりニッケルを６０重量％以上１００重量％以下含む第１の金属膜を形成する工程と、第１の金属膜上に、銅を主成分とする第２の金属膜を形成する工程とを備える２層フィルムの製造方法。 - 特許庁

To provide a method of forming metal wiring in a semiconductor device capable of preventing a loss of the metal wiring by forming a capping film on the metal wiring to address an issue that, because a sputtering process is employed to make inter-metal wiring insulation in a process of forming an insulating film, ion bombardment accelerated by a high energy causes a loss of a part of the metal wiring.例文帳に追加

金属配線の間を絶縁させるために、絶縁膜形成工程の際にスパッタリング方法を用いるため、高いエネルギーで加速されたイオン衝撃によって金属配線が一部損失してしまうが、金属配線の上部にキャッピング膜を形成することにより、金属配線の損失を防止することが可能な半導体素子の金属配線形成方法を提供。 - 特許庁

To provide a sputtering film deposition system in which, as for film deposition on a film depositing substrate, the film thickness is correctly controlled in continuous film deposition without stopping the film deposition one or more times in the process of the film deposition, and actual film deposition working is performed so as to obtain an objective film thickness.例文帳に追加

本発明の目的は、成膜途上で成膜基板への成膜を一度或いは復数ともに停止させることなく生産性を落とさずに連続成膜の内に正確に膜厚を管理して、目標とする膜厚に実成膜加工を施すスパッタリング成膜装置を提供することにある。 - 特許庁

A magnetic layer 3 is formed by introducing Ar and Kr gases in a process chamber and performing sputtering so as to increase the ratio of Ar gas flow against Kr gas flow (Ar gas flow/Kr gas flow) according to the increase of the integrated power of the target.例文帳に追加

ターゲットの積算電力の増加に応じてＫｒガス流量に対するＡｒガス流量の比（Ａｒガス流量／Ｋｒガス流量）が増加するようにして、ＡｒおよびＫｒガスをプロセスチャンバ内に導入してスパッタリングを行うことにより磁性層３を形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus which can form a coating with uniform film thickness and film quality all over a substrate, by uniformly feeding process gas all over the target, along with eliminating an effect of gas components discharged from an organic substance coated on the surface of a color filter substrate.例文帳に追加

カラーフィルタ基板の表面に被覆された有機物から放出されるガス成分の影響を排除しつつ、ターゲット全面にわたって均一にプロセスガスを供給することにより、基板全面に膜厚及び膜質が均一な被膜を形成することができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To suppress unevenness in the thickness of a metal wiring film thickness constituted by laminating a substrate film prepared by sputtering and an Au plating layer formed by a low temperature film forming process on the substrate film on the surface of a sealing substrate to form connection with a driving circuit for driving an actuator substrate in a liquid droplet discharge head.例文帳に追加

液滴吐出ヘッドにおいて、アクチュエータ基板を駆動する駆動回路と接続するために封止基板表面に、スパッタによる下地膜と、その上に低温成膜プロセスであるＡｕめっきを重ねて構成される金属配線の膜厚ムラの発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a Cu alloy film which can reduce the resistance of a wiring film of a flat panel display device or the like in a process temperature region, and which has heat resistance to suppress hillocks and voids caused in a Cu based film, and to provide a sputtering target material for forming the Cu alloy film.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるとともに、Ｃｕ系膜で発生するヒロックおよびボイドを抑制可能な耐熱性を有するＣｕ合金膜とそのＣｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

Then, sputtering is performed to the side end face of the strip-like divided piece 34 exposed in the dividing process, an end face electrode 26 is formed on the side end face and also a side part end face electrode 27 is formed on the inner wall surface of the bisected slit 33 facing the side end face.例文帳に追加

そして、この分割工程で露出する短冊状分割片３４の側端面に対してスパッタリングを行って、該側端面に端面電極２６を形成すると共に、該側端面に臨出する二分割されたスリット３３の内壁面に側部端面電極２７を形成する。 - 特許庁

This medium is a magneto-optical recording medium 10 in which at least a dielectric layer 2 and a magnetic layer 11 consisting of a perpendicular magnetic recording film are formed on a light transmittable substrate 1, the magnetic layer 11 is formed by sputtering using Kr gas as process gas.例文帳に追加

光透過性の基板１上に、少なくとも誘電体層２、垂直磁気記録膜よりなる磁性層１１が形成されてなる光磁気記録媒体１０であって、その磁性層１１を、プロセスガスとしてＫｒガスを用いてスパッタリングにより形成される構成とする。 - 特許庁

In a process for making contact holes 23 in an insulation film 22 and depositing a barrier conductor film 24 on the surface of the insulation film 22 including the inside of the contact holes 23 by sputtering, means for reducing inflow of plasma electrons to a semiconductor substrate 1 is employed for depositing the barrier conductor film 24.例文帳に追加

絶縁膜２２に接続孔２３が形成され、接続孔２３の内部を含む絶縁膜２２の表面にスパッタリング法にてバリア導体膜２４を堆積する工程において、バリア導体膜２４の堆積にはプラズマ電子の半導体基板１への流入を低減する手法を用いる。 - 特許庁

To provide an intermediate refractive index thin film which can be utilized as one of a material constituting a multilayer in an antireflection film and various kinds of filters by using a reactive sputtering method used for a material that can be comparatively stably film-deposited even in a vacuum process and can be easily utilized.例文帳に追加

真空プロセスの中でも比較的安定成膜がしやすく、容易に利用できる材料をターゲットとした反応性スパッタリング法を用いて、反射防止膜や各種フィルターの多層膜を構成する材料のひとつとして利用可能な、中間屈折率薄膜を提供すること。 - 特許庁

To provide a tool capable of securing positioning accuracy while absorbing the warp of an organic sensor substrate and securing horizontal accuracy, being commonly used from coating to drying in order to form a functional material at a prescribed position and capable of applying vacuum process such as plasma treatment, vapor deposition and sputtering and having high throughput.例文帳に追加

有機センサ基板の反りを吸収し、水平精度を確保しつつ、位置精度も確保し、所定の位置に機能材料を形成するために、塗布から乾燥まで共通して使用でき、さらには、プラズマ処理や蒸着、スパッタといった真空プロセスを施せるスループットの高い治工具を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the sputtering target for a reflection layer of an optical medium includes a process for firing raw material powder having a composition that is mainly composed of Al and contains 1-10 at% of one or two species of elements selected from the group consisting of Ta and Nb, and 0.1-10 at% of Ag.例文帳に追加

光メディアの反射層用スパッタリングターゲットの製造方法は、Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む組成を有する原料粉体を焼成する工程を備える。 - 特許庁

The method of preparing a potassium tantalate thin film includes a process of preparing the potassium tantalate thin film on the glass substrate 12 according to sputtering using a potassium tantalate target 17, wherein, apart from the potassium tantalate target, a tantalum target 18 is sputtered simultaneously to deposit a potassium tantalate thin film on the glass substrate.例文帳に追加

タンタル酸カリウムターゲット１７を用いてスパッタリングによって、ガラス基板１２上にタンタル酸カリウム薄膜を作製するタンタル酸カリウム薄膜の作製方法であって、タンタル酸カリウムターゲットとは、別に、タンタルターゲット１８を同時にスパッタリングし、ガラス基板上にタンタル酸カリウム薄膜を堆積する。 - 特許庁

In the process for depositing the Co containing oxide film, magnetron sputtering is performed by using of a metallic target where the magnetic flux density in the inner part is ≤0.2 T and the total content of Co and Fe is ≥80 atomic % to the whole metal when an external magnetic field is applied at 7.96 kA/m intensity.例文帳に追加

外部磁界を７．９６ｋＡ／ｍの強度で印加したときの内部の磁束密度が０．２Ｔ以下であり、ＣｏおよびＦｅの合計含有量が全金属に対して８０ａｔ％以上である金属ターゲットを用いて、マグネトロンスパッタリングを行うＣｏ含有酸化物膜の成膜方法。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is used for forming a Cu based wiring film of which the resistance is reduced, the adhesion to a glass substrate and an Si layer is successful, and which has Si diffusion barrier nature in a process temperature range of a wiring film of a flat panel display device or the like.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域で、低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やＳｉ層への密着性が良好で、かつＳｉ拡散バリア性を有するＣｕ系配線膜を形成するために使用されるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

In the process to form a pole part of a recording head, a dummy pattern is formed by using the material such as photoresist so that the end of the pattern is positioned at the position for forming the pole part, and a soft magnetic material becoming the pole is formed to the film on the side surface of this dummy pattern by using a method such as a gradient sputtering.例文帳に追加

記録ヘッドのポール部分を形成する工程において、ポール部分を形成する位置にパターンの端が位置するようにフォトレジストなどの材料を用いてダミーパターンを形成し、このダミーパターンの側面に傾斜スパッタリングなどの手法を用いてポールとなる軟磁性材料を成膜する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for manufacturing a highly efficient flexible copper film-laminated strip by improving adhesiveness between a polyimide strip and a thin metal film, and removing stress from copper films laminated through magnetron sputtering being a dry deposition process.例文帳に追加

ポリイミドフィルムと金属薄膜層との間の接着性を向上させ、乾式蒸着法であるマグネトロンスパッタリング法により形成された銅積層膜の応力を除去して、高効率の軟性銅箔積層フィルムを製造する軟性回路基板の製造装置及び方法を提供する。 - 特許庁

Preferably, the liquid-impermeable catalyst layer is formed through at least one process chosen from electroplating, vapor deposition, sputtering and ion plating, has a thickness of 0.5-30 μm and has a platinum group metal deposited inside or on its surface through electroless plating.例文帳に追加

前記液不透過性触媒層が電気めっき、蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティングのいずれかの１つ以上の方法により形成され、その厚さが０．５μｍから３０μｍであること、前記隔膜の表面或いはまた内部に、無電解めっきによる白金族金属を担持していることが好ましい。 - 特許庁

In the case of forming the fluoride optical thin film on the quartz substrate by the reactive DC magnetron sputtering, especially a 1st layer of a multilayer optical thin film is formed by a filming process with priority given to adhesiveness rather than to absorbong characteristics.例文帳に追加

本発明は、反応性ＤＣマグネトロンスパッタにおいて、フッ化物光学薄膜を石英基板に成膜する際、多層光学薄膜の特に第１層目の成膜プロセスを、膜の吸収特性よりも密着性を優先したものとして成膜を行うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a simple matching circuit for generating plasma, which can generate uniform plasma by high-frequency discharge by the high-frequency discharging current, can plasma process a dry etching as plasma etching or plasma CVD without sputtering.例文帳に追加

高周波電流による高周波放電によってプラズマを均一に発生させるとことができ、プラズマエッチングなどのドライエッチングやプラズマＣＶＤにおいて、スパッタを起こさずに、所定のプラズマ処理を行うことができ、しかも簡単な回路構成のプラズマ発生のためのマッチング回路を提供する。 - 特許庁

To provide a copper alloy film which can attain resistance reduction in a process temperature region of a wiring film of a flat panel display apparatus or the like, can suppress a hillock and a void produced in a copper-based film and has heat resistance and to provide a sputtering target material for forming the copper alloy film.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるとともに、Ｃｕ系膜で発生するヒロックおよびボイドを抑制可能な耐熱性を有するＣｕ合金膜とそのＣｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁