「sputtering process」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

PROCESS FOR PRODUCTION OF DECORATIVELY PLATED ARTICLE BY UTILIZING THE IMPARTATION OF ELECTROCONDUCTIVITY TO RESIN BY SPUTTERING, AND HANGING JIG FOR FIXING OF RESIN MOLDING例文帳に追加

スパッタリングによる樹脂導電化を利用した装飾めっき品の製造方法及び樹脂成形品を固定する吊り掛け治具 - 特許庁

To efficiently manufacture an optical disk, including an operation for attaching and detaching masks within a vacuum vessel before and after a sputtering film formation process.例文帳に追加

スパッタ成膜工程の前後にマスクの着脱を真空容器内で行なう操作を含めて効率よく光ディスクを製造する。 - 特許庁

Sputtering, CVD, a sol-gel process or aerosol deposition (AD) may be applied as a method for forming the functional film 14.例文帳に追加

図１（ｂ）において、機能性膜１４を形成する方法としては、スパッタ法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法、エアロゾルデポジション（ＡＤ）法等がある。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which arcing due to emission of thermal electron can be reduced during a sputtering process for forming bumps.例文帳に追加

バンプ形成時のスパッタ工程において熱電子放出によるアーキングを低減し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To stably deposit a thin film on a substrate by a sputtering process without damaging a target material.例文帳に追加

スパッタリング方法を用いて基板に薄膜を形成するにあたり、ターゲット材料を損なうことなく、基板上に安定して被膜を形成する。 - 特許庁

An existing ratio of a plurality of metal elements at the interface is controlled to 0.07 or more with an operation parameter during the sputtering process.例文帳に追加

スパッタリング時の運転パラメーターにより、その複数の金属元素の界面元素存在比率が０．０７以上をとる様に制御する。 - 特許庁

A doped target of an electrically conductive material is used, and, a layer is deposited by a sputtering process such as PVD or IMP PVD.例文帳に追加

ドープ済みの導電性材料のターゲットを使用し、ＰＶＤまたはＩＭＰ ＰＶＤのようなスパッタリングプロセスによって層を堆積させる。 - 特許庁

Then, the flow rate ratio of nitrogen gas to argon gas is raised, and the same sputtering process is carried out, by which a titanium nitride film 4 is formed.例文帳に追加

次に、アルゴンガスに対する窒素ガスの流量比を上げて同様のスパッタリングを行うことにより、窒化チタン膜４を形成する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a preferable piezoelectric element by epitaxial growth method such as sputtering or orientation growth method, and to provide a process for manufacturing a liquid ejection head.例文帳に追加

スパッタ法などのエピタキシャル成長法或いは配向成長法よって好ましい圧電素子を作製する圧電素子製造方法及び液体吐出ヘッド製造方法を提供する。 - 特許庁

A precursor thin film is formed by alternately repeating a process for supplying In to a substrate and a process for supplying Cu and Ga at least for two times by using a sputtering method.例文帳に追加

スパッタ法を用いて、基板にＩｎを供給する工程とＣｕおよびＧａを供給する工程をそれぞれ少なくとも２回以上交互に繰り返して前駆体薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a backing plate used for a copper or copper alloy sputtering target that can not only prolong the periods the transportation and storage of itself but may also be used in a highly clean sputtering process atmosphere.例文帳に追加

銅又は銅合金製バッキングプレートの運搬や保管の期間を延ばすと共に、スパッタリングプロセスの高度な清浄雰囲気において使用可能な銅および銅合金製スパッタリングターゲット用バッキングプレートを提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering film deposition method in which film deposition can be performed at a speed higher than heretofore and a transparent thin film can be obtained without a batch treatment process, and an antireflection film which is obtained by the sputtering film deposition method.例文帳に追加

従来よりも高速で成膜でき、かつバッチ処理プロセスなしで透明薄膜を得ることができるスパッタ成膜方法を提供し、該スパッタ成膜方法により得られる反射防止膜を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing a piezoelectric thin film with an aluminum nitride thin film containing scandium, includes a sputtering process wherein sputtering is carried out with aluminum and scandium in an atmosphere including at least nitrogen gas.例文帳に追加

本発明に係るスカンジウムを含有する窒化アルミニウム薄膜を備えた圧電体薄膜の製造方法は、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気下において、アルミニウムとスカンジウムとでスパッタリングするスパッタリング工程を含む。 - 特許庁

In the liquid crystal display device and a method for manufacturing the same, the lift-off defects are minimized by forming a protective layer pattern using a sputtering method at the time of the lift-off process which is the core process of the 3 mask process.例文帳に追加

本発明は液晶表示装置及びその製造方法に係り、３マスク工程の核心工程であるリフトオフ工程時スパターリング法を利用して保護膜パターンを形成することによってリフトオフ不良を最小化する。 - 特許庁

To provide a film-forming apparatus which can improve film quality and film thickness controllability by stabilizing a pre-sputtering process, and to provide a film-forming method.例文帳に追加

予備スパッタの安定化を図ることにより膜質や膜厚制御性を向上させた成膜装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

In a method for manufacturing the phase change recording medium, oxygen is mixed in sputter process gas for sputtering and forming the corrosion resistance protective layer 8 (3).例文帳に追加

（３）スパッタプロセスガス中に酸素を混合してスパッタリングを行い耐食性保護層８を形成する相変化記録媒体の製造方法。 - 特許庁

In a coating B(b) process, a metal coat 12 of Au is formed on the resin thin film 11 with sputtering or deposition.例文帳に追加

次に、コーティングＢ（ｂ）工程において、樹脂薄膜１１上に、スパッタリングまたは蒸着によりＡｕなどの金属被膜１２を形成する。 - 特許庁

To deposit a film of uniform film quality over the whole region a substrate face while maintaining the characteristics of high adhesion in an unbalanced magnetron sputtering (UBMS) process.例文帳に追加

アンバランスドマグネトロンスパッタリング（ＵＢＭＳ）法の高密着性の特徴を維持しつつ、基板面全域で膜質の均一な膜を形成する。 - 特許庁

The surface roughness of the base material 2 is ≤0.1 μm by Ry (maximum height), and the hard carbon film 3 is deposited by a sputtering process.例文帳に追加

基材２の表面粗さはＲｙ（最大高さ）で０．１μｍ以下であり、硬質炭素被膜３はスパッタリング法により成膜されている。 - 特許庁

On the base board the metal electrode is formed directly by vacuum evaporation process, PVD, CVD, MOCVD method such as sputtering, or by plating.例文帳に追加

金属電極は、真空蒸着法、スパッタリング等のＰＶＤ、ＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ、メッキなどの方法で、絶縁基板上に直接形成される。 - 特許庁

To provide a sputtering target, when a thin film essentially consisting of titanium dioxide and having a high index of reflection is formed by DC (Direct Current) sputtering process, which solves the conventional defect that a film deposition rate is extremely slow and productivity is extremely inferior.例文帳に追加

二酸化チタンを主成分とした高屈折率の薄膜をＤＣスパッタリング法で形成する際に、従来有していた成膜速度が極めて遅く生産性が非常に悪いという欠点を解消しようとするスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a target for sputtering composed of an oxide sintered compact comprising TiOx and NbOx for the purpose of depositing a high refractive index optical thin film having reduced film defects and also having reduced optical absorption by a sputtering process.例文帳に追加

スパッタリング法により膜欠点が少なく、かつ光学吸収の小さい高屈折率光学薄膜を形成することを目的としてＴｉＯxとＮｂＯxとを含有する酸化物焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを提供する。 - 特許庁

A mixing ratio of water or hydrogen gas added to a sputtering gas is changed according to a scanning position of a substrate, in a process for depositing by introducing the sputtering gas into a deposition chamber and relatively scanning against a target with rotating the substrate.例文帳に追加

成膜室内にスパッタガスを導入し、基板を回転させながらターゲットに対して相対的に走査させて成膜する工程で、基板の走査位置に応じて、スパッタガスに添加する水又は水素ガスの混合比を変化させる。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus with a multiangular barrel, which does not cause a need for waste-water treatment like in an electroplating process and gives little load on the environment; to provide a sputtering method with a multiangular barrel therefor; to provide fine particles and microcapsules coated thereby; and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

めっき法のように廃液の処理が必要なく、環境に対する負荷が小さい多角バレルスパッタ装置、多角バレルスパッタ方法及びそれにより形成された被覆微粒子、マイクロカプセル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target, when a thin film essentially consisting of Si and O as the main components is produced by a sputtering process, in which easiness to be cracked upon the film deposition is improved, and further, the generation of abnormal discharge can be suppressed.例文帳に追加

ＳｉとＯとを主成分とする薄膜をスパッタ法で作製するにあたって、成膜時における割れやすさを改善すると共に、異常放電の発生を抑制することを可能にしたスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a process for preparing a high-density ITO sputtering target particularly relating to sputtering of ITO thin film used for transparent electrodes of flat panel display, in which nodules on the surface of the target, giving a cause to faults in a film, are not formed.例文帳に追加

フラットパネルディスプレイの透明電極等に用いられるＩＴＯ薄膜のスパッタリングにおいて、膜中欠陥の発生原因となるターゲット表面のノジュールが発生しない高密度ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a pretreating method for metal analysis and its device capable of preventing recontamination such as re-oxidation of the surface of a sample in a sputtering process, and thus providing a correct analyzed value always even when the sputtering is repeated.例文帳に追加

スパッタリングの過程で生ずる再酸化などの試料表面の再汚染を防止し、それによりスパッタリングを繰り返しても常に正しい分析値を与えることのできる金属分析の予備処理方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which can increase light transmittance to the near-infrared wavelength region of a transparent conductive film deposited on a light absorption film by a sputtering process for increasing the power generation efficiency of a solar cell.例文帳に追加

太陽電池の発電効率を高めるために光吸収膜の上にスパッタリング法で製膜される透明導電膜の近赤外波長域に至るまでの光透過率を高めることが可能なスパッタリングターゲットを提供すること。 - 特許庁

A coating machine for coating a substrate by means of sputtering, comprises a process chamber and, in the process chamber, targets 3, 3' from which target material is sputtable in the direction of the substrate for coating the substrate.例文帳に追加

スパッタリングによって基板をコーティングするためのコーティング機はプロセスチャンバを備えており、プロセスチャンバ内では、基板をコーティングするために、ターゲット３，３’からターゲット材料を基板の方向にスパッタ可能である。 - 特許庁

When a film of aluminum alloy is formed on a semiconductor substrate by a sputtering process, partial pressure ratios of nitrogen and oxygen included in an argon gas during the sputtering film formation to the entire sputtering gas are controlled to be about 51 ppm or less and about 11 ppm or less respectively to thereby form a film of aluminum alloy.例文帳に追加

半導体基板上に、スパッタリング法でアルミニウム合金からなる膜を形成する際、スパッタリング成膜中のアルゴンガス中に含有する窒素および酸素の、スパッタリングガス全体に対する分圧比が各々約５１ｐｐｍ以下、約１１ｐｐｍ以下になるように制御して、アルミニウム合金からなる膜を形成する。 - 特許庁

In the sputtering method in an oxidation mode for depositing an optical multilayer film on a substrate face within a vacuum tank, the total pressure in the vacuum tank is controlled in the process of depositing the optical multilayer film, thus at least either the sputtering voltage or sputtering current is held to prescribed value or prescribed width.例文帳に追加

真空槽内で基板面上に光学多層膜の成膜をする為の酸化モードでのスパッタ方法であって、前記光学多層膜の成膜中に前記真空槽内の全圧を調節することによってスパッタ電圧又はスパッタ電流の少なくとも一方を所定値又は所定幅に保つスパッタ方法。 - 特許庁

In the fabrication process, one end face is cleaned by sputtering under such conditions as 20 (W.min), then, the reflective film 8a is formed.例文帳に追加

作製工程においては、一方の端面が、２０(Ｗ・分)以上といった条件のスパッタリングにより清浄化された後、反射膜８ａが形成される。 - 特許庁

It is desired that the wiring conductor is the wiring pattern composed of the conductor film made by combining a drive process such as deposition, sputtering, etc., and plating treatment.例文帳に追加

配線導体は、蒸着、スパッタリング等のドライプロセスと、めっき処理を組み合わせて形成された導体膜からなる配線パターンであるのが好ましい。 - 特許庁

A surface protection layer 18 made of an inorganic compound is laminated on the anode 16 by a sputtering process with a plasma-supporting magnetron sputter of an inductive coupling type.例文帳に追加

陽極１６の上に無機化合物からなる表面保護層１８を誘導結合型ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタでスパッタ処理により積層する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of improving uniformity of a metal catalyst deposited on a substrate at an extremely low concentration without reducing process efficiency.例文帳に追加

工程効率の低下なしに、基板に極低濃度に蒸着される金属触媒の均一度を向上することができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

For this purpose, during a sputtering process carried out in a vacuum chamber (18), reaction products (14) are incorporated at least virtually exclusively in the transition layer (12) on the substrate.例文帳に追加

真空チャンバ（１８）内でのスパッタリングプロセス中に、反応生成物（１４）は、少なくとも事実上独占的に遷移層（１２）内に組み込まれる。 - 特許庁

The second electrode 27 is connected to a second power source 16 for applying the voltage of the negative potential to the second electrode, which is applied in a sputtering process.例文帳に追加

この第二電極２７は、負電位の電圧が印加するための第二電源１６に接続され、スパッタリング時に負電位の電圧が印加される。 - 特許庁

The sputter targets include the high-Ku alloy and either the desired oxide compounds, or the elements to be oxidized in a reactive sputtering process.例文帳に追加

スパッタターゲットは、高いＫｕを有する合金と、所望の酸化化合物又は反応的スパッタリングプロセスで酸化される元素のいずれか一方とを含む。 - 特許庁

AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTOR THIN-FILM, ITS FORMING METHOD, MANUFACTURING PROCESS OF THIN-FILM TRANSISTOR, FIELD EFFECT TRANSISTOR, LIGHT-EMITTING DEVICE, DISPLAY AND SPUTTERING TARGET例文帳に追加

非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット - 特許庁

To prevent the insulation of an anode in the case an insulator thin film is to be formed by d.c. discharge according to a reactive sputtering process, and to stabilize the discharge.例文帳に追加

反応性スパッタ法で直流放電により絶縁物薄膜を形成しようとする場合、アノードの絶縁化を防ぎ放電を安定させる。 - 特許庁

To provide a film deposition method by which film deposition by a sputtering process with a high resistor material as a target is possible in a low frequency of <1 MHz.例文帳に追加

１ＭＨｚ未満の低周波数において、高抵抗体材料をターゲットとするスパッタリング法による成膜が可能な成膜方法の提供。 - 特許庁

The anodes may be disposed across the process space perpendicular to the long side of a magnetron that may scan in two dimensions across the back of the sputtering target.例文帳に追加

アノードは処理空間全体にわたって、スパッタリングターゲットの背面全体を二次元方向に走査するマグネトロンの長辺に直角に配置してもよい。 - 特許庁

In the first processing, sputtering for forming the first dielectric layer 2 on the substrate 1 is performed in two steps in a process chamber of two chambers.例文帳に追加

第１工程において、基体１上に第１誘電体層２を形成するためのスパッタリングを２室のプロセスチャンバー内で２回に分けて行う。 - 特許庁

The water trapping layer 11 is a thin layer of alkali earth metal or oxide thereof, which can be formed by a vacuum process like sputtering or evaporation.例文帳に追加

捕水材層１１はアルカリ土類金属やアルカリ土類金属の酸化物薄膜であり、スパッタや蒸着などの真空プロセスで形成することができる。 - 特許庁

In the process for forming the DLC film, an argon etching step and a carbon sputtering step are repeated in an argon atmosphere to obtain a DLC coating.例文帳に追加

ＤＬＣの成膜工程では、アルゴン雰囲気中で、アルゴン・エッチング工程と、カーボン・スパッタリング工程とを、繰り返し行うことにより、ＤＬＣのコーティングを行う。 - 特許庁