「sputtering process」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for producing a circuit board, production process is simplified and manufacturing cost is reduced by forming a seed layer of a circuit on a base film through deposition, chemical plating or sputtering.例文帳に追加

かゝる本発明は、ベースフイルム上に回路のシード層を、蒸着、化学メッキ、又はスパッタによって形成する回路基板の製造方法にあり、これによって、工程の簡略化が図られ、コストダウンが達成される。 - 特許庁

To provide a method for producing an SrRuO_3 crystal film having low resistance equal to that of a bulk film by a sputtering process having excellent mass-productivity, and to provide a sputtered SrRuO_3 crystal film having low resistance equal to that of a bulk film.例文帳に追加

バルクに匹敵する低抵抗のＳｒＲｕＯ_３結晶膜を量産性に優れたスパッタ法で成膜する方法及びバルクに匹敵する低抵抗のスパッタＳｒＲｕＯ_３結晶膜を提供すること。 - 特許庁

To provide a device for controlling the amount of gas to be sprayed in a vacuum tank capable of controlling the distribution of a process gas in the vacuum tank for executing coating formation by sputtering finely and as one chooses from the outside of the vacuum tank.例文帳に追加

スパッタリングによる成膜を行なうための真空槽内のプロセスガスの分布を真空槽の外部より細かくかつ任意に調整することを可能にした真空槽のガス噴出量調整装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sliding member for automotive parts which can achieve a low frictional coefficient even in the case a sputtering process is adopted as a method for depositing a hard carbon film, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

硬質炭素被膜を成膜するための方法としてスパッタリング法を採用した場合でも、低摩擦係数を実現することができる、自動車部品用摺動部材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To process a probe by avoiding inadvertent damage on a sample and reducing scattering and adhesion as much as possible of sputtering particles of heavy metal which are constituents of the probe and a sample stage.例文帳に追加

本発明の目的は、試料の意図しない損傷を回避し、プローブや試料ステージなどの成分である重金属のスパッタ粒子の試料への飛散や付着を極力低減して、プローブを加工することに関する。 - 特許庁

To provide a new composite polymer having mixed structures in molecular level by taking in a plurality of kinds of polymers having different chemical structures as target materials with a process using a radio frequency sputtering method.例文帳に追加

異なる化学構造を持つ複数種類のポリマーをターゲット材料とすることで、高周波スパッタ法による一つのプロセスによって、分子レベルで構造が混合された新たな複合ポリマー材料を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which improves productivity and reduces a cost by curtailing a manufacturing process of indium oxide-zinc oxide from powder starting materials without essentially impairing the characteristics as an IZO sputtering target.例文帳に追加

実質的にＩＺＯスパッタリングターゲットとしての特性を損なうことなく酸化インジウム−酸化亜鉛の原料粉末からの工程の短縮を行い、生産性を向上させコストを低減できる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a compound insulation film which is an extra-thin film of several tens to several hundreds Å whose acquisition has been difficult by the conventional sputtering process, and is convenient for the gap layer of a magnetic head and a tunnel joining type GMR (Giant Magneto-Resistance).例文帳に追加

従来のスパッタ法では困難であった数十〜数百Åの極薄で磁気ヘッドのギャップ層やトンネル接合型ＧＭＲに好都合な化合物絶縁膜を形成する方法を提案する - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device which comprises a process of forming an Al alloy interconnection film to be electrically connected to each region of a transistor, on a silicon substrate formed with the transistor, the Al alloy interconnection film is formed by sputtering, and a bias voltage applied to the silicon substrate side when sputtering is set to 0 V or ground potential.例文帳に追加

トランジスタが形成されたシリコン基板上に、トランジスタの各領域と電気的に接続されるＡｌ合金配線膜を形成する工程を有した半導体装置の製造方法において、Ａｌ合金配線膜の形成工程をスパッタリングによって行い、スパッタリング時に、シリコン基板側に印加するバイアス電圧を０Ｖもしくは接地電位とする。 - 特許庁

Previously, the electric field concentrated place in a target 11 for sputtering is removed by etching or the like, and then, the target 11 for sputtering freed from the electric field concentrated place is housed into a transporting case 13 protecting the surface to prevent the generation of an another electric field concentrated place caused by its contact with solids and contaminants in the process of transportion or the like.例文帳に追加

予めスパッタリング用ターゲット１１の電界集中箇所をエッチングなどにより除去し、そして、電界集中箇所が除去されたスパッタリング用ターゲット１１を、その表面を保護する輸送ケース１３に収納して、輸送中などに固体や汚染物質と接触して再度電界集中箇所が生じるのを防ぐようにしている。 - 特許庁

The method for manufacturing a photomask blank having at least a film for forming a mask pattern on a transparent substrate includes a film forming process for sputter-forming the film for forming the mask pattern by causing a sputtering atmosphere to contain at least helium gas and a process for heating the transparent substrate during or after the film forming process.例文帳に追加

透明基板上にマスクパターンを形成するための膜を少なくとも有するフォトマスクブランクの製造方法において、前記マスクパターンを形成するための膜を、スパッタリング雰囲気中に少なくともヘリウムガスを含有させてスパッタ成膜を行う成膜工程と、前記成膜工程の間又は後に前記透明基板を加熱する工程をと有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the photomask blank having at least a film for forming a mask pattern on a transparent substrate comprises a film forming process for sputter-forming the film for forming the mask pattern by containing at least helium gas in sputtering atmosphere and a process for heating the transparent substrate during or after the film forming process.例文帳に追加

透明基板上にマスクパターンを形成するための膜を少なくとも有するフォトマスクブランクの製造方法において、前記マスクパターンを形成するための膜を、スパッタリング雰囲気中に少なくともヘリウムガスを含有させてスパッタ成膜を行う成膜工程と、前記成膜工程の間又は後に前記透明基板を加熱する工程をと有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a capacitor structure comprises a process for forming a lower electrode film 91 on a substrate 10, a process for forming an insulating film 92 on the lower electrode film 91, and a process for forming an upper electrode film 93 on the insulating film 92 by sputtering in a state in which a susceptor electrode 35 to which a negative potential is applied is arranged on the undersurface of the substrate 10.例文帳に追加

キャパシタ構造の製造方法は、基板１０上に下部電極膜９１を形成する工程と、下部電極膜９１上に絶縁膜９２を形成する工程と、基板１０の裏面に、負の電位が印加されたサセプタ電極３５を配置した状態で、スパッタ法によって絶縁膜９２上に上部電極膜９３を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The method of manufacturing a piezoelectric thin-film element having a PZT thin film formed on a substrate has a first process of forming a metal film on the substrate, a second process of sputtering a PZT precursor film on the metal film in an atmosphere containing no oxygen, and a process of applying heating processing to the precursor film to form a PZT crystal.例文帳に追加

基板上にＰＺＴ薄膜を形成した圧電体薄膜素子の製造方法であって、基板上に金属膜を形成する第１の工程と、前記金属膜上にＰＺＴの前駆体膜を酸素を含有しない雰囲気でスパッタリングする第２の工程と、前記前駆体膜を熱処理してＰＺＴの結晶体を形成する工程と、を備えてなる。 - 特許庁

The termination method of the diamond electrode includes a rare gas terminating process for sputtering the surface of the diamond electrode 42, which is terminated by hydrogen, by a rare gas to terminate the diamond electrode 42 by the rare gas and a target substance terminating process for replacing the rare gas on the surface of the diamond electrode 42 with a target substance to terminate the diamond electrode 42.例文帳に追加

水素終端化されているダイヤモンド電極４２の表面を、希ガスをスパッタリングすることにより、当該希ガスで終端化する希ガス終端化工程と、そのダイヤモンド電極４２の表面の希ガスを、目的物質で置き換えて終端化する目的物質終端化工程とを備えるようにした。 - 特許庁

To provide a method for effectively removing an Ni film without eroding a mask member made of stainless steel when removing the Ni film deposited in a thin film pattern forming process from a surface of the mask member made of stainless steel used for pattern forming in the film pattern forming process such as sputtering.例文帳に追加

スパッタリングなどの薄膜パターン形成プロセスにおいてパターン形成のために使用されるステンレス鋼製のマスク部材の表面から、薄膜パターン形成過程で堆積されたＮｉ膜を除去するにあたり、ステンレス鋼製マスク部材を侵食させることなく、Ｎｉ膜を効果的に除去し得る方法を提供する。 - 特許庁

Two targets 14 and 15 are set to the inside of a process chamber 2, voltage for sputtering is made selectively applicable from a cathode electrode 11 common to both, and moreover, a substrate 17 introduced into the process chamber 2 via a load lock chamber 3 is made capable of being carried to the respectively confronted film forming positions of the targets 14 and 15.例文帳に追加

プロセスチャンバ２内に２つのターゲット１４・１５を設置し、それぞれに共通のカソード電極１１からスパッタリング用の電圧を選択的に印加可能とし、また、ロードロック室３を介してプロセスチャンバ２内に導入した基板１７をターゲット１４・１５のそれぞれと対向する成膜位置に搬送可能とする。 - 特許庁

The particle generating process and the flying and scattering process are preliminarily calculated according to the flow chart shown in (a) at any points in a sputtering chamber or at specified positions on a substrate so as to obtain the incident angle of particles, namely the distribution of horizontal and vertical incident angle of entering particles, and to obtain the energy distribution function at the angle.例文帳に追加

粒子発生過程と飛翔散乱行程を図１（ａ）に示すフローに従い、予めスパッターチャンバー内の任意の点、又は基板上特定位置において計算しておき、その入射方向、即ち入射する各粒子の水平、垂直入射角分布、及びその角度でのエネルギー分布関数を求めておく。 - 特許庁

At this time, a film performing process is carried out to form a lower base metallic film 131 as a tantalum film not containing nitrogen by sputtering each substrate 20x fed in the film growth chamber, in such a condition that the supply of the nitrogen gas is stopped, and then a reactive sputter film forming process is carried out by starting the supply of the nitrogen gas.例文帳に追加

その際、成膜室に基板２０ｘを搬入するたびに、窒素ガスの供給を停止した状態でスパッタリングして窒素を含有しないタンタル膜からなる下地金属膜１３１を形成する成膜前処理を行った後、窒素ガスの供給を開始して反応性スパッタ成膜処理を行う。 - 特許庁

The method for manufacturing the alloy sputtering target material having the fine and uniformed structure, the method having the casting process of the alloy, is performed as the followings, that is, in the casting process, when the cast block is obtained by pouring molten alloy into a mold and solidifying the alloy, the solidification speed of the poured molten metal is adjusted into the range of 1-10 mm/sec.例文帳に追加

合金の鋳造工程を有し、該鋳造工程において、鋳型に合金の溶湯を注湯し、凝固させて鋳塊を得る際に、注湯された溶湯の凝固速度を１〜１０ｍｍ／ｓｅｃの範囲に調整することを特徴とする、微細均一化された組織を有する合金スパッタリングターゲット材の製造方法。 - 特許庁

To provide an alternating current power-supply unit suitable for inhibiting arc from forming in a process of particularly sputtering or the like, which is used in a manufacturing apparatus field for manufacturing a semiconductor, a liquid crystal substrate or the like, and minimizing generated arc energy, and to provide a process for inhibiting the arc in the unit.例文帳に追加

特にスパッタなどのプロセスを用いて半導体や液晶基板などを製造する製造装置分野において、プロセスの過程で発生するアークを抑制し、発生したアークエネルギを最小限に抑えるのに適した交流型の電源装置およびその装置におけるアーク抑制方法を提供する。 - 特許庁

As a means for periodically repeating the film deposition process and the sputtering process, firstly, the voltage applied to the substrate WA with respect to a vacuum container 10, secondly, the current supplied between a plasma gun 30 and the hearth liner 53, and thirdly, the atmospheric pressure in a vacuum container 10 are periodically changed.例文帳に追加

成膜工程とスパッタリング工程とを周期的に繰り返すための手段として、第１に真空容器１０に対する基板ＷＡの電圧と、第２にプラズマガン３０とハースライナー５３との間に供給する電流と、第３に真空容器１０中の雰囲気圧とをそれぞれ周期的に変化させる。 - 特許庁

The sputtering apparatus comprises manifolds 9 and 10, which have symmetrical configurations with respect to each orthogonal center axis inside the face of the target 8, and are arranged to surround the circumference of the target 8, and comprises openings 9a and 10a for feeding process gas, which are dispersively arranged in the whole manifolds 9 and 10 in order to feed process gas to the target 8.例文帳に追加

マニホールド９，１０がターゲット８の面内において互いに直交する中心軸のそれぞれに対称な形状を有してターゲット８の全周を囲むように配置され、プロセスガス放出口９ａ，１０ａがターゲット８にプロセスガスを放出するためにマニホールド９，１０全体に分散して設けられている。 - 特許庁

This sputtering apparatus comprises a vacuum chamber device 41 having one load lock chamber 30 and more then one process chambers 31-35, and a carrying mechanism 20 for carrying the base board in order to deliver the base board to the load lock chamber.例文帳に追加

このスパッタリング装置は、１つのロードロックチャンバ３０と１つ以上のプロセスチャンバ３１〜３５とを備える真空チャンバ装置４１と、ロードロックチャンバに対し基体の受け渡しを行うために基体を搬送する搬送機構２０とを備える。 - 特許庁

To provide a high-strength Cu-Ga-based sputtering target material for use in manufacturing a light-absorbing thin layer of a solar cell, which can be highly densified by preventing the powder from being melted in a molding process at high temperature, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

高温成形時の溶融を抑制することで高密度化を達成できる、太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための高強度Ｃｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the UV cut-off film 7 is formed by a film forming process, for example, by sputtering, the back face 1b of the glass substrate 1 is directly in a releasable state adhered to a supporting face 18 of a support glass substrate 17 that covers the whole area of the back face 1b.例文帳に追加

成膜処理、例えばスパッタリングによって紫外線遮断膜７を形成する際、ガラス基板１の裏面１ｂを、該裏面１ｂ全域を覆う支持ガラス基板１７の支持面１８に対して剥離可能に直接接着させる。 - 特許庁

The method of depositing the transparent optical film includes the step of depositing an optical film that is transparent on a substrate 11 by a reactive sputtering process using a Mg-Si metal target 4 in an atmosphere into which a gas 7 of a fluorine-containing compound is introduced and in which the total pressure is adjusted to 8 Pa or more.例文帳に追加

フッ素を含む化合物のガス７を導入して全圧８Ｐａ以上とした雰囲気下で、Ｍｇ−Ｓｉメタルターゲット４を用いた反応性スパッタリング法により、基板１１上に透明な光学膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a shadow mask in which defects due to dust generated by the peeling of a thin film accumulated on the surface in the process of vacuum deposition, sputtering or the like are prevented, and which can be stably used over a long period.例文帳に追加

真空蒸着やスパッタリングなどの過程においてシャドーマスクの表面に累積した薄膜の剥離によって生じる粉塵による欠陥を防止して、長期間安定して用いることができるシャドーマスクを提供する。 - 特許庁

The reflectance is adjusted in accordance with the incidence angle of incident light 10a through the provision of the distribution of film density in the in-plane direction by a method for changing an incident angle of sputtering atoms and the like in the process for forming the film of the Mo layer 2.例文帳に追加

Ｍｏ層２の成膜工程で、スパッタ原子の入射角を変化させる等の方法で、面内方向に膜密度の分布を持たせることにより、入射光１０ａの入射角に応じて反射率を調整する。 - 特許庁

To suppress variance in product quality by minimizing the influence of gas, etc., adsorbed to a substrate of polycarbonate, etc., by modifying a filming process for a recording layer in sputtering without altering facilities nor adding new facilities.例文帳に追加

設備上の改造や、新規に設備を追加することなく、スパッタ時の記録層の成膜プロセスを変更することで、ポリカーボネート等の基板に吸着したガス等の影響を最小化し、製品品質のばらつきを押さえること。 - 特許庁

The related invention (Claim 2) is the gas phase etching medium by sputtering. It does not correspond to the "equipment," but it falls under "other products" directly used in working the process for fabrication of the specified invention (Claim 1). 例文帳に追加

（請求項２）は、スパッタリングによるエッチングを行うためのガス状エッチング媒体であり、特定発明（請求項１）の基板の製造方法の実施に直接使用する「装置類」には該当しないが、「その他の物」に該当する。 - 特許庁

Alternatively, the surface-treated product is characterized in that the surface of the object is covered with a thin film by a sputtering process, and the object and the thin film are reacted, so as to form a reaction layer on the surface of the object.例文帳に追加

また、本発明に係る表面処理物は、スパッタリング法によって被処理体の表面に薄膜が被覆され、前記被処理体と前記薄膜を反応させて該被処理体の表面に反応層が形成されたことを特徴とする。 - 特許庁

The process device 1 is a vacuum device, such as a vapor deposition device, a molecular beam epitaxial device or an ion beam sputtering device, or a thin-film growth device, such as an organic-metal gas-phase growth device or a liquid phase epitaxial device, or a surface treatment device, etc.例文帳に追加

プロセス装置１は、蒸着装置、分子ビームエピタキシャル装置、イオンビームスパッタ装置等の真空装置や、有機金属気相成長装置、液相エピタキシャル装置等の薄膜成長装置、表面加工装置等である。 - 特許庁

The composite material is used as the target material to perform dry process vapor deposition such as a reactive sputtering method or the like to obtain a product such as a cutting tool, a slide part or the like coated with a hard thin film excellent in abrasion resistance or oxidation resistance.例文帳に追加

該複合材をターゲット材として、反応性スパッタ法等のドライプロセス蒸着を行い、表面に耐摩耗性又は耐酸化性の優れた硬質薄膜をコーティングした切削工具又は摺動部品等の製品を得る。 - 特許庁

To provide: a Cu-In-Ga-Se based powder which contains Cu, In, Ga and Se and is free from occurrence of cracks during sintering or process; and a sintered body and a sputtering target, each of which uses the Cu-In-Ga-Se based powder.例文帳に追加

焼結時や加工時に割れの発生しないＣｕ、Ｉｎ、ＧａおよびＳｅを含有するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ系粉末、およびこれを用いた焼結体およびスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。 - 特許庁

Furthermore, a natural oxide film left on the diffusion layer is removed through a reverse sputtering method by the use of helium plasma before a silicifying process is carried out, by which the surface of a diffusion layer can be flattened, and a junction leakage current can be also restrained.例文帳に追加

さらに、シリサイド化工程の前に拡散層の上に残存する自然酸化膜をヘリウムプラズマによる逆スパッタによって除去することにより、拡散層の表面を平坦にでき、接合リークを抑制することができる。 - 特許庁

When a polysilicon is used as the material of a lower-layer wiring 102, a side-wall deposit 118a comprising Si is formed on the side wall of a via hole 110 by sputtering on the surface of a lower-layer wiring 102 in a via hole formation process S5.例文帳に追加

下層配線１０２の材料にポリシリコンを適用すると，ビアホール形成工程Ｓ５において下層配線１０２表面でスパッタリングによってビアホール１１０側壁にＳｉからなる側壁堆積物１１８ａが形成される。 - 特許庁

For example, the second RF source and the conductive grid can be a part of a capacitive circuit configured such that voltage change in the capacitive circuit affects properties of the sputtering gas and, then properties of a sputter deposition process is changed.例文帳に追加

例えば、第２のＲＦ電源及び導電グリッドは、容量性回路の一部を構成しており、容量性回路内における電圧の変化によりスパッタリング・ガスの特性が変化し、その後、スパッタ・成膜プロセスの特性が変化する。 - 特許庁

The step of forming the non-magnetic intermediate layer (MgO) includes a step of forming a stoichiometric magnesium oxide film by performing high-frequency sputtering a magnesium oxide target under process gas pressure of 0.0400 to 26.66 Pa.例文帳に追加

非磁性中間層（ＭｇＯ）を成膜する工程は、酸化マグネシウムターゲットを０．０４００Ｐａ以上２６．６６Ｐａ以下の処理ガス圧力下で高周波スパッタすることにより、化学論量の酸化マグネシウム膜を成膜する工程を含む。 - 特許庁

To provide a method for effectively doping a dopant by controlling reaction of a dopant element in a method for forming a group III nitride semiconductor layer using a nitrogen source in a state of radicals, plasmas, or atoms such as MBE and sputtering process.例文帳に追加

ＭＢＥやスパッタなどのラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層の成膜法において、ドーパント元素の反応を抑制し、効率良くドーパントをドーピングする方法を提供すること。 - 特許庁

The method for producing the sputtering target for optical media includes a process wherein a material powder having a composition consisting of 45-90 mol% of TiO_2 and the remainder ZnO is burned in an inert atmosphere or in a vacuum.例文帳に追加

また、４５〜９０ｍｏｌ％のＴｉＯ_２と、残部のＺｎＯと、からなる組成を有する原料粉体を不活性雰囲気中または真空中で焼成する工程を備える光メディア用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the magneto-optical recording medium formed by stacking a plurality of magnetic layers, at least two of magnetic layers are manufactured by sputtering the same target means in the same vacuum tank under a different condition at a sputtering process depending on the respective element composition ratio and/or magnetic characteristics.例文帳に追加

複数の磁性層が積層されてなる光磁気記録媒体の製造方法において、磁性層のうちの少なくとも２層をそれぞれの元素組成比率および／あるいは磁気特性に応じて、スパッタリングプロセス時に異なる条件で同一真空槽内において同一ターゲット手段をスパッタリングすることにより造り分けることが可能となる製造方法を提供する。 - 特許庁

Regarding the method for producing an SrRuO_3 film, SrRuO_3 is deposited on a substrate in an oxygen-containing atmosphere under the pressure in the range of 8 to <300 Pa, preferably, in the range of 16 to 130 Pa by a sputtering process where a target and the substrate are confronted.例文帳に追加

ターゲットと基板を対向させたスパッタ法で、酸素含有雰囲気、８Ｐａ以上３００Ｐａ未満、好ましくは１６〜１３０Ｐａの範囲内の圧力下で、基板上にＳｒＲｕＯ_３を堆積する、ＳｒＲｕＯ_３膜の製法。 - 特許庁

In a process of depositing a reflecting multi-layered film by alternately sputtering targets 11, 12 of Mo and Si, the internal stress of a Mo layer is changed according to the value of the water partial pressure of atmospheric gas in a vacuum chamber 1 to cause dispersion in the reflectance for each product.例文帳に追加

ＭｏとＳｉのターゲット１１、１２を交互にスパッタして反射多層膜を成膜する工程において、Ｍｏ層の内部応力は、真空チャンバー１内の雰囲気ガスの水分圧値に応じて変化し、製品ごとの反射率のバラつきを招く。 - 特許庁

Using a highly flexible basic material, e.g. a polyimide resin sheet, heating resistors, discrete electrodes, signal input electrodes and a protective film are formed on one plane of the basic material using sputtering and a photolithographic process and then it is patterned.例文帳に追加

さらに、端面に発熱抵抗体を形成しパターニングを行う面が増える為、成膜やフォトリソの工数が増加するとともに、平面部と端面との電極の連続性を保つことも技術的に困難であり、量産性に問題があった。 - 特許庁