「sputtering process」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The windshield for the timepiece is formed with an oxide film by a sputtering process on a glass base material, in which the sputtering gas is a gaseous mixture composed of Ar and an element having an atomic radius smaller than atoms exclusive of oxygen constituting the oxide film.例文帳に追加

ガラス基材に酸化物膜がスパッタリング法で形成された時計用風防ガラスであり、そのスパッタリングガスが、前記酸化物膜を構成する酸素以外の原子よりも小さな原子半径の元素とＡｒの混合ガスであることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a copper wiring substrate attaining further reduction of electric resistance and maintenance of adhesive property of a copper thin film to a substrate surface at high levels and attaining cost reduction of a metal target material used in a sputtering process and of the entire manufacturing process mainly in the sputtering process using the target material.例文帳に追加

電気抵抗のさらなる低減化と基板表面に対する銅薄膜の密着性の確保との両方を高いレベルで達成することができ、かつスパッタリングプロセスで用いられる金属ターゲット材のコスト削減やそれを用いたスパッタリングプロセスを中心として全体的な製造プロセスのコスト低減を達成することを可能とした、銅配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the sputtering target for the EL element manufacture includes a mixing process of obtaining a mixture by mixing at least sulfide of divalent metal, trivalent metal, and sulfide of a luminescence center element, a molding process of obtaining a molded product by molding the mixture, and a sintering process of obtaining the sputtering target for the EL element manufacture by sintering the molded product.例文帳に追加

ＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法が、少なくとも、２価金属の硫化物と、３価金属と、発光中心元素の硫化物とを混合して混合物を得る混合工程と、該混合物を成形して成形物を得る成形工程と、該成形物を焼結してＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットを得る焼結工程とを含むと、上記課題を解決することができる。 - 特許庁

A via hole 121a is formed by a first process to form an aperture to an insulating resin film 122 by the irradiation of a laser, a second process to form the aperture to the insulating resin film 122 by dry etching, and a third process to conduct inverse sputtering.例文帳に追加

ビアホール１２１ａは、レーザを照射して絶縁樹脂膜１２２に開口を形成する第一の工程と、ドライエッチングにより絶縁樹脂膜１２２に開口を形成する第二の工程と、プラズマ雰囲気下で、逆スパッタリングを行う第三の工程とにより形成される。 - 特許庁

The semiconductor device manufacturing method comprises at least a process (1) for forming a resin film containing a polyimide on a wafer, a process (2) for inversely sputtering the resin film by argon gas and a process (3) for sealing at least a part of the resin film by seal resin in this order.例文帳に追加

少なくとも（１）ウエハ上にポリイミドを含有する樹脂膜を形成する工程、（２）前記樹脂膜をアルゴンガスで逆スパッタする工程、（３）前記樹脂膜の少なくとも一部を封止樹脂で封止する工程をこの順に有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a process and a system for a magnetron sputtering by which a highly efficient film deposition can be realized at low temperature near to ordinary temperature by preventing the temperature of a base material from rising.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリングにおいて、基材の温度上昇を防止して常温に近い低い温度で高能率の薄膜形成を可能にする方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a reliable semiconductor device wherein holes, trenches, etc. can be formed with high accuracy without requiring a process such as Ar sputtering which gives heavy damage.例文帳に追加

Ａｒスパッタ処理のようなダメージの大きい工程を必要とせず、高精度でホールや溝などを形成することが可能で、信頼性の高い半導体装置を製造する。 - 特許庁

To provide a thin film deposition method and a thin film deposition apparatus which improve the uniformity of the (001) orientation of an MgO film to be deposited using a sputtering process.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて形成するＭｇＯ膜において（００１）配向の均一性を向上させる薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁

A fine-particle layer is formed to add it to the device by laminating a plurality of planar structures with fine particles 2 dispersed planarly, using a sputtering process and the like.例文帳に追加

スパッタ等の手法を用い、平面的に微粒子２を分散させた平面構造で、これを複数層積層することで、微粒子層を形成し、これをデバイスに付加する。 - 特許庁

Next, a state where a platinum thin film 103 with a film thickness of about 200 nm is deposited on the silicon oxide layer 102 by an ECR (Electron Cyclotron Resonance) sputtering process using a platinum target is made.例文帳に追加

次に、白金ターゲットを用いたＥＣＲスパッタ法により、酸化シリコン層１０２の上に、膜厚２００ｎｍ程度の白金薄膜１０３が形成された状態とする。 - 特許庁

The formation of the BiFeO_3 crystal film 102 is performed by an ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma sputtering process using a target of a sintered compact mainly composed of the oxide of bismuth and iron.例文帳に追加

ここで、ＢｉＦｅＯ_3結晶膜１０２の形成は、主として、ビスマスと鉄との酸化物からなる焼結体のターゲットを用いたＥＣＲプラズマスパッタ法により行う。 - 特許庁

A Cr seed layer, a Cr based alloy base layer, CoCr alloy intermediate layer and the double film magnetic layer 19 are successively disposed on the substrate by using a sputtering process.例文帳に追加

スパッタリング処理が使用されて、Ｃｒシード層、Ｃｒ系合金下地層、ＣｏＣｒ合金中間層、及び２重膜磁性層１９を順番に基板上に配置される。 - 特許庁

Lastly in a semiconductor manufacturing process (for example, sputtering method, vapor deposition method or the like), a metal film is formed as a plating seed layer on the surface of both ends of electronic element.例文帳に追加

最後に、半導体製造工程（例えば、スパッタリング法や、蒸着法等）を以ってめっき用種子層として電子素子の両端の表面に金属フィルムを形成する。 - 特許庁

A substrate 2 is transferred to a film-forming chamber side by a delivery holder 60, is subjected to film formation by a sputtering process, and is again returned to a load lock chamber 30 side.例文帳に追加

受渡ホルダ６０によって、基板２が成膜処理室側に受け渡され、スパッタリングによる成膜処理が施された後、再びロードロック室３０側に戻される。 - 特許庁

To provide a sputtering method and a film deposition apparatus which, during a process for depositing a layer on a substrate by a physical vapor deposition (PVD) method, control properties of the layer.例文帳に追加

物理的気相成長法（ＰＶＤ）により基板上に層を形成するプロセス中に、層の特性を制御可能なスパッタリング方法及び成膜装置を提供する。 - 特許庁

The control device 13 conveys the substrate 14 into a tantalum layer forming chamber F3 to coat the whole magnetic layer 15 with a tantalum layer 16 using an oblique incidence sputtering process.例文帳に追加

また、制御装置１３が、基板１４をタンタル層形成チャンバＦ３に搬送し、斜め入射スパッタ法を用いて磁性層１５の全体にわたりタンタル層１６を被覆する。 - 特許庁

The method has (c) a process of forming a titanium nitride film 10, containing titanium on the metal film 9 by sputtering in an atmosphere in which a nitrogen concentration is 80% or higher.例文帳に追加

そして、（ｃ）窒素濃度が８０％以上の雰囲気で、スパッタによりチタンを含むチタンナイトライド膜１０を金属膜９上に形成する工程を備える。 - 特許庁

At this time, the flank of the aluminum wire 20 exposed in the through hole 22a is nitrified with nitrogen gas used for a sputtering process to form aluminum nitride 31.例文帳に追加

このとき、スルーホール２２ａから露出するアルミニウム配線２０の側面が、スパッタリング工程で使用される窒素ガスにより窒化されて、窒化アルミニウム部分３１が形成される。 - 特許庁

The manufacturing method includes a sputter film forming process for forming a barrier film 116 having tantalum or tantalum nitride as a main component by sputtering, which uses a xenon gas, on an interlayer insulating film 113.例文帳に追加

層間絶縁膜１１３上に、キセノンガスを用いたスパッタリングで、タンタルまたは窒化タンタルを主成分とするバリア膜１１６を形成するスパッタ成膜工程を備える。 - 特許庁

To provide a sulfide target for forming a sulfide fluorescent film composed of Al_2S_3, BaS and EuS and having satisfactory crystallinity by a sputtering process, and to provide its production method.例文帳に追加

Ａｌ_２Ｓ_３、ＢａＳ、ＥｕＳからなり、結晶性の良い硫化物蛍光体膜をスパッタリング法で形成するための硫化物ターゲット、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system by which the temperature of a chimney in the process of operation is fixed to set degassing quantity, and film deposition free from the variation in film thickness is possible and to provide a film deposition method.例文帳に追加

稼働中のチムニーの温度を一定にしてデガス量を一定とし、膜厚の変動のない成膜が可能なスパッタリング装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technology capable of preventing any abnormal discharge occurring during a sputtering process in manufacturing a semiconductor device, and reducing the generation of foreign matters.例文帳に追加

半導体装置の製造におけるスパッタプロセス中に発生する異常放電を防止し、異物の発生を低減することが可能な技術を提供することにある。 - 特許庁

The method for manufacturing the electronic component comprises an electrode film forming process for forming the electrode film consisting of the α phase tungsten on a substrate at the substrate temperature of 100-300°C by a sputtering method; a process for working the electrode film into a desired shape; and a process for heat-treating the electrode film.例文帳に追加

基板上に、α相タングステンからなる電極膜を１００〜３００℃の基板温度でスパッタリング法により形成する電極膜形成工程と、該電極膜を所望の形状に加工する工程と、電極膜を熱処理する工程とを備える、電子部品の製造方法。 - 特許庁

There are provided a process where a lower electrode 3 of a capacitor is formed above a semiconductor substrate 1, a process where a ferroelectrics film 4 is formed on the lower electrode 3, and a process where an upper electrode 5 is formed on the ferroelectrics film 4 by sputtering using DC pulse discharge.例文帳に追加

半導体基板１の上方にキャパシタの下部電極３を形成する工程と、下部電極３上に強誘電体膜４を形成する工程と、ＤＣパルス放電のスパッタにより上部電極５を強誘電体膜４の上に形成する工程とを含む。 - 特許庁

To prevent the contamination of a target caused by a gaseous starting material or reaction gas to be introduced at the time of performing an ALD (Atomic Layer Deposition) process in the case a film deposition system is composed so that film deposition by an ALD process and film deposition by a sputtering process can be performed to a treatment substrate on a substrate stage in the same chamber.例文帳に追加

同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。 - 特許庁

To provide a metal particulate-dispersed composite of nanosize capable of producing a thin film in which particulates are dispersed in such a manner that the particle sizes are uniform and fine using a vacuum film deposition process such as an electron beam vapor deposition process and a sputtering process where uniform film deposition is possible, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

均一な成膜が可能である電子ビーム蒸着法やスパッタリング法等の真空成膜法を用い、かつ微粒子サイズが均一かつ微細に分散した薄膜を作製することができる、ナノサイズの金属微粒子分散複合体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A thin film layer 16 is made up by depositing an inorganic material such as Ni or the like on the probes 13 on the substrate 11 in a sputtering process or a vacuum evaporation process, and a support layer 17 is made up on the upper surface of the evenly formed thin film layer 16 by depositing the same inorganic material in an electroforming process.例文帳に追加

プローブ１３の上から基板１１状にＮｉ等の無機物質をスパッタリングや真空蒸着によって堆積させて薄膜層１６を形成し、平坦に形成された薄膜層１６の上面に同じ無機物質を電鋳法により析出させて支持層１７を形成する。 - 特許庁

To prevent the contamination of a target caused by a gaseous starting material or reaction gas to be introduced at the time of performing an ALD process in the case that a film deposition system is composed so that film deposition by the ALD process and film deposition by a sputtering process can be performed to a substrate to be treated on a substrate stage in the same chamber.例文帳に追加

同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。 - 特許庁

Moreover, this is the manufacturing method of the substrate with the transparent film which is equipped with a process of forming the first thin film layer composed of zinc oxide on the substrate by a magnetron sputtering method, and a process of forming the second thin film layer composed of indium oxide containing tin on the first thin film layer sequentially by a magnetron sputtering method.例文帳に追加

また、基板上に酸化亜鉛からなる第１の薄膜層をマグネトロンスパッタリング法により形成する工程と、該第１の薄膜層上にスズを含むインジウム酸化物からなる第２の薄膜層をマグネトロンスパッタリング法により形成する工程とを順に備えることを特徴とする透明導電膜付き基板の製造方法とした。 - 特許庁

The mold for molding an optical glass element, having excellent mold releasability from an optical glass element after press molding is obtained by subjecting a molding face formed on the surface of a preform for a mold to etching treatment by a reverse sputtering process to control the surface roughness (Ra^1) of the molding face to 0.01 to 50 nm and further subjecting the molding face to a sputtering process to thereby form a protective layer.例文帳に追加

金型用母材の表面に形成された成形面を逆スパッタリング法によってエッチング処理して、前記成形面の表面粗さ（Ｒａ^１）を０．０１〜５０ｎｍとし、さらにスパッタリング法によって保護層を形成して得た、プレス成形後の光学ガラス素子との離型性に優れる、光学ガラス素子成形用金型。 - 特許庁

The method of manufacturing the image display device includes a process of forming a draw-out wiring C on a rear plate 1, and a process of forming a thin-film insulating layer 11 on the draw-out wiring C by a CVD method or a sputtering method.例文帳に追加

本発明の画像表示装置の製造方法は、リアプレート１上に引き出し配線Ｃを形成する工程と、引き出し配線Ｃ上に、ＣＶＤ法もしくはスパッタ法で薄膜絶縁層１１を形成する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminate by which an organic coating material layer can be formed continuously and stably on a thermoplastic support by vaporizing an organic matter consecutively, in a film forming velocity range of a chemical vapor deposition process or a sputtering process.例文帳に追加

化学蒸着法やスパタリング法の成膜速度領域で、有機物を連続的に気化させ、熱可塑性支持体上に連続的に有機被覆物層を安定して形成できる積層体の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a target material used in an AIP (arc ion plating) process and an MS (magnetron sputtering) process, in which mechanical strength is improved, and further, the formation of droplets is suppressed, and which is suitable for forming a film having high quality.例文帳に追加

本願発明は、ＡＩＰ法、ＭＳ法で用いるターゲット材であって、機械的強度が改善されるとともに、ドロップレットの生成が抑制され、品質の高い皮膜を形成するのために好適なターゲット材を提供することである。 - 特許庁

The forming method of the solid oxide thin film has a process depositing lanthanum gallate on the anode 3 by RF magnetron sputtering; and a process heat-treating the anode 3 on which lanthanum gallate is deposited at temperature less than 1,200°C.例文帳に追加

固体酸化物薄膜の形成方法は、ＲＦマグネトロンスパッタリングにより、アノード電極３上にランタンガレートを堆積する工程と、前記ランタンガレートを堆積した前記アノード電極３を１２００℃未満で熱処理する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is used for depositing a high refractive index thin film by a DC sputtering process, and allows a high film deposition rate of the high refractive index thin film and high productivity, and to provide a method of depositing the high refractive index thin film using the target.例文帳に追加

本発明は、高屈折率薄膜をＤＣスパッタリング法で形成する際に用いられるスパッタリングターゲットであって、高屈折率薄膜の成膜速度が速く生産性が高いスパッタリングターゲットおよび該ターゲットを用いた高屈折率薄膜の形成方法の提供を目的とする。 - 特許庁

In this method for producing a sputtering target, a process in which a sputtering target raw material containing B as essential components is melted and cast to form a cast ingot, and the obtained cast ingot is subjected to annealing treatment and is thereafter subjected to rolling into a prescribed shape is included.例文帳に追加

Ｂを必須成分として含有するスパッタリングターゲット原料を溶解、鋳造することによって鋳造インゴットを形成し、得られた鋳造インゴットに対してアニーリング処理を行ったのち、これを所定形状に圧延する工程を含むことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁

To obtain a sputtering target capable of effectively reducing or preventing cracking caused by the difference in thermal expansion coefficients in the process of producing a target, particularly, a ceramics target, i.e., in the stage of joining the target and a backing plate and furthermore capable of effectively reducing or preventing similar cracking or warpage also at the time of sputtering.例文帳に追加

ターゲット、特にセラミックスターゲットの製造工程、すなわちターゲットとバッキングプレートとの接合工程において、熱膨張率の相違による割れを効果的に低減又は防止するとともに、スパッタリングの際にも同様な割れ又は反りを効果的に低減又は防止できるスパッタリングターゲットを得る。 - 特許庁

To provide a high purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering which has a high sputtering efficiency, and can make better the uniformity of film thickness and the ignition properties of plasma even in a production process using a 300 mm wafer, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

３００ｍｍウエハを用いた製造プロセスにおいても、スパッタリング効率が高く、膜のユニフォーミティ（膜厚の均一性）とプラズマのイグニッション（点弧）性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The film-forming apparatus is directed for forming a first metal film on the substrate by sputtering at 300°C or lower; subsequently forming a second metal film on the first metal film by sputtering at 500 to 1,000°C; and forming a third metal film on the second metal film with a vapor deposition process.例文帳に追加

前記成膜装置は、基板上に３００℃以下の温度で第１の金属膜をスパッタリング成膜した後に、第１の金属膜上に５００℃〜１０００℃の温度で第２の金属膜をスパッタリング成膜し、蒸着法により第２の金属膜上に第３の金属膜を成膜するものである。 - 特許庁

In the tubular sputtering target particularly for producing a TFT display comprising a target material utilizable in a sputtering process and free from joints or seams in a tubular region, the target material is composed of Al or an aluminum alloy.例文帳に追加

スパッタプロセスにおいて利用可能な管状領域に合わせ目又は継ぎ目がないターゲット材料を有する、特にＴＦＴディスプレーを製造するための管状スパッタターゲットにおいて、前記ターゲット材料がＡｌ又はアルミニウム合金からなることを特徴とする管状スパッタターゲット - 特許庁

The sputtering process is characterized in that a vacuum vessel 1b in which the cross-sectional shape at the inside has a polygon is rotated with the almost vertical direction to the cross-section as a rotary axis, thus sputtering is performed while stirring or rotating the object 3 in the vacuum vessel.例文帳に追加

前記スパッタリング法は、内部の断面形状が多角形を有する真空容器１ｂを、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該真空容器内の被処理体３を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うものであることを特徴とする。 - 特許庁

To produce a Co alloy sputtering target and a method for producing it in which a Co-Ta alloy magnetic material target is produced by a melting method, the producing process of the target is reduced, its uniformity is made satisfactory as well, and a magnetic sputtering thin film having higher coercive force can be obtained.例文帳に追加

Ｃｏ−Ｔａ系合金磁性材ターゲットを溶解法によって作製し、ターゲットの製造工程及を短縮化するとともに、ユニフォ−ミティ−を良好にし、さらに高い保磁力を有する磁性スパッタリング薄膜を得ることができるＣｏ系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を得る。 - 特許庁

A sputtering method is used as a nucleus sticking method when forming a detecting electrode composed of platinum on an outer wall of a base body via the nucleus sticking process for sticking a nucleus of platinum to the outer wall of the base body and a growth process for growing the stuck nucleus.例文帳に追加

基体の外壁に白金の核を付着させる核付け工程と、付着した核を成長させる成長工程とを経て、基体の外壁に白金からなる検出電極を形成する際、核付け工程としてスパッタ法を用いる。 - 特許庁

The manufacturing method of the organic EL element comprises a process 1 of vapor-depositing a material containing alkali metal or alkali earth metal on the surface of a sputter target for a cathode electrode material, and a process 2 of forming a cathode electrode film by a sputtering method.例文帳に追加

カソード電極材用スパッタターゲット表面に、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属元素を含む材料を蒸着する工程１と、カソード電極をスパッタ成膜する工程２を有する有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method has a process for forming a metal thin film 60 having the thickness of 50 μm or below by sputtering on the surface of a core member 100 or on an intermediate layer forming the medical instrument.例文帳に追加

医療用具を構成するコア部材１００の表面または中間層に、スパッタリングにより、厚み５０μｍ以下の金属薄膜６０を形成する工程を有する製造方法。 - 特許庁