「structure element」に関連した英語例文の一覧と使い方(146ページ目) - Weblio英語例文検索

Irradiation of an excitation beam 6 is received, and the excitation beam intensity is increased by a resonant structure containing interference filters sandwiching the wavelength conversion layer 3, and the luminescent efficiency of the wavelength conversion element 8 is enhanced.例文帳に追加

励起光６の照射を受けて、波長変換層３をサンドイッチしている干渉フィルターを含む共振構造により励起光強度が増大され、波長変換素子８の発光効率が高められる。 - 特許庁

This organic electroluminescent element material contains, as partial structure, a compound having a condensed ring condensed with five aromatic rings each having an aromatic heterocycle containing a chalcogen atom as one of constitutive elements.例文帳に追加

カルコゲン原子を含む芳香族複素環を構成要素の一つとする５個の芳香族環が縮合した縮合環を部分構造として持つ化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element in which an optimum internal structure is given to a barrier layer that includes manganese formed on an open surface of a copper wiring body and which can fully display barrier function.例文帳に追加

銅配線本体の開放表面に形成されるマンガンを含むバリア層に最適な内部構成を持たせて、そのバリア機能を充分に発揮させることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A surface emission semiconductor laser element chip having an oscillation wavelength of 1.1-1.7 μm and a resonator structure including reflectors provided above and below a light emitting active layer is employed.例文帳に追加

レーザチップは発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップとする。 - 特許庁

To provide a structure of a ridge waveguide type III group nitride compound semiconductor laser diode element capable of stabilizing a transverse horizontal mode without increasing threshold current density and operating voltage.例文帳に追加

リッジ導波路型ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体レーザダイオード素子において、閾電流密度及び動作電圧の上昇を伴うことなく水平横モードを安定化することが可能な構造を提供する。 - 特許庁

The rectification-variable element X has a laminate structure including an electrode 1, an electrode 2 containing Ta, and an oxide layer 3 interposed between the electrodes 1 and 2 and consisting of a Co-based perovskite oxide.例文帳に追加

本発明の整流性変化型素子Ｘは、電極１と、Ｔａを含んでなる電極２と、電極１，２間に介在し且つＣｏ系ペロブスカイト酸化物よりなる酸化物層３と、を含む積層構造を有する。 - 特許庁

The following embodiments are preferable: the toner receiving layer has a mutual phase separation structure, the crystalline polymer water dispersing element contains basic compound and water, and the crystalline polymer is crystalline polyester resin.例文帳に追加

該トナー受像層が、相分離構造を有する態様、該結晶性ポリマー水分散体が、塩基性化合物、及び水を含有する態様、該結晶性ポリマーが、結晶性ポリエステル樹脂である態様などが好ましい。 - 特許庁

In the nitride semiconductor light emitting element 11, a light emitting region 17 has a quantum well structure 19 and it positions between an n-type nitride gallium system semiconductor region 13 and a p-type nitride gallium system semiconductor region 15.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子１１では、発光領域１７は、量子井戸構造１９を有しており、ｎ型窒化ガリウム系半導体領域１３とｐ型窒化ガリウム系半導体領域１５との間に位置する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric resonant element and a thin film piezoelectric resonator which are provided with a new electrode connection structure and are excellent in characteristics and whose miniaturization and light weightness can be realized, and a manufacturing method for them.例文帳に追加

新たな電極接続構造を備え、特性に優れた、小型化かつ軽量化を実現することができる薄膜圧電共振素子及び薄膜圧電共振器並びにそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a practicable piezoelectric element structure which is equipped with many piezoelectric elements and arranged such that a piezoelectric film has the polarization direction from the lower electrode layer side toward the upper electrode layer side.例文帳に追加

多数の圧電素子を備えた圧電素子構造体において、圧電体膜の分極方向が下部電極層側から上部電極層側に向かう向きである、実用化可能な圧電素子構造体を提供する。 - 特許庁

To provide a transparent cathode having high light transmittance, excellent in conductivity and easy to manufacture, and an anode structure in which a Fermi level matches with the level of an organic EL hole transport material, in an organic electoluminescent element.例文帳に追加

有機ＥＬ発光素子において、高い光透過度を有し、導電性が良く、製作が簡単な透明カソード、およびフェルミ準位と有機ＥＬホール輸送材料の準位がマッチするアノード構造を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element in structure capable of suppressing the parasitic inductance and on resistance of an electric circuit, such as an inverter circuit, for performing switching operation by two electrically connected semiconductor switches.例文帳に追加

インバータ回路など、電気接続された２つの半導体スイッチによるスイッチング動作を行なうための電気回路において、寄生インダクタンスおよびオン抵抗を抑制することができる構造の半導体素子を提供すること。 - 特許庁

With this configuration, the vehicle mounted antenna device 1 can be realized capable of keeping antenna performance constant and excellent in mass productivity while having a structure in which an element length can be shortened to miniaturize the entire device.例文帳に追加

エレメント長を短くすることができ、装置全体を小型化することができる構造でありながらも、アンテナ性能を一定に保つことができ、量産性に優れた車載アンテナ装置１を実現することができる。 - 特許庁

A vinyl polymer having anthracene structure and a hole transporting compound having glass transition temperature of 70°C or above are added to an emission layer 20 interposed between a pair of electrodes 12 and 18 in an organic EL element 1.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１において、一対の電極１２、１８間に配置された発光層２０に、アントラセン構造を有するビニルポリマー及びガラス転移温度が７０℃以上のホール輸送性化合物を含有せしめる。 - 特許庁

A super lattice semiconductor element having an intrinsic semiconductor (i) layer 15 having a super lattice structure in which barrier layers 21 and quantum well layers 22 are alternately and repeatedly laminated is provided between two electrodes 11 and 12.例文帳に追加

２つの電極１１，１２間に、障壁層２１と量子井戸層２２とが交互に繰り返して積層形成してなる超格子構造を有する真性半導体ｉ層１５を有する超格子半導体素子を備える。 - 特許庁

In the sintered compact target for producing an indium oxide based transparent electrically conductive film, a coexistent germanium element is allowed to enter into solid solution in the indium site of indium oxide with a bixbyte type crystal structure.例文帳に追加

本発明の酸化インジウム系透明導電性薄膜作製用燒結体ターゲットは、共存するゲルマニウム元素がビックスバイト型結晶構造の酸化インジウムのインジウムサイトに固溶していることを特徴としてもつ。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a multilayer interconnection structure which uses a tungsten plug is realized after a capacitor element comprising an oxide dielectrics film is formed by suppressing downward dispersion of hydrogen.例文帳に追加

下方への水素拡散を抑制することによって、酸化物系誘電体膜を含むキャパシタ素子の形成後に、タングステンプラグを用いた多層配線構造を実現することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide electronic parts which have good characteristics, can be manufactured with high productivity, and can be reduced in cost by checking closely the packed structure of the gap section of a case housing at least one electronic parts element.例文帳に追加

少なくとも１個の電子部品素子を収納したケースの空隙部の充填構造を吟味することによって、特性良好にして生産性の優れた低価格化に貢献する電子部品を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element which does not generate lowering of the reliability of operating characteristics of a transistor and lowering of the reliability of a gate oxide film, even if a dual gate oxide film process is applied to an STI(shallow trench isolation) structure.例文帳に追加

STI(Shallow Trench Isolation)構造にデュアルゲート酸化膜(dual gate oxide)工程を適用してもトランジスタの動作特性低下とゲート酸化膜の信頼性低下を発生させない半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a common use operation unit for substrate supply or the like capable of miniaturizing and weight-reducing the overall apparatus structure of a compression resin encapsulation molding apparatus for encapsulating and molding an electronic component such as semiconductor element with liquid thermosetting resin material R.例文帳に追加

半導体素子等の電子部品を液状熱硬化性樹脂材料Ｒにて封止成形するための圧縮樹脂封止成形装置の全体的な装置構造を小型化及び軽量化する。 - 特許庁

Also, in the finite element sensitivity analysis means 2, the fluctuation degree of the various kinds of the physical phenomena at an optional position on the structure at the time of fluctuating the design parameter is obtained as sensitivity to the design parameter.例文帳に追加

また有限要素感度解析手段２では、設計パラメータを変動させた際の、構造物上の任意の位置での各種物理現象の変動度合いを、該設計パラメータに対する感度として求める。 - 特許庁

To provide a GaN based LED provided with a structure reflecting the light moving in the opposite direction from a light extracting direction inside an element more efficiently and having improved efficiency of extracting light.例文帳に追加

素子の内部を、光取り出し方向とは反対の方向に進行する光を、より効率的に反射させる構造を備えた、光取り出し効率の改善されたＧａＮ系ＬＥＤを提供することを目的とする。 - 特許庁

The magnetic element 1 for monitoring articles of two-layer structure having a signal generating layer which generates a signal under a specific magnetic field condition and a canceling layer which invalidates the specific magnetic field condition is molded together with synthetic resin 2 as one body.例文帳に追加

所定磁界条件で信号を発生する信号発生層と所定磁界条件を無効化しうるキャンセル層の２層構造を有する磁気式物品監視用素子１を合成樹脂２と一体成形した。 - 特許庁

To provide a compact and highly reliable wiring substrate for high frequency of a simplified structure by sealing a substrate hermetically whereon a high frequency element is mounted and reducing transmission loss of a high frequency signal.例文帳に追加

高周波素子を搭載する基板を気密に封止するとともに高周波信号の伝送損失を低減し、簡略化した構造からなる小形で高信頼性の高周波用配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive composition for an optical element that continuously suppresses the emission of fluorescence from a cement excited by an excitation light falling on cemented optical elements of a fluorescence microscope and is free from discoloration of the cement and peeling of the cemented surface and to provide a cemented structure.例文帳に追加

蛍光顕微鏡の接合光学素子に対し、励起光による接合剤の蛍光を連続的に抑え、変色や剥がれのない光学素子の接着剤組成物及び接着構造体を提供する。 - 特許庁

A sample preparation 31, serving as the measurement object, is irradiated with a white light from a semiconductor light-emitting element 32, and the transmitted light from a sample is detected, to acquire a visible image concerning the structure and the geometry of the sample.例文帳に追加

測定対象となる試料プレパラート３１に半導体発光素子３２から白色光を照射して、試料からの透過光を検出して、試料の構造や形状に関する可視画像を取得する。 - 特許庁

A core 3 is constituted of the laminated structure of a rare earth containing layer 301, containing Er and having a thickness of one atomic layer, for example, and a rare earth not containing layer 302, not containing rare earth element and having a thickness of 4 atomic layers, for example.例文帳に追加

コア３を、Ｅｒを含む例えば膜厚が１原子層の希土類含有層３０１と、希土類元素を含まない例えば膜厚が４原子層の希土類非含有層３０２との積層構造とする。 - 特許庁

To obtain an PePt phase of L1_0 structure regularized immediately after the film is formed without high temperature treatment at a temperature of 600°C or higher after the film is formed and without adding a third element to obtain large coercive force at a low temperature.例文帳に追加

規則化のために成膜後に600℃以上の高温に熱処理したり、高い保磁力を低温で実現するために第３元素を添加したりすることなく、成膜直後に規則化されたL1_0構造のFePt相を得る。 - 特許庁

The fixing element 11 for a foundation structure such as a concrete comprises a cylindrical base 12 extending along a longitudinal axial line 13 and having a first end 14 and a second end 15 on the opposite side to the first end 14.例文帳に追加

コンクリート等の基礎構造用の固定素子１１は、長手方向軸線１３に沿って延在し、第１端部１４及び第１端部１４とは反対側の第２端部１５を有する円筒状の基体１２を有する。 - 特許庁

To provide a light emitting apparatus having a structure capable of detecting disconnection with high accuracy, in a light emitting apparatus that emits light from a semiconductor light emitting element using a light conducting member such as an optical fiber.例文帳に追加

半導体発光素子からの光を、光ファイバなどの導光部材を用いて照射させる発光装置において、高い確度で断線検知可能な構成を有する発光装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A structure of the cooling element comprises a working substance layer 13 exhibiting at least one carrier inducing magnetic effect, and an arrangement of an electrode layer 15 facing to the working substance layer 13 through at least one insulating layer 14.例文帳に追加

少なくとも１つのキャリア誘起磁性効果を示す作業物質層１３と、少なくとも１つの絶縁層１４を介して作業物質層１３と対向して電極層１５が配置された構造とする。 - 特許庁

The protective film for the surface of a metal working tool is composed of a mixed film or a stacked film of the nitride of a transition metal element and carbon having an amorphous structure and deposited on a metal surface by a vapor phase thin film deposition process.例文帳に追加

気相薄膜形成法によって金属表面に形成される、遷移金属元素の窒化物と非晶質構造の炭素との混合膜又は積層膜からなる金属加工工具表面保護膜。 - 特許庁

The cold cathode ionization vacuum gauge includes the structure in which a rod-like anode 2 is located in an internal part of a measuring element container (cathode) 1 having a discharge space 9 whose one end is sealed, and a discharge starting auxiliary electrode 5 is mounted on this anode 2.例文帳に追加

一端部が封止された放電空間９を有する測定子容器（陰極）１の内部に棒状の陽極２を配置し、この陽極２に放電開始補助電極５を取り付けた構造とする。 - 特許庁

To enable to simplify a mounting structure as well as to aim at space saving for a lighting system by providing an EL element on an outer surface of a bedroom furniture, concerning the lighting system for a bedroom furniture.例文帳に追加

寝室家具用照明装置に関し、ＥＬ素子を寝室家具の外表面に設けることで、照明装置の省スペース化が図れるばかりでなく、取付構造を簡便化することができるようにしたものである。 - 特許庁

To provide a cylinder block structure for an internal combustion engine capable of inserting a heating element of a warm-up heater into a cooling water jacket in a cylinder block for directly heating the cooling water in the cooling water jacket.例文帳に追加

シリンダブロック内の冷却水ジャケット内に暖機ヒータの加熱体を挿入し、冷却水ジャケット内の冷却水を直接加熱することができる内燃機関のシリンダブロック構造を提供することである。 - 特許庁

Moreover, the fact that the light element can be easily accelerated is used to form a proximity gettering layer at a desired deep position with favorable productivity, and to obtain a gettering structure of the solid-state image pickup device having a favorable noise characteristic.例文帳に追加

また軽元素の加速が容易であることを利用して、良好な生産性にて所望の深い位置に近接ゲッタリング層を形成し、ノイズ特性の良好な固体撮像素子のゲッタリング構造を得る。 - 特許庁

A light emitting element is formed between a laminate composed of a single unit or a plurality of units, with a lamination structure of a metal layer and organic compound layer as a single unit, and an inorganic compound layer which a visible light penetrates.例文帳に追加

金属層と有機化合物層との積層構造を一単位としてその一単位又は複数単位から成る積層体と、可視光を透過する無機化合物層との間に発光素子が形成される構成となる。 - 特許庁

The electromagnetic wave detection element includes a structure in which a metal film 35 is provided over the entire surface of a region corresponding to a region in which a sensor portion 103 is provided on the rear surface of a substrate 1, and the metal film 35 is connected to the sensor portion 103 via a through-hole 30.例文帳に追加

基板１の裏面のセンサ部１０３が設けられた領域に対応する対応領域一面に金属膜３５を設け、スルーホール３０を介して金属膜３５とセンサ部１０３とを接続する。 - 特許庁

To reduce the cost of an electric throttle valve by reducing the number of parts and simplifying a structure, and to increase a responding speed in control by increasing a moving speed of a valve element.例文帳に追加

電動絞り弁において、部品数を少なくし構造を簡単にしてコストを低減させることを課題の第１とし、弁体の移動速度を高速にして制御の応答速度を速めることを課題の第２とする。 - 特許庁

To provide; a method of manufacturing an electro-optical device provided with a structure for preventing destruction of a switching element, which is caused by static electricity after short-circuit disconnection of short-circuit wiring, and to provide an electro-optical device, and electronic equipment.例文帳に追加

短絡配線の短絡切断後における静電気によるスイッチング素子の破壊を防止する構造を備えた電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器を提供すること。 - 特許庁

To reduce BOX layer penetration defects in contact hole etching by preventing defects from being generated on the silicide as to a method for forming a contact hole on the silicide of a semiconductor element in a thin-film SOI structure.例文帳に追加

薄膜ＳＯＩ構造を有する半導体素子におけるシリサイド上へのコンタクトホール形成方法において，シリサイド上に生じる欠損の発生を防ぎ，コンタクトホールエッチング時のＢＯＸ層突き抜け不良を低減する。 - 特許庁

This laser device is provided with: a semiconductor laser 10 having a plurality of emission points 10a; a Bragg reflection structure 11 (diffraction grating) constituting a resonator along with the semiconductor laser 10; and a nonlinear optical element 12 carrying out wavelength conversion of light (fundamental wave) output from the Bragg reflection structure 11 to generate second harmonic waves.例文帳に追加

複数の発光点１０ａを有する半導体レーザ１０、半導体レーザ１０と共に共振器を構成するブラッグ反射構造１１（回折格子）、ブラッグ反射構造１１から出力された光（基本波）の波長変換を行い２次高調波を発生する非線形光学素子１２を備えている。 - 特許庁

As a structure capable of controlling the potential of the buffer layer 2 made of an n-GaN layer, the semiconductor element employs a structure in which a source electrode 6 is buried in an epitaxial layer (channel layer 3 and electron supplying layer 4) formed on the buffer layer 3 and is extended to the depth reaching the buffer layer 2 so as to be in ohmic contact with the buffer layer 2.例文帳に追加

n-GaN層から成るバッファ層２の電位を制御できる構造として、ソース電極６が、バッファ層２とオーミック接触するように、バッファ層３上に形成されるエピタキシャル層（チャネル層３と電子供給層４）に埋め込まれてバッファ層２に達する深さまで延びている構成が採られている。 - 特許庁

In the joint structure, on which optical elements are alinged and fixed on a substrate, a metallic bump is formed on one of the optical element or the substrate and a metalized film is formed on the other and both of them are joined by ultrasonic joining , thereby suppressing the thermal stress to provide the joint structure and the joining method excellent in reliability and optical characteristics.例文帳に追加

基板上に光学素子を整列固定する接合構造において、光学素子と基板の一方に金属バンプ、他方にメタライズ膜を形成し、両者を超音波接合により接合することで、生じる熱応力を抑制し、信頼性、光学特性ともに優れた接合構造、及び接合方法を提供する。 - 特許庁

A thin-film transistor 30 on an element substrate 10 has: a bottom gate structure; and a GOLD structure including a channel region 1g, a lightly-doped source region 1b, a lightly-doped drain region 1c, a heavily-doped source region 1d and a heavily-doped drain region 1e in an island-like semiconductor film 1a formed of a polysilicon film.例文帳に追加

素子基板１０上の薄膜トランジスター３０は、ボトムゲート構造を備え、かつ、ポリシリコン膜からなる島状半導体膜１ａにチャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ、高濃度ドレイン領域１ｅを備えたＧＯＬＤ構造を備えている。 - 特許庁